據(jù)TechCrunch網(wǎng)站報道，碳納米管屬于一種超級材料——它是直徑為1或2納米的圓柱狀物，它有包括從超級計算機到效能比更高的智能手機在內(nèi)的許多夢幻般應(yīng)用。問題是，它們不容易制造，推出商業(yè)化碳納米管產(chǎn)品可能尚需10-15年。
2016-08-22 10:09:07
2131 達(dá)林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達(dá)林頓對（Darlington Pair），是由兩個或更多個雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過這種結(jié)構(gòu)，第一個雙極性晶體管放大的電流可以進(jìn)一步被放大，從而提供比其中任意一個雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:5313533 
:56～58）發(fā)現(xiàn)的新材料，是石墨化的碳原子卷曲而成的納米級無縫中空管狀結(jié)構(gòu)。碳納米管的物理結(jié)構(gòu)就決定了，碳納米管具有多種優(yōu)異的力學(xué)、熱學(xué)和電學(xué)性能。例如，碳納米管的導(dǎo)熱性是銅的5倍，拉伸強度達(dá)到50
2023-07-19 13:35:502229 
通。晶體管導(dǎo)通時，開關(guān)就導(dǎo)通，并且允許電流通過該管。晶體管開關(guān)工作方式的電路通常采用集電極開路的連接方式晶體管作為電子開關(guān)使用時，能夠?qū)Ρ豢貙ο筮M(jìn)行控制，諸如LED、電動機、繼電器線圈等。應(yīng)為此時晶體管
2017-03-28 15:54:24
管的E極接A點，C極接B點；NPN管的E有接B點，C極接A點）后，調(diào)節(jié)電源電壓，當(dāng)發(fā)光二極管LED點亮?xí)r，A、B兩端之間的電壓值即是晶體管的反向擊穿電壓。(本文由Cogo商城-IC元器件在線采購平臺
2012-04-26 17:06:32
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號型，IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)
2018-11-28 14:29:28
即是內(nèi)置了電阻的晶體管。數(shù)字晶體管有諸多優(yōu)點如：1. 安裝面積減少 2. 安裝時間減 3. 部件數(shù)量減少 等等。數(shù)字晶體管是ROHM的專利。內(nèi)置電阻的晶體管是由ROHM最早開發(fā)并取得專利的。5. 基極
2019-07-23 00:07:18
即是內(nèi)置了電阻的晶體管。數(shù)字晶體管有諸多優(yōu)點如：1. 安裝面積減少 2. 安裝時間減 3. 部件數(shù)量減少 等等。數(shù)字晶體管是ROHM的專利。內(nèi)置電阻的晶體管是由ROHM最早開發(fā)并取得專利的。5. 基極
2019-05-05 00:52:40
變化的β倍， 也就是說，電流變化放大了β倍，所以我們稱之為β晶體管的放大倍率（β一般遠(yuǎn)大于1）。如果我們在基極和發(fā)射極之間增加一個變化的小信號，它會導(dǎo)致基極電流Ib的變化。Ib的變化被放大后，會導(dǎo)致
2023-02-08 15:19:23
發(fā)射極始終偏置為負(fù)，因此基極和發(fā)射極（VBE）之間的電壓現(xiàn)在在基極為負(fù)，在發(fā)射極為正。此外，發(fā)射極電源電壓相對于集電極（VCE）為正。因此，要使PNP晶體管導(dǎo)通，發(fā)射極必須始終比基極和集電極更正。如圖所示
2023-02-03 09:44:48
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
最高的晶體管密度。超微縮指的是英特爾在14納米和10納米制程節(jié)點上提升2.7倍晶體管密度的技術(shù)。在此次“英特爾精尖制造日”活動上，英特爾“Cannon Lake”10納米晶圓全球首次公開亮相。馬博還演示
2017-09-22 11:08:53
步驟造成的損壞，并且可以使用成熟的二氧化硅材料和工具來構(gòu)建。
由于現(xiàn)在的壁厚為 15 納米，這可能會影響晶體管密度，因為外壁叉片器件比內(nèi)壁叉片晶體管更大。然而，外壁叉片晶體管提供的可制造性和性能優(yōu)勢
2025-06-20 10:40:07
Nano-Proprietary旗下的Applied Nanotech公司與Funai Electric先進(jìn)應(yīng)用技術(shù)研究所日前宣布，雙方將針對一個研究項目進(jìn)行合作，共同開發(fā)基于酶涂層碳納米管
2018-11-19 15:20:44
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
的晶體管。隨著半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)的發(fā)展，大規(guī)模集成電路的集成度越來越高。以動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）為例，其集成度正以每兩年近四倍的速度增長，預(yù)計單電子晶體管將是最終目標(biāo)。目前，平均存儲器包含
2023-02-03 09:36:05
晶體管通道完全閉合；二維過渡金屬二硫化物受損于其比透明導(dǎo)電氧化物還低的載流子遷移率。 在新加坡-麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟，正在先行研發(fā)一種有前景的替代材料：GaN。從光學(xué)角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
功率設(shè)計通常與集成電路 （IC） 邏輯一起使用，以驅(qū)動螺線管、發(fā)光二極管 （LED） 顯示器和其他小負(fù)載。 與使用標(biāo)準(zhǔn)單晶體管相比，達(dá)林頓晶體管設(shè)計具有多個優(yōu)勢。該對中每個晶體管的增益相乘，從而產(chǎn)生
2023-02-16 18:19:11
做了一個單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個問題請教于各位高手。1：開關(guān)初始時刻是閉合的時候，點擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時刻，開關(guān)打開，點擊仿真后，點擊開關(guān)閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
晶體管開關(guān)對電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置。 晶體管開關(guān)對于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
CN5711是一款電流調(diào)制集成電路，恒定輸出電流可達(dá)1.5A，可以用來驅(qū)動包括白色發(fā)光二極管在內(nèi)的各類發(fā)光二極管。CN5711的LED端電流通過一個外部的電阻設(shè)置，電流范圍為30mA到1.5A。芯片
2015-05-06 17:16:52
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流Iomax大?！?Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基礎(chǔ)上計算將R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流
2019-04-09 21:49:36
急需一種流動性更強的新材料來替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導(dǎo)體之一，普渡大學(xué)通過這種材料做出了全球首款3D環(huán)繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外，三五族合金納米管將把閘極長度
2011-12-08 00:01:44
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
，LLC初級側(cè)電流ILr由次級側(cè)電流除以變壓器匝數(shù)比n和磁化電流ILm的疊加組成。磁化電流不會傳遞到輸出端，而是需要對晶體管的寄生輸出電容以及變壓器繞組內(nèi)和繞組間電容的組合放電，從而實現(xiàn)晶體管導(dǎo)通的零
2023-02-27 09:37:29
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
用IBM43RF0100EV評估板評估IBM43RF0100 SiGe晶體管性能
2009-05-12 11:46:34
碳納米管針尖
2019-10-18 09:36:45
并采用CST進(jìn)行仿真，結(jié)果表明納米管束比單根納米管的天線效率提高了30-40dB，文中把納米管束作為電導(dǎo)率與納米管根數(shù)成正比的單根天線來研究，在理論上不夠準(zhǔn)確，而且鑒于納米管束的尺寸，采用中點饋電
2019-05-28 07:58:57
用。（2）橫向PNP管： 這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的水平方向運動的，故稱為橫向PNP管。由于受工藝限制，基區(qū)寬度不可能很小，所以它的值相對較低，一般為十幾倍到二、三十倍。橫向PNP管的優(yōu)點
2019-04-30 06:00:00
采取直接在硅片上真空蒸鍍NiCr合金作為催化劑，用化學(xué)氣相沉積法制備了碳納米管薄膜。并采用H2等離子體球處理碳納米管薄膜，測試其場發(fā)射特性，并與未經(jīng)處理的碳納米管薄
2008-12-03 12:55:26
13 隨著對碳納米管研究的不斷深入，對碳納米管的應(yīng)用研究越來越受到人們的重視。通過分析碳納米管的物理特性，對碳納米管的應(yīng)用前景進(jìn)行了廣泛的探索。著重分析了碳納米管
2009-07-13 10:28:1813 文章系統(tǒng)地論述了非碳納米管的制備,較詳盡地介紹了多種非碳納米管制備最新的進(jìn)展,包括硫化物、氮化物、氧化物等等,特別重點地總結(jié)了非碳納米管前沿材料,例如WS2 ,Bi2 S3 , ZnS,
2010-11-21 12:35:4652 英飛凌科技公司（Infineon），設(shè)在慕尼黑的實驗室最近取得了新的突破——這里的研究人員成功開發(fā)出全球最小的納米晶體管，其溝槽長度僅為18納米，幾乎是當(dāng)前最先進(jìn)的晶
2006-03-11 22:10:391263
如何測量單結(jié)晶體管的分壓比
2009-08-12 11:44:511924 
晶體管（transistor）
4
5納米工藝的四核處理器已能容納8億個晶體管
2009-11-05 10:34:251669 愛爾蘭科學(xué)家開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管
愛爾蘭丁鐸爾國家研究院的科學(xué)家最近宣稱他們成功制出了業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管，并稱此項發(fā)明對10nm級別制程意義重大
2010-02-24 10:08:25839 PNP晶體管,PNP晶體管是什么意思
PNP晶體管是另一種類型晶體管.它的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
2010-03-05 11:18:056814 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:466586 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時的最大
2010-03-05 17:34:108979 4月8日消息，據(jù)國外媒體報道，本周四IBM向媒體展示了其最快的石墨烯晶體管，該產(chǎn)品每秒能執(zhí)行1550億個循環(huán)操作，比之前的試驗用晶體管快50%。
2011-04-08 09:32:42981 對碳納米管陰極的制備以及場發(fā)射顯示器的真空封裝技術(shù)進(jìn)行了研究.利用一種新的碳納米管生長工藝制備出了具有優(yōu)良場發(fā)射性能的碳納米管陰極.并將這種直接生長的碳納米管薄膜作
2011-04-19 12:24:2542 碳納米管具有一些獨特的電學(xué)性質(zhì), 在納米電子學(xué)有很好的應(yīng)用前景。隨著納米技術(shù)的發(fā)展, 新的工藝技術(shù)也隨之產(chǎn)生。納米器件的由下至上制作工藝, 是在納米技術(shù)和納米材料的基礎(chǔ)之
2011-06-21 17:50:0662 Intel在微處理器晶體管設(shè)計上取得重大突破，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實現(xiàn)3D架構(gòu)，一款名為Tri-Gate的晶體管技術(shù)得到實現(xiàn)。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個微薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)
2011-10-25 09:35:401712 來自IBM、蘇黎世理工學(xué)院和美國普渡大學(xué)的工程師近日表示，他們構(gòu)建出了首個10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:291105 英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:241252 
藍(lán)色巨人IBM的科學(xué)家們再次展示了他們雄厚的科研實力：歷史上第一次，使用標(biāo)準(zhǔn)的主流半導(dǎo)體工藝，將一萬多個碳納米管打造的晶體管精確地放置在了一顆芯片內(nèi)，并通過了可行性測
2012-10-29 11:44:488434 根據(jù)最新消息，IBM成功利用碳納米材料，在單個芯片上集成了上萬個9nm制程工藝的晶體管，相信大家對于著名的摩爾定律都略知一二，但是隨著集成電路晶體管尺寸越來越小，CPU內(nèi)存等
2012-11-08 10:28:184009 據(jù)國外媒體報道，MIT 的科學(xué)家已經(jīng)研發(fā)出了一種新型晶體管，新的晶體管通過材料原子結(jié)構(gòu)中的洞孔來讓電流通過，速度是當(dāng)前晶體管的 4 倍左右。
2013-01-04 09:02:443549 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術(shù)論壇上，IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術(shù)外，還展示了諸如硅光子晶體管，碳納米管等前沿技術(shù)。
2013-02-20 23:04:308361 斯坦福大學(xué)發(fā)布了首款由碳納米晶體管組成的電腦芯片。硅晶體管早晚會走到道路的盡頭。晶體管越做越小，以至于它不能夠容納下足夠的硅原子來展示硅的特性。
2013-02-28 09:34:492328 米特拉表示，“如果利用碳
納米管晶體管取代硅
晶體管，效能
比可提高1000
倍?！?/div>
2016-08-22 14:03:541290 IBM 的研究人員已經(jīng)找到了如何使用碳納米管制造微型芯片的方法，這一成果可以讓我們制造更強的芯片，使得曲面電腦、可注射芯片成為可能。
2016-11-17 13:51:401393 IBM在美國舉行的IEEE國際電子組件會議（IEDM，12月3~7日）上展示納米等級組件的熱圖（heat-maps）；該公司采用了一種新方法，能更精確地量測次14納米世代晶體管溫度──藉由先測量一個
2016-12-07 11:22:43675 金百納的核心技術(shù)是碳納米管的制備技術(shù)，具有純度高，管徑小等優(yōu)點。用其分散出來的新型碳納米管導(dǎo)電漿料(GCN168-40H)，與同類碳納米管導(dǎo)電漿料產(chǎn)品相比具有鐵雜質(zhì)含量低，導(dǎo)電性好等優(yōu)點，能夠更好的滿足動力電池對安全性和導(dǎo)電性需求。
2017-12-27 11:42:525110 
目前碳納米管的制備方法主要有三種，分別是弧光放電法，激光高溫?zé)品ㄒ约盎瘜W(xué)氣相沉淀法。本文采用的實驗樣品是使用化學(xué)氣相沉淀法制備多壁碳納米管陣列
2018-03-23 17:10:0012878 
在Nano Letters雜志描述的研究中，Barron和他的團(tuán)隊在嘗試了各種方法從各種污染物中清潔碳納米管之后，對多壁碳納米管和單壁碳納米管進(jìn)行了艱苦的阻力測量。 結(jié)果是他們可以去除的雜質(zhì)越多，阻力測量值越準(zhǔn)確和一致。
2018-03-09 15:41:345001 經(jīng)多年研發(fā)，趙社濤最近成功突破了碳納米管導(dǎo)電劑的新世代生產(chǎn)技術(shù)，進(jìn)一步大大提高了現(xiàn)有小管徑碳納米管導(dǎo)電劑的性能。新工藝所制造的碳納米管集三大優(yōu)點于一身：1、是陳列式的碳納米管，蓬松易分散；2
2018-08-21 17:15:3210351 
文章介紹了碳納米管的結(jié)構(gòu)和性能，綜述了碳納米管/聚合物復(fù)合材料的制備方法及其聚合物結(jié)構(gòu)復(fù)合材料和聚合物功能復(fù)合材料中的應(yīng)用研究情況，在此基礎(chǔ)上，分析了碳納米管在復(fù)合材料制備過程中的純化、分散、損傷和界面等問題，并展望了今后碳納米管/聚合物復(fù)合材料的發(fā)展趨勢。
2018-12-13 08:00:008 MIT和ADI公司的研究人員們創(chuàng)造了第一個完全可編程的16位碳納米管微處理器。它是迄今基于碳納米管的CMOS邏輯最復(fù)雜的集成，擁有14000多個晶體管，基于RISC-V架構(gòu)，可執(zhí)行與商用微處理器相同的任務(wù)。
2019-09-02 14:37:291575 以半導(dǎo)體碳納米管為基礎(chǔ)的晶體管作為先進(jìn)微電子器件中硅晶體管的替代品，顯然很有前景。但碳納米管固有的納米級缺陷和可變性，以及處理它們面臨的挑戰(zhàn)，阻礙了它們在微電子領(lǐng)域的實際應(yīng)用。
2019-09-07 07:08:008089 CPU里的晶體管都是集成的超微晶體管，一個22納米工藝的i5可能集成上十億的晶體管。
2020-01-31 16:10:0015286 本文首先闡述了晶體管的概念，其次介紹了晶體管的優(yōu)越性，最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1213941 EPFL研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種比當(dāng)今最快的晶體管運行速度快十倍的器件。新設(shè)備的運行速度也比目前計算機中的晶體管快100倍左右。他們發(fā)明的納米級設(shè)備能夠產(chǎn)生高功率太赫茲波。
2020-03-28 14:12:202865 EPFL研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種比當(dāng)今最快的晶體管運行速度快十倍的器件。新設(shè)備的運行速度也比目前計算機中的晶體管快100倍左右。
2020-03-28 22:35:282961 EPFL研究員開發(fā)出了一種比現(xiàn)今最快的晶體管運行速度快十倍器件，并且新設(shè)備在運行速度上也比當(dāng)前計算機中的晶體管快100倍左右。
2020-04-02 11:55:352769 納米光子學(xué)領(lǐng)域的研究人員一直在努力開發(fā)光學(xué)晶體管，這是未來光學(xué)計算機的關(guān)鍵組件。
2020-04-12 17:35:322869 1、晶體管的選型：根據(jù)負(fù)載電流、負(fù)載電源電壓來確定具體晶體管型號，需要保證 Ic負(fù)載電流，Vceo負(fù)載電壓，Vcbo負(fù)載電壓 2、確定偏置電阻：基極電流大于1/倍，晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，而這個基極電流
2020-05-26 08:07:385625 
通過使用與制造硅基晶體管相同的設(shè)備，可以實現(xiàn)這種快速生產(chǎn)。碳納米管場效應(yīng)晶體管（CNFET）比當(dāng)前的硅芯片具有更高的能源效率，可用于制造新型的三維處理器，但是由于制造方面的限制，迄今為止它們大多
2020-06-11 15:04:283216 圖1 中所示倍壓器用晶體管代替二極管，所以比圖2中的常規(guī)倍壓器具有更好的倍壓性能。常規(guī)倍壓器的輸出電壓可以表示為VOUTDC=2VINAC–2VD，其中VOUTDC 為輸出直流電壓，VINAC 為
2020-08-13 10:59:34787 
但是，這并不代表著對碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)會一帆風(fēng)順。1998年首個碳納米管晶體管研發(fā)至今，碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)一直遭遇材料上的瓶頸。長期以來，最小碳納米管CMOS器件的柵長停滯在20nm（2014年 IBM）。
2020-08-31 15:00:504507 333.33，幾乎是臺積電5nm的兩倍，也比外界預(yù)估臺積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高。 換而言之，這種技術(shù)能在指甲蓋大?。?50mm）的芯片上安裝500億個晶體管。相比于7nm芯片，這種
2021-05-19 17:38:155143 
使用碳納米管作為溝道材料，并使用離子凝膠作為柵極的場效應(yīng)晶體管，可承受高強度的輻射，在輻射損壞后，并且可以經(jīng)過簡單的工藝恢復(fù)。
2020-11-04 15:22:222778 新的制造工藝，該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對于確保在邏輯電路中充當(dāng)晶體管的晶體管完全關(guān)閉時至關(guān)重要。
2020-12-15 15:22:132363 研究人員尋求通過在納米管和晶體管柵極之間，使用更薄的絕緣體來更好地控制碳納米晶體管。 ? 在 近日的IEEE Electron Devices Meeting (IEDM)會議上，碳納米管期間
2021-01-16 09:40:083366 過時。IBM?在 2021?年就證明了這一點，其突破性的 2?納米芯片技術(shù)顛覆了市場。這個新的制造時代得益于減少芯片納米的競賽。? 今天，晶體管的標(biāo)準(zhǔn)長度是10納米，而且隨著最新研究，頂級公司已經(jīng)生產(chǎn)了5納米或7納米的芯片。從歷史
2022-01-07 10:12:35743 碳納米管具有高穩(wěn)定性和卓越的電子特性，已成為替代晶體管中硅的主要候選材料。在11 月 17 日發(fā)表于《科學(xué)》雜志的一篇評論文章中，西北大學(xué)的Mark Hersam及其合作者概述了碳納米管在高性能 IC 以及適用于物聯(lián)網(wǎng)的低成本/低性能電子產(chǎn)品中的機遇和剩余挑戰(zhàn)
2022-11-25 10:03:361999 溝道表面的氧化釔薄膜由電子束蒸發(fā)鍍膜儀所蒸鍍的金屬釔加熱氧化形成，隨后在溝道表面蒸鍍金納米薄膜，金納米薄膜會自團(tuán)聚形成金顆粒，自此完成浮柵型碳納米管場效應(yīng)晶體管（FG-CNT-FET）的制備以及表面的金納米顆粒修飾。
2023-03-23 11:04:103471 據(jù)麥姆斯咨詢報道，日本電氣（NEC Corporation）近日宣布，其成功開發(fā)出了世界上首款采用高純度半導(dǎo)體碳納米管（CNT）的高靈敏度非制冷紅外圖像傳感器。
2023-04-21 09:21:352125 ? 近日，北京大學(xué)彭練矛院士/張志勇教授團(tuán)隊 造出一款基于陣列碳納米管的 90nm 碳納米管晶體管 ，具備可以高度集成的能力。 基于該90nm 碳納米管晶體管技術(shù)，目前該團(tuán)隊研發(fā)的高靈敏碳納米管
2023-09-05 15:10:181860 
隨著科技的進(jìn)步，碳納米管（Carbon Nanotubes，CNT）已經(jīng)逐漸引領(lǐng)鋰電池領(lǐng)域的革新浪潮。傳統(tǒng)導(dǎo)電劑的替代者，碳納米管以其卓越的性能特點，包括優(yōu)異的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能、阻酸抗氧化性、低阻抗等
2023-10-27 17:41:235386 IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計將帶來多項技術(shù)進(jìn)步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會導(dǎo)致更強大的芯片類別的開發(fā)。
2023-12-26 10:12:551206 IBM突破性研發(fā)的納米片晶體管，通過將硅通道薄化切割為納米級別的薄片，再用柵極全方位圍繞，實現(xiàn)更為精準(zhǔn)控電。此結(jié)構(gòu)使得在指甲蓋大小空間內(nèi)可容納最多達(dá)500億個晶體管，并且經(jīng)過液氮冷卻處理，其性能飆升至原本的兩倍之多。
2023-12-26 14:55:071245 研究中，他們提出了一種頂柵互補碳納米管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在該結(jié)構(gòu)中，通過將摻雜僅僅局限在延伸部分，而在通道保持未摻雜的狀態(tài)，憑借這一架構(gòu)課題組消除了金屬電極的重疊
2024-01-05 16:08:321824 
晶體管光耦是一款由發(fā)光二極管和光電晶體管組成的光電耦合器，通過光電效應(yīng)和晶體管放大特性，實現(xiàn)電信號的光學(xué)隔離與傳輸、確保信號穩(wěn)定可靠。
2024-08-27 09:23:201045 
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點、應(yīng)用場景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。
2024-09-13 14:10:009544 。碳納米管的長徑比、碳純度作為影響導(dǎo)電性的兩個核心指標(biāo)，直接決定了碳納米管的產(chǎn)品性能，碳納米管管徑越細(xì)，長度越長，導(dǎo)電性能越好。 CNT具有突出的多方面性能：1）力學(xué)性能：具有極高的彈性和韌性，楊氏模量是鋼的近6倍、抗拉強度是鋼
2024-12-03 17:11:535424 
碳納米管與石墨烯的比較 碳納米管和石墨烯都是碳的同素異形體，它們具有獨特的物理和化學(xué)性質(zhì)，并在許多領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是兩者的主要區(qū)別： 碳納米管 石墨烯 結(jié)構(gòu) 中空管狀結(jié)構(gòu)，分為單壁和多
2024-12-11 18:05:446303 碳納米管的導(dǎo)電性能介紹 1. 碳納米管的結(jié)構(gòu)特性 碳納米管的結(jié)構(gòu)可以看作是石墨烯（單層碳原子構(gòu)成的二維材料）卷曲而成的一維結(jié)構(gòu)。根據(jù)卷曲的方式不同，碳納米管可以分為扶手椅型、鋸齒型和手性碳納米管
2024-12-12 09:07:023993 碳納米管的結(jié)構(gòu)與特性解析 1. 結(jié)構(gòu)概述 碳納米管（Carbon Nanotubes，簡稱CNTs）是一種由碳原子組成的納米級管狀結(jié)構(gòu)材料，具有獨特的一維納米結(jié)構(gòu)。它們可以看作是石墨烯（單層碳原子
2024-12-12 09:09:515899 碳納米管在光電器件中的應(yīng)用 碳納米管在光電器件中具有廣泛的應(yīng)用，這主要得益于其優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)性能。以下是一些具體的應(yīng)用實例： 光電轉(zhuǎn)換器件 ：碳納米管可以作為理想的光電轉(zhuǎn)換器件材料。研究者曾利用
2024-12-12 09:12:531635 器件的特性。工作原理概述1.發(fā)光器件：晶體管光耦通常包含一個發(fā)光二極管（LED）作為光源。當(dāng)電流通過LED時，它會發(fā)出特定波長的光。2.光敏器件：光耦的另一側(cè)是一個
2025-06-20 15:15:49732 
已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論