特瑞仕半導(dǎo)體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD. 日本東京) 推出升壓同步整流PFM 控制DC/DC 轉(zhuǎn)換器XC9140 系列產(chǎn)品。
2012-08-08 09:15:23
1837 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MTSI，以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功?；谶@一成果，意法半導(dǎo)
2022-05-19 16:03:513914 
日前，意法半導(dǎo)體推出L6983 38V/3A同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器，在任何負(fù)載時(shí)都能保持高能效，最高能效達(dá)到95％，片上集成同步整流MOSFET晶體管，可以節(jié)省外部元件，簡化設(shè)計(jì)過程。 L6983
2020-02-13 16:02:461990 意法半導(dǎo)體布局第三代半導(dǎo)體多年，是推動(dòng)氮化鎵、碳化硅等發(fā)展商用的主要廠商之一。在氮化鎵方面，2018年意法半導(dǎo)體宣布與CEA Tech旗下研究所Leti合作研發(fā)硅基氮化鎵功率切換元件制造技術(shù)。意法
2020-02-24 08:57:484103 2022年7月25日，中國 - 意法半導(dǎo)體VNF1048F車規(guī)高邊開關(guān)控制器集成強(qiáng)化的系統(tǒng)保護(hù)診斷功能和意法半導(dǎo)體的I2-t硅熔斷保護(hù)技術(shù)。 ? 作為意法半導(dǎo)體新推出的集成I2-t保護(hù)功能
2022-07-25 14:36:481844 
(IGBT)，現(xiàn)在出現(xiàn)了氮化鎵(GaN)晶體管，可讓切換電源的體積大幅縮小。 例如，Navitas半導(dǎo)體推出尺寸最小的65W USB-PD (Type-C)電源轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)NVE028A，正是
2018-10-23 16:12:16
前言 同步整流（SR）控制器能夠提高電源的轉(zhuǎn)換效率。本文將一起探討它們的優(yōu)勢以及它們?nèi)绾问闺娫撮_發(fā)人員的工作更輕松。憑借出色的性能，寬帶隙（WBG）功率半導(dǎo)體-比如碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN
2022-02-17 08:04:47
間接測量輸出功率，并據(jù)此調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)器輸出電壓或進(jìn)入禁用模式；在LLC應(yīng)用中，LLD電路用于測量跳周期模式的占空比，并據(jù)此改變驅(qū)動(dòng)器輸出電壓或進(jìn)入禁用模式。結(jié)語安森美半導(dǎo)體新一代同步整流驅(qū)動(dòng)控制器NCP
2019-06-17 05:00:09
中國，2018年11月2日 - 意法半導(dǎo)體的 STM32L412和STM32L422微控制器（MCU）以功能專一和封裝緊湊為特色，為注重成本預(yù)算的消費(fèi)類、工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用帶來超低功耗技術(shù)和優(yōu)異的處理
2018-11-05 14:11:08
中國，2017年11月15日——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出最新的超低功耗微控制器，讓每天與人
2017-11-21 15:21:22
微控制器的關(guān)機(jī)模式功耗低至33nA，EEMBC ULPBench測試成績?nèi)〉?02 ULPMark-CP。新產(chǎn)品傳承意法半導(dǎo)體的低功耗技術(shù)專長，例如，自適應(yīng)電壓調(diào)節(jié)、實(shí)時(shí)加速、功率門控和在以前的STM32L
2018-10-17 10:37:12
傳感器的電源電壓和電流，進(jìn)而簡化連網(wǎng)產(chǎn)品、智能傳感器、移動(dòng)機(jī)器人或無人機(jī)控制器等注重功耗的項(xiàng)目開發(fā)。詳情請瀏覽： www.st.com/profiMEMS-PR相關(guān)新聞意法半導(dǎo)體STM32F4基本型產(chǎn)品線
2018-05-22 11:20:41
有源米勒鉗位選配，提升高速開關(guān)抗干擾能力中國，2018年8月3日——意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供26V的最大柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓，準(zhǔn)許用戶選擇獨(dú)立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
中國，2018年4月10日 ——意法半導(dǎo)體的STLQ020低壓差（LDO）穩(wěn)壓器可以緩解在靜態(tài)電流、輸出功率、動(dòng)態(tài)響應(yīng)和封裝尺寸之間權(quán)衡取舍的難題，為設(shè)計(jì)人員帶來更大的自由設(shè)計(jì)空間。集小尺寸、高性能
2018-04-10 15:13:05
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車級(jí)六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進(jìn)的車載導(dǎo)航
2018-07-17 16:46:16
中國，2018年10月10日——意法半導(dǎo)體推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代碼燒寫及調(diào)試探針，進(jìn)一步改進(jìn)代碼燒寫及調(diào)試靈活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存儲(chǔ)
2018-10-11 13:53:03
意法半導(dǎo)體的AlgoBuilder 固件開發(fā)工具能將寫代碼工作從固件開發(fā)中分離出來，讓用戶使用可立即編譯的STM32 *微控制器（MCU）運(yùn)行的函數(shù)庫模塊，在圖形用戶界面上創(chuàng)建傳感器控制算法。以簡化
2018-07-13 13:10:00
半導(dǎo)體(ST)完整全橋系統(tǒng)封裝內(nèi)置MOSFET、柵驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)技術(shù)以節(jié)省空間，簡化設(shè)計(jì)，精簡組裝意法半導(dǎo)體(ST)推出內(nèi)置32位MCU的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，簡化電池供電機(jī)器人和電器設(shè)備的電機(jī)控制系統(tǒng)意法半導(dǎo)體高集成度數(shù)字電源控制器簡化設(shè)計(jì)，助力應(yīng)用達(dá)到最新能效安全標(biāo)準(zhǔn)`
2018-06-25 11:01:49
`意法半導(dǎo)體的STCH03 脈寬調(diào)制（PWM）控制器擁有很高的集成度，采用一次側(cè)調(diào)整技術(shù)實(shí)現(xiàn)精確的恒流輸出，幫助經(jīng)濟(jì)型手機(jī)充電器、電源適配器或輔助電源更好地滿足能效法規(guī)對平均效率和待機(jī)功率的嚴(yán)格限制
2018-07-13 11:35:31
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)的合作協(xié)議將擴(kuò)大意法半導(dǎo)體LDMOS產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密，不對外披露。 相關(guān)新聞MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56
中國，2018年8月27日——意法半導(dǎo)體的STSPIN830 和 STSPIN840單片電機(jī)驅(qū)動(dòng)器集成靈活多變的控制邏輯電路和低導(dǎo)通電阻RDS（ON）的功率開關(guān)管，有助于簡化7V-45V工作電壓
2018-08-29 13:16:07
STM32* 微控制器上開發(fā)先進(jìn)的高能效電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的難度。此舉為空調(diào)、家電、無人機(jī)、樓宇自動(dòng)化、機(jī)床、醫(yī)療設(shè)備、電動(dòng)車等產(chǎn)品設(shè)備工程師研發(fā)先進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)帶來更多機(jī)會(huì)，而且無需專門的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)?；?b class="flag-6" style="color: red">意法半導(dǎo)體上一代
2018-03-22 14:30:41
意法半導(dǎo)體已將其 STM32Cube.AI 機(jī)器學(xué)習(xí)開發(fā)環(huán)境放入云中，并配有可云訪問的意法半導(dǎo)體MCU板進(jìn)行測試。這兩個(gè)版本都從TensorFlow，PyTorch或ONNX文件為STM32微控制器
2023-02-14 11:55:49
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;)發(fā)布一款創(chuàng)新的顯示屏背光LED控制器芯片。新產(chǎn)品可簡化手機(jī)與其它便攜電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)，為
2011-11-24 14:57:16
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
容易使用。通過簡單的“數(shù)字輸入、電源輸出”操作，布局和控制都很簡單。dV/dt 回轉(zhuǎn)率控制和欠壓鎖定等功能，確保了氮化鎵功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì)，從而極為有效地縮短了產(chǎn)品上市
2023-06-15 15:32:41
結(jié)構(gòu)可以使用雙柵結(jié)構(gòu)控制電流。用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的矩陣轉(zhuǎn)換器可以通過利用雙向設(shè)備潛在地減少開關(guān)的數(shù)量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為許多熱門應(yīng)用(如集成電機(jī)驅(qū)動(dòng))的有吸引力的選擇
2018-11-20 10:56:25
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
（如處理器）。具有高輸入至輸出電壓比的開關(guān)模式功率轉(zhuǎn)換器的效率較低。這些電源管理模塊通常涉及多個(gè)轉(zhuǎn)換階段。從中間的54/48伏總線直接轉(zhuǎn)換到處理器內(nèi)核電壓可以降低成本并提高效率。氮化鎵憑借其獨(dú)特的開關(guān)
2019-03-14 06:45:11
和意法半導(dǎo)體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術(shù)引入主流射頻市場和應(yīng)用領(lǐng)域的計(jì)劃，這標(biāo)志著氮化鎵供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)，未來會(huì)將MACOM的射頻半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)?；统錾\(yùn)營完美結(jié)合
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
?是提高性能和降低價(jià)值。硅襯底倒裝波LED芯片，效率會(huì)更高、工藝會(huì)更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發(fā)，有望降低成本50%以上。 目前已開發(fā)出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進(jìn)工藝技術(shù)，光效
2014-01-24 16:08:55
電子、汽車和無線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
，可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員簡化和加快產(chǎn)品開發(fā)，使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強(qiáng)性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢與直觀、靈活的軟件和信號(hào)控制能力相結(jié)合
2017-08-03 10:11:14
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動(dòng)電壓
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代，需要的器件越來越多，價(jià)格越來越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
的自由設(shè)計(jì)空間，使他們能夠靈活地定義無刷IPM電機(jī)的電氣參數(shù)，滿足實(shí)際應(yīng)用對電機(jī)的高功率密度和高速性能的需求?！ ?b class="flag-6" style="color: red">意法半導(dǎo)體還增加了定子電壓閉路弱磁控制算法，降低微控制器對電機(jī)參數(shù)和環(huán)境變化的敏感性
2009-05-04 11:40:00
意法半導(dǎo)體的廣泛數(shù)字電源產(chǎn)品組合可滿足數(shù)字電源設(shè)計(jì)的要求。我們的產(chǎn)品包括MCU（專為數(shù)字功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)，采用全數(shù)字控制方法）和數(shù)字控制器（具有面向軟件控制算法的專用ROM存儲(chǔ)器）。意法半導(dǎo)體
2023-09-07 06:49:47
ST Voltage Regulator Finder 應(yīng)用軟件，方便工程師、采購人員、學(xué)生或企業(yè)用戶在智能手機(jī)或平板上快速、輕松地尋找并購買意法半導(dǎo)體的穩(wěn)壓器、精密基準(zhǔn)電壓芯片及直流電源轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品
2018-05-28 10:35:07
功率模塊（APM）、加熱和冷卻單元等。表1：突破性半導(dǎo)體材料的最佳應(yīng)用氮化鎵的魅力在于其固有的超越硅的幾個(gè)屬性。氮化鎵提供更低的開關(guān)損耗；更快的速度，類似RF的開關(guān)速度；增加的功率密度；更好的熱預(yù)算
2018-07-19 16:30:38
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
到 1MHz 以上。新的控制器正在開發(fā)中。微控制器和數(shù)字信號(hào)處理器（DSP），也可以用來實(shí)現(xiàn)目前軟開關(guān)電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，而目前廣泛采用的、為1-2 MHz范圍優(yōu)化的磁性材料，已經(jīng)可被使用了。
氮化鎵功率芯片
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場，同時(shí)提供更快的開關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵也處于這一階段，成本將會(huì)隨著市場需求量加速、大規(guī)模生產(chǎn)、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場也將會(huì)取代傳統(tǒng)的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產(chǎn)，可以大幅降低成本。第三代半導(dǎo)體的普及
2019-07-08 04:20:32
條件下實(shí)現(xiàn)高能效，是達(dá)到這個(gè)市場需求的關(guān)鍵要素，同時(shí)也是半導(dǎo)體廠商研發(fā)新技術(shù)的動(dòng)力?！ ∫?yàn)檫^去幾年技術(shù)改良取得較大進(jìn)步，意法半導(dǎo)體最新的功率MOSFET技術(shù)可以成功地替代變頻電機(jī)控制器的IGBT開關(guān)
2018-11-20 10:52:44
產(chǎn)生不良影響。安森美半導(dǎo)體最新推出的同步整流控制器FAN6248，優(yōu)化用于LLC諧振轉(zhuǎn)換器，完美地解決上述挑戰(zhàn)，適用于高能效服務(wù)器和臺(tái)式電腦電源、大屏液晶電視及顯示器電源、網(wǎng)絡(luò)和電信電源、高功率
2018-12-03 11:07:15
的功率型分立器件針對軟開關(guān)諧振和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了優(yōu)化，可最大限度提高低功率和高功率應(yīng)用的系統(tǒng)效率。基于氮化鎵的最新產(chǎn)品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應(yīng)用提供更緊湊的電源設(shè)計(jì)。意法半導(dǎo)體的數(shù)字電源解決方案可以使用專用的評(píng)估板、參考設(shè)計(jì)、技術(shù)文檔和eDesignSuite軟件配置器和設(shè)計(jì)工具來實(shí)現(xiàn)
2023-09-06 07:44:16
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
如何使用UCC24624同步整流器控制器提高LLC諧振轉(zhuǎn)換器的效率？
2021-06-17 11:21:32
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
意法半導(dǎo)體ST推出250A功率MOSFET，封裝和制程同步升級(jí)，提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)能效
中國，2008年7月16日 —— 以降低電動(dòng)汽車等電動(dòng)設(shè)備的運(yùn)營成本和環(huán)境影
2008-07-29 14:13:02918 意法半導(dǎo)體發(fā)布超低功耗整流二極管
功率半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出新的高能效功率整流二極管
2010-04-06 13:29:521162 硅谷數(shù)模半導(dǎo)體公司(Analogix Semiconductor, Inc.,)日前推出了其能效型顯示轉(zhuǎn)換器設(shè)備系列，可將系統(tǒng)平臺(tái)的DisplayPort輸出轉(zhuǎn)換成現(xiàn)行的單或雙LVDS嵌入式屏幕。
2011-09-19 09:00:02758 
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體供應(yīng)商 意法半導(dǎo)體 (ST)近日推出新款高壓蕭特基二極體(Schottky diode)，有助于提高電信基地臺(tái)和熔接設(shè)備的效能和穩(wěn)健性。 意法半導(dǎo)體的新款200V功率蕭特基
2011-10-08 09:05:281566 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商及全球電源管理芯片領(lǐng)導(dǎo)供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出新款業(yè)界獨(dú)有的照明控制器芯片，讓
2018-04-27 10:06:001415 2018年6月22日——意法半導(dǎo)體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設(shè)備制造商設(shè)計(jì)更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動(dòng)電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費(fèi)和工業(yè)電源的靈活性。
2018-07-04 11:32:595661 意法半導(dǎo)體發(fā)布的VIPer26K高壓功率轉(zhuǎn)換器集成一個(gè)1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設(shè)計(jì)簡單的優(yōu)點(diǎn)。
2019-08-03 10:00:405779 STNRGPF12是意法半導(dǎo)體的雙通道交錯(cuò)式升壓PFC控制器，兼?zhèn)鋽?shù)字電源的設(shè)計(jì)靈活性和模擬算法的快速響應(yīng)性，控制器配置和優(yōu)化的過程非常簡單，使用意法半導(dǎo)體的eDesignSuite軟件就可以輕松完成。
2019-08-07 17:05:014716 臺(tái)積電昨日宣布，與意法半導(dǎo)體合作加速市場采用氮化鎵產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候?qū)⑹着鷺悠方唤o其主要客戶。
2020-02-21 15:41:183076 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比，優(yōu)勢十分明顯，例如，在大功率工作時(shí)能效更高，使寄生功率損耗大幅降低。
2020-02-24 17:15:131626 以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表第三代半導(dǎo)體材料越來越受到市場重視，半導(dǎo)體企業(yè)正在競相加速布局。日前，意法半導(dǎo)體宣布已簽署收購法國氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan公司的多數(shù)股權(quán)的并購協(xié)議。
2020-03-10 11:22:193244 意法半導(dǎo)體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉(zhuǎn)換器，集成一個(gè)1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設(shè)計(jì)簡單的優(yōu)點(diǎn)。
2020-03-18 15:24:513098 中國，2020年4月7日——意法半導(dǎo)體的VIPer222控制器可用于高達(dá)8W的高壓電源轉(zhuǎn)換器，具有體積小、低成本，功能齊全，可應(yīng)用于家用電器、樓宇自動(dòng)化設(shè)備、智能照明和智能電表等應(yīng)用。
2020-04-07 15:21:363740 意法半導(dǎo)體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個(gè)對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器和電路保護(hù)功能，可以簡化高達(dá)200W的高能效電源變換
2021-04-16 14:41:043668 意法半導(dǎo)體推出了一個(gè)新系列—— 氮化鎵（GaN） 功率半導(dǎo)體。該系列產(chǎn)品屬于意法半導(dǎo)體的STPOWER 產(chǎn)品組合，能夠顯著降低各種電子產(chǎn)品的能耗和尺寸。
2021-12-17 17:32:301432 電源，例如，充電器、PC機(jī)外部電源適配器、LED照明驅(qū)動(dòng)器、電視機(jī)等家電。消費(fèi)電子產(chǎn)品的全球產(chǎn)量很大，如果提高能效，可大幅減少二氧化碳排放。在功率更高的應(yīng)用中，意法半導(dǎo)體的 PowerGaN器件也適用于電信電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)電機(jī)、太陽能逆變器、電動(dòng)汽車及其充電設(shè)施。
2022-01-17 14:22:543358 功率因數(shù)校正(PFC)控制器、諧振半橋控制器、800V啟動(dòng)電路，以及管理這三個(gè)模塊的數(shù)字引擎。PFC 控制器可以在過渡模式、非連續(xù)電流模式(DCM) 和谷底跳躍之間動(dòng)態(tài)切換，以實(shí)現(xiàn)最佳能效。半橋控制器執(zhí)行意法半導(dǎo)體的時(shí)移控制?(TSC)專利技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)精確的軟開關(guān)操作。 ?
2022-05-17 17:42:183500 
意法半導(dǎo)體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司宣布，射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片制造成功。
2022-05-20 09:16:172067 中國—— 意法半導(dǎo)體推出 L3751 同步降壓控制器，具有緊湊的尺寸和6V至 75V的輸入電壓范圍，適用于從工業(yè)設(shè)備到純電動(dòng)輕型汽車等各種應(yīng)用領(lǐng)域。這款3.5mm x 4.5mm的控制器還適用于常用的24V和48V電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。
2022-10-25 14:34:19977 使用UCC24624同步整流器控制器提高LLC諧振轉(zhuǎn)換器的效率
2022-11-01 08:25:27
3 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337273 
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，憑借更小體積、更高效率對傳統(tǒng)硅材料進(jìn)行替代。預(yù)計(jì)中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機(jī)快充充電器市場快速滲透，長期在基站、服務(wù)器、新能源汽車等諸多場景也將具有一定的增長潛力。
2023-02-06 16:44:274965 硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:264975 
在過去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應(yīng)用。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，具有快速的開關(guān)速度，更高的擊穿強(qiáng)度和高導(dǎo)熱性。
2023-02-09 18:04:021141 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:342743 
硅基氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體，屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。
2023-02-12 13:52:271619 反向恢復(fù)電荷、體積小和能耗低、抗輻射等優(yōu)勢。 曾經(jīng)射頻半導(dǎo)體市場中主要用到的是LDMOS技術(shù)，而如今，硅基氮化鎵技術(shù)基本已經(jīng)取代了傳統(tǒng)的LDMOS技術(shù)，與傳統(tǒng)的LDMOS技術(shù)相比，硅基氮化鎵技術(shù)可提供的功率效率能夠超過70%，單位面積功
2023-02-12 14:30:283190 硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，可有效縮小功率器件體積，提高功率器件效率，對傳統(tǒng)硅材料功率器 件進(jìn)行替代。
2023-02-12 17:05:08997 硅基氮化鎵和藍(lán)寶石基氮化鎵都是氮化鎵材料，但它們之間存在一些差異。硅基氮化鎵具有良好的電子性能，可以用于制造電子元件，而藍(lán)寶石基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性，可以用于制造熱敏元件。此外，硅基氮化鎵的成本更低，而藍(lán)寶石基氮化鎵的成本更高。
2023-02-14 15:57:152751 意法半導(dǎo)體發(fā)L6983i10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。
2023-05-19 09:56:311516 2023年5月20日，中國——意法半導(dǎo)體高壓寬禁帶功率轉(zhuǎn)換芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65兩款產(chǎn)品，適合最大功率100W和65W的單開關(guān)管準(zhǔn)諧振 (QR)反激式功率轉(zhuǎn)換器。
2023-05-20 16:59:50754 ST-ONEMP與意法半導(dǎo)體的MasterGaN功率技術(shù)配套使用。 MasterGaN技術(shù)包含意法半導(dǎo)體的集成柵極驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。意法半導(dǎo)體GaN技術(shù)的開關(guān)頻率比傳統(tǒng)硅 MOSFET更高，使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011 
2023 年 9 月 6 日，中國 ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
2023-09-07 10:12:132054 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《意法半導(dǎo)體微控制器EMC設(shè)計(jì)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-07 15:08:5715 2023年12月15日，中國-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡化電源設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-12-15 16:44:111621 意法半導(dǎo)體 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難度，提高轉(zhuǎn)換能效，目標(biāo)應(yīng)用包括工業(yè)電源、便攜式設(shè)備充電器和 AC/DC適配器。
2024-03-07 16:26:571046 意法半導(dǎo)體近日發(fā)布了其全新同步整流控制器SRK1004，該控制器專為簡化采用硅基或氮化鎵（GaN）晶體管的功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)流程而設(shè)計(jì)，同時(shí)顯著提高了轉(zhuǎn)換效率。該控制器適用于多種應(yīng)用，包括工業(yè)電源、便攜式設(shè)備充電器以及AC/DC適配器等。
2024-03-12 10:53:171448 為了推動(dòng)氮化鎵(GaN)電源(PSU)在能效和功率密度方面的顯著提升，意法半導(dǎo)體近日推出了EVL250WMG1L參考設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)，是一款諧振轉(zhuǎn)換器
2024-12-25 14:19:481143 為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計(jì)，意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
2025-02-06 11:31:151134 意法半導(dǎo)體新款微型單片降壓轉(zhuǎn)換器DCP3601集成大量的功能，具有更高的設(shè)計(jì)靈活性，可以簡化應(yīng)用設(shè)計(jì)，降低物料清單成本。這款芯片內(nèi)置功率開關(guān)與補(bǔ)償電路，構(gòu)建完整的輸出電壓設(shè)置電路，僅需電感器、自舉電容、濾波電容、反饋電阻等6個(gè)外部元件。
2025-03-24 11:40:231235 意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，為開發(fā)者帶來更高的設(shè)計(jì)靈活性和更多的功能，提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。
2025-06-04 14:44:581139 意法半導(dǎo)體的新離線高壓轉(zhuǎn)換器VIPer11B可為高達(dá)8W的應(yīng)用（包括照明、智能家居設(shè)備、家用電器和智能電表）提供高能效、低成本的小電源。
2025-07-18 14:38:37831 為提供卓越的效率和功率密度，意法半導(dǎo)體加快了氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計(jì)進(jìn)程，推出了基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的EVL250WMG1L諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
2025-07-18 14:40:16942 ????????意法半導(dǎo)體推出一系列GaN反激式轉(zhuǎn)換器，幫助開發(fā)者輕松研發(fā)和生產(chǎn)體積緊湊的高能效USB-PD充電器、快充和輔助電源。新系列轉(zhuǎn)換器在低負(fù)載條件下采用意法半導(dǎo)體專有技術(shù)，確保電源和充電器無聲運(yùn)行，為用戶帶來出色的使用體驗(yàn)。
2025-11-24 10:03:51314
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