本文報道了硅通孔三維互連技術(shù)的核心工藝以及基于TSV形成的眾多先進封裝集成技術(shù)。形成TSV主要有Via-First、Via-Middle、Via-Last 3大技術(shù)路線。TSV 硅刻蝕、TSV 側(cè)壁
2024-11-01 11:08:07
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nm 時，摩爾定律的進一步發(fā)展遭遇瓶頸。傳統(tǒng) 2D 封裝因互連長度較長，在速度、能耗和體積上難以滿足市場需求。在此情況下，基于轉(zhuǎn)接板技術(shù)的 2.5D 封裝，以及基于引線互連和 TSV 互連的 3D 封裝等應運而生，并迅速發(fā)展起來。
2025-08-12 10:58:092201 
的最近興趣是由對增加封裝上帶寬的需求，對來自多個代工廠的各種IP進行集成的需求以及對提高產(chǎn)量彈性的需求所驅(qū)動的。有機封裝是出色的異構(gòu)集成主流平臺，可在緊湊的外形尺寸中實現(xiàn)空間轉(zhuǎn)換，并在物理上實現(xiàn)了封裝上的互連（
2021-04-01 15:06:455468 所以電子封裝的主要目的就是提供芯片與其他電子元器件的互連以實現(xiàn)電信號的傳輸，同時提供保護，以便于將芯片安裝在電路系統(tǒng)中。
2023-02-20 10:17:332532 
摘要：隨著電子系統(tǒng)通信速率的不斷提升，BGA封裝與PCB互連區(qū)域的信號完整性問題越來越突出。
2023-04-06 11:14:552911 
主要的技術(shù)路徑。2.5D/3D封裝正在加速3D互連密度的技術(shù)突破，TSV及TGV的技術(shù)作為2.5D/3D封裝的核心技術(shù)，越來越受到重視。
2023-05-23 12:29:115750 
本文主要講述什么是系統(tǒng)級封裝技術(shù)。 從封裝內(nèi)部的互連方式來看，主要包含引線鍵合、倒裝、硅通孔（TSV）、引線框架外引腳堆疊互連、封裝基板與上層封裝的凸點互連，以及扇出型封裝和埋入式封裝中的重布線等
2025-08-05 15:09:042135 
互連測試的原理是什么？互連測試的主要功能有哪些？互連測試的基本算法有哪些？
2021-05-17 06:43:00
封裝技術(shù)與加密技術(shù)一．4大主流封裝技術(shù)半導體 封裝 是指將通過測試的晶圓按照產(chǎn)品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。封裝技術(shù)是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例，實際看到
2022-01-25 06:50:46
BGA封裝技術(shù)是一種先進的集成電路封裝技術(shù)，主要用于現(xiàn)代計算機和移動設(shè)備的內(nèi)存和處理器等集成電路的封裝。與傳統(tǒng)的封裝方式相比，BGA封裝具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能，可在相同體積下提高
2023-04-11 15:52:37
器件的封裝，發(fā)展空間還相當大。BGA封裝技術(shù)是在模塊底部或上表面焊有按陣列形式分布的許多球狀凸點，通過焊料凸點實現(xiàn)封裝體與基板之間互連的一種封裝技術(shù)。在半導體IC的所有封裝類型中，1996～2001年
2015-10-21 17:40:21
件(MCM)，它是一種不需要將每個芯片先封裝好了再組裝到一起，而是將多個LSI、VLSI芯片和其他元器件高密度組裝在多層互連基板上，然后封裝在同一殼體內(nèi)的專用電子產(chǎn)品。MCM技術(shù)相對于PCB而言有許多
2018-08-23 08:46:09
NAT-PT實現(xiàn)互連原理是什么？NAT-PT的工作機制是怎樣的？IPv4網(wǎng)絡(luò)和IPv6網(wǎng)絡(luò)互連技術(shù)對比分析哪個好？
2021-05-26 07:07:06
RFID技術(shù)是什么？RFID技術(shù)有哪些典型應用？RFID技術(shù)如何同現(xiàn)有無線電業(yè)務和平共處？
2021-05-25 06:40:23
誰來闡述一下cof封裝技術(shù)是什么？
2019-12-25 15:24:48
楊建生(天水華天微電子有限公司)摘 要：本丈主要敘述了兩種BGA封裝(BGA—P 225個管腳和BGA—T 426個管腳)的安裝技術(shù)及可靠性方面的評定。關(guān)鍵詞：BGA—P封裝 BGA—T封裝 安裝
2018-08-23 17:26:53
時鐘信號分布。 波導互連可以提供高密度互連通道，適用于芯片內(nèi)或芯片之間這個層次上的互連，采用集成光源和探測器，由集成光路來完成連接，這一種互連目前還不很成熟。3）光纖互連最成熟的光波導是光纖，光纖互連技術(shù)
2016-01-29 09:17:10
1）工藝技術(shù)方面：和金屬互連一樣,隨著系統(tǒng)規(guī)模的擴大和新器件和結(jié)構(gòu)的引人,光互連中封裝和散熱是很大的問題,特別是基于如和等大的系統(tǒng),封裝和散熱問題日益突出,急需解決。另外,對于自由空間光互連,光路
2016-01-29 09:21:26
有很多新穎的技術(shù)和工藝被提出。采用波導光互連的集成光路,減少波導的傳輸損耗和降低散射尤為重要。3）光互連最先可能的應用,是并行多處理器計算機之間的高速數(shù)據(jù)傳輸、高速、開關(guān)和一些傳感器的互連。4）雖然
2016-01-29 09:23:30
光互連技術(shù)從提出以來發(fā)展很快,垂直腔面發(fā)射激光器閻的提出對光學器件平面化集成奠定了堅實基礎(chǔ)。另外有很多突破性的技術(shù)如基于靈巧像素陣列的光電處理單元和計算機生成全息圖,對自由空間光互連的發(fā)展有很大
2016-01-29 09:19:33
光互連主要有兩種形式波導光互連和自由空間光互連。波導互連的互連通道,易于對準,適用于芯片內(nèi)或芯片間層次上的互連。但是,其本身損耗比較嚴重,而且集成度低。自由空間光互連可以使互連密度接近光的衍射極限
2019-10-17 09:12:41
與測試結(jié)果比較5 Z+ m3 g8 N$ J, [/ b4 P, t" }回華為互連部門后最大的收獲除了微波封裝設(shè)計，相應的材料選型及與上下游溝通外，更重要的一點是把封裝熱仿真知識補上了，由于
2014-10-20 13:37:06
隨著可穿戴設(shè)備持續(xù)推動封裝與互連技術(shù)超越極限，業(yè)界專家指出，未來還將出現(xiàn)許多更有趣的可穿戴設(shè)備創(chuàng)新。 可穿戴設(shè)備是一個多元化的領(lǐng)域，“至少有十幾種不同的細分市場，”高通(Qualcomm)負責
2016-08-09 17:19:41
DFT技術(shù)的發(fā)展具有深遠的影響。而其中互連測試又是其中最關(guān)鍵的技術(shù)之一?！ 《?、互連測試的原理 互連測試主要是指對電路板上器件之間互連線的測試,主要檢測電路板級的開路、短路或者呆滯型等故障。互連測試
2011-09-23 11:44:40
的競爭壓力越來越多，更高的性能、更高的可靠性，以及更低的價格。以適當?shù)倪B接和集合技術(shù)聯(lián)合起來的模塑互連器件（MID）能很好的縮減零部件的數(shù)量和集合支出。模塑互連器件利用塑料成型空間可能性將機械或電子結(jié)構(gòu)
2019-07-29 07:22:05
的產(chǎn)品,MCM可選用多種封裝技術(shù)。關(guān)鍵詞：多芯片模塊 基板 封裝 印制電路板1 MGM概述MCM是一種由兩個或兩個以上裸芯片或者芯片尺寸封裝(CSP)的IC組裝在一個基板上的模塊，模塊組成一個電子系統(tǒng)或
2018-08-28 15:49:25
先進的半導體解決方案和靈巧的軟件如何幫助實現(xiàn)HDMI？如何使HDMI和VGA這兩種接口互連？
2021-05-11 06:47:44
沒有讀者認識到發(fā)生在3DIC集成中的技術(shù)進步，他們認為該技術(shù)只是疊層和引線鍵合，是一種后端封裝技術(shù)。而我們該如何去拯救3DIC集成技術(shù)？
2021-04-07 06:23:51
)技術(shù),及其主要的工藝流程。這四種加成制造技術(shù)都不使用焊料,無高溫回流工藝,可實現(xiàn)高可靠性、高性能和高密度的三維封裝制造,同時也屬于綠色制造技術(shù),所以具有廣闊的發(fā)展前景?！娟P(guān)鍵詞】：嵌入式;;電子制造
2010-04-24 10:08:17
)技術(shù),及其主要的工藝流程。這四種加成制造技術(shù)都不使用焊料,無高溫回流工藝,可實現(xiàn)高可靠性、高性能和高密度的三維封裝制造,同時也屬于綠色制造技術(shù),所以具有廣闊的發(fā)展前景?！娟P(guān)鍵詞】：嵌入式;;電子制造
2010-04-24 10:08:51
Small Outline Package”的縮寫，即薄型小尺寸封裝。TSOP內(nèi)存封裝技術(shù)的一個典型特征就是在封裝芯片的周圍做出引腳。TSOP適合用SMT(表面安裝)技術(shù)在PCB上安裝布線。TSOP
2020-02-24 09:45:22
由于引線互連帶來的種種問題，人們開始研究如何改進互連技術(shù)，以避免采用引線。1995年以后，陸續(xù)開發(fā)出了一些無引線的集成功率模塊，其特點是：互連結(jié)構(gòu)的電感小、散熱好、封裝牢固等。圖1（a）、圖1
2018-11-23 16:56:26
種典型方式：一種是將微通道直接做在芯片的襯底上；第 2 種則將微通道集成在芯片下層的厚金屬層中；第 3 種則通過金屬鍍層和熱介質(zhì)材料將芯片直接連接到 Si 基微通道結(jié)構(gòu)上。這種直接作用于芯片的散熱技術(shù)
2023-02-22 16:06:08
怎樣去設(shè)計一種CAN以太網(wǎng)網(wǎng)關(guān)互連系統(tǒng)？
2021-05-31 06:03:14
；第三種是在2D封裝的基礎(chǔ)上，把多個裸芯片、封裝芯片、多芯片組件甚至圓片進行疊層互連，構(gòu)成立體封裝，這種結(jié)構(gòu)稱作疊層型3D封裝。原因有兩個。一是巨大的手機和其它消費類產(chǎn)品市場的驅(qū)動，要求在增加功能
2018-09-12 15:15:28
2種新型的芯片封裝技術(shù)介紹在計算機內(nèi)存產(chǎn)品工藝中，內(nèi)存的封裝技術(shù)是內(nèi)存制造工藝中最關(guān)鍵一步，采用不同封裝技術(shù)的內(nèi)存條，在性能上存在較大差距。只有高品質(zhì)的封裝技術(shù)才能生產(chǎn)出完美的內(nèi)存產(chǎn)品。本文就主要
2009-04-07 17:14:08
新型銅互連方法—電化學機械拋光技術(shù)研究進展多孔低介電常數(shù)的介質(zhì)引入硅半導體器件給傳統(tǒng)的化學機械拋光（ＣＭＰ）技術(shù)帶來了巨大的挑戰(zhàn)，低ｋ 介質(zhì)的脆弱性難以承受傳統(tǒng)ＣＭＰ 技術(shù)所施加的機械力。一種結(jié)合了
2009-10-06 10:08:07
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動更高功率得益于半導體和封裝技術(shù)的進步。一種采用頂部散熱標準封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
真正將集成模塊的概念付諸實現(xiàn)，在很大程度上取決于集成和封裝的工藝技術(shù)。1傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)與互連方式存在的主要問題1 封裝技術(shù)是研究電力電子集成模塊的核心問題電力電子集成的基本思路可以分成單片集成和多芯片
2018-08-28 11:58:28
市場的不斷壯大，推動著倒裝片封裝技術(shù)的發(fā)展，預計倒裝片封裝的數(shù)量將會增大，到2005年將會達到40-45億塊。 (3)多芯片模塊(MCM) MCM是90年代興起的一種混合微電子組裝技術(shù)，它是在高密度
2018-08-23 12:47:17
表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線; 2.封裝外形尺寸小，寄生參數(shù)減小，適合高頻應用; 3.操作方便; 4.可靠性高。 在這期間，Intel公司的CPU，如Intel 80386就采用塑料四邊引出
2018-09-03 09:28:18
、半導體集成電路技術(shù)于一體，是典型的垂直集成技術(shù)，對半導體器件來說,它是典型的柔型封裝技術(shù)，是一種電路的集成。MCM的出現(xiàn)使電子系統(tǒng)實現(xiàn)小型化、模塊化、低功耗、高可靠性提供了更有效的技術(shù)保障[5]。 MCM
2018-11-23 16:59:52
芯片封裝鍵合技術(shù)各種微互連方式簡介微互連技術(shù)簡介定義：將芯片凸點電極與載帶的引線連接，經(jīng)過切斷、沖壓等工藝封裝而成。載帶：即帶狀載體，是指帶狀絕緣薄膜上載有由覆 銅箔經(jīng)蝕刻而形成的引線框架，而且芯片
2012-01-13 14:58:34
大家好， 在Ultrascale FPGA中，使用單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)編寫。 “單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)”是什么意思？謝謝娜文G K.
2020-04-27 09:29:55
珠)的建模已經(jīng)在業(yè)界推廣，其方法已經(jīng)較為完善。 3． 互連設(shè)計的重點向封裝移動，板級分析已經(jīng)較為成熟，同步開關(guān)噪聲的仿真與測試逐漸成為業(yè)界關(guān)注的問題。 4． 抖動(Jitter)的測試方法及標準逐漸
2009-10-13 17:45:09
界已經(jīng)有很多應用，不再是分析工作中的難點。 2． 電容和電感(磁珠)的建模已經(jīng)在業(yè)界推廣，其方法已經(jīng)較為完善。 3． PCB互連設(shè)計的重點向封裝移動，板級分析已經(jīng)較為成熟，同步開關(guān)噪聲的仿真與測試逐漸
2015-01-07 14:27:49
提出了以TI TMS320C64x DSP為核心處理器的多DSP芯片間的幾種互連方式及其優(yōu)缺點。同時詳細討論三種典型的互連方式，這些互連技術(shù)可以廣泛應用于3G無線通信的基帶處理中。這幾種
2009-05-09 14:46:38
13 硅通孔互連技術(shù)的開發(fā)與應用封國強 蔡堅 王水弟（清華大學微電子學研究所，北京，100084，中國）摘要：隨著三維疊層封裝、MEMS 封裝、垂直集成傳感器陣列以及臺面MOS 功
2009-12-14 11:35:449 2種新型的芯片封裝技術(shù)介紹
在計算機內(nèi)存產(chǎn)品工藝中，內(nèi)存的封裝技術(shù)是內(nèi)存制造工藝中最關(guān)鍵一步，采用不同封裝技術(shù)的內(nèi)存條，在性
2009-04-07 17:13:281195 高速PCB互連設(shè)計中的測試技術(shù)
互連設(shè)計技術(shù)包括測試、仿真以及各種相關(guān)標準，其中測試是驗證各種仿真分析結(jié)果的方法和手段。優(yōu)秀的測試方法和手段是保證互連設(shè)
2009-10-10 16:18:02785 
基于高性能多DSP互連技術(shù)
由于現(xiàn)代數(shù)字信號處理器(dsp)設(shè)計、半導體工藝、并行處理和互連與傳輸技術(shù)的進步，現(xiàn)代高性能dsp的處理能力得到極大發(fā)展。但在移動通
2010-03-03 16:26:271327 
隨著國際電子信息行業(yè)新的變革， 3D封裝 蓬勃興起。為了在封裝之內(nèi)硬塞進更多功能，芯片制造商被推到了極限。此外，我們不能忘記更加棘手的互連問題。采用Z方向封裝，或者說3
2011-09-16 17:38:083558 隨著電子產(chǎn)品不斷向微型化和多功能化發(fā)展，電子封裝微互連中的電遷移問題日益突出，已成為影響產(chǎn)品可靠性和耐久性的重要因素．本文在回顧鋁、銅及其合金互連引線中電遷移問題
2011-10-26 16:37:0335 重點討論了垂直互連的硅通孔(TSV)互連工藝的關(guān)鍵技術(shù)及其加工設(shè)備面臨的挑戰(zhàn)．提出了工藝和設(shè)備開發(fā)商的應對措施并探討了3DTSV封裝技術(shù)的應用前景。
2011-12-07 10:59:2389 LED封裝技術(shù)大都是在分立器件封裝技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展與演變而來的，但卻有很大的特殊性。一般情況下，分立器件的管芯被密封在封裝體內(nèi)，封裝的作用主要是保護管芯和完成電氣互連。而LED封裝則是完成輸出電信號
2017-10-20 11:48:1930 BGA封裝在底部包含許多球形凸起管或在上表面。由于凸塊，封裝體和基座之間實現(xiàn)了互連。作為一種先進的封裝技術(shù)，BGA具有較大的引線空間和較短的引線，通過分布I/O端，在封裝體底部起到球或柱的作用。
2019-08-02 16:35:2114592 
為了追逐最高密度以及高帶寬的互連，英特爾正不斷加大對3D互連裸片疊加相關(guān)技術(shù)的開發(fā)。
2019-09-09 16:46:091383 互連橋接）的英特爾創(chuàng)新技術(shù)將帶給你答案。它是一種比一粒米還小的復雜多層薄硅片，可以讓相鄰芯片以驚人的速度來回傳輸大量數(shù)據(jù)，高達每秒數(shù)GB。 英特爾EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）技術(shù)幫助實現(xiàn)包括CPU、圖形卡、內(nèi)存、IO及其它多個芯片
2019-11-27 22:40:031563 SIP有多種定義和解釋,其中一說是多芯片堆疊的3D封裝內(nèi)系統(tǒng)集成,在芯片的正方向堆疊2片以上互連的裸芯片的封裝。SIP是強調(diào)封裝內(nèi)包含了某種系統(tǒng)的功能封裝，3D封裝僅強調(diào)在芯片方向上的多芯片堆疊
2020-05-28 14:51:447076 半導體業(yè)界，幾家公司正在競相開發(fā)基于各種下一代互連技術(shù)的新型2.5D和3D封裝。
2020-06-16 14:25:058484 RS485收發(fā)的3種典型電路免費下載。
2021-06-18 10:56:4594 H3CS3100-SIStack堆疊的典型配置(安徽理士電源技術(shù))-H3CS3100-SIStack堆疊的典型配置? ? ? ? ? ? ? ?
2021-09-15 12:09:092
子引出互連等 3 種先進互連技術(shù)及其封裝工藝的優(yōu)缺點，討論了功率電子模塊封裝及互連技術(shù)所面臨的問題與挑戰(zhàn)。
2022-05-06 15:15:556 芯片粘結(jié)類型：
銀漿粘接技術(shù)：氧化銀的還原，實現(xiàn)芯片的粘接
控制合適的溫度、時間和銀漿的量粘片
2022-07-25 14:54:131065 件的技術(shù)，并且在第3章中我們描述了互連材料和Si襯底間接觸孔的制造。本章將涉及
互連結(jié)構(gòu)本身的制造技術(shù)。
2022-08-09 16:02:290 異質(zhì)整合需要通過先進封裝提升系統(tǒng)性能，以2.5D/3D IC封裝為例，可提供用于存儲器與小芯片集成的高密度互連，例如提供Sub-micron的線寬與線距，或五層的互連，是良好的Interposer(中介層)。
2022-08-24 09:35:535418 許多高質(zhì)量的連接器工廠可以為醫(yī)療行業(yè)提供一次性互連應用的連接器產(chǎn)品，而常見的接觸式互連技術(shù)有四種，即螺釘加工雙曲面接觸技術(shù)、沖壓雙曲面接觸技術(shù)、彈簧探針技術(shù)和邊緣卡接觸技術(shù)。每種接觸互連技術(shù)都有獨特
2022-10-29 15:54:341048 封裝工藝流程--芯片互連技術(shù)
2022-12-05 13:53:522343 RapidIO是由Motorola和Mercury等公司率先倡導的一種高性能、 低引腳數(shù)、 基于數(shù)據(jù)包交換的互連體系結(jié)構(gòu)，是為滿足和未來高性能嵌入式系統(tǒng)需求而設(shè)計的一種開放式互連技術(shù)標準。
2023-01-06 16:40:422445 封裝互連是指將芯片I/0端口通過金屬引線，金屬凸點等與封裝載體相互連接，實現(xiàn)芯片的功能引出。封裝互連主要包括引線鍵合（ Wire Bonding, WB）載帶自動鍵合（Tape Automated Bonding，TAB）和倒裝焊 (Flip Chip Bonding)。
2023-04-03 15:12:207879 2.5D封裝和3D IC封裝都是新興的半導體封裝技術(shù)，它們都可以實現(xiàn)芯片間的高速、高密度互連，從而提高系統(tǒng)的性能和集成度。
2023-08-01 10:07:365284 
銅互連是一種比較新的技術(shù)。在經(jīng)過深入的研究和開發(fā)后，具有銅互連的IC芯片產(chǎn)品第一次在1999年出現(xiàn)。
2023-08-18 09:41:562072 
，并且由于使用極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)等昂貴設(shè)備而導致成本上升。與此同時，市場對不斷完善的半導體技術(shù)的需求仍然很大。為了彌補技術(shù)進步方面的差距并滿足半導體市場的需求，出現(xiàn)了一種解決方案： 先進的半導體封裝技術(shù)。
2023-08-21 09:55:08986 
相對于傳統(tǒng)平面型的金絲鍵合焊接的MMIC應用，三維（3D）多芯片互連封裝MMIC以其高集成度、低損耗、高可靠性等性能優(yōu)勢，正逐步在先進電路與系統(tǒng)中得到應用。而3D封裝引入的復雜電磁耦合效應，在傳統(tǒng)
2023-08-30 10:02:075731 
三星計劃在2024年先進3D芯片封裝技術(shù)SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology，三星高級互連技術(shù)），能以更小尺寸的封裝，將AI芯片等高性能芯片的內(nèi)存和處理器集成。
2023-11-15 11:09:302499 互連技術(shù)是封裝的關(guān)鍵和必要部分。芯片通過封裝互連，以接收功率、交換信號并最終進行操作。由于半導體產(chǎn)品的速度、密度和功能隨互連方式的不同而不同，互連方法也在不斷變化和發(fā)展。
2023-11-23 15:13:581422 
隨著科技的飛速發(fā)展，電子設(shè)備的性能和功能日益強大，對封裝技術(shù)的要求也越來越高。納米銀無壓封裝互連技術(shù)作為一種新興的封裝技術(shù)，以其獨特的優(yōu)勢在電子封裝領(lǐng)域嶄露頭角。本文將詳細介紹納米銀無壓封裝互連技術(shù)的原理、特點、應用以及面臨的挑戰(zhàn)和未來發(fā)展趨勢。
2024-05-16 10:12:451535 
近年來，計算領(lǐng)域發(fā)生了巨大變化，通信已成為系統(tǒng)性能的主要瓶頸，而非計算本身。這一轉(zhuǎn)變使互連技術(shù) - 即實現(xiàn)計算系統(tǒng)各組件之間數(shù)據(jù)交換的通道 - 成為計算機架構(gòu)創(chuàng)新的焦點。本文探討了通用、專用和量子計算系統(tǒng)中芯片和封裝級互連的最新進展，并強調(diào)了這一快速發(fā)展領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)、挑戰(zhàn)和機遇。
2024-10-28 09:50:521839 半導體封裝已從傳統(tǒng)的 1D PCB 設(shè)計發(fā)展到晶圓級的尖端 3D 混合鍵合。這一進步允許互連間距在個位數(shù)微米范圍內(nèi)，帶寬高達 1000 GB/s，同時保持高能效。先進半導體封裝技術(shù)的核心是 2.5D
2024-11-05 11:22:041778 
柔性基板上異質(zhì)集成在近些年被開發(fā)應用于高性能和柔性需求的應用場景。可靠的2D和3D布局對于系統(tǒng)的有效性至關(guān)重要。在采用傳統(tǒng)的互連技術(shù)又面臨機械以及熱性能的不兼容。例如超薄芯片太脆而難以承受引線鍵合
2024-11-05 11:23:421421 
市場對于產(chǎn)品小型化需求增長，讓SiP（系統(tǒng)級封裝）和 PoP（疊成封裝）奠定了先進封裝的初始階段。此后，倒裝芯片（Flip-Chip）、晶圓級封裝（WLP）和3D IC封裝技術(shù)出現(xiàn)， 不斷縮短芯片之間的互連距離。近年來，先進封裝的發(fā)展非常快，臺積電
2024-11-21 10:14:404681 
一、什么是TCV技術(shù) 陶瓷穿孔互連技術(shù)(TCV，Through Ceramic Via)簡稱TCV，是一種應用于高密度三維封裝的新型互連技術(shù)。其利用陶瓷穿孔實現(xiàn)電路與電路之間、電路與附加單元之間線路
2024-11-24 11:37:133566 
Molding Via，TMV)、玻璃通孔(Through Glass Via，TGV)。這3 種垂直互連結(jié)構(gòu)也是業(yè)內(nèi)公認的推進三維集成封裝的關(guān)鍵技術(shù)。
2024-11-24 11:47:232740 
本文要點在提升電子設(shè)備性能方面，2.5D和3D半導體封裝技術(shù)至關(guān)重要。這兩種解決方案都在不同程度提高了性能、減小了尺寸并提高了能效。2.5D封裝有利于組合各種器件并減小占用空間，適合高性能計算和AI
2024-12-07 01:05:052506 
芯東西12月16日報道，在IEDM 2024（2024年IEEE國際電子器件會議）上，英特爾代工展示了包括先進封裝、晶體管微縮、互連縮放等在內(nèi)的多項技術(shù)突破，以助力推動半導體行業(yè)在下一個十年及更長
2024-12-25 09:52:111072 
混合鍵合技術(shù)（下） 先進封裝技術(shù)（Semiconductor Advanced Packaging） - 3 Chiplet 異構(gòu)集成（上） 先進封裝技術(shù)（Semiconductor
2025-01-08 11:17:013032 
光電封裝技術(shù)經(jīng)歷了從傳統(tǒng)銅纜到板上光學，再到2.5D和3D光電共封裝的不斷演進。這一發(fā)展歷程展示了封裝技術(shù)在集成度、互連路徑和帶寬設(shè)計上的持續(xù)突破。未來，光電共封技術(shù)將進一步朝著更高集成度、更短互連路徑和更高帶寬方向發(fā)展，為提升數(shù)據(jù)中心和高性能計算的能效與速度提供雙重動力。
2025-01-24 13:29:547033 
在半導體產(chǎn)業(yè)中，封裝是連接芯片與外界電路的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，而互連工藝則是封裝中的核心技術(shù)之一。它負責將芯片的輸入輸出端口（I/O端口）與封裝基板或外部電路連接起來，實現(xiàn)電信號的傳輸與交互。本文將詳細介紹半導體封裝中的互連工藝，包括其主要分類、技術(shù)特點、應用場景以及未來的發(fā)展趨勢。
2025-02-10 11:35:451465 
高密度芯片封裝的發(fā)展歷程出發(fā)，解析焊球、銅柱及微凸點三種互連技術(shù)的定義、材料、制作工藝、適用范圍、用途及典型案例，并將這些技術(shù)融入芯片封裝發(fā)展的歷史背景中，展現(xiàn)其在不同階段的作用與意義。 芯片封裝發(fā)展歷程與互
2025-02-20 10:06:003303 
芯片封裝是半導體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，承擔著為芯片提供物理保護、電氣互連和散熱的功能，這其中的鍵合技術(shù)（Bonding）就是將晶圓芯片固定于基板上。
2025-04-10 10:15:382844 
芯片封裝作為半導體制造的核心環(huán)節(jié)，承擔著物理保護、電氣互連和散熱等關(guān)鍵功能。其中，鍵合技術(shù)作為連接裸芯片與外部材料的橋梁，直接影響芯片的性能與可靠性。當前，芯片封裝領(lǐng)域存在引線鍵合、倒裝芯片、載帶
2025-04-11 14:02:252628 
隨著臺積電在 2011年推出第一版 2.5D 封裝平臺 CoWoS、海力士在 2014 年與 AMD 聯(lián)合發(fā)布了首個使用 3D 堆疊的高帶寬存儲(HBM)芯片，先進封裝技術(shù)帶來的片上互連拓撲結(jié)構(gòu)的改變和帶來的集成能力的提升，成為當前片上互連技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動因素。
2025-05-22 10:17:51975 
XSR 即 Extra Short Reach，是一種專為Die to Die之間的超短距離互連而設(shè)計的芯片間互連技術(shù)。可以通過芯粒互連（NoC）或者中介層（interposer）上的互連來連接多個芯片，在多芯片計算體系結(jié)構(gòu)的設(shè)計中起到了重要的作用。
2025-06-06 09:53:321764 
本文介紹了芯片封裝失效的典型現(xiàn)象：金線偏移、芯片開裂、界面開裂、基板裂紋和再流焊缺陷。
2025-07-09 09:31:361506 3D封裝架構(gòu)主要分為芯片對芯片集成、封裝對封裝集成和異構(gòu)集成三大類，分別采用TSV、TCB和混合鍵合等先進工藝實現(xiàn)高密度互連。
2025-10-16 16:23:321553 
燒結(jié)銀：3D封裝中高功率密度和高密度互連的核心材料
2025-12-29 11:16:01117
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