V TRENCHSTOP? IGBT7模塊。憑借這項(xiàng)全新的芯片技術(shù)，EconoDUAL 3模塊可提供業(yè)界領(lǐng)先的900 A和750 A額定電流，進(jìn)一步拓展逆變器的功率范圍。該模塊可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和靜態(tài)無(wú)功發(fā)生器
2022-05-30 15:10:15
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飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴(kuò)充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關(guān)重要的三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
2012-09-10 09:59:45613 英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其第叁代逆導(dǎo) （RC） 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 （IGBT） 產(chǎn)品系列，推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型產(chǎn)品，以因應(yīng)市場(chǎng)對(duì)高可靠性的持續(xù)需求。
2012-10-24 09:14:361052 大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-10 14:04:347768 
針對(duì)工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的技術(shù)需求，在最新一代模塊中，與IGBT7搭配使用的續(xù)流二極管（FWD），也已進(jìn)行了優(yōu)化。
2020-01-06 16:53:071700 相比前幾代產(chǎn)品而言，TRENCHSTOP IGBT7芯片能帶來(lái)更高功率密度，大大降低損耗，并實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的高可控性。
2020-04-30 07:19:00721 URA/B_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對(duì)更高功率密度產(chǎn)品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。
2020-08-04 11:13:351227 也顯而易見(jiàn)，更少的組件，更高的集成度以及更低的成本。 ? 更高的功率密度和溫度 ?功率密度是在給定空間內(nèi)可處理多少功率的度量，基于轉(zhuǎn)換器的額定功率以及電源組件的體積計(jì)算得出。電流密度也是一種與功率密度有關(guān)的指標(biāo)，
2022-12-26 09:30:522114 半橋和共發(fā)射極模塊產(chǎn)品組合。模塊的最大電流規(guī)格高達(dá) 800 A ，擴(kuò)展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設(shè)計(jì)的產(chǎn)品組合。電流輸出能力的提高為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)額定電流更高方案的時(shí)候，不僅提供最大
2023-08-07 11:12:56417 
模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)并基于新推出的增強(qiáng)型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級(jí)應(yīng)用，而傳統(tǒng)
2023-12-05 17:03:49446 
在 400VAC 50/60Hz 并網(wǎng)連接時(shí)的最大輸出功率為 10kW/10KVA工作功率因數(shù)范圍為 0.7 滯后至 0.7 超前基于高壓 (1200V) SiCMosFET 的全橋逆變器，峰值效率高
2018-10-29 10:23:06
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率密度
2018-10-23 16:21:49
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ?b class="flag-6" style="color: red">產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
G002”和“BSM600D12P3G001”。ROHM于2012年3月份于全球首家開始量產(chǎn)內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部由碳化硅組成的全SiC功率模塊。其后，產(chǎn)品陣容不斷擴(kuò)大，并擁有達(dá)1200V、300A的產(chǎn)品，各產(chǎn)品在眾多領(lǐng)域中被廣為采用。隨著
2018-12-04 10:20:43
二極管本器件采用了最新的半導(dǎo)體技術(shù)［1、2］：IGBT4和EmCon4二極管。英飛凌推出的全新1200V IGBT4系列，結(jié)合改進(jìn)型發(fā)射極控制二極管，針對(duì)高中低功率應(yīng)用提供了三款產(chǎn)品，可面向不同應(yīng)用滿足
2018-12-07 10:23:42
要確定主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，這個(gè)和IGBT選型密切相關(guān)，額定工作電流、過(guò)載系數(shù)、散熱條件決定了IGBT模塊的額定電流參數(shù)，額定工作電壓、電壓波動(dòng)、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓參數(shù)，引線方式
2022-05-10 10:06:52
對(duì)應(yīng)很大的脈沖電流。驅(qū)動(dòng)較長(zhǎng)信號(hào)線纜的器件要注意使用緩沖電路。注意線纜阻抗匹配失調(diào)所可能導(dǎo)致的額外電流等等。本文的篇幅較長(zhǎng)，主要的目的就是希望引起對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)芯片額定輸出功率密度相對(duì)不足的重視。如果
2018-08-14 15:05:21
二極管方面已經(jīng)做出了許多努力。這些新一代二極管的主要開發(fā)采用體晶圓、薄晶圓技術(shù)、n+背表面接觸、激光退火和多質(zhì)子注入，均用于二極管制造［1-5］。本文介紹了具有不同額定電流的1700V軟恢復(fù)二極管。具有尾
2023-02-27 09:32:57
其產(chǎn)品組合，以補(bǔ)充現(xiàn)有的1700 V系列，從使用升級(jí)的LoPak模塊封裝的1200 V，900 A x 2模塊開始。圖5.1200 V， 900 A X 2 LoPak 模塊圖6.帶 TIM 的模塊
2023-02-22 16:58:24
Transistor：JFET）效應(yīng)。以Trench + Field-Stop技術(shù)命名的IGBT主要包括英飛凌、富士電機(jī)、飛兆半導(dǎo)體和IR等公司的新型IGBT產(chǎn)品。表 2給出了英飛凌1200V/100A NPT
2015-12-24 18:23:36
進(jìn)一步減小，甚至消除。 結(jié)論 如今，新一代的40V和60V MOSFET可使設(shè)計(jì)工程師設(shè)計(jì)出更高功率密度的產(chǎn)品。開關(guān)性能的優(yōu)化可使許多應(yīng)用選用一個(gè)更低電壓等級(jí)的MOSFET，從而全面優(yōu)化通態(tài)電阻、成本
2018-12-06 09:46:29
過(guò)程中，確保在未來(lái)以比現(xiàn)有交通工具更少的排放實(shí)現(xiàn)更高水平的個(gè)人交通能力。電子器件對(duì)提高能效具有至關(guān)重要的作用。為了幫助節(jié)能和減少污染，英飛凌利用同類最優(yōu)的技術(shù)，為混合動(dòng)力汽車（HEV）提供各種高性能
2018-12-13 17:15:46
48V 電壓驅(qū)動(dòng)至電路板。那么，還有什么其他辦法可以在不增加成本的前提下提高數(shù)據(jù)中心的功率密度呢？本文概述了一種兩級(jí)架構(gòu)解決方案——以一種靈活的、可調(diào)節(jié)的、高性價(jià)比方式，將 48V 電壓驅(qū)動(dòng)至負(fù)載點(diǎn)
2021-05-26 19:13:52
我需要24V降壓15V 的降壓模塊，但是降壓模塊的額定電流 有什么用，根據(jù)什么選擇額定電流的大??；還有如果需要24V 的電源，但是如何選擇改用多大其額定電流希望前輩們指教?。?！感謝
2022-02-19 17:12:32
。所有這些應(yīng)用都需要具備更高功率密度的先進(jìn)半導(dǎo)體系統(tǒng)。此類功率模塊的決定性要素是出色的可靠性、堅(jiān)固性和長(zhǎng)使用壽命。 圖1 英飛凌1200V功率模塊振動(dòng)條件下的堅(jiān)固性和可靠性不僅是牽引應(yīng)用關(guān)注的焦點(diǎn)，同時(shí)也
2018-12-03 13:49:12
電流條件下為 24V，開關(guān)頻率為 500kHz。16 個(gè) 10μF陶瓷電容器 (X7R 型，1210 尺寸) 起一個(gè)跨接電容器的作用，以傳送輸出功率。圖 1：一款采用 LTC7820 的高效率、高
2018-10-31 11:26:48
而言。為滿足這種產(chǎn)品的各種要求，采用全套功率模塊常常是比較有利的。這可確保改善熱管理、降低寄生電感，并大幅提高整體性能。在這里，采用這種全新的器件，可顯著減少器件的數(shù)量。圖3的例子顯示了在功率模塊
2018-12-07 10:21:41
VF）和最先進(jìn)的耐用性，提供了額外的自由度，通過(guò)較低的額定電流以較低的成本實(shí)現(xiàn)了高效率和可靠性，同時(shí)降低了工作溫度并延長(zhǎng)了應(yīng)用壽命。它們確保與每個(gè)需要極高功率密度和效率的開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器和逆變器完美匹配
2020-06-30 16:26:30
LAUNCHXL-F28027 用于生成逆變器控制所需的 PWM 信號(hào)。主要特色 三相逆變器系統(tǒng)具有：額定電壓為 1200V、額定電流范圍為 50A-200A 的 IGBT 模塊。（支持多家供應(yīng)商）7 個(gè)增強(qiáng)型隔離式
2018-12-27 11:41:40
) IGBT與非穿通(NPT)型IGBT(圖3 a與b)，過(guò)渡到目前國(guó)際最新的溝槽柵場(chǎng)截止(Trench+FS)技術(shù)(圖3 c)。針對(duì)焊機(jī)產(chǎn)品的1200V系列正是采用了這一最新技術(shù)。相對(duì)于PT和NPT
2014-08-13 09:01:33
的概念。例如：功率電感器的額定電流有兩種，它們之間存在這怎樣的差異呢？ 想了解它們之間的差異，首先就得了解存在兩種額定電流的原因。功率電感器的額定電流有"基于自我溫度上升的額定電流"
2017-06-10 10:15:58
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
看出，即使流過(guò)保險(xiǎn)絲的電流大于額定電流小于或者等于常規(guī)不熔斷電流時(shí)，保險(xiǎn)絲也不會(huì)發(fā)生熔斷現(xiàn)象。同時(shí)，保險(xiǎn)絲具有延時(shí)性能，也不一定能馬上熔斷（TT延時(shí)，T延時(shí)，F(xiàn)延時(shí)性能） 例如：額定電流是2A，當(dāng)
2018-02-27 14:09:03
℃下的功率循環(huán)能力3 IHM B模塊的新型引出端設(shè)計(jì)由于新型芯片技術(shù)使得電流密度不斷增加，現(xiàn)有的模塊必須要能容納標(biāo)稱電流值高達(dá)3600A的1200V和1700V芯片。3.1 IHM A模塊的缺陷與局限
2018-12-03 13:51:29
描述對(duì)于具有較高輸出額定功率的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備而言，并聯(lián) IGBT 變得很有必要，因?yàn)樵谶@類應(yīng)用中，單個(gè) IGBT 無(wú)法提供所需的負(fù)載電流。此 TI 設(shè)計(jì)采用一個(gè)增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極控制模塊來(lái)
2018-12-07 14:05:13
快，效率高，具有卓越的熱性能和系統(tǒng)可靠性，總面積為700mm2，輸出功率為48W。輸入電壓為60V，輸出電壓為1V，電流50A，開關(guān)頻率600kHz時(shí)，48V的效率為88%，如圖3所示。模塊效率峰值為91
2019-07-29 04:45:02
更高的功率密度。GaN的時(shí)代60多年以來(lái)，硅一直都是電氣組件中的基礎(chǔ)材料，廣泛用于交流電與直流電轉(zhuǎn)換，并調(diào)整直流電壓以滿足從手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人等眾多應(yīng)用的需求。雖然必要的組件一直在持續(xù)改進(jìn)和優(yōu)化，但物理學(xué)
2019-03-01 09:52:45
元件全部由碳化硅組成的全SiC功率模塊。其后，產(chǎn)品陣容不斷擴(kuò)大，并擁有達(dá)1200V、300A的產(chǎn)品，各產(chǎn)品在眾多領(lǐng)域中被廣為采用。隨著新封裝的開發(fā)， ROHM繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)品陣容，如今已經(jīng)擁有覆蓋IGBT
2018-12-04 10:19:59
封裝中容納更多的硅，從而實(shí)現(xiàn)比分立QFN器件更高的功率密度。這些器件還具有帶裸露金屬頂部的耐熱增強(qiáng)型DualCool?封裝。因此，盡管仍存在一些情況，即電動(dòng)工具制造商可能更傾向于使用TO-220 FET來(lái)
2017-08-21 14:21:03
達(dá) 600 Vac 的低壓驅(qū)動(dòng)器適用于額定電流高達(dá) 1000 A 且 Qg 高達(dá) 10 uC 的中等功率 IGBT 模塊雙極性（+15 V 和 -8 V）閘極驅(qū)動(dòng)器電壓通用 MOSFET 尺寸讓用戶能
2018-09-04 09:20:51
高密度智能功率模塊（IPM）推向市場(chǎng)。由于采用精細(xì)間距技術(shù)實(shí)現(xiàn)高布線密度的直接鍵合銅（DBC）基板，改善了熱性能，這些緊湊型IPM遠(yuǎn)小于具有相同電流和電壓額定值的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品。它們也表現(xiàn)出降低的功率損耗
2018-10-18 09:14:21
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無(wú)減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
模塊長(zhǎng)期高價(jià)回收英飛凌IGBT模塊FF300R12KT3_E 300A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開關(guān),雙向變換器等 62mm ? 無(wú)錫不限量收購(gòu)回收英飛凌IGBT模塊電話151-5220-9946QQ2360670759
2021-02-24 17:06:50
具有更高的熱性能和堅(jiān)固性，以及高度可靠的環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)。所有這些都導(dǎo)致： 優(yōu)化內(nèi)部低雜散電感和電弧鍵合?結(jié)構(gòu)，顯著提升動(dòng)態(tài)開關(guān)性能; 功率密度比主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的模塊高20-30%; 更低的熱阻
2023-02-20 16:26:24
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
電機(jī)銘牌上的額定電流是電機(jī)廠測(cè)量值還是理論算出來(lái)的，怎么不同廠家的同功率同級(jí)對(duì)數(shù)的電機(jī)，額定電流，轉(zhuǎn)速什么的都不一樣呢？
2023-11-16 07:47:45
` 功率電感選型關(guān)鍵因素-額定電流？在實(shí)際的電源設(shè)計(jì)中，功率電感的選擇尤為關(guān)鍵。在DC-DC轉(zhuǎn)換器中，電感器是僅次于IC的核心元件。通過(guò)選擇恰當(dāng)?shù)碾姼衅?，能夠獲得較高的轉(zhuǎn)換效率。在選擇電感器時(shí)所
2019-07-06 16:10:32
時(shí)間內(nèi)（由600V IGBT3的6微秒增至650V IGBT4的10微秒），該器件具備出類拔萃的開關(guān)性能和短路魯棒性。結(jié)論利用英飛凌新型650V IGBT4可開發(fā)出專用于大電流應(yīng)用的逆變器設(shè)計(jì)，以部署
2018-12-07 10:16:11
_E 400A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開關(guān),雙向變換器等 62mm ?鹽城高價(jià)回收收購(gòu)英飛凌IGBT模塊FF225R12ME4 225A,1200V,IGBT4,螺栓型 EconoDUAL3 ?上海收購(gòu)
2021-09-17 19:23:57
開發(fā)人員來(lái)說(shuō)，功率密度是一個(gè)始終存在的挑戰(zhàn)，對(duì)各種電壓下更高電流的需求（通常遠(yuǎn)低于系統(tǒng)總線）帶來(lái)了對(duì)更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過(guò)一個(gè)單極里的多個(gè)放大器，將電壓從高達(dá)48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
集成來(lái)減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。首先，讓我們來(lái)定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)
2022-11-07 06:45:10
），這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴(kuò)展系列產(chǎn)品的功率范圍。硅片結(jié)溫可高達(dá)1
2023-01-10 11:29:08
終止（fieldstop），這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴(kuò)展系列產(chǎn)品的功率
2023-01-12 11:28:56
附加層被稱為電場(chǎng)終止（fieldstop），這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可
2023-02-07 09:50:06
層被稱為電場(chǎng)終止（fieldstop），這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴(kuò)展
2023-02-07 13:46:10
，這個(gè)附加層被稱為電場(chǎng)終止（fieldstop），這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還
2023-02-07 14:31:30
電場(chǎng)終止（fieldstop），這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴(kuò)展系列產(chǎn)品的
2023-02-07 14:38:49
（fieldstop），這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴(kuò)展系列產(chǎn)品的功率范
2023-02-24 14:45:08
，這個(gè)附加層被稱為電場(chǎng)終止（fieldstop），這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它
2023-02-24 14:55:47
附加層被稱為電場(chǎng)終止（fieldstop），這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可
2023-02-24 15:28:34
40-140A 1200V的TRENCHSTOP? IGBT7 H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應(yīng)用。 產(chǎn)品特點(diǎn) ：得益于著名的英飛凌出色VCEsat
2023-03-17 13:31:16
電感的額定電流額定電流是指能保證電路正常工作的工作電流。有一些電感線圈在電路工作時(shí)，工作電流較大，如高頻扼流圈、大功率諧振線圈以及電源濾
2009-08-22 14:32:355412 Infineon 公司的EconoDUAL 3模塊是600A/1200V的IGBT,主要的典型應(yīng)用包括自動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的頻率變換器,光伏電壓系統(tǒng)的中央逆變器,汽車柴油發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器(CAV),同等封裝尺寸,可增加功率30%.本文
2010-06-21 21:52:093084 
2014年12月2日，慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司針對(duì)大功率應(yīng)用擴(kuò)大分立式 IGBT 產(chǎn)品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達(dá) 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內(nèi)裝有滿額二極管作為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)TO-247-3。
2014-12-02 11:12:047283 Littelfuse， Inc.今天宣布推出IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合的最新產(chǎn)品系列——MG12600WB-BR2MM。 相比該產(chǎn)品組合之前產(chǎn)品的最高額定電流（450A），新型半橋IGBT模塊
2016-10-25 16:29:152734 1200V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT終端設(shè)計(jì)_陳天
2017-01-08 14:36:35
7 IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率密度日益增長(zhǎng)的需求，適于使用自動(dòng)化表面貼裝生產(chǎn)線。要求最大功率密度和能效的典型應(yīng)用包括太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）、電池充電和蓄電等。
2018-06-04 08:31:002053 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進(jìn)一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容，推出最高電流達(dá)75 A的新產(chǎn)品系列。TO-247PLUS封裝同時(shí)還集成全額定電流
2018-05-18 09:04:001989 基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù)，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行芯片優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開關(guān)特性。
2018-06-21 10:10:4412361 本文主要是介紹額定電流的概念，另外還介紹了額定電流的性質(zhì)及選擇。
2018-08-19 11:40:0750636 英飛凌日前利用采用先進(jìn)中性點(diǎn)鉗位（advanced neutral-point-clamped ANPC）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，將混合碳化硅（SiC）和IGBT功率模塊EasyPACK 2B提升到1200V
2019-09-14 10:56:003726 英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）為其1200 V TRENCHSTOP? IGBT7系列推出新的電流額定值模塊。
2020-04-30 11:52:394039 TRENCHSTOP IGBT7現(xiàn)在提供TO-247封裝，電流等級(jí)為20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7帶來(lái)更高的擊穿電壓（650V）、一流的性價(jià)比和效率，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的即插即用解決方案
2020-10-22 09:33:303189 英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高
2021-03-01 12:16:022084 該IPM封裝為DIP 36x23D。這使得它成為最小的1200V IPM封裝，在同類產(chǎn)品中具有最高的功率密度和最佳性能。
2021-06-30 11:03:561530 工況下IGBT4與IGBT7的結(jié)溫對(duì)比。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在連續(xù)大功率負(fù)載工況與慣量盤負(fù)載工況的對(duì)比測(cè)試中，IGBT7的結(jié)溫均低于IGBT4。 伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)響應(yīng)速度快，過(guò)載倍數(shù)高，小型化和高功率密度的趨勢(shì)更是對(duì)功率器件提出了更苛刻的要求。英飛凌明星產(chǎn)品IGBT7憑借超低導(dǎo)通壓降、dv/dt可控、175℃過(guò)載結(jié)溫
2021-10-26 15:41:192729 
值得一提的是，這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，同時(shí)表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也滿足車規(guī)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金，如下圖，支持雙面散熱封裝，可進(jìn)一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:16874 也顯而易見(jiàn)，更少的組件，更高的集成度以及更低的成本。 更高的功率密度和溫度 功率密度是在給定空間內(nèi)可處理多少功率的度量，基于轉(zhuǎn)換器的額定功率以及電源組件的體積計(jì)算得出。電流密度也是一種與功率密度有關(guān)的指標(biāo)，轉(zhuǎn)
2022-12-26 07:15:02723 英飛凌IGBT 英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性最高，在設(shè)計(jì)靈活性上也絲毫不妥協(xié) 我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級(jí)，適用于
2023-02-16 16:30:581135 ，為客戶提供了更多的選擇以及設(shè)計(jì)靈活性。增強(qiáng)的電流輸出能力將這一產(chǎn)品組合的適用性提升到更高的系統(tǒng)功率水平。這些器件能夠提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的負(fù)極 VS 負(fù)瞬態(tài)電壓抗
2023-06-06 11:03:03420 
/引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級(jí)（650V&1200V）和三個(gè)系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對(duì)光儲(chǔ)、UPS、EVcharger、焊機(jī)
2023-05-31 16:51:27639 
型號(hào)：1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高壓IGBT，適用于高效能和高可靠性的應(yīng)用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值，能夠提供低導(dǎo)通
2023-08-25 16:58:531479 
了該封裝的功率密度上限。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域：1200VP7模塊首發(fā)型號(hào)有以下兩個(gè)：相比于以前的IGBT4或IGBT5產(chǎn)品，新的IGBT7產(chǎn)品進(jìn)一步拓展了PrimePACK封
2023-09-14 08:16:10430 什么是溫升電流？什么是額定電流？? 電流是電子在導(dǎo)體中通過(guò)的速度或電量。電流的大小決定了導(dǎo)體中電荷的流動(dòng)方向和速度，所以在電路中電流的大小對(duì)于電路的正常運(yùn)行具有重要的作用。在電路中，電流
2023-09-14 10:53:271266 來(lái)提高其功率容量。 然而，功率電感器有兩種額定電流值，即預(yù)定電流和最大電流。在這篇文章中，我們將討論這兩種類型之間的差異及其對(duì)功率電感器的性能的影響。 預(yù)定電流 預(yù)定電流是指功率電感器設(shè)計(jì)時(shí)的額定電流值，一般以標(biāo)準(zhǔn)
2023-10-25 11:39:51690 采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計(jì)實(shí)例
2023-12-05 15:06:06375 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 技術(shù)的產(chǎn)品系列，其新封裝形式一定程度上豐富了其市場(chǎng)價(jià)值主張。圖1顯示了目前可用的分立產(chǎn)品組合，重點(diǎn)如下：1.采用TO-247PLUS封裝可實(shí)現(xiàn)高功率密度，可用于商用車和農(nóng)用車(CAV)
2023-12-11 17:31:13196 的可能性大幅降低。在功率模塊中，IGBT和二極管的出色性能可帶來(lái)更高的電流密度和更大的輸出電流。不僅如此，通過(guò)將功率模塊的最高結(jié)溫提升到175 °C，輸出電流可增加50%以上。
2024-01-09 14:24:50233 
短時(shí)額定電流和長(zhǎng)時(shí)額定電流的區(qū)別有哪些？ 短時(shí)額定電流和長(zhǎng)時(shí)額定電流是兩種與電流相關(guān)的術(shù)語(yǔ)，用來(lái)描述電器或電氣設(shè)備能夠承受的最大電流負(fù)載。它們?cè)诙x、應(yīng)用和重要性等方面存在一些區(qū)別。在本文
2024-01-30 16:51:59202 你IGBT7S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應(yīng)用，例如馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。該系列可實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出以及更高的功率密度，無(wú)需重新設(shè)計(jì)散熱器，縮短設(shè)計(jì)周期和降低設(shè)計(jì)成本。H7
2024-02-23 08:13:15157 你 IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應(yīng)用，例如馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。該系列可實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出以及更高的功率密度，無(wú)需重新設(shè)計(jì)散熱器，縮短設(shè)計(jì)周期和降低設(shè)計(jì)成本。 H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，通過(guò)優(yōu)化元胞結(jié)構(gòu)，極大程度上降低了器件
2024-03-13 15:14:54101 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度
2024-03-20 08:13:0574
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