安森美半導(dǎo)體推出高壓MOSFET系列

安森美半導(dǎo)體推出高壓 MOSFET系列

　　應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充公司市場(chǎng)領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設(shè)計(jì)適合功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調(diào)制(PWM)段等高壓、節(jié)能應(yīng)用的強(qiáng)固要求，在這些應(yīng)用中，加快導(dǎo)通時(shí)間及降低動(dòng)態(tài)功率損耗至關(guān)重要。具體而言，這些方案非常適合用于游戲機(jī)、打印機(jī)和筆記本電源適配器，及應(yīng)用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮(zhèn)流器。

　　這些新的500 V和600 V器件是單N溝道MOSFET，以提供有競(jìng)爭(zhēng)力的低導(dǎo)通阻抗(RDS(on))實(shí)現(xiàn)極低的功率耗散。這些器件使用平面條形(planar stripe)技術(shù)，能在極苛刻應(yīng)用中工作。低門電荷降低開關(guān)損耗，還提高電源能效。這些器件的額定雪崩能量在電源應(yīng)用中提供強(qiáng)固的工作。這些器件的優(yōu)異性能組合幫助開發(fā)更高能效的電源子系統(tǒng)。

　　安森美半導(dǎo)體MOSFET產(chǎn)品分部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“推出這些器件系列僅是安森美半導(dǎo)體進(jìn)軍高壓功率MOSFET市場(chǎng)的第一步。我們戰(zhàn)略性地進(jìn)入了高壓開關(guān)市場(chǎng)，提供充沛的500 V到600 V負(fù)載開關(guān)方案選擇，更好地服務(wù)我們客戶的總體電源管理需求。未來我們將繼續(xù)擴(kuò)充高壓功率MOSFET產(chǎn)品陣容，為消費(fèi)及工業(yè)客戶提供針對(duì)性的方案。這些新器件的推出是安森美半導(dǎo)體不斷加強(qiáng)其業(yè)界領(lǐng)先高能效電源方案供應(yīng)商地位的又一實(shí)例?！?/P>

　　新推出的600 V MOSFET器件包括：

　　- NDD02N60Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.22美元

　　- NDD02N60ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.22美元

　　- NDD03N60Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.23美元

　　- NDD03N60ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.23美元

　　- NDD04N60Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元

　　- NDD04N60ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元

　　- NDF04N60ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元

　　- NDF06N60ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.36美元

　　- NDF10N60ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.42美元

　　新推出的500 V MOSFET器件包括：

　　- NDD05N50Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.29美元

　　- NDD05N50ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.29美元

　　- NDF05N50ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.29美元

　　- NDF08N50ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.38美元

閱讀全文

MOS(100103) MOS(100103)
安森美半導(dǎo)體(63403) 安森美半導(dǎo)體(63403)

評(píng)論

芯源的MOSFET采用什么工藝

采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。

2026-01-05 06:12:51

FAN7387自振蕩高壓柵極驅(qū)動(dòng)器詳解：設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南

Semiconductor）推出，如今仙童已成為安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）的一部分。安森美半導(dǎo)體提醒，由于系統(tǒng)要求

2025-12-23 16:50:19

111

ONSEMI安森美原廠代理分銷經(jīng)銷一級(jí)代理分銷經(jīng)銷供應(yīng)鏈服務(wù)

其廣泛的技術(shù)組合、差異化的產(chǎn)品線和市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位，安森美半導(dǎo)體將自己更名為onsemi。雖然有新的外觀和感覺，但公司的根源是基礎(chǔ)。1999年，Motorola將其標(biāo)

2025-12-21 12:12:27

安森美vGaN技術(shù)解鎖極致功率密度與效率

安森美 (onsemi) 的垂直氮化鎵 (vGaN) 晶體管是新一代功率器件，能夠以高頻率處理極高電壓，效率顯著優(yōu)于傳統(tǒng)的硅芯片。這項(xiàng)技術(shù)在行業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先水平。 安森美的這個(gè)先進(jìn)設(shè)施占地

2025-12-17 15:45:50

286

安森美與佛瑞亞海拉深化長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作

安森美今日宣布，公司與佛瑞亞海拉（FORVIA HELLA）深化長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作，將在其先進(jìn)汽車平臺(tái)全面采用安森美的PowerTrench T10 MOSFET技術(shù)。這項(xiàng)新簽訂的長(zhǎng)期協(xié)議將強(qiáng)化雙方合作，助力企業(yè)在未來十年汽車產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型浪潮中持續(xù)提供創(chuàng)新解決方案。

2025-12-17 15:43:28

1489

安森美十大熱門應(yīng)用框圖解讀

在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，框圖是理解方案全貌、展示模塊之間關(guān)聯(lián)邏輯和對(duì)應(yīng)功能的的關(guān)鍵工具。本文精選安森美（onsemi）十大熱門應(yīng)用框圖，涵蓋汽車LED前照燈、48V-12V DC-DC轉(zhuǎn)換器、智能移動(dòng)機(jī)器人及AI數(shù)據(jù)中心等熱門應(yīng)用，直觀展現(xiàn)安森美技術(shù)布局與解決方案。

2025-12-17 15:41:15

272

安森美推出采用T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET

安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布推出采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業(yè)應(yīng)用的電源封裝技術(shù)帶來突破。這款新品為電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能基礎(chǔ)設(shè)施及儲(chǔ)能系統(tǒng)等市場(chǎng)的高功率、高電壓應(yīng)用提供增強(qiáng)的散熱性能、可靠性和設(shè)計(jì)靈活性。

2025-12-11 17:48:49

736

安森美與英諾賽科達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議

安森美（onsemi）宣布已與英諾賽科（Innoscience）簽署諒解備忘錄，雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵（GaN）硅基工藝，以擴(kuò)大 GaN 功率器件的生產(chǎn)規(guī)模。該合作將整合安森美

2025-12-11 17:47:04

652

深入解析NCx57090y, NCx57091y：高性能IGBT/MOSFET門驅(qū)動(dòng)器

在電力電子領(lǐng)域，IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其驅(qū)動(dòng)電路的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來詳細(xì)探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57090y, NCx57091y系列高電流單通道IGBT/MOSFET門驅(qū)動(dòng)器。

2025-12-09 09:37:55

1510

安森美“狂攬”亞洲金選獎(jiǎng)三項(xiàng)大獎(jiǎng)

近日，亞洲金選獎(jiǎng)（EE Awards Asia）正式揭曉！安森美（onsemi）憑借在智能電源和智能感知領(lǐng)域的卓越創(chuàng)新，一舉斬獲三項(xiàng)重要大獎(jiǎng)： Best Power Semiconductor

2025-12-08 19:14:23

1637

安森美單通道N溝道功率MOSFET NTMFS002N10MCL的特性與應(yīng)用分析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件，它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等眾多領(lǐng)域。今天就來詳細(xì)探討安森美（onsemi）推出的一款單通道N溝道功率MOSFET——NTMFS002N10MCL。

2025-12-08 14:53:47

334

安森美650V碳化硅MOSFET：NTH4L075N065SC1的技術(shù)剖析

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET以其出色的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天，我們就來深入剖析安森美（onsemi）的一款碳化硅MOSFET——NTH4L075N065SC1。

2025-12-05 16:54:25

904

安森美SiC MOSFET NTBG025N065SC1：高效能與可靠性的完美結(jié)合

作為電子工程師，我們?cè)谠O(shè)計(jì)中常常追求高性能、高可靠性的電子元件。今天，我將為大家詳細(xì)介紹安森美（onsemi）的一款碳化硅（SiC）MOSFET——NTBG025N065SC1，它在開關(guān)電源、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

2025-12-05 16:35:35

633

安森美1200V碳化硅MOSFET：NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天，我們就來深入探討安森美（onsemi）推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。

2025-12-04 15:19:05

412

安森美NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET深度解析

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。安森美（onsemi）推出的NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET，更是在性能和可靠性方面表現(xiàn)出色。今天，我們就來詳細(xì)解析這款器件。

2025-12-04 14:44:57

263

安森美SiC MOSFET NVBG025N065SC1：汽車電子應(yīng)用的理想之選

在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，在眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。今天，我們就來深入了解一下安森美（onsemi）推出的一款SiC MOSFET——NVBG025N065SC1，看看它有哪些獨(dú)特之處，又能為我們的設(shè)計(jì)帶來怎樣的優(yōu)勢(shì)。

2025-12-04 13:34:18

370

安森美SiC MOSFET：NVBG070N120M3S解析與應(yīng)用

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天我們來詳細(xì)探討安森美（onsemi）的一款SiC MOSFET——NVBG070N120M3S，它在汽車和工業(yè)應(yīng)用中展現(xiàn)出了強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。

2025-12-03 15:30:19

349

意法半導(dǎo)體高壓MOSFET明星產(chǎn)品深度解析

高壓MOSFET作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心器件，憑借高耐壓、低損耗、高速開關(guān)的核心優(yōu)勢(shì)，已成為工業(yè)電源、新能源儲(chǔ)能、汽車電動(dòng)化等場(chǎng)景實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換的“關(guān)鍵引擎”。意法半導(dǎo)體深耕高壓MOSFET技術(shù)研發(fā)，以全系列產(chǎn)品與創(chuàng)新方案，為多領(lǐng)域發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。

2025-12-03 09:57:02

2196

安森美NVMJS3D0N06C單通道N溝道MOSFET深度解析

在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天我們要深入探討的是安森美（onsemi）推出的NVMJS3D0N06C單通道N溝道MOSFET，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢(shì)。

2025-12-02 09:23:56

514

onsemi NCx57080y/NCx57081y：高性能IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

在電力電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其驅(qū)動(dòng)電路的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。今天，我們就來深入探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57080y和NCx57081y系列高電流單通道IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。

2025-12-01 14:29:16

466

安森美AFGHL50T65RQDN IGBT：汽車應(yīng)用的理想之選

在電子工程領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）一直是功率電子應(yīng)用中的關(guān)鍵器件。今天，我們要深入探討安森美（onsemi）推出的一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的IGBT——AFGHL50T65RQDN，看看它究竟有哪些獨(dú)特之處。

2025-11-28 16:25:38

903

探索NTMFS005P03P8Z：高性能P溝道MOSFET的卓越表現(xiàn)

作為電子工程師，我們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)，常常需要精心挑選合適的電子元件，以確保系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運(yùn)行。今天，我要和大家分享一款來自安森美半導(dǎo)體（onsemi）的高性能P溝道MOSFET——NTMFS005P03P8Z，深入探討它的特性、參數(shù)以及應(yīng)用場(chǎng)景。

2025-11-28 15:13:25

308

安森美榮獲2025全球電子成就獎(jiǎng)之年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品獎(jiǎng)

（World Electronics Achievement Awards, 簡(jiǎn)稱WEAA）年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品獎(jiǎng)，彰顯了安森美在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。

2025-11-27 13:55:06

1348

安森美宣布60億美元股票回購(gòu)授權(quán)計(jì)劃

安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布其董事會(huì)已授權(quán)在未來三年內(nèi)實(shí)施達(dá)60億美元的新股票回購(gòu)計(jì)劃，自2026年1月1日起生效，原30億美元的授權(quán)將于2025年12月31日到期。根據(jù)

2025-11-27 13:47:45

255

安森美雙NPN偏置電阻晶體管：簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)的理想之選

在電子電路設(shè)計(jì)中，如何簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、降低成本并節(jié)省電路板空間一直是工程師們關(guān)注的重點(diǎn)。安森美（onsemi）推出的MUN5213DW1、NSBC144EDXV6和NSBC144EDP6系列雙NPN偏置電阻晶體管（BRT），為解決這些問題提供了有效的解決方案。

2025-11-27 11:25:00

289

安森美NCx703x系列單向電流檢測(cè)放大器技術(shù)深度解析

安森美 NCx703x單向電流檢測(cè)放大器是高壓電流檢測(cè)放大器，設(shè)計(jì)用于在各種應(yīng)用中進(jìn)行精確電流測(cè)量。安森美 NCx703x包括NCS7030、NCS7031、NCV7030和NCV7031器件。這些

2025-11-24 10:25:41

344

NVTFWS002N04XM功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

安森美 (onsemi) NVTFWS002N04XM MOSFET具有低R~DS(on)~ 和低電容，采用符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝。該MOSFET具有40V漏極-源極電壓、114A連續(xù)漏極

2025-11-24 09:56:46

271

?深入解析安森美NVNJWS200N031L功率MOSFET：高性能負(fù)載開關(guān)與DC-DC轉(zhuǎn)換解決方案

安森美 (onsemi) NVNJWS200N031L單通道N溝道功率MOSFET的漏極-源極擊穿電壓 [V ~(BR)DSS~ ] 為30V（最小值），連續(xù)漏極電流 (I ~D~ ) 額定值為

2025-11-21 15:20:38

298

安森美垂直氮化鎵技術(shù)的精彩問答

在電氣化、可再生能源和人工智能數(shù)據(jù)中心的推動(dòng)下，電力電子領(lǐng)域正經(jīng)歷一場(chǎng)變革。安森美(onsemi)憑借創(chuàng)新的垂直氮化鎵 (vGaN) 技術(shù)引領(lǐng)這一浪潮，推出的高能效系統(tǒng)重新定義了性能與可靠性的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。本文將解答關(guān)于 vGaN 的核心疑問，并闡釋該技術(shù)對(duì)能源與電源解決方案未來發(fā)展的影響。

2025-11-20 14:57:24

2050

貿(mào)澤電子授權(quán)代理安森美豐富的半導(dǎo)體和電子元器件產(chǎn)品組合

2025年 11月 17 日 ?–?專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics) 即日起開售安森美?(onsemi) 的最新授權(quán)產(chǎn)品

2025-11-17 16:02:07

350

AI數(shù)據(jù)中心需求爆發(fā)、車用疲軟！三大國(guó)際功率半導(dǎo)體廠商Q3業(yè)績(jī)分化

截止11月12日，國(guó)際功率半導(dǎo)體三家大廠陸續(xù)發(fā)布2025年第三季度財(cái)報(bào)，英飛凌、意法半導(dǎo)體和安森美。當(dāng)前功率半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)生了怎樣的變化？哪些業(yè)務(wù)有明顯改善？大廠如何看未來的走勢(shì)？本文進(jìn)行詳細(xì)分析。

2025-11-13 09:19:19

11177

安森美入局垂直GaN，GaN進(jìn)入高壓時(shí)代

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道近日，安森美發(fā)布器垂直GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)，憑借 GaN-on-GaN 專屬架構(gòu)與多項(xiàng)性能突破，為全球高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來革命性解決方案，重新定義了行業(yè)在能效、緊湊性與耐用性上

2025-11-10 03:12:00

5650

安森美已獲得奧拉半導(dǎo)體Vcore電源技術(shù)授權(quán)

安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布已與奧拉半導(dǎo)體（Aura Semiconductor）完成Vcore電源技術(shù)及相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）的授權(quán)交易。此項(xiàng)戰(zhàn)略交易增強(qiáng)了安森美的電源管理產(chǎn)品組合與路線圖，加速實(shí)現(xiàn)公司在人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中覆蓋從電網(wǎng)到核心的完整電源樹的愿景。

2025-11-06 10:50:23

646

安森美推出垂直氮化鎵功率半導(dǎo)體

隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹立新標(biāo)桿。這些突破性的新一代

2025-10-31 13:56:16

1980

安森美SiC器件賦能下一代AI數(shù)據(jù)中心變革

安森美（onsemi）憑借其業(yè)界領(lǐng)先的Si和SiC技術(shù)，從變電站的高壓交流/直流轉(zhuǎn)換，到處理器級(jí)的精準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)，為下一代AI數(shù)據(jù)中心提供了從3kW到25-30kW HVDC的供電全環(huán)節(jié)高能效、高密度

2025-10-31 13:47:36

528

安世停擺，國(guó)產(chǎn)MOSFET為何接不住訂單

領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)之一，其產(chǎn)品覆蓋MOSFET、IGBT、二極管等關(guān)鍵器件，廣泛應(yīng)用于新能源汽車的電機(jī)控制、車載電源管理、BMS電池管理系統(tǒng)、車燈控制等系統(tǒng)。尤其在車規(guī)MOSFET領(lǐng)域，安世半導(dǎo)體與英飛凌、安森美、羅姆等一道，被視為全球主流供應(yīng)商

2025-10-30 15:06:26

1141

選型手冊(cè)：MOT7N70D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

品牌定位、器件特性、電氣參數(shù)等維度展開詳細(xì)說明。一、品牌背景：仁懋電子（MOT）與高壓功率半導(dǎo)體布局仁懋電子（MOT）聚焦功率半導(dǎo)體器件研發(fā)，在中高壓MOSFET

2025-10-27 17:19:00

190

安森美圖像傳感器在機(jī)器視覺的應(yīng)用

下面的框圖展示了采用安森美 (onsemi) 推薦產(chǎn)品的機(jī)器視覺方案，該方案集成了多種圖像感知和深度感知技術(shù)，運(yùn)用了安森美的全局和卷簾快門傳感器系列產(chǎn)品。電源管理、通信等大多數(shù)功能塊器件均可從安森美的全面方案中獲取。

2025-10-13 15:20:11

1260

基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

基礎(chǔ)，將其定位為平面柵碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn)，其目標(biāo)不僅在于追趕，更在于在特定性能維度上超越市場(chǎng)現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平臺(tái)概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的第三代

2025-10-08 13:12:22

499

安森美將收購(gòu)?qiáng)W拉半導(dǎo)體Vcore電源技術(shù)

近日，安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON) 宣布已與奧拉半導(dǎo)體（Aura Semiconductor）達(dá)成協(xié)議，收購(gòu)其Vcore電源技術(shù)及相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）許可。此項(xiàng)戰(zhàn)略交易將增強(qiáng)

2025-09-29 15:28:45

1458

國(guó)際半導(dǎo)體高管峰會(huì)（I.S.E.S. China 2025）圓滿收官

、可持續(xù)與全球變革"為主題，匯聚了包括博世、三安、匯川、安森美、意法半導(dǎo)體在內(nèi)的近百家全球頂尖企業(yè)及行業(yè)領(lǐng)袖，共同探討半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)突破與可持續(xù)發(fā)展路徑。SPEA作為功率

2025-09-24 17:52:11

1218

基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，通過創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。

2025-09-15 16:53:03

976

Nexperia推出40-100V汽車MLPAK MOSFET

Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日推出40-100 V汽車MOSFET產(chǎn)品組合，該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微引腳封裝，專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護(hù)及LED照明應(yīng)用設(shè)計(jì)。

2025-09-12 09:38:45

630

安森美PCIM Asia 2025汽車領(lǐng)域展品搶先看

安森美OBC方案采用創(chuàng)新的M3S EliteSiC技術(shù)，通過DAB結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)交流到直流的轉(zhuǎn)換，可提供電氣隔離，且具備雙向傳輸能力，完美契合未來電動(dòng)汽車的發(fā)展需求。

2025-09-09 10:52:51

1521

安森美如何推動(dòng)具身智能機(jī)器人發(fā)展

安森美為機(jī)器人應(yīng)用提供關(guān)鍵的感知和電源產(chǎn)品，比如HyperluxTM系列圖像傳感器（包含用于機(jī)器人視覺系統(tǒng)的高分辨率iToF 深度成像解決方案），以及可實(shí)現(xiàn)先進(jìn)電機(jī)控制的創(chuàng)新的MOSFET 技術(shù)和智能電子保險(xiǎn)絲。

2025-09-04 10:06:49

2526

安森美邀您相約PCIM Asia 2025

為了縮短電動(dòng)汽車的充電時(shí)間，業(yè)界正在轉(zhuǎn)向直流快速充電樁(DCFC)和超快速充電樁。安森美的100kW直流超快充電模塊（DCFC）采用先進(jìn)的SiC MOSFET技術(shù)與液冷散熱系統(tǒng)，兼具卓越性能、超高效率與寬電壓范圍，可匹配電動(dòng)汽車行業(yè)不斷發(fā)展的充電需求。

2025-09-04 10:01:14

661

安森美PCIM Asia 2025亮點(diǎn)前瞻

PCIM Asia 2025即將火熱開啟，從汽車電動(dòng)化的澎湃動(dòng)力到工業(yè)場(chǎng)景的智能高效，再到AI數(shù)據(jù)中心穩(wěn)定供電，安森美（onsemi）帶著創(chuàng)新技術(shù)陣容強(qiáng)勢(shì)來襲。

2025-08-28 11:30:49

2039

安森美SiC MOSFET模塊在牽引逆變器的應(yīng)用

。盡管 IGBT 和碳化硅都是牽引逆變器系統(tǒng)的可行選擇，但逆變器在整個(gè)牽引系統(tǒng)中的效率與性能表現(xiàn)，仍受多種因素影響。在牽引逆變器的設(shè)計(jì)中，轉(zhuǎn)換效率和峰值功率是兩大核心考量。本文將聚焦安森美(onsemi) 解決方案的特性和優(yōu)勢(shì)展開講解。

2025-08-15 16:13:02

2409

友尚推出基于安森美半導(dǎo)體NCP1618/NCP1655與UJ4C075060K3S的≧500W主動(dòng)式PFC效率優(yōu)化方案（上篇）

著第三代半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，友尚電子推出了一款基于安森美半導(dǎo)體NCP1618或NCP1655控制器與SiC Cascode JFET（UJ4C075060K3S）的≧500W主動(dòng)式PFC效率優(yōu)化方案。該方案旨在通過創(chuàng)新設(shè)計(jì)，顯著提升PFC功率級(jí)的效率與熱性能，同時(shí)保持系統(tǒng)的穩(wěn)定性與簡(jiǎn)潔性。

2025-08-11 17:41:00

640

安森美為小米的YU7電動(dòng)SUV系列提供產(chǎn)品和技術(shù)支持

安森美 為小米的YU7 電動(dòng) SUV 系列提供產(chǎn)品和技術(shù)支持 ? 安森美EliteSiC 技術(shù)使車輛的續(xù)航里程超越同級(jí)別車型 ? ? ? ? ? ? ? 安森美(onsemi ，美國(guó)納斯達(dá)克

2025-08-05 18:08:37

1996

安森美與舍弗勒擴(kuò)大合作加速電動(dòng)汽車創(chuàng)新

安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布擴(kuò)大與領(lǐng)先的驅(qū)動(dòng)技術(shù)公司舍弗勒（Schaeffler）合作，雙方在一項(xiàng)新的設(shè)計(jì)中標(biāo)項(xiàng)目中采用安森美的下一代碳化硅 MOSFET EliteSiC

2025-08-04 10:31:53

1038

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。

2025-08-01 10:25:14

1293

安森美助力工業(yè)光伏儲(chǔ)能與伺服系統(tǒng)高效進(jìn)化

負(fù)責(zé)人Hank Zhao針對(duì)安森美硅基（IGBT/MOSFET）與碳化硅（SiC）技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新進(jìn)行了分享。

2025-07-28 09:29:24

1536

深愛半導(dǎo)體代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊 IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊）是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB

2025-07-23 14:36:03

意法半導(dǎo)體推出全新離線高壓轉(zhuǎn)換器VIPer11B

意法半導(dǎo)體的新離線高壓轉(zhuǎn)換器VIPer11B可為高達(dá)8W的應(yīng)用（包括照明、智能家居設(shè)備、家用電器和智能電表）提供高能效、低成本的小電源。

2025-07-18 14:38:37

830

現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

目錄第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容第6章?MOSFET晶體管第7章?IC中的MOSFET

2025-07-12 16:18:42

功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

結(jié)構(gòu)、器件的制造和模擬、功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用到各類重要功率半導(dǎo)體器件的基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，建立起一系列不同層次的、復(fù)雜程度漸增的器件模型，并闡述了各類重要功率半導(dǎo)體器件各級(jí)模型的基礎(chǔ)知識(shí)，使

2025-07-11 14:49:36

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)安森美AI數(shù)據(jù)中心電源解決方案

面對(duì)AI算力需求爆發(fā)式增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)中心電力系統(tǒng)正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。安森美(onsemi)推出的AI數(shù)據(jù)中心電源解決方案，直擊能效、尺寸等痛點(diǎn)，助力客戶把握數(shù)據(jù)中心的市場(chǎng)機(jī)遇。

2025-07-05 13:03:53

3251

安森美亮相2025美國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體電力峰會(huì)

隨著全球能源轉(zhuǎn)型與電氣化進(jìn)程加速，從電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)，到支撐可再生能源并網(wǎng)的電力系統(tǒng)，再到驅(qū)動(dòng)人工智能算力的數(shù)據(jù)中心等，這些決定未來的高增長(zhǎng)領(lǐng)域，其能效、性能與成本突破，高度依賴于功率半導(dǎo)體的技術(shù)革新。

2025-07-03 12:35:52

1242

安森美EliteSiC SPM31智能功率模塊有哪些亮點(diǎn)

隨著電氣化浪潮席卷全球，人工智能應(yīng)用持續(xù)爆發(fā)式增長(zhǎng)，使得高能效功率器件需求快速攀升。安森美推出了第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列，將為行業(yè)降低能耗和整體系統(tǒng)成本提供創(chuàng)新思路。

2025-06-24 15:20:25

1373

安森美解讀圖像傳感器在機(jī)器人和自動(dòng)化領(lǐng)域的影響力

安森美擁有豐富的 Hyperlux 圖像傳感器系列，可滿足工業(yè)機(jī)器人的多樣化需求。

2025-06-17 17:13:32

1141

安森美：不會(huì)因關(guān)稅而專門調(diào)整產(chǎn)能和布局

近期，安森美（onsemi）首席執(zhí)行官兼總裁哈?！ぐ?庫(kù)里（Hassane El-Khoury）來華與中國(guó)貿(mào)促會(huì)展開交流訪談，并受邀出席世界半導(dǎo)體理事會(huì)會(huì)議期間，接受了財(cái)新專訪，特別闡述了在當(dāng)

2025-06-16 19:17:11

1074

意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，為開發(fā)者帶來更高的設(shè)計(jì)靈活性和更多的功能，提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。

2025-06-04 14:44:58

1135

安森美Treo平臺(tái)硬核拆解

本文作者：Koen Noldus，平臺(tái)架構(gòu)師，安森美模擬與混合信號(hào)事業(yè)部 半導(dǎo)體行業(yè)正以前所未有的速度發(fā)展，這主要受到人工智能（AI）、5G網(wǎng)絡(luò)、電動(dòng)汽車（EV）、工業(yè)自動(dòng)化、消費(fèi)電子和醫(yī)療電子等

2025-06-03 10:12:11

805

安森美PowerTrench MOSFET助力光伏逆變器設(shè)計(jì)

隨著全球?qū)稍偕茉葱枨蟮目焖僭鲩L(zhǎng)，光伏系統(tǒng)的效率與可靠性成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。安森美(onsemi)提供多種MOSFET方案，助力光伏逆變器廠商實(shí)現(xiàn)更高性能、更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

2025-05-30 10:30:40

863

安森美出席世界半導(dǎo)體理事會(huì)會(huì)議

。 安森美(onsemi) 首席執(zhí)行官哈?！ぐ?庫(kù)里（Hassane El-Khoury）受邀參加題為”汽車智能化的引擎：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與未來十年”的專題圓桌討論。該環(huán)節(jié)由中芯國(guó)際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍主持，匯聚了來自包括中國(guó)汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、比亞迪汽車新技術(shù)研究院等行業(yè)領(lǐng)袖，共同探討智能出行的未來路

2025-05-23 19:35:30

1018

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET

在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。

2025-05-21 14:04:38

1100

安森美邀您相約2025北京國(guó)際聽力學(xué)大會(huì)

安森美(onsemi)誠(chéng)邀您蒞臨 2025第九屆北京國(guó)際聽力學(xué)大會(huì)（展位號(hào)：A27-A29）

2025-05-19 14:20:38

945

安森美WebDesigner+設(shè)計(jì)工具使用心得

安森美(onsemi)近期推出的開發(fā)工具試用活動(dòng)已圓滿收官，本次活動(dòng)吸引了眾多工程師的積極參與，通過實(shí)際應(yīng)用體驗(yàn)安森美先進(jìn)的開發(fā)工具，共同挖掘其在設(shè)計(jì)中的潛力。之前推文已分享過用

2025-05-16 15:19:00

776

基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET

近日，基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲(chǔ)能等

2025-05-09 11:45:40

1018

基于安森美MOSFET的12V EPS系統(tǒng)解決方案

汽車行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈，節(jié)奏飛快，只有快速適應(yīng)和持續(xù)創(chuàng)新才能讓企業(yè)立于不敗之地。在本成功案例中，安森美(onsemi)深入理解并解決客戶痛點(diǎn)，及時(shí)快速向客戶交付了適用于其12 V 電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)的創(chuàng)新解決方案。

2025-04-25 13:40:06

1024

安森美在自主移動(dòng)機(jī)器人領(lǐng)域的發(fā)展成果

在4月初落幕的“OFweek 2025（第十四屆）中國(guó)機(jī)器人產(chǎn)業(yè)大會(huì)”上，安森美（onsemi）AMG戰(zhàn)略業(yè)務(wù)拓展高級(jí)經(jīng)理Henry Yang發(fā)表“從芯片到應(yīng)用：安森美自主移動(dòng)機(jī)器人（AMR）技術(shù)方案剖析”主題演講，為與會(huì)觀眾介紹安森美在AMR領(lǐng)域的發(fā)展成果。

2025-04-24 10:01:45

998

使用安森美Elite Power仿真工具的125KW儲(chǔ)能系統(tǒng)設(shè)計(jì)

2025-04-17 09:07:13

731

安森美終止收購(gòu)Allegro 此前安森美為什么要收購(gòu)Allegro MicroSystems？

美國(guó)芯片制造商安森美（Onsemi）周一終止了以 69 億美元收購(gòu)規(guī)模較小的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 Allegro MicroSystems 的報(bào)價(jià)，結(jié)束了長(zhǎng)達(dá)數(shù)月的競(jìng)購(gòu)，安森美希望利用市場(chǎng)低迷來擴(kuò)大其在汽車行業(yè)

2025-04-15 18:27:58

1885

除了安森美CREE等還有哪些在美國(guó)境內(nèi)流片的SiC碳化硅器件品牌

客戶群體覆蓋汽車、工業(yè)及能源領(lǐng)域。雖然部分客戶未在搜索結(jié)果中明確列出，但其2024年財(cái)報(bào)顯示碳化硅業(yè)務(wù)疲軟。傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單

2025-04-14 05:58:12

946

安森美邀您相約2025慕尼黑上海電子展

慕尼黑上海電子展將于2025年4月15-17日在上海新國(guó)際博覽中心舉辦，安森美(onsemi)中國(guó)區(qū)汽車現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用技術(shù)經(jīng)理Hangyu Lu受邀參會(huì)，將在2025新能源汽車三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇發(fā)表演講，同時(shí)在Supplyframe四方維展臺(tái)接受采訪，分享安森美領(lǐng)先的SiC技術(shù)如何助力高效電驅(qū)系統(tǒng)。

2025-04-11 15:12:02

790

使用安森美WebDesigner+設(shè)計(jì)工具的120W DC-DC隔離電源設(shè)計(jì)

安森美(onsemi)近期推出的開發(fā)工具試用活動(dòng)已圓滿收官，本次活動(dòng)吸引了眾多工程師的積極參與，通過實(shí)際應(yīng)用體驗(yàn)安森美先進(jìn)的開發(fā)工具，共同挖掘其在設(shè)計(jì)中的潛力。我們將陸續(xù)發(fā)布用戶提交的試用報(bào)告，今天分享的試用報(bào)告主題是設(shè)計(jì)一款120W的DC-DC隔離電源。

2025-04-11 09:46:07

718

安森美最新消息：安森美中國(guó)區(qū)汽車解決方案負(fù)責(zé)人吳桐博士出任I.S.I.G.中國(guó)區(qū)主席

I.S.I.G. (國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)集團(tuán)）近日宣布， 安森美（onsemi）中國(guó)區(qū)汽車解決方案負(fù)責(zé)人吳桐博士正式宣布擔(dān)任I.S.I.G.中國(guó)區(qū)主席。這一任命在3月25日舉辦的 “I.S.I.G.中國(guó)

2025-03-31 19:24:04

1281

安森美亮相Vision China 2025

安森美（onsemi）攜五大圖像傳感創(chuàng)新技術(shù)，在Vision China 2025掀起了一場(chǎng)創(chuàng)新風(fēng)暴。這場(chǎng)以‘視界革新’為核心的展示，正在為AI時(shí)代圖像傳感器智能化發(fā)展錨定方向。

2025-03-28 16:32:54

992

Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET

VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號(hào)為SiHK050N65E。該產(chǎn)品的推出旨在提升電信、工業(yè)

2025-03-27 11:49:46

945

Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。

2025-03-21 10:11:00

1232

意法半導(dǎo)體推出STM32WBA6系列MCU新品

??????最近，意法半導(dǎo)體（ST）重磅升級(jí)STM32WBA產(chǎn)品系列，推出STM32WBA6系列新品，能夠在單芯片上同時(shí)支持藍(lán)牙低功耗（Bluetooth LE）和IEEE 802.15.4標(biāo)準(zhǔn)的器件。

2025-03-21 09:40:52

1827

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列。

2025-03-19 14:31:28

1103

先輯半導(dǎo)體HPM6E00系列產(chǎn)品能用來做EtherCAT的主站嗎

雖然明確說明了先輯半導(dǎo)體HPM6E00系列產(chǎn)品能用來做EtherCAT的從站，但它可以用來做主站嗎，還是說必須用其他芯片做主站呢

2025-03-16 10:16:43

安森美推出首款飛行時(shí)間傳感器HyperluxID系列

安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)推出其首款實(shí)時(shí)、間接飛行時(shí)間(iToF)傳感器HyperluxID 系列，可對(duì)快速移動(dòng)物體進(jìn)行高精度長(zhǎng)距離測(cè)量和三維成像。

2025-03-12 16:41:36

1167

安森美收購(gòu)Allegro被拒絕 500億（69億美元）并購(gòu)泡湯

數(shù)小時(shí)前，路透社報(bào)道，傳感器芯片制造商Allegro Microsystems拒絕了半導(dǎo)體巨頭安森美69億美元現(xiàn)金（約合500億人民幣）的收購(gòu)要約，理由稱該要約“不夠充分”（inadequate

2025-03-06 18:26:06

1234

確認(rèn)！Allegro未通過安森美65億美元收購(gòu)提議

電子發(fā)燒友網(wǎng)3月6日?qǐng)?bào)道 ??Allegro今日在官網(wǎng)發(fā)文確認(rèn)，其已收到安森美半導(dǎo)體公司主動(dòng)提出的收購(gòu)提議，擬于2025年2月12日以每股35.10美元的價(jià)格現(xiàn)金收購(gòu) Allegro。（按目前

2025-03-06 16:44:20

2646

新潔能推出HO系列MOSFET產(chǎn)品

隨著市場(chǎng)對(duì)高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長(zhǎng)，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品，優(yōu)化了SOA工作區(qū)間，可滿足熱插拔、緩啟動(dòng)、電子保險(xiǎn)絲、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS

2025-03-04 14:40:34

1237

安森美SiC cascode JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計(jì)指南。本文將繼續(xù)講解并聯(lián)的挑戰(zhàn)。

2025-02-28 15:50:20

1253

安森美SiC Cascode JFET的背景知識(shí)和并聯(lián)設(shè)計(jì)

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵

2025-02-27 14:10:00

1662

安森美啟動(dòng)全公司范圍重組計(jì)劃：擬裁員約 2400人占員工總數(shù)9%

半導(dǎo)體企業(yè)安森美 Onsemi 在當(dāng)?shù)貢r(shí)間 2 月 24 日向美國(guó)證券交易委員會(huì) SEC 遞交的 FORM 8-K 文件中確認(rèn)，該公司現(xiàn)已啟動(dòng)了一項(xiàng)全公司范圍的重組計(jì)劃，擬裁員約 2400 人，大致

2025-02-27 09:16:20

824

安森美新型SiC模塊評(píng)估板概述

碳化硅（SiC）技術(shù)正引領(lǐng)一場(chǎng)革新，為從新能源汽車到工業(yè)電源管理等多個(gè)行業(yè)帶來前所未有的效率和性能提升。為了幫助工程師們更好地探索和利用 SiC 技術(shù)的潛力，安森美（onsemi）推出了一系列評(píng)估板，速來一起探索。

2025-02-25 15:24:03

856

安森美M3S與M2 SiC MOSFET的性能比較

安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗均較低，提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級(jí)選項(xiàng)。本白皮書側(cè)重于

2025-02-21 11:24:20

1802

安森美2024年Q4及全年業(yè)績(jī)亮眼

安森美半導(dǎo)體近日公布了其2024年第四季度及全年的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。數(shù)據(jù)顯示，該公司在第四季度實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)健的營(yíng)收和利潤(rùn)增長(zhǎng)。具體來說，安森美第四季度的收入為17.225億美元。在毛利率方面，公司按照公認(rèn)會(huì)計(jì)

2025-02-14 10:10:55

788

安森美2024年第四季度收入17.225億美元

安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)公布其2024年第四季度及全年業(yè)績(jī)。

2025-02-11 13:04:33

949

意法半導(dǎo)體推出全新40V MOSFET晶體管

意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)景。

2025-01-16 13:28:27

1021

安森美高效電機(jī)架構(gòu)與解決方案

排放的要求力度不斷加大，因此，通過實(shí)施新穎的控制算法、利用新型的、更高效的電機(jī)架構(gòu)，以及結(jié)合現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)來提高效率變得越來越重要。本文將為您介紹電機(jī)的應(yīng)用與市場(chǎng)，以及由安森美（onsemi）推出的相關(guān)解決方案。

2025-01-15 10:16:27

2307

安森美碳化硅應(yīng)用于柵極的5個(gè)步驟

在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？5步法應(yīng)對(duì)碳化硅特定挑戰(zhàn)，mark~，我們介紹了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)、碳化硅制造挑戰(zhàn)、碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)、安森美（onsemi）在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)。本文為白皮書第三篇，將重點(diǎn)介紹應(yīng)用于柵極的 5 個(gè)步驟。

2025-01-09 10:31:47

915

安森美成功收購(gòu)紐約州德威特GaN晶圓制造廠，助力技術(shù)布局！

近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商安森美(onsemi)宣布，以2000萬(wàn)美元的價(jià)格成功收購(gòu)位于美國(guó)紐約州德威特的原NexGenPowerSystems氮化鎵(GaN)晶圓制造廠。這項(xiàng)交易受到業(yè)界

2025-01-08 11:40:43

1228

安森美在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)

此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中，我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)及碳化硅制造挑戰(zhàn)，本文為白皮書第二部分，將重點(diǎn)介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)及安森美（onsemi）在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)。

2025-01-07 10:18:48

916

已全部加載完成

chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛兴趣闲谈,欧美亚洲精品 8区,国产精品久久久久精品免费

搜索歷史

安森美半導(dǎo)體推出高壓MOSFET系列

評(píng)論