電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源> 以高度靈活性滿足高功率密度和性能需求：英飛凌擴(kuò)展1200 V 62 mm IGBT7 產(chǎn)品組合，推出全新電流額定值模塊

以高度靈活性滿足高功率密度和性能需求：英飛凌擴(kuò)展1200 V 62 mm IGBT7 產(chǎn)品組合，推出全新電流額定值模塊

【2023年8月4日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出搭載1200 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的62 mm半橋和共發(fā)射極模塊產(chǎn)品組合。模塊的最大電流規(guī)格高達(dá) 800 A ，擴(kuò)展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設(shè)計(jì)的產(chǎn)品組合。電流輸出能力的提高為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)額定電流更高方案的時(shí)候，不僅提供最大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優(yōu)秀的電氣性能。新型模塊專為滿足集中式太陽能逆變器以及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和不間斷電源（UPS）的需求而開發(fā)。此外，它還廣泛適用于電動(dòng)汽車充電樁、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）和其他新型工業(yè)應(yīng)用。
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基于新型微溝槽技術(shù)，搭載 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 芯片的62mm 模塊系列的靜態(tài)損耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于搭載 IGBT4 芯片組的模塊。這些特性大大降低了應(yīng)用中的損耗，在以中等開關(guān)頻率工作的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中尤為顯著。IGBT 的振蕩行為和可控性也得到了提升。此外，全新功率模塊的最大過載結(jié)溫為 175°C。
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堅(jiān)固的鍍鎳銅底板和螺母主端子確保了 62 mm模塊封裝具有足夠的機(jī)械強(qiáng)度。主端子位于封裝中央，由于其直流鏈路連接電感較低，因此非常適合并聯(lián)電路和三電平拓?fù)渑渲谩?biāo)準(zhǔn)的封裝設(shè)計(jì)和尺寸使得該系列能夠兼容此前的模塊版本。此外，所有模塊均可使用半導(dǎo)體科技公司英飛凌經(jīng)過驗(yàn)證的預(yù)涂熱界面材料（TIM）。
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供貨情況
現(xiàn)在即可訂購 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 62mm產(chǎn)品組合。預(yù)涂熱界面材料的型號(hào)也將在不久后推出。了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問 www.infineon.com/62mm和www.infineon.com/IGBT7。
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如需進(jìn)一步了解英飛凌在提高能源效率方面做出的貢獻(xiàn)，請(qǐng)?jiān)L問：www.infineon.com/green-energy
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英飛凌(142481) 英飛凌(142481)

評(píng)論

英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增強(qiáng)特性進(jìn)一步提高系統(tǒng)能效

M1H。這款先進(jìn)的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術(shù)的分立式封裝，具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統(tǒng)

2022-05-10 14:10:02

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英飛凌推出基于1700 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3模塊，大幅提升逆變器的功率密度

TRENCHSTOP? IGBT7模塊。憑借這項(xiàng)全新的芯片技術(shù)，EconoDUAL 3模塊可提供業(yè)界領(lǐng)先的900 A和750 A額定電流，進(jìn)一步拓展逆變器的功率范圍。該模塊可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和靜態(tài)無功發(fā)生器

2022-05-30 15:10:15

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飛兆半導(dǎo)體擴(kuò)充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴(kuò)充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關(guān)重要的三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用

2012-09-10 09:59:45

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英飛凌擴(kuò)展第三代逆導(dǎo)IGBT產(chǎn)品組合

英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其第叁代逆導(dǎo) （RC）軟切換絕緣閘雙極性電晶體（IGBT） 產(chǎn)品系列，推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型產(chǎn)品，以因應(yīng)市場(chǎng)對(duì)高可靠性的持續(xù)需求。

2012-10-24 09:14:36

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基美電子擴(kuò)展ESD等級(jí)陶瓷電容器產(chǎn)品組合

全球領(lǐng)先的電子元件供應(yīng)商——基美電子（KEMET），將其靜電放電（ESD）等級(jí)陶瓷電容器系列擴(kuò)展成了完整的產(chǎn)品組合。EIA 0402、0603、0805和1206封裝尺寸、電壓額定值為16至

2018-04-11 08:46:31

8655

如何實(shí)現(xiàn)高功率密度三相全橋SiC功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)呢？

為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。

2024-03-13 10:34:03

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全新600 V CoolMOS? PFD7系列助力實(shí)現(xiàn)全新水平的超高功率密度設(shè)計(jì)

通過立足于超結(jié)技術(shù)創(chuàng)新和20多年的豐富經(jīng)驗(yàn)，英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其CoolMOSTM產(chǎn)品組合，推出全新PFD7系列，該系列不僅具備一流的性能

2020-02-14 18:50:13

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功率擴(kuò)展：TRENCHSTOP? IGBT7 Easy產(chǎn)品系列推出新的電流額定值模塊

相比前幾代產(chǎn)品而言，TRENCHSTOP IGBT7芯片能帶來更高功率密度，大大降低損耗，并實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的高可控性。

2020-04-30 07:19:00

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金升陽推出DC/DC模塊電源寬壓高功率密度產(chǎn)品——URA/B_YMD-30WR3 系列

URA/B_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對(duì)更高功率密度產(chǎn)品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。

2020-08-04 11:13:35

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英飛凌推出面向高能效電源應(yīng)用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

封裝二極管，先進(jìn)的發(fā)射器控制設(shè)計(jì)結(jié)合高速技術(shù)，以滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(zhǎng)的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導(dǎo)體器件適合用于各種應(yīng)用，如組串式逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、電動(dòng)汽車充電應(yīng)用

2023-11-03 11:40:49

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英飛凌推出全新62 mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合，助力實(shí)現(xiàn)更高效率和功率密度

IGBT硅技術(shù)在這一功率等級(jí)應(yīng)用的的功率密度已達(dá)極限值。相比傳統(tǒng)的62mm IGBT 模塊，其應(yīng)用范圍現(xiàn)已擴(kuò)展至太陽能、服務(wù)器、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充

2023-12-05 17:03:49

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英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求，而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線

2024-03-14 11:07:58

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英飛凌推出高性能 CIPOS? Maxi 智能功率模塊，適用于功率高達(dá) 4 千瓦的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

溝槽設(shè)計(jì)，該產(chǎn)品具有卓越的控制能力和性能。這大大降低了損耗，提高了效率和功率密度。該產(chǎn)品組合包括三款新產(chǎn)品IM12B10CC1、IM12B15CC1和 IM12B20EC1，其電流規(guī)格從

2024-08-12 16:35:02

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Bourns 推出專為光伏應(yīng)用設(shè)計(jì) POWrFuse? 大功率電力保險(xiǎn)絲系列，具備 1500 VDC 額定值

解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，推出專為光伏 (gPV) 應(yīng)用設(shè)計(jì)的 PF-PVC150R 系列 POWrFuse? 大功率電力保險(xiǎn)絲。此全新系列具備提升的電壓與電流額定值，符合 UL 248-19

2025-07-02 13:39:54

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650V IGBT采用表面貼裝D2PAK封裝實(shí)現(xiàn)最大功率密度

40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率密度

2018-10-23 16:21:49

1200V耐壓400A/600A產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更低損耗與小型化

table .yet {background-color: #fff2f1;}全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容產(chǎn)品名稱絕對(duì)最大額定值電感值(nH)封裝熱敏電阻內(nèi)部電路圖※VDSS(V)VGS(V)ID(V

2018-12-04 10:20:43

IGBT模塊EconoPACKTM4

二極管本器件采用了最新的半導(dǎo)體技術(shù)［1、2］：IGBT4和EmCon4二極管。英飛凌推出的全新1200V IGBT4系列，結(jié)合改進(jìn)型發(fā)射極控制二極管，針對(duì)高中低功率應(yīng)用提供了三款產(chǎn)品，可面向不同應(yīng)用滿足

2018-12-07 10:23:42

IGBT驅(qū)動(dòng)芯片額定輸出功率密度不足的分析

對(duì)應(yīng)很大的脈沖電流。驅(qū)動(dòng)較長(zhǎng)信號(hào)線纜的器件要注意使用緩沖電路。注意線纜阻抗匹配失調(diào)所可能導(dǎo)致的額外電流等等。本文的篇幅較長(zhǎng)，主要的目的就是希望引起對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)芯片額定輸出功率密度相對(duì)不足的重視。如果

2018-08-14 15:05:21

滿足高達(dá)7.5V 電壓需求的超級(jí)電容

, 新推出的兩款超級(jí)電容同樣具有卓越的性能、可靠性和多功能性，而且能夠滿足更高電壓應(yīng)用要求，徹底改變能源供應(yīng)和儲(chǔ)能。 Abracon的超級(jí)電容器利用行業(yè)最新的雙層技術(shù)實(shí)現(xiàn)高能量和高功率密度。通過這兩種特性

2023-11-06 14:18:58

高功率密度的解決方案

集成來減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)

2022-11-07 06:45:10

Altera設(shè)計(jì)坊第一期如何通過FPGA提高工業(yè)應(yīng)用靈活性？

，甚至減少系統(tǒng)總成本...想知道FPGA作為多種工業(yè)產(chǎn)品的高度集成平臺(tái)，是如何有效的縮短開發(fā)時(shí)間，降低設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)的嗎？《通過FPGA提高工業(yè)應(yīng)用靈活性的5種方法》為您揭秘...看完以上文章之后，大家可以圍繞

2013-10-11 10:43:19

EconoPACKTM4堅(jiān)固、可靠的下一代功率模塊

的IGBT EconoPACKTM4 產(chǎn)品系列首先推出阻斷電壓為1200V的模塊，具備100A、150A和200A的額定電流。所有1200V EconoPACKTM4模塊都具備全新IGBT

2018-12-03 13:49:12

HCB1190系列高電流SMT功率電感器

HCB1190是臺(tái)達(dá)（DELTA）的HCB系列高電流SMT（表面貼裝）功率電感器，屬于 HCB 系列，致力于高性能、高電流系統(tǒng)設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于高功率密度 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、POL 模塊、車載電源等

2025-08-28 09:20:41

Leadway GaN系列模塊的功率密度

/L，效率96.8%），支持20分鐘快充。數(shù)據(jù)中心：通過高功率密度設(shè)計(jì)降低PUE（能源使用效率），如英特爾數(shù)據(jù)中心12V電源采用GaN后PUE降至1.08。與傳統(tǒng)硅基方案的對(duì)比：硅基IGBT功率模塊

2025-10-22 09:09:58

XM3半橋電源模塊系列CREE

：1200V 耐壓與 450A 額定電流滿足高壓快充需求，縮短充電時(shí)間。l 牽引驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)：低電感與高開關(guān)頻率特性優(yōu)化電機(jī)控制，提升動(dòng)力系統(tǒng)效率。工業(yè)與能源領(lǐng)域l 不間斷電源（UPS）：高功率密度與低損耗

2025-09-11 09:48:08

一款具備高功率密度1A LDO器件LT196

　　LT1965 一款高功率密度1A LDO器件.該IC在滿負(fù)載時(shí)具有僅為300mV的低壓差電壓、1.8V 至20V的寬VIN能力和1.2V至19.5V的可調(diào)輸出，不日前由凌力爾特公司

2018-09-27 10:37:27

什么是功率密度？如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？

什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？

2021-03-11 06:51:37

什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？

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2021-03-11 08:12:17

什么是英飛凌創(chuàng)新型智能數(shù)字LED驅(qū)動(dòng)電源？

的數(shù)字產(chǎn)品和解決方案，在提供高性能表現(xiàn)的產(chǎn)品和系統(tǒng)解決方案的同時(shí)，極大的減輕了客戶庫存的壓力和新產(chǎn)品推出的周期，擴(kuò)展了研發(fā)設(shè)計(jì)的靈活性。英飛凌照明驅(qū)動(dòng)IC以其豐富的產(chǎn)品類型，廣泛的拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">組合，搭配業(yè)界領(lǐng)先功率晶體管CoolMOS技術(shù)，充分滿足了LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體器件選型需求。

2019-10-18 06:23:59

基于德州儀器GaN產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高功率密度

從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸

2019-03-01 09:52:45

如何去提高電源管理的靈活性？

有什么方法可以提高電源管理的靈活性嗎？

2021-04-23 06:24:02

智能數(shù)字LED驅(qū)動(dòng)電源有什么特點(diǎn)？

的數(shù)字產(chǎn)品和解決方案，在提供高性能表現(xiàn)的產(chǎn)品和系統(tǒng)解決方案的同時(shí)，極大的減輕了客戶庫存的壓力和新產(chǎn)品推出的周期，擴(kuò)展了研發(fā)設(shè)計(jì)的靈活性。英飛凌照明驅(qū)動(dòng)ＩＣ以其豐富的產(chǎn)品類型，廣泛的拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">組合，搭配業(yè)界領(lǐng)先功率晶體管CoolMOS技術(shù)，充分滿足了LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體器件選型需求。

2019-08-06 06:14:02

浙江常年大量回收英飛凌二手模塊系列IGBT模塊

模塊長(zhǎng)期高價(jià)回收英飛凌IGBT模塊FF300R12KT3_E 300A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開關(guān),雙向變換器等 62mm ? 無錫不限量收購回收英飛凌IGBT模塊電話151-5220-9946QQ2360670759

2021-02-24 17:06:50

瑞薩電子推出包括汽車級(jí)在內(nèi)的 10款全新成功產(chǎn)品組合

的任何電動(dòng)車系統(tǒng)。該款“成功產(chǎn)品組合”包含瑞薩的低功耗藍(lán)牙 ^?^ 、Wi-Fi和MCU產(chǎn)品。3千瓦非車載電動(dòng)車充電器高功率非車載充電器是支持電池組解決方案的功能模塊。該充電器組合在通用輸入范圍內(nèi)工作

2023-03-02 14:29:51

用于汽車應(yīng)用的碳化硅MOSFET功率模塊

具有更高的熱性能和堅(jiān)固性，以及高度可靠的環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)。所有這些都導(dǎo)致：　　優(yōu)化內(nèi)部低雜散電感和電弧鍵合?結(jié)構(gòu)，顯著提升動(dòng)態(tài)開關(guān)性能;　　功率密度比主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的模塊高20-30%;　　更低的熱阻

2023-02-20 16:26:24

電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊

面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本

2021-03-27 19:40:16

電動(dòng)汽車解決方案 NCV57001FDWR2G 隔離大電流IGBT 門驅(qū)動(dòng)器

;5 kVrms（UL1577額定值）電流隔離和>1200 VIORM（工作電壓）能力。有多種型號(hào)可供選擇?身體SOIC?16個(gè)組件，保證兩個(gè)組件之間的爬電距離為8mm滿足強(qiáng)化安全絕緣要求的輸入

2022-01-06 09:53:36

電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中靈活性和可配置性的好處

固定功能電源問題。即便類似的標(biāo)準(zhǔn)零件能夠以更低成本滿足他們的即時(shí)需求，有些設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)還是會(huì)選擇使用可配置電源。他們這樣做的原因是靈活性的價(jià)值超出了使用可配置電源的少量額外成本。在產(chǎn)品的生命周期內(nèi)，很多

2017-04-07 15:06:26

脈沖電流額定值的計(jì)算方法

的。以最近發(fā)布的CSD17579Q5A 30V N通道MOSFET為例。該部件的產(chǎn)品說明書規(guī)定了105A的最大脈沖電流額定值，基本條件是脈沖持續(xù)時(shí)間小于或等于100μs，占空比小于或等于1％。為確定

2022-11-18 06:02:49

輔助功率模塊

定制DCB（直接銅粘合）布線和引腳而獲得的應(yīng)用靈活性；降低客戶開發(fā)周期和成本；高功率密度；集成式溫度傳感器；低雜散電感模塊設(shè)計(jì)；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。英飛凌已成功將這些模塊納入其汽車功率模塊產(chǎn)品組合。因此

2018-12-07 10:13:16

重慶市長(zhǎng)期高價(jià)回收各種英飛凌IGBT型號(hào)模塊

長(zhǎng)期高價(jià)回收英飛凌IGBT模塊FF300R12KT3_E 300A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開關(guān),雙向變換器等 62mm ?無錫不限量收購回收英飛凌IGBT模塊FF400R12KT3_E

2021-09-17 19:23:57

1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 H7

40-140A 1200V的TRENCHSTOP? IGBT7 H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應(yīng)用。 產(chǎn)品特點(diǎn) ：得益于著名的英飛凌出色VCEsat

2023-03-17 13:31:16

英飛凌推出高功率密度和高可靠性的汽車級(jí)品質(zhì)功率模塊

在紐倫堡 PCIM Europe 2013 展會(huì)中（2013 年 5 月 14 日至 16 日），英飛凌科技股份有限公司（FSE:IFX / OTCQX:IFNNY）推出完全符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的全新 EconoDUAL? 3 IGBT 模塊。

2013-07-09 15:49:21

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英飛凌推出額定電流高達(dá)120A的新型TO-247PLUS封裝

2014年12月2日，慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司針對(duì)大功率應(yīng)用擴(kuò)大分立式 IGBT 產(chǎn)品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達(dá) 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內(nèi)裝有滿額二極管作為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)TO-247-3。

2014-12-02 11:12:04

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英飛凌推出1200 V碳化硅MOSFET技術(shù)，助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)達(dá)到前所未有的效率和性能

　　2016年5月10日，德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。

2016-05-10 18:14:09

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Littelfuse的新型半橋IGBT模塊將額定電流提升至600A，確保靈活、高效、可靠的電源轉(zhuǎn)換

Littelfuse， Inc.今天宣布推出IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合的最新產(chǎn)品系列——MG12600WB-BR2MM。相比該產(chǎn)品組合之前產(chǎn)品的最高額定電流（450A），新型半橋IGBT模塊

2016-10-25 16:29:15

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Qorvo推出新控制產(chǎn)品，為業(yè)界最豐富的CATV產(chǎn)品組合再添成員

Qorvo宣布擴(kuò)展CATV產(chǎn)品組合，推出兩款專為DOCSIS 3.1有線網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的全新控制產(chǎn)品——QPC3624和QPC3024。新增加的產(chǎn)品為有線運(yùn)營(yíng)商提供了更大的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)靈活性，從而提高上游和下游帶寬并降低功耗。

2016-11-04 15:11:30

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Aviacomm推出靈活性寬頻射頻前端（RFFE）電路產(chǎn)品ARF1010EX

寬頻射頻積體電路供應(yīng)商Aviacomm宣布在其智慧收發(fā)器產(chǎn)品組合中增添最新推出的產(chǎn)品ARF1010EX。定位于快速發(fā)展的3G和LTE市場(chǎng)對(duì)高度復(fù)雜的多頻段無線通訊的需求，ARF1010EX 提供了一項(xiàng)簡(jiǎn)單的晶片解決方案來滿足對(duì)更具靈活性的解決方案的市場(chǎng)需求。

2019-03-20 08:51:32

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QORVO推出最新一代RF Flex產(chǎn)品組合，擴(kuò)展其 RF前端（RFFE）產(chǎn)品系列

Qorvo， Inc.推出最新一代RF Flex產(chǎn)品組合，擴(kuò)展其 RF前端（RFFE）產(chǎn)品系列。Qorvo最新第5代RF Flex RFFE產(chǎn)品組合兼具高性能與設(shè)計(jì)靈活性，使制造商得以快速開發(fā)并推出滿足載波聚合（CA）高要求的，且發(fā)展最快、范圍最廣的中端智能手機(jī)。

2018-05-14 11:42:00

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英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容

英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進(jìn)一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容，推出最高電流達(dá)75 A的新產(chǎn)品系列。TO-247PLUS封裝同時(shí)還集成全額定電流反

2018-05-18 09:04:00

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英飛凌IGBT芯片技術(shù)又升級(jí)換代了？

基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù)，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行芯片優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開關(guān)特性。

2018-06-21 10:10:44

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高功率密度DC/DC模塊電源——寬壓URB_YMD-30WR3 系列

URB_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對(duì)更高功率密度產(chǎn)品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。

2019-10-22 13:48:24

2607

英飛凌TRENCHSTOP? IGBT7系列新產(chǎn)品，電流額定值模塊

英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）為其1200 V TRENCHSTOP? IGBT7系列推出新的電流額定值模塊。

2020-04-30 11:52:39

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Allegro推出80V電機(jī)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合，滿足電動(dòng)汽車的應(yīng)用需求

運(yùn)動(dòng)控制和節(jié)能系統(tǒng)傳感和功率解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商Allegro MicroSystems（以下簡(jiǎn)稱Allegro）今天推出業(yè)界更強(qiáng)大的80V電機(jī)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合，可理想用于先進(jìn)的48V汽車系統(tǒng)

2020-10-20 15:37:12

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IGBT單管TRENCHSTOP IGBT7產(chǎn)品概述

TRENCHSTOP IGBT7現(xiàn)在提供TO-247封裝，電流等級(jí)為20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7帶來更高的擊穿電壓（650V）、一流的性價(jià)比和效率，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的即插即用解決方案

2020-10-22 09:33:30

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英飛凌新品：采用D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC? MOSFET

英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率。了解

2020-11-03 14:09:49

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英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET助力不同功率的工業(yè)電源實(shí)現(xiàn)最高效率

英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高

2021-03-01 12:16:02

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Littelfuse擴(kuò)展PolySwitch低Rho SMD系列，為現(xiàn)有產(chǎn)品組合增加了23個(gè)新等級(jí)

Littelfuse全球產(chǎn)品經(jīng)理Stephen Li表示：“我們經(jīng)過擴(kuò)展的低Rho SMD自恢復(fù)PPTC產(chǎn)品組合包括更廣泛的額定值和尺寸范圍。

2020-12-16 16:18:10

1008

英飛凌采用具有新額定電流的IGBT7以增強(qiáng)1200V EconoDUAL? 3產(chǎn)品組合，靈活滿足更高的功率密度和性能

除了太陽能和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用外，該產(chǎn)品組合還為商用、建筑和農(nóng)用車輛（CAV）以及不間斷電源（UPS）逆變器量身定制。

2021-09-07 11:46:52

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IGBT7與IGBT4兩種典型工況對(duì)比方案

IGBT4與IGBT7的結(jié)溫對(duì)比。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在連續(xù)大功率負(fù)載工況與慣量盤負(fù)載工況的對(duì)比測(cè)試中，IGBT7的結(jié)溫均低于IGBT4。伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)響應(yīng)速度快，過載倍數(shù)高，小型化和高功率密度的趨勢(shì)更是對(duì)功率器件提出了更苛刻的要求。英飛凌明星產(chǎn)品IGBT7憑借超低導(dǎo)通壓降、dv/dt可控、175℃過載結(jié)溫

2021-10-26 15:41:19

3924

SiC FET實(shí)現(xiàn)更高水平的設(shè)計(jì)靈活性的解決方案

為了滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高性能、更高效系統(tǒng)的需求，UnitedSiC 宣布了新的 SiC FET，可實(shí)現(xiàn)更高水平的設(shè)計(jì)靈活性，最顯著的是 750 V、6 mΩ 的解決方案，其穩(wěn)健的短路耐受時(shí)間額定值為 5微秒。

2022-08-03 08:04:48

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英飛凌IGBT

英飛凌IGBT 英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性最高，在設(shè)計(jì)靈活性上也絲毫不妥協(xié) 我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級(jí)，適用于

2023-02-16 16:30:58

2132

英飛凌推出全新 EiceDRIVER? 1200 V 半橋驅(qū)動(dòng)器 IC系列，有源米勒鉗位保護(hù)可提升高功率系統(tǒng)的耐用性

，為客戶提供了更多的選擇以及設(shè)計(jì)靈活性。增強(qiáng)的電流輸出能力將這一產(chǎn)品組合的適用性提升到更高的系統(tǒng)功率水平。這些器件能夠提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的負(fù)極 VS 負(fù)瞬態(tài)電壓抗

2023-06-06 11:03:03

962

1200V-600A/450A IGBT模塊產(chǎn)品性能

對(duì)應(yīng)用系統(tǒng)的性能具有決定性的影響。為響應(yīng)上述應(yīng)用市場(chǎng)日益增長(zhǎng)的發(fā)展需求，JSAB推出了兼容國(guó)外一流進(jìn)口品牌的Econodual3和62mm封裝的1200V-600A/450A大功率模塊。相關(guān)模塊的IGBT

2023-06-20 11:26:02

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IGBT功率模塊散熱基板的作用及種類車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊的散熱方式

IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導(dǎo)致的熱應(yīng)力，良好的熱管理對(duì)于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對(duì)新能源汽車性能需求的提高仍在

2023-08-23 09:33:23

3280

英飛凌(Infineon)IGBT管前10熱門型號(hào)

、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高壓IGBT，適用于高效能和高可靠性的應(yīng)用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值，能夠提供低導(dǎo)通

2023-08-25 16:58:53

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搭載1200V P7芯片的PrimePACK?刷新同封裝功率密度

封裝的功率密度上限。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域：1200VP7模塊首發(fā)型號(hào)有以下兩個(gè)：相比于以前的IGBT4或IGBT5產(chǎn)品，新的IGBT7產(chǎn)品進(jìn)一步拓展了PrimePACK封

2023-09-14 08:16:10

1725

IGBT模塊的額定值和特性介紹

如果施加超過額定值的負(fù)載。會(huì)立即損壞元件或降低元件的可靠性。請(qǐng)遵照規(guī)格書額定值進(jìn)行設(shè)計(jì)

2023-10-13 09:03:55

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英飛凌推出面向高能效電源應(yīng)用的分立式650V TRENCHSTOP? IGBT7 H7新品

英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(zhǎng)的需求

2023-11-21 08:14:06

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提高4.5kV IGBT模塊的功率密度

提高4.5kV IGBT模塊的功率密度

2023-11-23 15:53:38

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采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計(jì)實(shí)例

采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計(jì)實(shí)例

2023-12-05 15:06:06

2055

功率半導(dǎo)體電流額定值和熱設(shè)計(jì)

功率半導(dǎo)體電流額定值和熱設(shè)計(jì)

2023-12-07 14:36:27

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絕對(duì)最大額定值的含義 IGBT IPM的絕對(duì)最大額定值

Bipolar Transistor Intelligent Power Module）是一種集成了多個(gè)IGBT和驅(qū)動(dòng)電路的功率模塊，用于高功率電子設(shè)備的開關(guān)控制。 IGBT IPM的絕對(duì)最大額定值對(duì)于

2023-11-24 14:15:33

1953

英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合，助力實(shí)現(xiàn)更高效率和功率密度

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅

2023-12-02 08:14:01

1647

擴(kuò)展 IGBT7 產(chǎn)品組合，實(shí)現(xiàn)bast-in-Class功率密度

技術(shù)的產(chǎn)品系列，其新封裝形式一定程度上豐富了其市場(chǎng)價(jià)值主張。圖1顯示了目前可用的分立產(chǎn)品組合，重點(diǎn)如下：1.采用TO-247PLUS封裝可實(shí)現(xiàn)高功率密度，可用于商用車和農(nóng)用車(CAV)

2023-12-11 17:31:13

1209

英飛凌|1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳，助力提升變頻器系統(tǒng)性能（上）

的可能性大幅降低。在功率模塊中，IGBT和二極管的出色性能可帶來更高的電流密度和更大的輸出電流。不僅如此，通過將功率模塊的最高結(jié)溫提升到175 °C，輸出電流可增加50%以上。

2024-01-09 14:24:50

1483

收藏！IGBT7系列分立器件核心知識(shí)點(diǎn)最全整理！

IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應(yīng)用，例如馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。該系列可實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出以及更高的功率密度，無需重新設(shè)計(jì)散熱器，縮短設(shè)計(jì)周期和降低設(shè)計(jì)成本。 H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，通過優(yōu)化元胞結(jié)構(gòu)，極大程度上降低了器件

2024-03-13 15:14:54

1110

英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度

2024-03-20 08:13:05

1068

英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產(chǎn)品

英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。

2024-03-20 10:27:29

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上能電氣采用英飛凌IGBT7 EconoDUAL?3實(shí)現(xiàn)單機(jī)2MW儲(chǔ)能變流器

的基于英飛凌IGBT7技術(shù)的新一代高功率密度2MW儲(chǔ)能變流器PCS，使用英飛凌最新的EconoDUAL3封裝的750

2024-06-14 08:14:24

2480

新品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展

新品采用1200VSiCM1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展1200V的62mmCoolSiCMOSFET半橋模塊現(xiàn)已上市。由于采用了M1H芯片技術(shù)，模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移

2024-06-26 08:14:27

1230

利用SLC技術(shù)改善熱導(dǎo)率，增強(qiáng)IGBT模塊功率密度

第七代工業(yè)IGBT模塊已成功開發(fā)用于650V和1200V級(jí)，以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統(tǒng)要求。與低損耗第七代芯片組結(jié)合的SLC技術(shù)在熱循環(huán)能力、無“泵出故障”封裝和低熱阻

2024-08-01 10:58:01

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新品 | 900A 1700V Wave基板的EconoDUAL? 3 IGBT7 模塊

的功率密度和更長(zhǎng)的使用壽命。目前的EconoDUAL3Wave產(chǎn)品組合新增了1700V電壓等級(jí)的900A模塊。產(chǎn)品型號(hào)：FF900R17ME7W_B11900A170

2024-08-13 08:14:43

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英飛凌推出高性能 CIPOS? Maxi 智能功率模塊，適用于功率高達(dá) 4 千瓦的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

基于最新的TRENCHSTOPIGBT71200V和快速二極管EmCon7技術(shù)。由于采用了最新的微溝槽設(shè)計(jì)，該產(chǎn)品具有卓越的控制能力和性能。這大大降低了損耗，提高了效率和功率密度。該產(chǎn)品組合包

2024-08-14 08:14:45

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英飛凌宣布擴(kuò)展其藍(lán)牙產(chǎn)品組合

英飛凌科技股份公司近日在藍(lán)牙技術(shù)領(lǐng)域邁出重要一步，隆重推出AIROC? CYW20829低功耗藍(lán)牙5.4微控制器（MCU）系列的八款創(chuàng)新產(chǎn)品，此舉顯著擴(kuò)展了其藍(lán)牙產(chǎn)品組合，為工業(yè)、消費(fèi)及汽車等多個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用提供了更加靈活高效的解決方案。

2024-08-22 16:59:30

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AM62x最大電流額定值

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AM62x最大電流額定值.pdf》資料免費(fèi)下載

2024-09-06 10:33:50

電源模塊MSL額定值和回流額定值

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電源模塊MSL額定值和回流額定值.pdf》資料免費(fèi)下載

2024-09-30 10:05:16

英飛凌推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30V產(chǎn)品組合

英飛凌科技股份公司（股票代碼：FSE： IFX，OTCQX： IFNNY）近期推出了其StrongIRFET? 2系列中的全新30V功率MOSFET產(chǎn)品組合，進(jìn)一步豐富了該系列的產(chǎn)品線，旨在響應(yīng)大眾

2024-09-30 16:15:58

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新品 | 采用IGBT7的CIPOS? Maxi 10-20A 1200V IPM

Emcon7技術(shù)。由于采用了最新的微溝槽設(shè)計(jì)芯片，該產(chǎn)品具有卓越的控制能力和性能，這大大降低了損耗，提高了效率，并增加了功率密度。產(chǎn)品組合包括從10A，15A和20A三種新

2024-10-09 08:04:05

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新品 | D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP?的IGBT7系列

新品D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用額定電壓為1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D2PAK

2024-11-14 01:03:50

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深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

采用這些技術(shù)并擴(kuò)大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機(jī)LV100封裝中實(shí)現(xiàn)了1800A的額定電流，是傳統(tǒng)1200V IGBT功率模塊的1.5倍。

2024-11-14 14:59:19

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英飛凌IGBT7系列芯片大解析

，英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micropatterntrench）技術(shù)，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，并且

2025-01-15 18:05:21

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傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊

傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界關(guān)鍵詞：1200V/540A、2.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、175℃高溫

2025-06-24 07:58:29

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Bourns 全新擴(kuò)展 POWrFuse? 系列，具備更高電壓額定值、更寬電流范圍與多樣封裝選項(xiàng)

全球知名電源、保護(hù)和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，宣布擴(kuò)展其 POWrFuse? 大功率電力保險(xiǎn)絲產(chǎn)品組合，推出全新 PF-63R50H 系列，具備更高電壓額定值以及先進(jìn)功能與性能，專為能源儲(chǔ)存

2025-06-25 17:56:59

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英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2，將工業(yè)應(yīng)用功率密度提升至新高度

的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應(yīng)對(duì)工業(yè)應(yīng)用的高性能和高可靠性要求而設(shè)計(jì)，例如電動(dòng)汽車充電

2025-08-01 17:05:09

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Microchip推出全新DualPack 3 IGBT7電源模塊提供高功率密度并簡(jiǎn)化系統(tǒng)集成

推出全新DualPack 3（DP3）系列電源模塊。該系列模塊采用先進(jìn)IGBT7技術(shù)，提供1200V和1700V兩種電壓等級(jí)的六款產(chǎn)品，額定電流范圍300–900A，旨在滿足市場(chǎng)對(duì)緊湊、經(jīng)濟(jì)高效且簡(jiǎn)化的電源轉(zhuǎn)換器解決方案的日益增長(zhǎng)需求。

2025-09-17 15:45:45

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英飛凌推出專為高功率與計(jì)算密集型應(yīng)用而設(shè)計(jì)的400V和440V MOSFET

及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續(xù)）和455V（瞬態(tài)）的TOLL封裝新產(chǎn)品

2025-10-31 11:00:59

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搜索歷史

以高度靈活性滿足高功率密度和性能需求：英飛凌擴(kuò)展1200 V 62 mm IGBT7 產(chǎn)品組合，推出全新電流額定值模塊

評(píng)論