TRENCHSTOP? IGBT7模塊。憑借這項(xiàng)全新的芯片技術(shù)，EconoDUAL 3模塊可提供業(yè)界領(lǐng)先的900 A和750 A額定電流，進(jìn)一步拓展逆變器的功率范圍。該模塊可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和靜態(tài)無(wú)功發(fā)生器
2022-05-30 15:10:15
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飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴(kuò)充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關(guān)重要的三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
2012-09-10 09:59:45880 英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其第叁代逆導(dǎo) （RC） 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 （IGBT） 產(chǎn)品系列，推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型產(chǎn)品，以因應(yīng)市場(chǎng)對(duì)高可靠性的持續(xù)需求。
2012-10-24 09:14:361485 大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-10 14:04:348342 
針對(duì)工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的技術(shù)需求，在最新一代模塊中，與IGBT7搭配使用的續(xù)流二極管（FWD），也已進(jìn)行了優(yōu)化。
2020-01-06 16:53:072172 相比前幾代產(chǎn)品而言，TRENCHSTOP IGBT7芯片能帶來(lái)更高功率密度，大大降低損耗，并實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的高可控性。
2020-04-30 07:19:00986 半橋和共發(fā)射極模塊產(chǎn)品組合。模塊的最大電流規(guī)格高達(dá) 800 A ，擴(kuò)展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設(shè)計(jì)的產(chǎn)品組合。電流輸出能力的提高為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)額定電流更高方案的時(shí)候，不僅提供最大
2023-08-07 11:12:56898 
模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)并基于新推出的增強(qiáng)型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級(jí)應(yīng)用，而傳統(tǒng)
2023-12-05 17:03:491311 
? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求，而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線
2024-03-14 11:07:581205 
溝槽設(shè)計(jì)，該產(chǎn)品具有卓越的控制能力和性能。這大大降低了損耗，提高了效率和功率密度。該產(chǎn)品組合包括三款新產(chǎn)品IM12B10CC1、IM12B15CC1和 IM12B20EC1，其電流規(guī)格從
2024-08-12 16:35:02998 
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率密度
2018-10-23 16:21:49
G002”和“BSM600D12P3G001”。ROHM于2012年3月份于全球首家開始量產(chǎn)內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部由碳化硅組成的全SiC功率模塊。其后，產(chǎn)品陣容不斷擴(kuò)大，并擁有達(dá)1200V、300A的產(chǎn)品，各產(chǎn)品在眾多領(lǐng)域中被廣為采用。隨著
2018-12-04 10:20:43
二極管本器件采用了最新的半導(dǎo)體技術(shù)［1、2］：IGBT4和EmCon4二極管。英飛凌推出的全新1200V IGBT4系列，結(jié)合改進(jìn)型發(fā)射極控制二極管，針對(duì)高中低功率應(yīng)用提供了三款產(chǎn)品，可面向不同應(yīng)用滿足
2018-12-07 10:23:42
要確定主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，這個(gè)和IGBT選型密切相關(guān)，額定工作電流、過載系數(shù)、散熱條件決定了IGBT模塊的額定電流參數(shù)，額定工作電壓、電壓波動(dòng)、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓參數(shù)，引線方式
2022-05-10 10:06:52
對(duì)應(yīng)很大的脈沖電流。驅(qū)動(dòng)較長(zhǎng)信號(hào)線纜的器件要注意使用緩沖電路。注意線纜阻抗匹配失調(diào)所可能導(dǎo)致的額外電流等等。本文的篇幅較長(zhǎng)，主要的目的就是希望引起對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)芯片額定輸出功率密度相對(duì)不足的重視。如果
2018-08-14 15:05:21
二極管方面已經(jīng)做出了許多努力。這些新一代二極管的主要開發(fā)采用體晶圓、薄晶圓技術(shù)、n+背表面接觸、激光退火和多質(zhì)子注入，均用于二極管制造［1-5］。本文介紹了具有不同額定電流的1700V軟恢復(fù)二極管。具有尾
2023-02-27 09:32:57
我需要24V降壓15V 的降壓模塊，但是降壓模塊的額定電流 有什么用，根據(jù)什么選擇額定電流的大??；還有如果需要24V 的電源，但是如何選擇改用多大其額定電流希望前輩們指教！?。「兄x
2022-02-19 17:12:32
。所有這些應(yīng)用都需要具備更高功率密度的先進(jìn)半導(dǎo)體系統(tǒng)。此類功率模塊的決定性要素是出色的可靠性、堅(jiān)固性和長(zhǎng)使用壽命。 圖1 英飛凌1200V功率模塊振動(dòng)條件下的堅(jiān)固性和可靠性不僅是牽引應(yīng)用關(guān)注的焦點(diǎn)，同時(shí)也
2018-12-03 13:49:12
而言。為滿足這種產(chǎn)品的各種要求，采用全套功率模塊常常是比較有利的。這可確保改善熱管理、降低寄生電感，并大幅提高整體性能。在這里，采用這種全新的器件，可顯著減少器件的數(shù)量。圖3的例子顯示了在功率模塊
2018-12-07 10:21:41
VF）和最先進(jìn)的耐用性，提供了額外的自由度，通過較低的額定電流以較低的成本實(shí)現(xiàn)了高效率和可靠性，同時(shí)降低了工作溫度并延長(zhǎng)了應(yīng)用壽命。它們確保與每個(gè)需要極高功率密度和效率的開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器和逆變器完美匹配
2020-06-30 16:26:30
LAUNCHXL-F28027 用于生成逆變器控制所需的 PWM 信號(hào)。主要特色 三相逆變器系統(tǒng)具有：額定電壓為 1200V、額定電流范圍為 50A-200A 的 IGBT 模塊。（支持多家供應(yīng)商）7 個(gè)增強(qiáng)型隔離式
2018-12-27 11:41:40
) IGBT與非穿通(NPT)型IGBT(圖3 a與b)，過渡到目前國(guó)際最新的溝槽柵場(chǎng)截止(Trench+FS)技術(shù)(圖3 c)。針對(duì)焊機(jī)產(chǎn)品的1200V系列正是采用了這一最新技術(shù)。相對(duì)于PT和NPT
2014-08-13 09:01:33
的概念。例如：功率電感器的額定電流有兩種，它們之間存在這怎樣的差異呢？ 想了解它們之間的差異，首先就得了解存在兩種額定電流的原因。功率電感器的額定電流有"基于自我溫度上升的額定電流"
2017-06-10 10:15:58
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
℃下的功率循環(huán)能力3 IHM B模塊的新型引出端設(shè)計(jì)由于新型芯片技術(shù)使得電流密度不斷增加，現(xiàn)有的模塊必須要能容納標(biāo)稱電流值高達(dá)3600A的1200V和1700V芯片。3.1 IHM A模塊的缺陷與局限
2018-12-03 13:51:29
描述對(duì)于具有較高輸出額定功率的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備而言，并聯(lián) IGBT 變得很有必要，因?yàn)樵谶@類應(yīng)用中，單個(gè) IGBT 無(wú)法提供所需的負(fù)載電流。此 TI 設(shè)計(jì)采用一個(gè)增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極控制模塊來(lái)
2018-12-07 14:05:13
快，效率高，具有卓越的熱性能和系統(tǒng)可靠性，總面積為700mm2，輸出功率為48W。輸入電壓為60V，輸出電壓為1V，電流50A，開關(guān)頻率600kHz時(shí)，48V的效率為88%，如圖3所示。模塊效率峰值為91
2019-07-29 04:45:02
更高的功率密度。GaN的時(shí)代60多年以來(lái)，硅一直都是電氣組件中的基礎(chǔ)材料，廣泛用于交流電與直流電轉(zhuǎn)換，并調(diào)整直流電壓以滿足從手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人等眾多應(yīng)用的需求。雖然必要的組件一直在持續(xù)改進(jìn)和優(yōu)化，但物理學(xué)
2019-03-01 09:52:45
封裝中容納更多的硅，從而實(shí)現(xiàn)比分立QFN器件更高的功率密度。這些器件還具有帶裸露金屬頂部的耐熱增強(qiáng)型DualCool?封裝。因此，盡管仍存在一些情況，即電動(dòng)工具制造商可能更傾向于使用TO-220 FET來(lái)
2017-08-21 14:21:03
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無(wú)減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
具有更高的熱性能和堅(jiān)固性，以及高度可靠的環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)。所有這些都導(dǎo)致： 優(yōu)化內(nèi)部低雜散電感和電弧鍵合?結(jié)構(gòu)，顯著提升動(dòng)態(tài)開關(guān)性能; 功率密度比主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的模塊高20-30%; 更低的熱阻
2023-02-20 16:26:24
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
` 功率電感選型關(guān)鍵因素-額定電流？在實(shí)際的電源設(shè)計(jì)中，功率電感的選擇尤為關(guān)鍵。在DC-DC轉(zhuǎn)換器中，電感器是僅次于IC的核心元件。通過選擇恰當(dāng)?shù)碾姼衅?，能夠獲得較高的轉(zhuǎn)換效率。在選擇電感器時(shí)所
2019-07-06 16:10:32
時(shí)間內(nèi)（由600V IGBT3的6微秒增至650V IGBT4的10微秒），該器件具備出類拔萃的開關(guān)性能和短路魯棒性。結(jié)論利用英飛凌新型650V IGBT4可開發(fā)出專用于大電流應(yīng)用的逆變器設(shè)計(jì)，以部署
2018-12-07 10:16:11
_E 400A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開關(guān),雙向變換器等 62mm ?鹽城高價(jià)回收收購(gòu)英飛凌IGBT模塊FF225R12ME4 225A,1200V,IGBT4,螺栓型 EconoDUAL3 ?上海收購(gòu)
2021-09-17 19:23:57
開發(fā)人員來(lái)說(shuō)，功率密度是一個(gè)始終存在的挑戰(zhàn)，對(duì)各種電壓下更高電流的需求（通常遠(yuǎn)低于系統(tǒng)總線）帶來(lái)了對(duì)更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過一個(gè)單極里的多個(gè)放大器，將電壓從高達(dá)48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
電場(chǎng)終止（fieldstop），這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴(kuò)展系列產(chǎn)品的
2023-02-07 14:38:49
（fieldstop），這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴(kuò)展系列產(chǎn)品的功率范
2023-02-24 14:45:08
附加層被稱為電場(chǎng)終止（fieldstop），這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可
2023-02-24 15:28:34
40-140A 1200V的TRENCHSTOP? IGBT7 H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應(yīng)用。 產(chǎn)品特點(diǎn) ：得益于著名的英飛凌出色VCEsat
2023-03-17 13:31:16
電感的額定電流額定電流是指能保證電路正常工作的工作電流。有一些電感線圈在電路工作時(shí)，工作電流較大，如高頻扼流圈、大功率諧振線圈以及電源濾
2009-08-22 14:32:355949 IR針對(duì)汽車應(yīng)用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32955 Infineon 公司的EconoDUAL 3模塊是600A/1200V的IGBT,主要的典型應(yīng)用包括自動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的頻率變換器,光伏電壓系統(tǒng)的中央逆變器,汽車柴油發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器(CAV),同等封裝尺寸,可增加功率30%.本文
2010-06-21 21:52:093975 
2014年12月2日，慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司針對(duì)大功率應(yīng)用擴(kuò)大分立式 IGBT 產(chǎn)品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達(dá) 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內(nèi)裝有滿額二極管作為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)TO-247-3。
2014-12-02 11:12:049176 系列（1200V，600A）可為設(shè)計(jì)師提供顯著更高的額定電流，能夠依托現(xiàn)代IGBT技術(shù)可靠、靈活地提供高效快速的開關(guān)速度。
2016-10-25 16:29:153345 IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率密度日益增長(zhǎng)的需求，適于使用自動(dòng)化表面貼裝生產(chǎn)線。要求最大功率密度和能效的典型應(yīng)用包括太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）、電池充電和蓄電等。
2018-06-04 08:31:002707 大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:004336 
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進(jìn)一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容，推出最高電流達(dá)75 A的新產(chǎn)品系列。TO-247PLUS封裝同時(shí)還集成全額定電流反
2018-05-18 09:04:002436 基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù)，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行芯片優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開關(guān)特性。
2018-06-21 10:10:4413292 新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對(duì)開關(guān)頻率在15kHz以上的硬開關(guān)和諧振拓?fù)涠O(shè)計(jì)，可滿足其對(duì)更高能效以及更低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的要求.
2018-07-11 11:28:575622 
英飛凌日前利用采用先進(jìn)中性點(diǎn)鉗位（advanced neutral-point-clamped ANPC）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，將混合碳化硅（SiC）和IGBT功率模塊EasyPACK 2B提升到1200V。該
2019-09-14 10:56:005286 英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）為其1200 V TRENCHSTOP? IGBT7系列推出新的電流額定值模塊。
2020-04-30 11:52:394967 。 IGBT7 T7主要針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用、PFC和PV/UPS應(yīng)用。 特 性 低Vce(sat) 1.35V EMI性能增強(qiáng) 耐濕性得到改善 650V擊穿電壓和3us短路能力 IGBT飽和壓降低
2020-10-22 09:33:304118 英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493799 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高
2021-03-01 12:16:023163 該IPM封裝為DIP 36x23D。這使得它成為最小的1200V IPM封裝，在同類產(chǎn)品中具有最高的功率密度和最佳性能。
2021-06-30 11:03:562491 IGBT4與IGBT7的結(jié)溫對(duì)比。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在連續(xù)大功率負(fù)載工況與慣量盤負(fù)載工況的對(duì)比測(cè)試中，IGBT7的結(jié)溫均低于IGBT4。 伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)響應(yīng)速度快，過載倍數(shù)高，小型化和高功率密度的趨勢(shì)更是對(duì)功率器件提出了更苛刻的要求。英飛凌明星產(chǎn)品IGBT7憑借超低導(dǎo)通壓降、dv/dt可控、175℃過載結(jié)溫
2021-10-26 15:41:193924 
電流為400A的“MG400V2YMS3”。這是東芝首款具有此類電壓等級(jí)的產(chǎn)品，與之前發(fā)布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V器件的陣容。 新模塊在安裝方式上與廣泛
2022-02-01 20:22:025818 本文將介紹實(shí)現(xiàn)更高電源功率密度的 3 種方法，工藝技術(shù)創(chuàng)新、電路設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)化、熱優(yōu)化封裝研發(fā)
2022-12-22 11:59:591604 
英飛凌IGBT 英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性最高，在設(shè)計(jì)靈活性上也絲毫不妥協(xié) 我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級(jí)，適用于
2023-02-16 16:30:582132 提高。封裝采用.XT互連技術(shù)，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產(chǎn)品規(guī)格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12
2022-04-20 09:56:201544 
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封裝分立器件，可快速、方便地替換上一代T2芯片產(chǎn)品系列產(chǎn)品型號(hào)：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE
2023-03-31 10:49:582171 
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應(yīng)用。產(chǎn)品特點(diǎn)得益于著名
2023-03-31 10:52:071468 /引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級(jí)（650V&1200V）和三個(gè)系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對(duì)光儲(chǔ)、UPS、EVcharger、焊機(jī)等
2023-05-31 16:51:272456 、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高壓IGBT，適用于高效能和高可靠性的應(yīng)用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值，能夠提供低導(dǎo)通
2023-08-25 16:58:534679 
封裝的功率密度上限。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域：1200VP7模塊首發(fā)型號(hào)有以下兩個(gè)：相比于以前的IGBT4或IGBT5產(chǎn)品，新的IGBT7產(chǎn)品進(jìn)一步拓展了PrimePACK封
2023-09-14 08:16:101725 采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計(jì)實(shí)例
2023-12-05 15:06:062055 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647 我們已經(jīng)介紹過關(guān)于采用標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝的1200VTRENCHSTOPIGBT7S7加EC7二極管續(xù)流產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)。秉承"越多越好"的宗旨，英飛凌最近拓展了IGBT7和EC7
2023-12-11 17:31:131209 的可能性大幅降低。在功率模塊中，IGBT和二極管的出色性能可帶來(lái)更高的電流密度和更大的輸出電流。不僅如此，通過將功率模塊的最高結(jié)溫提升到175 °C，輸出電流可增加50%以上。
2024-01-09 14:24:501483 
短時(shí)額定電流和長(zhǎng)時(shí)額定電流的區(qū)別有哪些？ 短時(shí)額定電流和長(zhǎng)時(shí)額定電流是兩種與電流相關(guān)的術(shù)語(yǔ)，用來(lái)描述電器或電氣設(shè)備能夠承受的最大電流負(fù)載。它們?cè)诙x、應(yīng)用和重要性等方面存在一些區(qū)別。在本文中，我將
2024-01-30 16:51:592727 隔離開關(guān)的額定電流。 電氣設(shè)備的額定電流：隔離開關(guān)用于控制電氣設(shè)備的通斷，因此需要根據(jù)電氣設(shè)備的額定電流來(lái)選擇隔離開關(guān)的額定電流。一般情況下，隔離開關(guān)的額定電流應(yīng)大于或等于電氣設(shè)備的額定電流，以確保開關(guān)能夠
2024-02-05 15:25:059106 IGBT7S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應(yīng)用，例如馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。該系列可實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出以及更高的功率密度，無(wú)需重新設(shè)計(jì)散熱器，縮短設(shè)計(jì)周期和降低設(shè)計(jì)成本。H7
2024-02-23 08:13:151162 英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場(chǎng)熱度不減，本文為大家整理針對(duì)該產(chǎn)品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測(cè)試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過
2024-03-05 08:17:271349 IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應(yīng)用，例如馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。該系列可實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出以及更高的功率密度，無(wú)需重新設(shè)計(jì)散熱器，縮短設(shè)計(jì)周期和降低設(shè)計(jì)成本。 H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，通過優(yōu)化元胞結(jié)構(gòu)，極大程度上降低了器件
2024-03-13 15:14:541110 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度
2024-03-20 08:13:051068 ）和風(fēng)電變流器，覆蓋了中功率和一部分大功率的應(yīng)用場(chǎng)合。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展和市場(chǎng)對(duì)高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經(jīng)基于最新的1700VIGBT7技術(shù)開發(fā)
2024-03-26 08:13:042257 合。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展和市場(chǎng)對(duì)高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經(jīng)基于最新的1700V IGBT7技術(shù)開發(fā)了新一代的EconoDUAL?3模塊，并率先推出了900A和750A兩款新產(chǎn)品。本文首先分析
2024-05-31 15:22:381195 
的基于英飛凌IGBT7技術(shù)的新一代高功率密度2MW儲(chǔ)能變流器PCS，使用英飛凌最新的EconoDUAL3封裝的750
2024-06-14 08:14:242480 
，對(duì)于保證電氣設(shè)備的安全運(yùn)行具有重要意義。 額定電流的計(jì)算方法 額定電流的計(jì)算方法通常有兩種：一種是根據(jù)設(shè)備的額定功率和額定電壓計(jì)算，另一種是根據(jù)設(shè)備的熱容量和允許溫升計(jì)算。 （1）根據(jù)額定功率和額定電壓計(jì)算 額定
2024-07-10 14:35:4211369 第七代工業(yè)IGBT模塊已成功開發(fā)用于650V和1200V級(jí)，以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統(tǒng)要求。與低損耗第七代芯片組結(jié)合的SLC技術(shù)在熱循環(huán)能力、無(wú)“泵出故障”封裝和低熱阻
2024-08-01 10:58:011504 
的功率密度和更長(zhǎng)的使用壽命。目前的EconoDUAL3Wave產(chǎn)品組合新增了1700V電壓等級(jí)的900A模塊。產(chǎn)品型號(hào)：FF900R17ME7W_B11900A170
2024-08-13 08:14:431056 基于最新的TRENCHSTOPIGBT71200V和快速二極管EmCon7技術(shù)。由于采用了最新的微溝槽設(shè)計(jì)，該產(chǎn)品具有卓越的控制能力和性能。這大大降低了損耗，提高了效率和功率密度。該產(chǎn)品組合包
2024-08-14 08:14:45958 Emcon7技術(shù)。由于采用了最新的微溝槽設(shè)計(jì)芯片，該產(chǎn)品具有卓越的控制能力和性能，這大大降低了損耗，提高了效率，并增加了功率密度。產(chǎn)品組合包括從10A，15A和20A三種新
2024-10-09 08:04:051202 新品D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用額定電壓為1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D2PAK
2024-11-14 01:03:501615 采用這些技術(shù)并擴(kuò)大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機(jī)LV100封裝中實(shí)現(xiàn)了1800A的額定電流，是傳統(tǒng)1200V IGBT功率模塊的1.5倍。
2024-11-14 14:59:192864 
為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品，具有低損耗、散熱性強(qiáng)等特點(diǎn)，讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)更緊湊、更高效，組裝時(shí)能自動(dòng)化生產(chǎn)。
2024-11-27 14:58:201444 
新品Easy2BEasy3B1200VIGBT7H7高速芯片的T型三電平模塊的先導(dǎo)產(chǎn)品EasyPACK封裝圖采用最新一代TRENCHSTOPIGBTH7芯片的FS3L40R12W2H7
2024-12-04 01:04:011916 ，英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micropatterntrench）技術(shù)，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，并且
2025-01-15 18:05:212265 新品TRENCHSTOPIGBT7EconoDUAL3產(chǎn)品系列拓展英飛凌在此發(fā)布TRENCHSTOPIGBT7EconoDUAL3系列產(chǎn)品拓展，帶焊接針和帶預(yù)涂導(dǎo)熱材料版本(TIM)。產(chǎn)品
2025-04-09 17:06:26780 新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFETM1H增強(qiáng)型1代、集成NTC溫度傳感器
2025-04-17 17:05:15805 新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半橋模塊，增強(qiáng)型1代M1H芯片、集成NTC
2025-06-10 17:06:211301 的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應(yīng)對(duì)工業(yè)應(yīng)用的高性能和高可靠性要求而設(shè)計(jì)，例如電動(dòng)汽車充電
2025-08-01 17:05:091507 1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401035 推出全新DualPack 3（DP3）系列電源模塊。該系列模塊采用先進(jìn)IGBT7技術(shù)，提供1200V和1700V兩種電壓等級(jí)的六款產(chǎn)品，額定電流范圍300–900A，旨在滿足市場(chǎng)對(duì)緊湊、經(jīng)濟(jì)高效且簡(jiǎn)化的電源轉(zhuǎn)換器解決方案的日益增長(zhǎng)需求。
2025-09-17 15:45:45914 11月25日，英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎(jiǎng)（WorldElectronicsAchievementAwards）年度功率半導(dǎo)體
2025-11-26 09:32:50572 6ED2231S12T：1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析 在電力電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件（如IGBT和SiC MOSFET）的關(guān)鍵組件。今天我們來(lái)詳細(xì)探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02658
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