在首屆第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國際研討會(huì)上，Transphorm公司的技術(shù)營銷高級(jí)經(jīng)理黃贊先生對(duì)第三代半導(dǎo)體材料各國研發(fā)部署重點(diǎn)及方向進(jìn)行了主題報(bào)告，系統(tǒng)闡述了美國、日本等國的第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)相關(guān)項(xiàng)目、進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)等問題。

　　GaN的發(fā)展過程與功率密度息息相關(guān)。從1970年到2000年，每經(jīng)過10年左右電源的大小就會(huì)減小到原來的1/40，功率密度按照指數(shù)級(jí)增長。但在 2000年以后，以硅為原料的器件已經(jīng)發(fā)展到了其極限點(diǎn)。為了進(jìn)一步的發(fā)展，則必然要采用新型的材料，即氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）。

　　1993年起GaN正式進(jìn)入LED市場(chǎng)，獲得了很大的成功。在其功率密度又提升了10倍之后，GaN進(jìn)入微波器件市場(chǎng)，為無線通訊領(lǐng)域帶來了一次變革。在過去的幾年中，其功率密度再次得到長足的進(jìn)步，GaN進(jìn)入功率器件市場(chǎng)?？傮w而言，GaN應(yīng)用的發(fā)展趨勢(shì)為功率密度不斷提升，可靠性不斷提升，成本不斷下降。

　　根據(jù)美國能源部對(duì)其LED市場(chǎng)所做出的總結(jié)，從2010年到2012年，LED的光電效率增長了50%，而2010年至2011年，光電成本下降了70%。由于效率的提升和成本的下降，LED 進(jìn)入通用照明領(lǐng)域，在美國的市面上可以很方便地買到LED燈，人們?cè)诩彝ブ惺褂肔ED成為新的趨勢(shì)。

　　美國與第三代半導(dǎo)體的研究與發(fā)展相關(guān)的項(xiàng)目主要包括：美國的EERE（Energy Efficient & Renewable Energy）項(xiàng)目，其重點(diǎn)在于降低成本。已完成的項(xiàng)目包括：Veeco公司通過多反應(yīng)系統(tǒng)提升LED器件產(chǎn)量項(xiàng)目，KLA-Tencor公司通過監(jiān)察系統(tǒng)提升LED產(chǎn)量及減小資源浪費(fèi)項(xiàng)目，Ultratech公司通過調(diào)整光刻工具以降低高亮度LED生產(chǎn)成本項(xiàng)目等。2013年EERE新啟動(dòng)的LED和 OLED項(xiàng)目包括：Cree公司低成本、高效率LED可伸縮燈具，Eaton公司低成本、高能效半導(dǎo)體整合式燈具生產(chǎn)制造，Philips Lumileds照明公司藍(lán)寶石基底InGaN/GaN LED的研發(fā)與工業(yè)化，OLEDWorks公司OLED照明創(chuàng)新型低成本、高效能生產(chǎn)與處理技術(shù)，PPG Industries公司OLED集成基底生產(chǎn)工藝等。

　　DARPA（Defense Advanced Research Projects Agency）2009年推出NEXT（Nitride Electronic Next-Generation Technology）項(xiàng)目，目的在于進(jìn)行氮化物開關(guān)的研究，開發(fā)方向是高壓、高速度、高電流。項(xiàng)目內(nèi)容具體包括：將電力開關(guān)器件提升至200V阻塞電壓、電阻降至1 ohm-m、轉(zhuǎn)換速度達(dá)到500V/nsec；通過NJTT（Near Junction Thermal Transport）技術(shù)將GaN在SiC基底生長的工藝與鉆石基底相結(jié)合，以產(chǎn)生新的熱處理流程；通過生產(chǎn)4寸SiC基底GaN晶片實(shí)現(xiàn)28V MMIC（Monolithic Microwave Integrate Circuit）的大批量生產(chǎn)，使得GaN的產(chǎn)量提高300%以上，同時(shí)MMIC的成本降低至25%以下；GaN產(chǎn)品在40V、200℃的條件下 MTTF（平均失效時(shí)間）達(dá)到1000萬小時(shí)以上，在225℃條件下，MTTF達(dá)到100萬小時(shí)以上。

　　美國能源部最新推出的 NNMI（National Network for Manufacturing Innovation）項(xiàng)目是一個(gè)由研究機(jī)構(gòu)組成的網(wǎng)絡(luò)，由總統(tǒng)奧巴馬直接牽頭，旨在促進(jìn)全美的生產(chǎn)制造創(chuàng)新與發(fā)展，將研究和生產(chǎn)結(jié)合，填補(bǔ)其間的空白，讓制造業(yè)回歸美國。其中，最主要的三家研究機(jī)構(gòu)均側(cè)重于WBG（寬禁帶）半導(dǎo)體電力電子器件的制造；多學(xué)科中心側(cè)重于GaN/SiC基底電力電子及LED 照明組件與系統(tǒng)的生產(chǎn)和設(shè)計(jì)。該計(jì)劃特別強(qiáng)調(diào)了6英寸和8英寸生產(chǎn)線，二者可能會(huì)由于300mm生產(chǎn)線的使用和發(fā)展或國外競(jìng)爭而導(dǎo)致低產(chǎn)。NNMI項(xiàng)目每年投入1400萬美元，投資持續(xù)5年，采用50%成本分擔(dān)制，每年僅有一家公司可獲得項(xiàng)目投資。

　　此外，美國國防部推動(dòng)了GaN在射頻領(lǐng)域的應(yīng)用。目前GaN的可靠性、可生產(chǎn)性已經(jīng)可以完全取代砷化鎵（GaAs），尤其是在高能量應(yīng)用中。GaN與GaAs相比在能量密度上有很大的優(yōu)勢(shì)，能夠?qū)崿F(xiàn)高輸出與高頻率，在更小的體積中實(shí)現(xiàn)更高的能量。在電子掃描陣列雷達(dá)中，在使用GaN的條件下，在同樣的區(qū)域內(nèi)GaN掃描達(dá)到GaAs 速度的5倍，或者在同樣的速度下，其掃描面積比GaAS大50%。在使用GaN的情況下，雷達(dá)可以在體積縮減到一半的情況下實(shí)現(xiàn)更高的掃描效率。

　　美國在第三代半導(dǎo)體技術(shù)與研發(fā)方面的發(fā)展進(jìn)步主要用于支持新一代AESA（Active Electronically Scanned Array）雷達(dá)、新型電子戰(zhàn)系統(tǒng)和商業(yè)應(yīng)用。

　　美國能源部對(duì)于WBG半導(dǎo)體的發(fā)展目標(biāo)為：體積更小、速度更快、效率更高。具體包括：實(shí)現(xiàn)較高的功率轉(zhuǎn)換及照明效率；提升在高電壓及高溫下的運(yùn)作能力；達(dá)到更高的頻率。其所面臨的挑戰(zhàn)主要包括：在成本方面如何讓更大尺寸的晶片降低成本；在穩(wěn)定性方面如何耐受更高的電壓、更強(qiáng)的電流和更高的溫度；在系統(tǒng)集成方面，如何在布線、測(cè)試、封裝等方面均實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性提高。WBG半導(dǎo)體的應(yīng)用主要包括：工業(yè)電機(jī)方面，主要包括高效率變速傳動(dòng)裝置等；電子設(shè)備方面，主要包括數(shù)據(jù)中心、通信電源、家用電子產(chǎn)品等；電網(wǎng)整合方面，主要包括太陽能和風(fēng)力渦輪機(jī)等；實(shí)用工具方面，主要包括減小變壓器體積等；以及電動(dòng)車和混合驅(qū)動(dòng)機(jī)車、軍事、地?zé)峒罢彰鞯绕渌矫妗?/p>

　　日本在過去的兩年中發(fā)展方向有所轉(zhuǎn)變，很多公司轉(zhuǎn)向成為專門生產(chǎn)GaN的企業(yè)。發(fā)生轉(zhuǎn)變的原因主要包括：600V-1200V功率器件已成為規(guī)模最大的市場(chǎng)，而GaN在這一區(qū)間內(nèi)有著十分優(yōu)異的表現(xiàn)；在SiC基底上生長GaN技術(shù)的進(jìn)步使得GaN功率器件的成本大幅度降低；企業(yè)只需通過對(duì)現(xiàn)有設(shè)備進(jìn)行調(diào)整便可實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)的轉(zhuǎn)型和升級(jí)。

　　在未來，第三代半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢(shì)主要具備以下幾方面特征：半導(dǎo)體照明將側(cè)重于降低成本和向更廣闊的市場(chǎng)拓展；由國防推動(dòng)的射頻領(lǐng)域應(yīng)用需要更高的功率密度以實(shí)現(xiàn)降低成本；功率應(yīng)用有著最大的增長潛力，例如，600V及以上的器件需求量潛力較大，但其研發(fā)仍需攻關(guān)。