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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>制造新聞>40/45nm先進(jìn)制程升溫 眾晶圓廠爭(zhēng)相擴(kuò)充

40/45nm先進(jìn)制程升溫 眾晶圓廠爭(zhēng)相擴(kuò)充

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半導(dǎo)體廠商聯(lián)電、格芯先后退出先進(jìn)制程競(jìng)賽

研發(fā), 并將資源轉(zhuǎn)而投入在相對(duì)成熟的制程服務(wù)上。 聯(lián)電與格芯先后退出先進(jìn)制程軍備競(jìng)賽,加上英特爾(Intel)的10奈米制程處理器量產(chǎn)出貨時(shí)程再度遞延到2019年底,均顯示先進(jìn)制程的技術(shù)進(jìn)展已面臨瓶頸。 展望未來(lái),還有能力持續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體制程微縮的業(yè)者,或只剩下臺(tái)積電、三星
2018-10-16 09:30:411519

沖刺28nm/FinFET研發(fā) 晶圓廠資本支出創(chuàng)新高

為爭(zhēng)搶先進(jìn)制程商機(jī)大餅,包括臺(tái)積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠,下半年均將擴(kuò)大資本設(shè)備支出,持續(xù)擴(kuò)充28奈米制程產(chǎn)能;與此同時(shí),受到英特爾沖刺FinFET技術(shù)研發(fā)刺激,各大晶圓廠也不斷加碼技術(shù)投資,將驅(qū)動(dòng)整體晶圓代工產(chǎn)業(yè)支出向上飆升。
2013-05-13 08:58:40949

100萬(wàn)次擦寫(xiě)!三星首創(chuàng)45nm嵌入式閃存

三星電子近日宣布,正在開(kāi)發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash,并且已經(jīng)成功在智能卡測(cè)試芯片上部署了新工藝,為量產(chǎn)和商用打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2013-05-23 09:05:162080

28nm工藝制程角力,中國(guó)能否跟上

 在摩爾定律的指引下,集成電路的線(xiàn)寬不斷縮小,基本上是按每?jī)赡昕s小至原尺寸的70%的步伐前進(jìn)。如2007年達(dá)到45nm,2009年達(dá)到32nm,2011年達(dá)到22nm。但是到了2013年的14nm時(shí)開(kāi)始出現(xiàn)偏差,英特爾原先承諾的量產(chǎn)時(shí)間推遲。
2014-04-01 09:46:269119

大陸IC設(shè)計(jì)廠加快導(dǎo)入14/16nm納米先進(jìn)制程

導(dǎo)讀:目前,國(guó)家權(quán)力扶植半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈發(fā)展,在大基金補(bǔ)助下,國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)廠商建廠迅速,紛紛投入先進(jìn)14/16nm制程生產(chǎn)。據(jù)悉上游半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈廠商中芯、武漢新芯、廈門(mén)聯(lián)電、南京臺(tái)積電、大連英特爾多家
2016-08-05 15:01:461704

28、40納米制程未來(lái)三年恐成大陸廠商殺戮戰(zhàn)場(chǎng)

大陸半導(dǎo)體業(yè)者瘋狂投入晶圓代工和3D NAND市場(chǎng),不僅5年要蓋20座晶圓廠,預(yù)估2018年大陸晶圓廠資本支出將暴沖至100億美元,值得憂(yōu)慮的是,大陸在邏輯制程上礙于14納米先進(jìn)制程苦無(wú)突破點(diǎn),遂
2017-01-19 07:37:081514

美光擴(kuò)大在臺(tái)投資加快先進(jìn)制程布局追趕三星

美國(guó)內(nèi)存大廠美光(Micron)合并華亞科技后,中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)成為美光的 DRAM 生產(chǎn)基地,內(nèi)部設(shè)定以超越三星為目標(biāo),并全力沖刺 DRAM 和 3D NAND Flash 先進(jìn)制程腳步,去年及今年
2017-02-13 11:44:261043

英特爾10納米良率低 先進(jìn)制程將優(yōu)先導(dǎo)入服務(wù)器芯片

半導(dǎo)體龍頭英特爾(Intel)先進(jìn)制程策略大轉(zhuǎn)彎,除了傳出10納米以下制程良率未如預(yù)期,內(nèi)部也調(diào)整將最先進(jìn)工藝制程未來(lái)優(yōu)先提供服務(wù)器芯片生產(chǎn)之用,改變過(guò)去PC掛帥策略。
2017-03-14 09:25:591231

33.5億美元!臺(tái)積電核準(zhǔn)大額預(yù)算,沖刺新制程研發(fā)與產(chǎn)能擴(kuò)充

晶圓代工龍頭臺(tái)積電11月13日公布,董事會(huì)核淮新臺(tái)幣1,034.8億元(約33.5億美元)資本預(yù)算,將用將用以興建廠房、建置、擴(kuò)充及升級(jí)先進(jìn)制程產(chǎn)能、升級(jí)特殊制程產(chǎn)能、轉(zhuǎn)換邏輯制程產(chǎn)能為特殊制程產(chǎn)能,以及2019年第1季研發(fā)資本預(yù)算及經(jīng)常性資本預(yù)算。
2018-11-14 15:37:521247

DRAM需求看漲 南亞科投資3000億臺(tái)幣建立10nm制程的12 吋晶圓廠

4月20日,DRAM大廠南亞科宣布,將在新北市泰山南林科技園區(qū)興建一座雙層無(wú)塵室的 12 吋先進(jìn)晶圓廠,采用自主研發(fā)的 10nm制程技術(shù),規(guī)劃建置 EUV 極紫外光微影生產(chǎn)技術(shù),月產(chǎn)能約 4.5 萬(wàn)片,計(jì)劃今年底動(dòng)工、2024 年開(kāi)始第一階段 1.5 萬(wàn)片量產(chǎn),總投資額達(dá)新臺(tái)幣 3000 億元。
2021-04-20 14:14:439146

蔣尚義:中芯國(guó)際將同步發(fā)展先進(jìn)制程與封裝

蔣尚義在擔(dān)任中芯國(guó)際副董事長(zhǎng)首次于中國(guó)芯創(chuàng)年會(huì)中公開(kāi)亮相,并表示未來(lái)中芯將同步發(fā)展先進(jìn)制程跟封裝。
2021-01-18 10:25:365135

10nm、7nm制程到底是指什么?宏旺半導(dǎo)體和你聊聊

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展,芯片制程工藝已從90nm、65nm45nm、32nm、22nm、14nm升級(jí)到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm,而最近據(jù)媒體報(bào)道,半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動(dòng)
2019-12-10 14:38:41

193 nm ArF浸沒(méi)式光刻技術(shù)和EUV光刻技術(shù)

45 nm、300 mm晶圓廠量產(chǎn)45 nm MPU:(1)美國(guó)俄勒岡州Fab PID廠,2007年下半年量產(chǎn);(2)美國(guó)亞利桑那州Fab 32廠,投資30億美元,2007年末量產(chǎn);(3)以色列Fab
2019-07-01 07:22:23

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FreePDK 45nm 的一個(gè) Flip-Flop 的面積是多少μm^2有償(50米)
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從7nm到5nm,半導(dǎo)體制程 精選資料分享

從7nm到5nm,半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來(lái)表示,比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33

全球進(jìn)入5nm時(shí)代

45-50臺(tái)的交付量。這其中很大一部分都供給了臺(tái)積電,用于擴(kuò)充5nm,以及7nm產(chǎn)能。中微半導(dǎo)體除光刻機(jī)之外,蝕刻機(jī)也是5nm制程工藝不可缺少的,目前,全球高端刻蝕機(jī)玩家僅剩下應(yīng)用材料、Lam
2020-03-09 10:13:54

關(guān)于晶圓廠中光電技術(shù)的應(yīng)用

今天看見(jiàn)一個(gè)技術(shù)名稱(chēng)叫技術(shù)節(jié)點(diǎn)40NM,小弟請(qǐng)教各位大神,在晶圓廠中關(guān)于光電軌道與光電工程之間的聯(lián)系,以及40NM的節(jié)點(diǎn)技術(shù)具體是指什么??
2012-05-24 21:43:46

半導(dǎo)體工藝幾種工藝制程介紹

、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm、到現(xiàn)在的7nm(對(duì)應(yīng)都是MOS管柵長(zhǎng)),目前也有了很多實(shí)驗(yàn)室在進(jìn)行一些更小尺寸的研究。隨著MOS管的尺寸不斷的變小,溝道的不斷變小,出現(xiàn)各種
2020-12-10 06:55:40

國(guó)產(chǎn)芯片真的 “穩(wěn)” 了?這家企業(yè)的 14nm 制程,已經(jīng)悄悄滲透到這些行業(yè)…

在 98% 以上,基本追平國(guó)際主流水平。而且他們還開(kāi)放了 “定制化芯片設(shè)計(jì)服務(wù)”,中小廠商不用再依賴(lài)進(jìn)口,成本直接砍了 30%。 有人說(shuō) “先進(jìn)制程才是王道”,但實(shí)際應(yīng)用里,14nm 才是 “性?xún)r(jià)比王者” ?。∧銈冇X(jué)得國(guó)產(chǎn)芯片現(xiàn)在的短板是技術(shù),還是市場(chǎng)認(rèn)可?歡迎評(píng)論區(qū)聊聊~
2025-11-25 21:03:40

急求一種GF的45nm SOI RF庫(kù)

急求,有沒(méi)有大佬可以分享一下GF的45nm SOI RF庫(kù)?
2021-06-22 06:49:40

英特爾16款全新45nm處理器

  英特爾(Intel)日前針對(duì)PC、筆記型電腦(NB)應(yīng)用,推出16款新型處理器,包括首款為Intel Centrino(Intel迅馳)處理器技術(shù)的筆記型電腦所設(shè)計(jì)、采用45nm制程的處理器在內(nèi)
2018-12-03 10:17:40

請(qǐng)問(wèn)C2000系列產(chǎn)品的制程45nm還是28nm?

請(qǐng)問(wèn)工程師,C2000系列產(chǎn)品的制程45nm還是28nm?同一款新片可能采用不同的制程生產(chǎn)嗎?
2020-06-17 14:41:57

請(qǐng)問(wèn)低調(diào)的UMC究竟在忙些什么?

個(gè)節(jié)點(diǎn)上面臨的挑戰(zhàn)逐年增加這一問(wèn)題,簡(jiǎn)山杰表示,目前,我們的28nm poly產(chǎn)能是滿(mǎn)載的,而28nm HKMG還有些空余。過(guò)去,28nm HKMG主要用于手機(jī)的基帶和AP芯片制造,而隨著先進(jìn)制程的逐步
2018-06-11 16:27:12

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跳過(guò)65nm,無(wú)晶圓廠商ASIC直接采用45nm工藝 在向幾大前沿技術(shù)的轉(zhuǎn)移策略中,eASIC公司選擇跳過(guò)65nm節(jié)點(diǎn),直接推出“零掩模費(fèi)用”的45nm ASIC產(chǎn)品線(xiàn)。 除了發(fā)布Nextreme
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2011-11-16 09:16:10536

先進(jìn)制程一馬當(dāng)先 臺(tái)積20奈米年底試產(chǎn)

臺(tái)積電將維持晶圓代工領(lǐng)先地位?,F(xiàn)階段臺(tái)積電28奈米(nm)先進(jìn)制程技術(shù)傲視群雄,加上其專(zhuān)攻2.5D及三維晶片
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45/40nm成營(yíng)收主力 晶圓廠爭(zhēng)相擴(kuò)產(chǎn)

全球各大晶圓代工廠正加速擴(kuò)大40/45奈米(nm先進(jìn)制程產(chǎn)能規(guī)模。智慧型手機(jī)與平板裝置市場(chǎng)不斷增長(zhǎng),讓兼具低成本與高效能的先進(jìn)制程需求快速升溫,包括臺(tái)積電、聯(lián)電、格羅方德
2012-08-22 09:16:071194

先進(jìn)制程沖第一 臺(tái)積電16/10nm搶先開(kāi)火

臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開(kāi)。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外,臺(tái)積電2013~2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù),打造16、10奈米制程;同時(shí)亦可望推出18寸(450mm)晶圓
2012-09-07 09:05:21984

制程工藝是什么?

,CPU的功耗也就越小。本專(zhuān)題我們將介紹道幾種nm級(jí)制程工藝,如:20nm、22nm、28nm、40nm45nm、60nm制程工藝。
2012-09-09 16:37:30

加碼擴(kuò)產(chǎn)不手軟 晶圓廠車(chē)拚先進(jìn)制程

晶圓代工廠在先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。行動(dòng)裝置對(duì)采用先進(jìn)制程的晶片需求日益高漲,讓臺(tái)積電、聯(lián)電、GLOBALFOUNDRIES與三星等晶圓廠,皆不約而同加碼擴(kuò)大先進(jìn)制程產(chǎn)能,特別是現(xiàn)今
2012-09-20 09:08:41910

臺(tái)積電計(jì)劃2020年量產(chǎn)5nm制程

有關(guān)臺(tái)積5nm先進(jìn)制程布局的南科環(huán)境影響差異分析報(bào)告案昨(24)日通過(guò)專(zhuān)案小組審查。臺(tái)積電表示,臺(tái)積5nm制程將在明年動(dòng)工,計(jì)劃在2020年量產(chǎn),迎戰(zhàn)三星。
2016-11-28 16:09:19983

臺(tái)積電試產(chǎn)7納米先進(jìn)制程,有望實(shí)現(xiàn) 2018 年初正式量產(chǎn)

根據(jù)平面媒體指出,在 2016 年第 4 季成功量產(chǎn) 10 納米先進(jìn)制程之后,從 2017 年第 1 季開(kāi)始,全球晶圓制造龍頭臺(tái)積電將會(huì)正式試產(chǎn) 7 納米先進(jìn)制程,并且有望在 2018 年初正式達(dá)成量產(chǎn)的目標(biāo)。
2017-01-04 11:04:11882

新式TII技術(shù)可望微縮超越9nm

最新的「傾斜離子注入」(TII)制程據(jù)稱(chēng)能夠?qū)崿F(xiàn)比當(dāng)今最先進(jìn)制程更小達(dá)9nm的特征尺寸... 最新的「傾斜離子注入」(TII)制程據(jù)稱(chēng)能夠?qū)崿F(xiàn)比當(dāng)今最先進(jìn)制程更小達(dá)9nm的特征尺寸... 美國(guó)柏克萊
2017-02-08 01:52:12461

聯(lián)電、臺(tái)積電在大陸豎起先進(jìn)制程高墻

臺(tái)灣12吋廠火速卡位大陸先進(jìn)制程的空缺,近期傳出聯(lián)電廈門(mén)12吋晶圓廠(聯(lián)芯)一箭雙雕,先后拿下展訊、聯(lián)發(fā)科40納米制程大訂單,且近期28納米移轉(zhuǎn)到廈門(mén)12吋廠后,此兩大IC設(shè)計(jì)大客戶(hù)也會(huì)陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)28納米生產(chǎn),與臺(tái)積電聯(lián)手在大陸筑起先進(jìn)制程高墻,防堵中芯國(guó)際、華力微電子的28納米崛起!
2017-04-19 10:23:351387

什么是半導(dǎo)體工藝制程,16nm、10nm都代表了什么

隨著智能手機(jī)的發(fā)展,半導(dǎo)體工藝也急速提升,從28nm、16nm、10nm到7nm這些半導(dǎo)體代工廠們每天爭(zhēng)相發(fā)布最新的工藝制程,讓很多吃瓜群眾一臉懵逼不知道有啥用。
2018-06-10 01:38:0049700

中芯國(guó)際2018年是否能靠14nm先進(jìn)制程振翅高飛?

晶圓代工屬于重資本行業(yè),生產(chǎn)線(xiàn)的規(guī)?;?、產(chǎn)品制程先進(jìn)化是企業(yè)的“護(hù)城河”,最新制程晶圓技術(shù)的掌握,將帶給企業(yè)先發(fā)優(yōu)勢(shì)及價(jià)格優(yōu)勢(shì),但這都是通過(guò)大量的資本研發(fā)投入實(shí)現(xiàn)的,新產(chǎn)能的擴(kuò)充也將帶來(lái)折舊費(fèi)用使
2018-04-12 10:00:006051

10納米DRAM制程競(jìng)爭(zhēng)升溫,SK海力士、美光加速追趕三星

2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 評(píng)論: 0 | 來(lái)自: 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 摘要 : 10納米級(jí)DRAM先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)逐漸升溫,三星電子在2017年率先宣布量產(chǎn)第二代10納米(1y
2018-11-12 18:04:02533

10nm以下先進(jìn)制程 臺(tái)積電和三星采取怎樣的策略

晶圓代工領(lǐng)域10nm已成分水嶺,隨著英特爾的10nm制程久攻不下,聯(lián)電和格芯相繼擱置7nm及以下先進(jìn)制程的研發(fā)后,10nm以下的代工廠中只有三星在繼續(xù)與臺(tái)積電拼刺刀。
2018-11-16 10:37:374463

先進(jìn)制程微縮變得越來(lái)越困難 IC設(shè)計(jì)與品牌商同樣面對(duì)的成本高墻

晶圓代工廠商的先進(jìn)制程競(jìng)賽如火如荼來(lái)到7nm,但也有晶圓代工廠商就此打住,聯(lián)電將止于12nm制程研發(fā),GlobalFoundries宣告無(wú)限期停止7nm及以下先進(jìn)制程發(fā)展。一直以來(lái),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為延續(xù)
2018-12-26 14:57:273897

芯恩項(xiàng)目進(jìn)展順利 公司二期工程目標(biāo)直指14nm及以下先進(jìn)制程

3月5日,芯恩董事長(zhǎng)張汝京表示,芯恩項(xiàng)目進(jìn)展順利,CIDM(Commune IDM——共有、共享式IDM)模式需要國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈上下游更多企業(yè)加入,才能不斷壯大。他還提到,公司二期工程目標(biāo),直指14nm及以下先進(jìn)制程
2019-03-07 17:11:395944

臺(tái)積電擴(kuò)充先進(jìn)制程產(chǎn)能資金預(yù)算達(dá)約39億人民幣

晶圓代工龍頭廠臺(tái)積電因應(yīng)未來(lái)營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)性,投資擴(kuò)產(chǎn)持續(xù)大手筆,昨董事會(huì)決議,核準(zhǔn)資本預(yù)算達(dá)約新臺(tái)幣1217.81億元(約39億人民幣),做為擴(kuò)充先進(jìn)制程產(chǎn)能等用途。
2019-05-15 16:53:362692

臺(tái)灣地區(qū)與韓國(guó)對(duì)光刻機(jī)需求最強(qiáng)烈 先進(jìn)制程的光刻設(shè)備出貨前景看好

先進(jìn)制程納米節(jié)點(diǎn)持續(xù)微縮下,***是重要關(guān)鍵設(shè)備。12寸晶圓主要***為ArF immersion機(jī)臺(tái),可覆蓋45nm一路往下到7nm節(jié)點(diǎn)的使用范圍,其雷射光波長(zhǎng)最小微縮到193nm;針對(duì)
2019-06-10 16:56:367472

臺(tái)積電董事會(huì)核準(zhǔn)2000億元新臺(tái)幣擴(kuò)充產(chǎn)能與發(fā)展先進(jìn)制程

晶圓代工龍頭臺(tái)積電13日舉行董事會(huì),會(huì)中核準(zhǔn)2,009.1億元(新臺(tái)幣,下同)資本支出,以因應(yīng)擴(kuò)充產(chǎn)能與發(fā)展先進(jìn)制程的需求。另外,也核準(zhǔn)2019年第2季每股2.5元之現(xiàn)金股利,并且通過(guò)黃仁昭財(cái)務(wù)長(zhǎng)暨發(fā)言人以及章勳明升任副總經(jīng)理人事案。
2019-08-14 17:04:552006

28nm產(chǎn)能利用率短期提升程度有限 IoT與OLED或助力28nm制程技術(shù)轉(zhuǎn)移

2019年晶圓代工產(chǎn)業(yè)的焦點(diǎn)無(wú)疑是先進(jìn)制程發(fā)展,尤其在7nm產(chǎn)品的采用率上優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期,16/14nm需求受惠于高效能運(yùn)算與消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求產(chǎn)能利用率表現(xiàn)不俗,也讓提供先進(jìn)制程服務(wù)的相關(guān)廠商,在2019下半年確實(shí)能得到營(yíng)收表現(xiàn)成長(zhǎng)的機(jī)會(huì)。
2019-11-14 15:55:003410

需求下滑導(dǎo)致臺(tái)積電28nm40/45nm產(chǎn)能利用率下滑

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,由于需求下滑,芯片代工商臺(tái)積電28nm40/45nm的產(chǎn)能利用率有下滑。
2020-04-15 14:44:584092

三星跳過(guò)4nm制程轉(zhuǎn)向3nm制程量產(chǎn),要真正反超臺(tái)積電存在諸多挑戰(zhàn)

在芯片先進(jìn)制程的賽場(chǎng)上,放眼全球,僅剩臺(tái)積電、英特爾、三星。目前,臺(tái)積電和三星在7nm以下的競(jìng)爭(zhēng)備受關(guān)注。根據(jù)報(bào)道,三星將直接跳過(guò)4nm先進(jìn)制程,轉(zhuǎn)向3nm制程的量產(chǎn),此舉有可能使三星領(lǐng)先于臺(tái)積電
2020-07-06 15:31:542666

三星和臺(tái)積電在5nm先進(jìn)制程上將進(jìn)行沒(méi)有硝煙的戰(zhàn)爭(zhēng)

25日,三星和臺(tái)積電在5nm先進(jìn)制程上同時(shí)爆發(fā)新聞,沒(méi)有硝煙的戰(zhàn)場(chǎng)上從未停止戰(zhàn)爭(zhēng)。
2020-08-26 11:43:173555

先進(jìn)制程是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的絕對(duì)主流?中國(guó)為什么要研發(fā)28nm工藝?

8nm、7nm、5nm.。..在品牌大廠的耳濡目染之中,極易讓我們產(chǎn)生一絲錯(cuò)覺(jué),即所有半導(dǎo)體廠商都在瘋狂研發(fā)先進(jìn)制程,或者說(shuō)先進(jìn)制程才是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的絕對(duì)主流。
2020-10-15 10:47:3812507

華為計(jì)劃在國(guó)內(nèi)建設(shè)45nm制程工藝起步的芯片工廠

 根據(jù)報(bào)道,華為將在國(guó)內(nèi)建設(shè)一家45nm制程工藝起步的芯片工廠,計(jì)劃在2021年底為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造28nm的芯片,并在2022年底之前為5G設(shè)備供應(yīng)20nm的芯片。
2020-11-02 17:41:303542

Omdia 研究報(bào)告,28nm 將在未來(lái) 5 年成為半導(dǎo)體應(yīng)用的長(zhǎng)節(jié)點(diǎn)制程工藝

前進(jìn)。如 2007 年達(dá)到 45nm,2009 年達(dá)到 32nm,2011 年達(dá)到 22nm。28nm 工藝處于 32nm 和 22nm 之間,業(yè)界在更早的 45nm(HKMG)工藝,在 32nm
2020-12-03 17:02:253321

臺(tái)積電積極擴(kuò)張5nm制程,2021年底將囊括近六成先進(jìn)制程市占

觀察目前最先進(jìn)的5nm制程,臺(tái)積電在華為遭美禁令限制后,2020年初才量產(chǎn)的5nm制程僅剩蘋(píng)果(Apple)為唯一客戶(hù),即便蘋(píng)果積極導(dǎo)入自研Mac CPU,其總投片量仍難以完全彌補(bǔ)華為海思空缺的產(chǎn)能,導(dǎo)致5nm稼動(dòng)率在今年下半年落在約85~90%。
2020-12-11 11:03:022056

2021年臺(tái)積電、三星繼續(xù)重金砸向先進(jìn)制程

2020年,受7納米和5納米先進(jìn)制程拉動(dòng),晶圓代工廠商大幅增加資本開(kāi)支;2021年,晶圓代工龍頭臺(tái)積電、三星繼續(xù)重金砸向先進(jìn)制程
2021-01-24 10:28:562220

韓國(guó)三星電子投資高達(dá) 170 億美元在美國(guó)建立 3nm 晶圓廠 擴(kuò)大在先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)

近日,據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》報(bào)道,根據(jù)相關(guān)文件和知情人士透露,韓國(guó)三星電子正在考慮投資高達(dá) 170 億美元在亞利桑那州、德薩斯州或紐約州建立一家芯片制造工廠。這意味著三星和臺(tái)積電正進(jìn)一步擴(kuò)大在先進(jìn)制程
2021-01-25 10:29:052091

GAA-FET在3nm及更先進(jìn)制程上很關(guān)鍵

得益于從平面型晶體管到鰭式場(chǎng)效應(yīng)管(FinFET)的過(guò)渡,過(guò)去 10 年的芯片性能提升還算勉強(qiáng)。然而隨著制程工藝不斷抵近物理極限,芯片行業(yè)早已不再高聲談?wù)撃柖伞1M管業(yè)界對(duì)環(huán)繞柵極晶體管(GAAFET)在 3nm 及更先進(jìn)制程上的應(yīng)用前景很是看好,但這種轉(zhuǎn)變的代價(jià)也必然十分高昂。
2021-01-27 14:56:432548

臺(tái)積電先進(jìn)制程芯片最新消息

在近期舉辦的2021年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC 2021)上,臺(tái)積電先進(jìn)制程芯片傳來(lái)新消息。臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音在線(xiàn)上專(zhuān)題演說(shuō)時(shí)指出,3納米制程依計(jì)劃推進(jìn),甚至比預(yù)期還超前了一些,3納米及未來(lái)主要
2021-02-22 09:10:062714

全球半導(dǎo)體先進(jìn)制程之戰(zhàn)已然火花四射

2020年伊始,全球半導(dǎo)體先進(jìn)制程之戰(zhàn)已然火花四射。從華為和蘋(píng)果打響7nm旗艦手機(jī)芯片第一槍開(kāi)始,7nm芯片產(chǎn)品已是百花齊放之勢(shì),5nm芯片也將在下半年正式首秀。這些逐漸縮小的芯片制程數(shù)字,正是全球
2021-04-01 18:04:116504

先進(jìn)制程穩(wěn)中有升,成熟制程領(lǐng)域也是霸主

而從臺(tái)積電公布的第一季度財(cái)報(bào)來(lái)看,與預(yù)測(cè)基本相符:?jiǎn)渭径惡蠹円?396.9億元新臺(tái)幣,季減2.2%,年增19.4%;按制程劃分,臺(tái)積電第一季度5nm制程出貨占總銷(xiāo)售金額的14%,7nm占35%,16nm占14%,28nm占11%。
2021-05-17 09:51:112441

先進(jìn)制程競(jìng)玩家數(shù)量的一次大衰退

但從2002到2006年,就陸續(xù)有玩家開(kāi)始退出先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng),包括Sanyo、Rohm、ON、Mitsubishi、Hitachi、Atmel、HLMC以及ADI均沒(méi)有在第一時(shí)間推出90nm工藝。由此可以看出,在期間退出先進(jìn)節(jié)點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)的日本廠商較多。
2021-05-17 11:23:362640

回顧西門(mén)子EDA研討會(huì) 看破解先進(jìn)制程最新挑戰(zhàn)

隨著AI時(shí)代的到來(lái),市場(chǎng)上對(duì)大數(shù)據(jù)處理速度的需求越來(lái)越高。眾所周知,工藝制程的進(jìn)步是實(shí)現(xiàn)高性能計(jì)算最為有效的途徑之一。因此,市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)制程的需求也會(huì)越來(lái)越旺盛。根據(jù)IC Insights發(fā)布
2021-08-24 11:13:526918

從代工廠看先進(jìn)制程

來(lái)源:?半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 臺(tái)積電已于近日發(fā)布了2021年第四季度財(cái)報(bào)。數(shù)據(jù)顯示,臺(tái)積電7nm及以下制程貢獻(xiàn)營(yíng)收達(dá)到一半。其在先進(jìn)制程的發(fā)力可見(jiàn)一斑。魏哲家還預(yù)計(jì),臺(tái)積電將于2025年推出2nm芯片
2022-01-27 13:16:501336

Intel拜會(huì)臺(tái)積電:或?qū)⑾蚺_(tái)積電尋求90nm等工藝代工

Intel CEO基辛格第二次訪問(wèn)臺(tái)積電,尋求臺(tái)積電90nm、65nm、40/45nm、28nm制程的代工。
2022-04-10 12:06:032587

富士康計(jì)劃新建12英寸晶圓廠,將鎖定28nm40nm制程

合作,一同成立合資企業(yè),并在馬來(lái)西亞新建一座12英寸晶圓工廠。 據(jù)了解,富士康提及到該工廠將會(huì)鎖定28nm40nm制程,并且預(yù)計(jì)該晶圓廠投產(chǎn)后,每個(gè)月能夠提供4萬(wàn)片的產(chǎn)能。目前市面上的微控制器、傳感器、連接相關(guān)芯片等都廣泛使用了28nm制程,因此例如臺(tái)積電等制
2022-05-18 16:35:033392

北斗星通22nm芯片先進(jìn)嗎?

電在2020年第一季度便已經(jīng)大規(guī)模投產(chǎn)了最先進(jìn)的5nm制程,而北斗星通還在使用22nm制程芯片,這怎么能叫先進(jìn)呢? 實(shí)際上,在導(dǎo)航定位領(lǐng)域,一般對(duì)芯片制程的要求不會(huì)太高,目前還有很多GPS芯片都在采用40nm制程,因此北斗星通22nm制程的芯片算
2022-06-29 10:11:403824

3nm制程代工價(jià)格再破新高,高質(zhì)芯片如何保障?

繼2022年6月30日,三星電子官宣開(kāi)始量產(chǎn)基于GAA晶體管結(jié)構(gòu)的3nm芯片后,臺(tái)積電也在2022年末在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)高調(diào)舉辦了3nm量產(chǎn)擴(kuò)廠典禮,也就是說(shuō)目前先進(jìn)制程的兩大玩家都已經(jīng)達(dá)成了3nm制程
2023-01-16 09:32:53933

NOR Flash制程工藝技術(shù)市場(chǎng)格局及技術(shù)演進(jìn)

華邦電子認(rèn)為,對(duì)于NOR Flash而言,45nm很可能是最后一個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)了,與之相比,SLC NAND Flash還有制程微縮空間,在24nm之后,至少還可以進(jìn)一步微縮一代制程。
2023-01-31 09:51:474345

2nm芯片能帶來(lái)什么?2nm制程之爭(zhēng)將全面打響?

消費(fèi)電子市場(chǎng)持續(xù)疲軟、人工智能火熱的大環(huán)境下,晶圓制造廠商積極瞄準(zhǔn)高性能芯片,2nm先進(jìn)制程之爭(zhēng)愈演愈烈。
2023-07-17 18:24:152633

先進(jìn)制程芯片的“三大攔路虎” 先進(jìn)制程芯片設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵

雖然摩爾定律走到極限已成行業(yè)共識(shí),但是在現(xiàn)代科技領(lǐng)域中,先進(jìn)制程芯片的設(shè)計(jì)仍是實(shí)現(xiàn)高性能、低功耗和高可靠性的關(guān)鍵。
2023-08-08 09:15:402870

新思科技PVT IP:從源頭解決先進(jìn)制程芯片“三大攔路虎”

本文轉(zhuǎn)自TechSugar 感謝TechSugar對(duì)新思科技的關(guān)注 雖然摩爾定律走到極限已成行業(yè)共識(shí),但是在現(xiàn)代科技領(lǐng)域中,先進(jìn)制程芯片的設(shè)計(jì)仍是實(shí)現(xiàn)高性能、低功耗和高可靠性的關(guān)鍵。芯片開(kāi)發(fā)者正在
2023-08-15 17:35:012660

臺(tái)積電即將宣布日本第二個(gè)晶圓廠項(xiàng)目,采用6/7nm制程

目前臺(tái)積電正迅速擴(kuò)大海外生產(chǎn)能力,在美國(guó)亞利桑那州、日本熊本市建設(shè)工廠,并宣布了在德國(guó)建廠的計(jì)劃。臺(tái)積電在亞利桑那州第一座晶圓廠此前計(jì)劃延期,預(yù)計(jì)2025年上半年將開(kāi)始量產(chǎn)4nm工藝;第二座晶圓廠預(yù)計(jì)將于2026年開(kāi)始生產(chǎn)3nm制程芯片。
2023-11-23 16:26:481000

芯片先進(jìn)制程之爭(zhēng):2nm戰(zhàn)況激烈,1.8/1.4nm苗頭顯露

隨著GPU、CPU等高性能芯片不斷對(duì)芯片制程提出了更高的要求,突破先進(jìn)制程技術(shù)壁壘已是業(yè)界的共同目標(biāo)。目前放眼全球,掌握先進(jìn)制程技術(shù)的企業(yè)主要為臺(tái)積電、三星、英特爾等大廠。
2024-01-04 16:20:161812

臺(tái)積電日本晶圓廠開(kāi)幕在即:預(yù)計(jì)2月24日舉行,量產(chǎn)時(shí)間確定

目前,臺(tái)積電已完成與日本的一項(xiàng)聯(lián)合建設(shè)晶圓廠協(xié)議,預(yù)計(jì)在今年2月24日舉行投產(chǎn)慶典。日本的這處晶圓廠使用12nm、16nm、22nm及28nm先進(jìn)制程工藝,自啟動(dòng)以來(lái)進(jìn)展順利,引來(lái)業(yè)界廣泛關(guān)注。
2024-01-29 14:00:42896

臺(tái)積電2023年報(bào):先進(jìn)制程先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)成績(jī)

據(jù)悉,臺(tái)積電近期發(fā)布的2023年報(bào)詳述其先進(jìn)制程先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)進(jìn)展,包括N2、N3、N4、N5、N6e等工藝節(jié)點(diǎn),以及SoIC CoW、CoWoS-R、InFO_S、InFO_M_PoP等封裝技術(shù)。
2024-04-25 15:54:581797

三星擬升級(jí)美國(guó)晶圓廠至2nm制程,與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)尖端市場(chǎng)

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的背景下,韓國(guó)科技巨頭三星近日宣布了一項(xiàng)重要決策。據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,三星已決定推遲其位于美國(guó)德克薩斯州泰勒市新晶圓廠的設(shè)備訂單,考慮將原計(jì)劃的4nm制程工藝直接升級(jí)到更為尖端的2nm制程。這一決策預(yù)計(jì)將在今年三季度正式公布。
2024-06-20 09:31:131051

傳臺(tái)積電將在高雄建設(shè)1.4nm晶圓廠

據(jù)最新市場(chǎng)消息,中國(guó)臺(tái)灣高雄地區(qū)正成為臺(tái)積電先進(jìn)制程技術(shù)擴(kuò)展的重要陣地。在已確定的三座2納米晶圓廠之外,高雄市還積極準(zhǔn)備迎接更先進(jìn)的1.4納米(A14制程)技術(shù)入駐。高雄地方政府已提前盤(pán)點(diǎn)土地需求和水電供給,為臺(tái)積電未來(lái)布局下一代先進(jìn)技術(shù)提供堅(jiān)實(shí)后盾。
2024-08-13 14:14:142878

臺(tái)積電高雄2nm晶圓廠加速推進(jìn),預(yù)計(jì)12月啟動(dòng)裝機(jī)

臺(tái)積電在高雄的2nm晶圓廠建設(shè)傳來(lái)新進(jìn)展。據(jù)臺(tái)媒最新報(bào)道,臺(tái)積電位于高雄的首座2nm晶圓廠(P1)即將竣工,標(biāo)志著公司在先進(jìn)制程技術(shù)上的又一重大突破。據(jù)悉,該晶圓廠已通知相關(guān)半導(dǎo)體廠務(wù)供應(yīng)商,計(jì)劃
2024-09-26 15:59:511052

Rapidus計(jì)劃建設(shè)1.4nm工藝第二晶圓廠

近日,日本先進(jìn)芯片制造商Rapidus的社長(zhǎng)小池淳義透露了一項(xiàng)重要計(jì)劃。據(jù)日媒報(bào)道,小池淳義在陪同日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣武藤容治視察Rapidus正在北海道千歲市建設(shè)的2nm晶圓廠IIM-1時(shí)表示,若2nm制程的量產(chǎn)進(jìn)展順利,Rapidus計(jì)劃進(jìn)一步建設(shè)更為先進(jìn)的1.4nm工藝第二晶圓廠。
2024-10-28 17:17:17979

三星芯片代工新掌門(mén):先進(jìn)與成熟制程并重

與成熟制程的并重發(fā)展。他指出,當(dāng)前三星代工部門(mén)最緊迫的任務(wù)是提升2nm產(chǎn)能的良率爬坡。這一舉措顯示了三星在先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)域的決心和實(shí)力。 同時(shí),韓真晚也提到了三星電子在GAA工藝方面的領(lǐng)先地位。盡管三星已經(jīng)率先實(shí)現(xiàn)了全球首個(gè)GAA工藝,但在先進(jìn)制
2024-12-10 13:40:351257

環(huán)球晶獲4.06億美元補(bǔ)助,用于12英寸先進(jìn)制程硅晶圓等擴(kuò)產(chǎn)

的直接補(bǔ)助。 這筆資金將用于支持環(huán)球晶在美國(guó)德州謝爾曼市及密蘇里州圣彼得斯市的先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓廠投資計(jì)劃,預(yù)計(jì)總投資額將達(dá)到40億美元。環(huán)球晶表示,此次補(bǔ)助將對(duì)其在美國(guó)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃起到至關(guān)重要的推動(dòng)作用。GWA將于2025年上半年成為美國(guó)首座量產(chǎn)12英寸先進(jìn)制程硅晶圓的制造廠,而MEMC則計(jì)劃在同一時(shí)間段
2024-12-19 16:08:20937

消息稱(chēng)臺(tái)積電3nm、5nm和CoWoS工藝漲價(jià),即日起效!

)計(jì)劃從2025年1月起對(duì)3nm、5nm先進(jìn)制程和CoWoS封裝工藝進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。 先進(jìn)制程2025年喊漲,最高漲幅20% 其中,對(duì)3nm、5nm先進(jìn)制程技術(shù)訂單漲價(jià),漲幅在3%到8%之間,而AI相關(guān)高性能計(jì)算產(chǎn)品的訂單漲幅可能高達(dá)8%到10%。此外,臺(tái)積電還計(jì)劃對(duì)CoWoS先進(jìn)封裝服務(wù)進(jìn)行漲
2025-01-03 10:35:351087

臺(tái)積電美國(guó)芯片量產(chǎn)!臺(tái)灣對(duì)先進(jìn)制程放行?

來(lái)源:半導(dǎo)體前線(xiàn) 臺(tái)積電在美國(guó)廠的4nm芯片已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn),而中國(guó)臺(tái)灣也有意不再對(duì)臺(tái)積電先進(jìn)制程赴美設(shè)限,因此中國(guó)臺(tái)灣有評(píng)論認(rèn)為,臺(tái)積電不僅在“去臺(tái)化”,也有是否會(huì)變成“美積電”的疑慮。 中國(guó)臺(tái)灣不再
2025-01-14 10:53:09996

臺(tái)積電或?qū)⒃谂_(tái)南建六座先進(jìn)晶圓廠

據(jù)業(yè)內(nèi)傳聞,臺(tái)積電計(jì)劃在臺(tái)南沙侖建設(shè)其最先進(jìn)的1nm制程晶圓廠,并規(guī)劃打造一座超大型晶圓廠(Giga-Fab),可容納六座12英寸生產(chǎn)線(xiàn)。這一舉措旨在放大現(xiàn)有南科先進(jìn)制程的生產(chǎn)集群效應(yīng)。
2025-02-06 17:56:291099

先進(jìn)封裝,再度升溫

來(lái)源方圓 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 2024年,先進(jìn)封裝的關(guān)鍵詞就一個(gè)——“漲價(jià)”。漲價(jià)浪潮已經(jīng)從上半年持續(xù)到年底,2025年大概率還要漲。2024年12月底,臺(tái)積電宣布明年繼續(xù)調(diào)漲先進(jìn)制程、封裝代工
2025-02-07 14:10:43760

臺(tái)積電加速美國(guó)先進(jìn)制程落地

近日,臺(tái)積電在美國(guó)舉行了首季董事會(huì),并對(duì)外透露了其在美國(guó)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家在會(huì)上表示,公司將正式啟動(dòng)第三廠的建廠行動(dòng),這標(biāo)志著臺(tái)積電在美國(guó)的布局將進(jìn)一步加強(qiáng)。 據(jù)了解,臺(tái)積電在先進(jìn)制程
2025-02-14 09:58:01933

英特爾連通愛(ài)爾蘭Fab34與Fab10晶圓廠,加速先進(jìn)制程芯片生產(chǎn)進(jìn)程

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益白熱化的當(dāng)下,芯片制造巨頭英特爾的一舉一動(dòng)都備受行業(yè)內(nèi)外關(guān)注。近期,英特爾一項(xiàng)關(guān)于其愛(ài)爾蘭晶圓廠的布局調(diào)整計(jì)劃,正悄然為其在先進(jìn)制程芯片生產(chǎn)領(lǐng)域的發(fā)力埋下重要伏筆——英特爾
2025-08-25 15:05:13670

臺(tái)積電沖刺2nm量產(chǎn),2nm先進(jìn)制程決戰(zhàn)2025

人員接手試產(chǎn)及量產(chǎn)作業(yè)的種子團(tuán)隊(duì),推動(dòng)新竹寶山和高雄廠于 2024年同步南北試產(chǎn)、2025年量產(chǎn)。 ? 從1971的10000nm制程到5nm,從5nm向3nm、2nm發(fā)展和演進(jìn),芯片制造領(lǐng)域制程工藝的角逐從來(lái)未曾停歇,到現(xiàn)在2nm芯片大戰(zhàn)已經(jīng)全面打響。 ? 先進(jìn)制程工藝演
2023-08-20 08:32:073557

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