9月15日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司創(chuàng)始人、董事長、總經(jīng)理尹志堯在某活動中探討如何打造高質(zhì)量、有競爭力的半導(dǎo)體設(shè)備公司時，表示目前半導(dǎo)體公司的設(shè)備主要可以分為四大類，光刻機、等離子體刻蝕機
2021-09-16 09:01:00
5766 氮化鎵作為一種寬帶隙半導(dǎo)體，已被用于制造發(fā)光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經(jīng)開發(fā)了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術(shù)。電感耦合等離子體刻蝕因其優(yōu)越的等離子體均勻性和強可控性而備受關(guān)注。本研究
2022-04-26 14:07:282863 
解決方案：a)樣品在等離子體反應(yīng)器中處理，并在表面分析裝置(XPS、螺旋鉆等)的真空下轉(zhuǎn)移（為了避免空氣暴露中的表面修飾和污染）；b)實驗是在超高真空條件下的精密等離子體設(shè)備中進(jìn)行的，它用離子、自由基和分子束模擬等離子體，但與表面分析設(shè)備兼容。這兩種方法都是有效的，并且各有優(yōu)缺點。
2022-05-19 14:28:152525 
等離子體工藝廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中。比如，IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕，等離子體增強式化學(xué)氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體化學(xué)氣相沉積 (HDP CVD)廣泛用于電介質(zhì)
2022-11-15 09:57:315641 。常見的干法刻蝕設(shè)備有反應(yīng)離子刻蝕機（RIE）、電感耦合等離子體刻蝕機（ICP）、磁性中性線等離子體刻蝕機（NLD）、離子束刻蝕機（IBE），本文目的對各刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)進(jìn)行剖析，以及分析技術(shù)的優(yōu)缺點。
2024-01-20 10:24:5616124 
）宣布重磅推出六款半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品。這些設(shè)備覆蓋等離子體刻蝕（Etch）、原子層沉積（ALD）及外延（EPI）等關(guān)鍵工藝，不僅充分彰顯了中微公司在技術(shù)領(lǐng)域的硬核實力，更進(jìn)一步鞏固了其在高端半導(dǎo)體設(shè)備市場的領(lǐng)先地位，為加速向高端設(shè)備平臺化公司轉(zhuǎn)型注入強勁新動能。
2025-09-04 14:23:3147859 
當(dāng)高頻發(fā)生器接通電源后，高頻電流I通過感應(yīng)線圈產(chǎn)生交變磁場(綠色)。開始時，管內(nèi)為Ar氣，不導(dǎo)電，需要用高壓電火花觸發(fā)，使氣體電離后，在高頻交流電場的作用下，帶電粒子高速運動，碰撞，形成“雪崩”式放電，產(chǎn)生等離子體氣流。
2019-10-09 09:11:46
合有局限，不適用于聚四氟乙烯微波板的三防涂覆前處理。 基于以上原因，開展了應(yīng)用等離子體處理法替代鈉萘處理法進(jìn)行聚四氟乙烯表面活化處理的研究工作。
2019-05-28 06:50:14
潤濕性幫助油墨和涂料均勻地粘附在材料上，或者通過活化表面來增加粘合劑的強度。由于這些特性，低溫等離子體被用于半導(dǎo)體制造和各種其他工業(yè)設(shè)備中。此外，等離子體技術(shù)無需化學(xué)物質(zhì)即可清潔和消毒表面，安全性高，在
2022-05-18 15:16:16
等離子體顯示器又稱電漿顯示器，是繼CRT(陰極射線管）、LCD（液晶顯示器）后的最新一代顯示器，其特點是厚度極薄，分辨率佳?？梢援?dāng)家中的壁掛電視使用，占用極少的空間，代表了未來顯示器的發(fā)展趨勢（不過對于現(xiàn)在中國大多...
2021-04-20 06:33:47
簡介 ：
?表面等離子體激元（SPPs）是由于金屬中的自由電子和電介質(zhì)中的電磁場相互作用而在金屬表面捕獲的電磁波，并且它在垂直于界面的方向上呈指數(shù)衰減。[1]
?與絕緣體-金屬-絕緣體(IMI
2025-01-09 08:52:57
PCB多層板等離子體處理技術(shù)等離子體，是指像紫色光、霓虹燈光一樣的光，也有稱其為抄板物質(zhì)的第四相態(tài)。等離子體相態(tài)是由于原子中激化的電子和分子無序運動的狀態(tài)，所以具有相當(dāng)高的能量。麥|斯|艾|姆|P
2013-10-22 11:36:08
等離子體，是指像紫色光、霓虹燈光一樣的光，也有稱其為抄板物質(zhì)的第四相態(tài)。等離子體相態(tài)是由于原子中激化的電子和分子無序運動的狀態(tài)，所以具有相當(dāng)高的能量?！ ?1)機理： 在真空室內(nèi)部的氣體分子里
2018-11-22 16:00:18
殘留物/余膠等，以獲得完善高質(zhì)量的導(dǎo)線圖形。如果，一旦于顯影后蝕刻前，出現(xiàn)抗蝕刻劑去除不凈，會導(dǎo)致短路缺陷的發(fā)生?！ ?B) 等離子體處理技術(shù)，還可用于去除阻焊膜剩余，提高可焊性?！ ?C) 針對某些
2018-09-21 16:35:33
電鍍銅加工→圖形轉(zhuǎn)移形成電氣互連導(dǎo)電圖形→表面處理。 一、等離子體切割加工技術(shù)特點 等離子體的溫度高，能提供高焓值的工作介質(zhì)，生產(chǎn)常規(guī)方法不能得到的材料，加之有氣氛可控、設(shè)備相對簡單、能顯著縮短
2017-12-18 17:58:30
潤濕性幫助油墨和涂料均勻地粘附在材料上，或者通過活化表面來增加粘合劑的強度。由于這些特性，低溫等離子體被用于半導(dǎo)體制造和各種其他工業(yè)設(shè)備中。此外，等離子體技術(shù)無需化學(xué)物質(zhì)即可清潔和消毒表面，安全性高，在
2022-05-17 16:41:13
關(guān)于舉辦2020年會-COMSOL半導(dǎo)體器件+等離子體+RF光電+電化學(xué)燃燒電池專題”的通知COMSOL Multiphysics 燃料電池、電化學(xué)模塊1.電化學(xué)-熱耦合方法2. 傳質(zhì)-導(dǎo)電-電化學(xué)
2019-12-10 15:24:57
uPD16305的性能特點是什么？uPD16305在等離子體顯示器中有什么應(yīng)用？
2021-06-04 06:54:10
保留半導(dǎo)體電路圖。這一步驟需要借助液體、氣體或等離子體等物質(zhì)，通過濕法刻蝕或干法刻蝕等方法，精確去除選定的多余部分。
薄膜沉積將含有特定分子或原子單元的薄膜材料，通過一系列技術(shù)手段，如化學(xué)氣相沉積
2024-12-30 18:15:45
分別為：等離子體、離子銑和反應(yīng)離子刻蝕。等離子刻蝕等離子體刻蝕像濕法刻蝕一樣是一種化學(xué)工藝，它使用氣體和等離子體能量來進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。二氧化硅刻蝕在兩個系統(tǒng)中的比較說明了區(qū)別所在。在濕法刻蝕二氧化硅中，氟在
2018-12-21 13:49:20
1. 低溫等離子體及廢氣處理原理低溫等離子體技術(shù)是一門涉及生物學(xué)、高能物理、放電物理、放電化學(xué)反應(yīng)工程學(xué)、高壓脈沖技術(shù)和環(huán)境科學(xué)的綜合性學(xué)科，是治理氣態(tài)污染物的關(guān)鍵技術(shù)之一，因其高效、低能耗、處理
2022-04-21 20:29:20
的芯片可以繼續(xù)涂膠、曝光。越復(fù)雜的芯片，線路圖的層數(shù)越多，也需要更精密的曝光控制過程。等離子刻蝕刻機等離子刻蝕機，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、等離子體刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統(tǒng)等
2018-09-03 09:31:49
1.引言微波測量方法是將電磁波作為探測束入射到等離子體中，對等離子體特性進(jìn)行探測，不會對等離子體造成污染。常規(guī)微波反射計也是通過測量電磁波在等離子體截止頻率時的反射信號相位來計算等離子密度。當(dāng)等離子
2019-06-10 07:36:44
【作者】：呂鵬;劉春芳;張潮海;趙永蓬;王騏;賈興;【來源】：《強激光與粒子束》2010年02期【摘要】：描述了Z箍縮放電等離子體極紫外光源系統(tǒng)中的主脈沖電源,給出了主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),重點介紹了三級磁
2010-04-22 11:41:29
表面波等離子體激勵源設(shè)計，不看肯定后悔
2021-04-22 07:01:33
等離子體NOX 脫除技術(shù)作為一種脫硝新工藝，受到世界各國的廣泛關(guān)注。在敘述了等離子體脫硝的的兩種反應(yīng)機理、等離子體NOX 脫除的主要方法（電子束照射法、高壓脈沖電暈法
2009-02-13 00:35:58
12 采用分層介質(zhì)方法處理非均勻等離子體層，研究了電磁波射向覆蓋磁化等離子體層的金屬平板時電磁波的衰減特性。著重討論Epstein密度分布的等離子體層，分析了等離子體電子密
2009-03-14 15:07:3426 一種大氣微波環(huán)形波導(dǎo)等離子體設(shè)備:微波等離子體相對其它等離子體而言有很多的優(yōu)點，具有極高的工業(yè)應(yīng)用價值。但在大氣條件下，大體積的微波等離子體較難獲得
2009-10-29 13:59:3214 平面磁控陰極用于PEPC等離子體放電實驗研究:平面磁控陰極用于大面積等離子體放電具有大幅降低放電電壓和放電氣壓的優(yōu)點，是PEPC首選的放電途徑。通過對不同尺寸、
2009-10-29 14:07:5219 用于多程放大系統(tǒng)光束反轉(zhuǎn)器的等離子體電極電光開關(guān):等離子體電極電光開關(guān)將用在多程放大系統(tǒng)光束反轉(zhuǎn)器中，作為輸出控制和抑制主放大前系統(tǒng)內(nèi)的自激振蕩，由
2009-10-29 14:12:5820 曼品牌離子源, 推出 RF2100ICP Plasma Source 射頻等離子體源及配套控制器, RF2100 等離子體放電, RFICP 在 2MHz, 電子
2023-05-11 14:57:22
人類生活對能源的需求核聚變及受控核聚變原理等離子體約束的基本問題等離子體約束的各種模式等離子體輸運與能量約束定標(biāo)約束改善與邊緣局域?？刂瓶偨Y(jié)和
2010-05-30 08:26:5614 uPD16305在等離子體顯示器中的應(yīng)用
摘要：介紹了NEC公司生產(chǎn)的專用于等離子體顯示器的行驅(qū)動芯片μPD16305的性能特點及其它PDP顯示系統(tǒng)中的應(yīng)用。它
2008-10-30 23:52:541694 
μPD16305在等離子體顯示器中的應(yīng)用
介紹了NEC公司生產(chǎn)的專用于等離子體顯示器的行驅(qū)動芯片μPD16305的性能特點及其在PDP顯示系統(tǒng)中的應(yīng)用。它為PDP掃描電極的驅(qū)動電路
2009-05-14 18:39:291162 
離子注八材料表面陡性技術(shù)， 是材料科學(xué)發(fā)展的一個重要方面。文中概述7等離子體源離子注八技術(shù)的特點 基皋原理 應(yīng)用效果。取覆等離子體源離子注八技術(shù)的發(fā)展趨勢。例如， 除7在
2011-05-22 12:35:2948 中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（以下簡稱“中微”）于本周SEMICON West期間發(fā)布面向22納米及以下芯片生產(chǎn)的第二代300毫米甚高頻去耦合反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備 -- Primo AD-RIE。
2011-07-13 07:59:251491 中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(以下簡稱“中微”)于 SEMICON China 展會期間宣布，中微第二代等離子體刻蝕設(shè)備 Primo AD-RIE? 正式裝配國內(nèi)技術(shù)最先進(jìn)的集成電路芯片代工企業(yè)中芯國際
2012-03-22 11:26:421421 等離子體模塊是用于模擬低溫等離子源或系統(tǒng)的專業(yè)工具。借助模塊中預(yù)置的物理場接口，工程師或科學(xué)家可以探究物理放電機理或用于評估現(xiàn)有或未來設(shè)計的性能，例如直流放電、感應(yīng)耦合等離子體、容性耦合等離子體、微波等離子體、表面氣相沉積等。
2015-12-31 10:30:1559 電感耦合等離子體質(zhì)樸分析的應(yīng)用
2017-02-07 16:15:389 放電等離子體有著非常廣泛的實際工程應(yīng)用價值，其內(nèi)部溫度特性是表征等離子體性質(zhì)的一個重要參數(shù)。為了探明大氣壓下放電等離子體的氣體溫度空間分布特性參數(shù)，搭建了一套基于莫爾偏折原理的光學(xué)測試系統(tǒng)，對銅電極
2018-01-02 16:37:196 低溫等離子體廢氣處理技術(shù)正越來越引起人們的重視，它是未來環(huán)保產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向。由于強溫室氣體SF6本身的理化特性，等離子體處理SF6面臨著更多的挑戰(zhàn)，目前該方面的研究綜述鮮見。本文嘗試根據(jù)國內(nèi)外
2018-03-16 10:20:234 微波測量方法是將電磁波作為探測束入射到等離子體中，對等離子體特性進(jìn)行探測，不會對等離子體造成污染。常規(guī)微波反射計也是通過測量電磁波在等離子體截止頻率時的反射信號相位來計算等離子密度。當(dāng)等離子密度較高
2018-11-29 08:53:005637 
在臺積電宣布明年將進(jìn)行5納米制程試產(chǎn)、預(yù)計2020年量產(chǎn)的同時，國產(chǎn)設(shè)備亦傳來好消息。日前上觀新聞報道，中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體刻蝕機經(jīng)臺積電驗證，性能優(yōu)良，將用于全球首條5納米制程生產(chǎn)線。
2018-12-18 15:10:2911250 5納米，相當(dāng)于頭發(fā)絲直徑的二萬分之一，將成為集成電路芯片上的最小線寬。臺積電計劃明年進(jìn)行5納米制程試產(chǎn)，預(yù)計2020年量產(chǎn)。最近，中微半導(dǎo)體公司收到一個好消息：其自主研制的5納米等離子體刻蝕機經(jīng)臺積
2019-01-01 10:44:004623 今天為大家介紹一項國家發(fā)明授權(quán)專利——一種電感耦合等離子體質(zhì)譜真空閥門。該專利由江蘇天瑞儀器股份有限公司申請，并于2017年9月12日獲得授權(quán)公告。
2019-01-14 09:12:452152 
然而，自從我開始自己閱讀關(guān)于等離子體的在線資源以來，我身邊來自cryptoeconomics Lab的專業(yè)等離子體研究人員為我提供了一種非常接近的方式，讓完全的初學(xué)者可以從頭開始學(xué)習(xí)等離子體。他們給我提供了一大堆文章的參考資料，我們可以按照正確的順序閱讀。
2019-01-16 11:19:46998 近來有網(wǎng)絡(luò)媒體稱，“中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體刻蝕機，性能優(yōu)良，將用于全球首條5納米芯片制程生產(chǎn)線”，并評論說“中國芯片生產(chǎn)技術(shù)終于突破歐美封鎖，第一次占領(lǐng)世界制高點”“中國彎道超車”等等。
2019-02-16 11:00:158449 等離子體可以通過多種方式來產(chǎn)生，常見的方法主要包括：熱電離法/射線輻照法/光電離法/激波等離子法/激光等離子法/氣體放電法等。氣體放電是指氣體在電場的作用下被擊穿引起的導(dǎo)電現(xiàn)象，而低溫等離子體的產(chǎn)生方式主要是通過氣體放電來實現(xiàn)的。下面主要介紹通過氣體放電來產(chǎn)生低溫等離子體的各種方式
2019-04-22 08:00:0035 針對傳統(tǒng)直流等離子體發(fā)生器電源效率不高、驅(qū)動管熱損耗大等問題，設(shè)計了一個高效率低損耗的高頻高壓等離子體發(fā)生器。該系統(tǒng)通過移相全橋控制電路進(jìn)行PWM方波控制，在功率晶體管驅(qū)動下，經(jīng)高頻諧振升壓電路
2019-09-09 17:45:517143 
中微公司董事長尹志堯表示，面對紛繁復(fù)雜的形勢，2019年中微公司繼續(xù)瞄準(zhǔn)世界科技前沿，始終專注研發(fā)、客戶和市場，在刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備的研發(fā)、技術(shù)的新應(yīng)用、市場布局的調(diào)整和拓展、新業(yè)務(wù)的探索和展開等許多方面取得了積極的進(jìn)展。
2020-04-17 09:33:073938 中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司(以下簡稱“中微”)在本周舉辦的SEMICON China期間正式發(fā)布了第一代電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo nanova?，用于大批量生產(chǎn)存儲芯片和邏輯芯片的前道工序。
2020-04-22 17:20:244984 高頻振蕩器發(fā)生的高頻電流，經(jīng)過耦合系統(tǒng)連接在位于等離子體發(fā)生管上端，銅制內(nèi)部用水冷卻的管狀線圈上。
2020-05-25 10:34:016658 在之前的文章中，對射頻大氣壓輝光放電已經(jīng)有所介紹，那么，如果在射頻放電中，將放電的間隙進(jìn)一步縮小到微等離子體尺度內(nèi)，即為1mm左右，乃至到了幾百微米的量級，射頻微等離子體又會出現(xiàn)哪一些新的特點呢？接下來我們與大家共同探討。
2020-11-16 10:38:000 中微半導(dǎo)體公司是我國集成電路設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)。公司聚焦用于集成電路、LED芯片等微觀器件領(lǐng)域的等離子體刻蝕設(shè)備、深硅刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備等關(guān)鍵設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
2020-09-25 16:58:553161 憑借這些優(yōu)異的性能和其他特性，與其他同類設(shè)備相比，Primo Twin-Star 以更小的占地面積、更低的生產(chǎn)成本和更高的輸出效率，進(jìn)行ICP適用的邏輯和存儲芯片的介質(zhì)和導(dǎo)體的各種刻蝕應(yīng)用，并用于功率器件和CMOS圖像傳感器（CIS）的刻蝕應(yīng)用。
2021-03-23 11:22:576418 尹志堯表示，公司的等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米及其他先進(jìn)的集成電路加工制造生產(chǎn)線和先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。
2021-04-09 14:28:432846 近日，微公司董事長、總經(jīng)理尹志堯透露，公司研發(fā)的等離子刻蝕設(shè)備已經(jīng)進(jìn)入客戶的5nm生產(chǎn)線。 尹志堯表示，公司的等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米及其他先進(jìn)
2021-04-11 11:27:423238 ICP：電感耦合等離子體?？捎谩癐CP”來代替“ICP-OES，和ICP-AES”。兩者都是指電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜，是一樣的。因為俄歇電子能譜的縮寫也是AES，所以后來ICP-AES通常都被叫做ICP-OES。
2021-09-23 09:16:004808 研究人員通過在包含納米針陣列的氧化鋅（ZnO）納米棒上產(chǎn)生等離子體，然后使用等離子體活化通過底層毛細(xì)管芯輸送的水，隨后在MHz級聲表面波（SAW）下實現(xiàn)霧化。氣溶膠的產(chǎn)生涉及使用芯片級高頻納米振幅機電激勵形成聲表面波（SAW）
2022-04-24 10:57:563376 ICP（即電感耦合等離子體）是由高頻電流經(jīng)感應(yīng)線圈產(chǎn)生高頻電磁場，使工作氣體（Ar）電離形成火焰狀放電高溫等離子體，等離子體的最高溫度10000K。試樣溶液通過進(jìn)樣毛細(xì)管經(jīng)蠕動泵作用進(jìn)入霧化器霧化
2022-11-14 10:54:009097 
與濕式刻蝕比較，等離子體刻蝕較少使用化學(xué)試劑，因此也減少了化學(xué)藥品的成本和處理費用。
2022-12-29 17:28:544091 首次提出并利用激光誘導(dǎo)等離子體沖擊波與外加電場空間零弧度耦合方式，實現(xiàn)有效放電區(qū)域全方位覆蓋激光等離子體中粒子的擴散方向，離子的動力學(xué)特征從原始的向外擴散變更為放電空間內(nèi)陽極和陰極之間的漂移運動。
2023-02-08 11:47:351711 氮化鎵作為一種寬帶隙半導(dǎo)體，已被用于制造發(fā)光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經(jīng)開發(fā)了幾種用于氮化鎵基材料的
不同干蝕刻技術(shù)。電感耦合等離子體刻蝕因其優(yōu)越的等離子體均勻性和強可控性而備受關(guān)注。本
2023-02-22 15:45:411 近年來，等離子體技術(shù)的使用范圍正在不斷擴大。在半導(dǎo)體制造、殺菌消毒、醫(yī)療前線等諸多領(lǐng)域，利用等離子體特性的應(yīng)用不斷壯大。CeraPlas? 是TDK 開發(fā)的等離子體發(fā)生器，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，它可以在緊湊的封裝中產(chǎn)生低溫等離子體*1，并具有更低的功耗。它有望促進(jìn)各種設(shè)備的開發(fā)，使離子體技術(shù)更容易使用。
2023-02-27 17:54:381955 
氧等離子體和氫等離子體都可用于蝕刻石墨烯。兩種石墨烯氣體等離子刻蝕的基本原理是通過化學(xué)反應(yīng)沿石墨烯的晶面進(jìn)行刻蝕。不同的是，氧等離子體攻擊碳碳鍵后形成一氧化碳、二氧化碳等揮發(fā)性氣體，而氫等離子體則形成甲烷氣體并與之形成碳?xì)滏I。
2022-06-21 14:32:251468 
等離子體工藝是干法清洗應(yīng)用中的重要部分，隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，等離子體清洗的優(yōu)勢越來越明顯。文章介紹了等離子體清洗的特點和應(yīng)用，討論了它的清洗原理和優(yōu)化設(shè)計方法。最后分析了等離子體清洗工藝的關(guān)鍵技術(shù)及解決方法。
2023-10-18 17:42:363667 
? 一種使用等離子體激元的新型成像技術(shù)能夠以增強的靈敏度觀察納米顆粒。休斯頓大學(xué)納米生物光子學(xué)實驗室的石偉川教授和他的同事正在研究納米材料和設(shè)備在生物醫(yī)學(xué)、能源和環(huán)境方面的應(yīng)用。該小組利用等離子體
2023-11-27 06:35:23898 高壓放大器在等離子體實驗中有多種重要應(yīng)用。等離子體是一種帶電粒子與電中性粒子混合的物質(zhì)，其具有多種獨特的物理性質(zhì)，因此在許多領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，例如聚變能源、等離子體醫(yī)學(xué)、材料加工等。下面安泰電子將介紹高壓放大器在等離子體實驗中的應(yīng)用。
2023-11-27 17:40:001005 
眾所周知，化合物半導(dǎo)體中不同的原子比對材料的蝕刻特性有很大的影響。為了對蝕刻速率和表面形態(tài)的精確控制，通過使用低至25nm的薄器件阻擋層的，從而增加了制造的復(fù)雜性。本研究對比了三氯化硼與氯氣的偏置功率，以及氣體比對等離子體腐蝕高鋁含量AlGaN與AlN在蝕刻速率、選擇性和表面形貌方面的影響。
2023-12-15 14:28:301243 
01、重點和難點 等離子體通常被認(rèn)為是物質(zhì)的第四態(tài)，除了固體、液體和氣體之外的狀態(tài)。等離子體是一種高能量狀態(tài)的物質(zhì)，其中原子或分子中的電子被從它們的原子核中解離，并且在整個系統(tǒng)中自由移動。這種狀態(tài)
2023-12-26 08:26:291560 
中微公司的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備Primo nanova系列第500臺反應(yīng)腔順利付運國內(nèi)一家先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片制造商。
2024-03-21 15:12:431407 近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）的電容耦合等離子體（CCP）刻蝕設(shè)備第3000臺反應(yīng)腔順利付運國內(nèi)一家先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片制造商。
2024-04-23 14:20:571649 ICP-RIE全稱是電感耦合等離子體刻蝕機，是半導(dǎo)體芯片微納加工過程中必不可少的設(shè)備，可加工微米級納米級的微型圖案。
2024-04-30 12:43:363430 
微流控PDMS芯片通常采用等離子體處理的方法，不同的處理參數(shù)會影響到PDMS芯片的鍵合強度。良好的鍵合牢固的芯片的耐壓強度可以達(dá)到3-5 bars的耐壓值。本文將簡要介紹PDMS-玻璃等離子體鍵合工藝過程中需要留意的注意事項。
2024-08-25 14:58:121377 電感耦合等離子體（Inductively Coupled Plasma, ICP）是一種常用的等離子體源，廣泛應(yīng)用于質(zhì)譜分析、光譜分析、表面處理等領(lǐng)域。ICP等離子體通過感應(yīng)耦合方式將射頻能量傳遞給氣體，激發(fā)成等離子體狀態(tài)，具有高溫度、高能量的特點，可產(chǎn)生豐富的活性種類。
2024-09-14 17:34:263138 在電感耦合等離子體系統(tǒng)中，射頻電源常操作在13.56 MHz，這一頻率能夠有效地激發(fā)氣體分子產(chǎn)生高頻振蕩，形成大量的正離子、電子和中性粒子。通過適當(dāng)調(diào)節(jié)氣體流量、壓力和射頻功率，可以實現(xiàn)等離子體的高溫、高密度和高均勻性。因此，ICP 系統(tǒng)在許多高科技領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。
2024-09-14 14:44:334398 主要介紹幾種常用于工業(yè)制備的刻蝕技術(shù)，其中包括離子束刻蝕（IBE）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、以及后來基于高密度等離子體反應(yīng)離子的電子回旋共振等離子體刻蝕（ECR）和電感耦合等離子體刻蝕（ICP）。
2024-10-18 15:20:413338 
本文介紹了為什么干法刻蝕又叫低溫等離子體刻蝕。 什么是低溫等離子體刻蝕，除了低溫難道還有高溫嗎？等離子體的溫度？? ? 等離子體是物質(zhì)的第四態(tài)，并不是只有半導(dǎo)體制造或工業(yè)領(lǐng)域中才會有等離子體
2024-11-16 12:53:531560 
等離子體清洗的原理 等離子體是物質(zhì)的第四態(tài)，由離子、電子、自由基和中性粒子組成。等離子體清洗的原理主要基于以下幾點： 高活性粒子 ：等離子體中的離子、電子和自由基具有很高的活性，能夠與材料表面
2024-11-29 10:03:192436 等離子體的特性 等離子體是一種高度電離的氣體，它包含大量的自由電子和離子。這種物質(zhì)狀態(tài)具有高能量密度、高反應(yīng)活性和良好的導(dǎo)電性。等離子體的溫度可以從室溫到數(shù)百萬度不等，這使得它在醫(yī)療應(yīng)用中具有極大的靈活性。 2. 等離
2024-11-29 10:04:462899 的電導(dǎo)性和磁場響應(yīng)性。 等離子體的特征 電離狀態(tài) ：等離子體中的原子或分子部分或全部失去電子，形成帶電粒子。 電導(dǎo)性 ：由于存在自由電子和離子，等離子體具有很高的電導(dǎo)性，能夠?qū)щ姟?磁場響應(yīng)性 ：等離子體中的帶電粒
2024-11-29 10:06:537603 等離子體，作為物質(zhì)的第四態(tài)，廣泛存在于自然界和工業(yè)應(yīng)用中。從太陽風(fēng)到熒光燈，等離子體的身影無處不在。等離子體的電導(dǎo)率是衡量其導(dǎo)電性能的關(guān)鍵參數(shù)，它決定了等離子體在電磁場中的行為。 1. 溫度
2024-11-29 10:08:382604 一、等離子體推進(jìn)技術(shù) 等離子體推進(jìn)技術(shù)是利用等離子體的高速運動來產(chǎn)生推力的一種航天推進(jìn)方式。與傳統(tǒng)化學(xué)推進(jìn)相比，等離子體推進(jìn)具有更高的比沖，這意味著在消耗相同質(zhì)量的推進(jìn)劑時，等離子體推進(jìn)可以產(chǎn)生更大
2024-11-29 10:10:202806 在探索宇宙的征途中，人類一直在尋找更高效、更環(huán)保的推進(jìn)技術(shù)。 等離子體基礎(chǔ) 等離子體，被稱為物質(zhì)的第四態(tài)，是一種由離子、電子和中性粒子組成的高溫、高電導(dǎo)率的氣體。在自然界中，等離子體存在于太陽和其他
2024-11-29 10:11:433198 本文簡單介紹了芯片制造過程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕（Etch）是芯片制造過程中相當(dāng)重要的步驟。 刻蝕主要分為干刻蝕和濕法刻蝕。 ①干法刻蝕 利用等離子體將不要的材料去除。 ②濕法刻蝕 利用腐蝕性
2024-12-06 11:13:583353 
等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過程中常用的兩種刻蝕方法，雖然它們都可以用來去除晶圓表面的材料，但它們的原理、過程、優(yōu)缺點及適用范圍都有很大的不同。 ? ? 1. 刻蝕原理和機制的不同 濕法刻蝕
2025-01-02 14:03:561267 射頻等離子體（RF等離子體）是在氣流中通過外部施加的射頻場形成的。當(dāng)氣體中的原子被電離時（即電子在高能條件下與原子核分離時），就會產(chǎn)生等離子體。這種電離過程可以通過各種方法實現(xiàn)，包括熱、電和電磁
2025-01-03 09:14:322853 
等離子體（Plasma）是一種電離氣體，通過向氣體提供足夠的能量，使電子從原子或分子中掙脫束縛、釋放出來，成為自由電子而獲得，通常含有自由和隨機移動的帶電粒子（如電子、離子）和未電離的中性粒子。由于
2025-01-20 10:07:169192 
Halona正式發(fā)布。中微公司此款刻蝕設(shè)備的問世，實現(xiàn)了在等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域的又一次突破創(chuàng)新，標(biāo)志著公司向關(guān)鍵工藝全面覆蓋的目標(biāo)再進(jìn)一步，也為公司的高質(zhì)量發(fā)展注入強勁動能。
2025-03-28 09:21:191195 ICP（Inductively Coupled Plasma，電感耦合等離子體）刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中的一種關(guān)鍵干法刻蝕工藝，廣泛應(yīng)用于先進(jìn)集成電路、MEMS器件和光電子器件的加工。以下是關(guān)于ICP
2025-05-06 10:33:063902 ：ATA-67100高壓放大器在介質(zhì)阻擋放電等離子體激勵器中的應(yīng)用 一、高壓放大器在等離子體發(fā)生裝置中的作用 （一）驅(qū)動和維持等離子體放電 等離子體放電需高能量電源提供足夠電流和電壓。高壓放大器可將低電壓、小電流信號放大為高電壓、大電流
2025-06-24 17:59:15488 
集成電路研發(fā)設(shè)計及制造服務(wù)商。此項里程碑既標(biāo)志著中微公司在等離子體刻蝕領(lǐng)域的又一自主創(chuàng)新，也彰顯了公司持續(xù)研發(fā)的技術(shù)能力與穩(wěn)步發(fā)展的綜合實力。
2025-06-27 14:05:32836 遠(yuǎn)程等離子體刻蝕技術(shù)通過非接觸式能量傳遞實現(xiàn)材料加工，其中熱輔助離子束刻蝕（TAIBE）作為前沿技術(shù)，尤其適用于碳氟化合物（FC）材料（如聚四氟乙烯PTFE）的精密處理。
2025-06-30 14:34:451133 
摘要：電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀廣泛應(yīng)用于實驗室元素分析。本文采用電感耦合等離子發(fā)射光譜法（ICP-OES）同時測定堿性電池生產(chǎn)廢水中鐵、鋅、錳、鎳、銅、鉛、鋁、鉻金屬元素的含量。
2025-11-25 13:52:45350 
刻蝕是半導(dǎo)體制造中最常用的工藝之一, 上海伯東日本 Atonarp Aston 質(zhì)譜儀適用于等離子體刻蝕過程及終點監(jiān)測 (干法刻蝕終點檢測), 通過持續(xù)監(jiān)控腔室工藝化學(xué)氣體, 確保半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)
2024-10-18 13:33:02
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論