其他的技術(shù)選項(xiàng)

也出席了今年1月美國ISS 的Globalfoundries技術(shù)長Patton在專題演說中表示：「摩爾定律將終結(jié)只是一個(gè)看法，我們總是能找出如何推動事情演進(jìn)的方法；」他認(rèn)為，芯片業(yè)者現(xiàn)在必須要在制程以及封裝技術(shù)方面尋求不同方向的創(chuàng)新（圖4），「整個(gè)產(chǎn)業(yè)環(huán)境跟我入行的時(shí)候已經(jīng)完全不一樣了?！?/p>

圖4：除了追隨摩爾定律，Globalfoundries技術(shù)長Gary Patton認(rèn)為IC業(yè)者應(yīng)該尋求不同方向的制程與封裝技術(shù)創(chuàng)新

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界擁有超過三十年經(jīng)驗(yàn)的Patton，在先前向***本地媒體簡報(bào)Globalfoundries技術(shù)策略時(shí)表示，今日市場上有各種各樣新崛起的電子裝置與終端應(yīng)用，例如行動運(yùn)算、普適運(yùn)算（pervasive computing，例如無所不在的連網(wǎng)智能裝置）以及人工智能（AI）、虛擬/擴(kuò)增實(shí)境（AR/VR）…等等，單一技術(shù)并不一定適合所有應(yīng)用的需求。

Patton表示，人工智能、云端運(yùn)算、高速通訊等應(yīng)用，目前最尖端的3D晶體管FinFET制程是理想選擇，目前該技術(shù)進(jìn)入14納米節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)、已經(jīng)成熟而且對高階應(yīng)用有價(jià)值；至于對運(yùn)算性能要求較低、也以較低功率運(yùn)作的各種嵌入式裝置，例如物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，其實(shí)就不一定要用到最尖端的FinFET制程，否則并不符合成本效益。

GlobalFoundries提供的其他技術(shù)選項(xiàng)是全空乏絕緣上覆硅（Fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI）制程；Patton指出，該公司準(zhǔn)備在2017年量產(chǎn)的22納米FD-SOI制程，在成本上與成熟的28納米平面晶體管制程相當(dāng)，但能達(dá)到類似FinFET制程的性能，而且功耗更低、封裝尺寸更小，也更適合與RF組件的整合。

在封裝技術(shù)方面，Patton表示在過去一年來，Globalfoundries看到2.5D與3D芯片堆棧的客戶需求有大幅成長的趨勢；目前該公司可提供應(yīng)用于32~22納米深度溝槽式晶圓的「智慧中介層」（interposer），具備去耦電容，能支持低功率應(yīng)用的芯片堆棧。

在芯片堆棧技術(shù)方面，***半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（TSIA）理事長、鈺創(chuàng)科技董事長盧超群表示，過去15年來IC產(chǎn)業(yè)已經(jīng)達(dá)成了「類似以微觀建筑技術(shù)造高樓」的突破，發(fā)明3D甚至超越3D的異質(zhì)性晶粒排列或堆棧方法；再加上半導(dǎo)體廠商在晶圓級封裝技術(shù)（WLP）上的研發(fā)成果──例如臺積電的整合型扇出（Integrated Fan-out，Info）與整合型扇出-封裝內(nèi)建封裝技術(shù)（InFO-PoP）──將IC制造與封測一體化，會是讓摩爾定律延續(xù)更長壽命的關(guān)鍵。

圖5：InFO芯片堆棧技術(shù)的多種不同型態(tài)

盧超群認(rèn)為，InFO以及因?yàn)镮nFO而得以實(shí)現(xiàn)的另一種直通互連通孔（TIV）創(chuàng)新技術(shù)，將推動IC產(chǎn)業(yè)進(jìn)入在制程微縮同時(shí)迭加IC、讓納米技術(shù)經(jīng)濟(jì)效益放大的「硅世代4.0」（Silicon 4.0）；未來硅芯片可以直接鏈接如光學(xué)透鏡、傳感器或致動器等目前嵌入于系統(tǒng)中但仍未微型化的組件，而這也是晶圓代工廠、IC設(shè)計(jì)業(yè)者和系統(tǒng)廠商展開合作的新機(jī)會。