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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>FM25xxx FRAM存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)及使用

FM25xxx FRAM存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)及使用

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如何掛載RK3568的SPI FRAM鐵電存儲(chǔ)芯片

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富士通FRAM存儲(chǔ)器在智能電表中有什么應(yīng)用?

富士通FRAM存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)?富士通FRAM存儲(chǔ)器在智能電表中有什么應(yīng)用?
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富士通鐵電存儲(chǔ)器應(yīng)用選型

我們公司是代理富士通鐵電存儲(chǔ)器FRAM,單片機(jī)和華邦的FLASH。因?yàn)閯傞_始接觸到這一塊,只大概了解是用在電表,工業(yè)設(shè)備等產(chǎn)品上。但是曾找了很多這種類型的客戶,都普遍很少用,只是有一些對(duì)產(chǎn)品性能要求
2014-03-13 10:00:54

FRAM存儲(chǔ)器MSP430常見問(wèn)題及解答

快 1000 倍。 此外,與需要兩步(寫入命令和隨后的讀取/驗(yàn)證命令)才能寫入數(shù)據(jù)的 EEPROM 不同,FRAM 的寫入操作與讀取操作發(fā)生在同一過(guò)程中。 只提供一個(gè)存儲(chǔ)器訪問(wèn)命令,實(shí)現(xiàn)讀取或?qū)懭牍δ?/div>
2018-08-20 09:11:18

有人有使用SPI-FRAM的示例代碼或IDF組件嗎?

... bdfcd83119 ),但 Fujitsu (MB85xxx)、Cypress/Infinion (FM25xxx) 和 Lapis (MR45xxx) 的類似設(shè)備似乎使用相同的命令。如果 ESP-IDF 組件庫(kù)包含 SPI-FRAM 組件,那就太好了。在那之前,有人有示例代碼可以開始嗎?
2023-03-01 07:09:17

求助 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的區(qū)別

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求問(wèn)MSP430FR2311存儲(chǔ)器FRAM存儲(chǔ)地址是?

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、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器)、FRAM(鐵電存儲(chǔ)器),MRAM(磁性 RAM)和 NVSRAM(非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器)等。每種類型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì):存儲(chǔ)器
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詳解多功能雙接口存儲(chǔ)器方案

eUSCI_A0 和eUSCI_A1,實(shí)現(xiàn)SPI 接口的數(shù)據(jù)的接收,無(wú)需CPU 參與;? 配置1 個(gè)DMA 通道從FRAM存儲(chǔ)器傳輸數(shù)據(jù)到eUSCI_B0,實(shí)現(xiàn)I2C 接口的數(shù)據(jù)的接收,無(wú)需CPU 參與
2019-06-12 05:00:08

鐵電存儲(chǔ)器FM18L08資料推薦

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2008-10-14 13:30:41949

帶RTC的I2C總線鐵電存儲(chǔ)器芯片-FM31256

帶RTC的I2C總線鐵電存儲(chǔ)器芯片-FM31256 FM31256是一種基于I2C總線、采用鐵電體技術(shù)的多功能存儲(chǔ)芯片。除了非易失存儲(chǔ)器外,該器件還具有實(shí)時(shí)時(shí)鐘、低電壓
2009-03-29 15:16:103182

內(nèi)置串行接口的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID

  鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感
2010-12-10 10:36:05822

鐵電存儲(chǔ)器FM25CL64在DSP系統(tǒng)中的應(yīng)用

介紹了一種新型鐵電存儲(chǔ)器FM25CL64,同時(shí)還分析了TMS320VC5402D SP的SPI引導(dǎo)裝載模式,給出了一種基于鐵電存儲(chǔ)器FM25CL64的DSP脫機(jī)獨(dú)立運(yùn)行系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案,并且該方案已成功地應(yīng)用到一種
2011-09-21 17:04:1374

Ramtron推出最低功耗非易失性存儲(chǔ)器FM25P16

Ramtron宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲(chǔ)器。該16 kb器件的型號(hào)為FM25P16,是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器,為對(duì)功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)開創(chuàng)了全新的機(jī)遇.
2012-02-07 09:00:551190

使用大容量STM32F10xxx的FSMC模塊驅(qū)動(dòng)外部存儲(chǔ)器

使用大容量STM32F10xxx的FSMC模塊驅(qū)動(dòng)外部存儲(chǔ)器
2016-01-08 14:15:1735

串行FRAM FM25H20原理及其應(yīng)用

FM25H20 采用先進(jìn)的130納米 (nm) CMOS工藝生產(chǎn),是高密度的非易失性F-RAM存儲(chǔ)器,以低功耗操作,并備有高速串行外設(shè)接口 (SPI)。該3V、2Mb串行F-RAM器件以最大的總線
2016-05-27 16:44:276

獨(dú)立FRAM存儲(chǔ)器方案設(shè)計(jì),特點(diǎn)有哪些?

FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行(I2C和SPI)和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢?
2017-09-17 16:34:229447

鐵電存儲(chǔ)器FM25L256中文資料免費(fèi)下載

這是一個(gè)256bit的非易失性存儲(chǔ)器FM25L256采用先進(jìn)的鐵電的過(guò)程。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM是非易失性和執(zhí)行讀取和寫入內(nèi)存一樣。它提供了可靠的數(shù)據(jù)保持10年,同時(shí)消除了復(fù)雜性,開銷和系統(tǒng)級(jí)的可靠性問(wèn)題所造成的EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器。
2017-11-03 17:15:34124

msp430與fm56l256鐵電存儲(chǔ)器SPI接口原理

FM25L256是由RAMTRON生產(chǎn),以鐵電存儲(chǔ)介質(zhì)的256Kb(32K字節(jié))串行3V非易失性存儲(chǔ)器,采用SPI總線控制,構(gòu)成的系統(tǒng)具有簡(jiǎn)單,占用硬件資源少,存取快速的特點(diǎn)。同時(shí),由于鐵電存儲(chǔ)器(以下簡(jiǎn)稱FRAM)有著固有的優(yōu)勢(shì),因此,可用于高可靠場(chǎng)合信息存儲(chǔ)設(shè)備。
2017-11-03 17:26:3822

FM25L256的驅(qū)動(dòng)測(cè)試

FM25L256是由RAMTRON生產(chǎn),以鐵電存儲(chǔ)介質(zhì)的256Kb(32K字節(jié))串行3V非易失性存儲(chǔ)器,采用SPI總線控制,構(gòu)成的系統(tǒng)具有簡(jiǎn)單,占用硬件資源少,存取快速的特點(diǎn)。下面將具體的來(lái)說(shuō)說(shuō)FM25L256的驅(qū)動(dòng)測(cè)試。
2017-11-04 09:10:423595

FM25W256-GTR 256千比特串行(SPI)鐵電存儲(chǔ)器的詳細(xì)資料免費(fèi)下載

FM25W256是一個(gè)256千位非易失性存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的鐵電過(guò)程。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM是非易失性的,并執(zhí)行類似于RAM的讀寫。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時(shí)消除了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器引起的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。
2018-08-27 08:00:0086

STM32F10xxx FSMC外圍設(shè)備驅(qū)動(dòng)外部存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)和使用手冊(cè)免費(fèi)下載

本申請(qǐng)說(shuō)明描述了如何使用高密度STM32F10xxx FSMC(柔性靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器)外圍設(shè)備來(lái)驅(qū)動(dòng)一組外部存儲(chǔ)器。為此,對(duì)STM32F10xxx FSMC控制器進(jìn)行了概述。然后給出了存儲(chǔ)器接口實(shí)例,包括典型的FSMC配置、時(shí)序計(jì)算方法和硬件連接。
2018-12-27 16:03:0828

PIC18F87K90單片機(jī)讀寫FRAM鐵電存儲(chǔ)器的方法存儲(chǔ)器免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PIC18F87K90單片機(jī)讀寫FRAM鐵電存儲(chǔ)器的方法存儲(chǔ)器免費(fèi)下載。
2019-01-23 16:41:2532

微雪電子FRAM存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)器FM24CLXX簡(jiǎn)介

FM24CL FRAM 存儲(chǔ)模塊 I2C接口 可排針或排座接入目標(biāo)板 FRAM外擴(kuò)存儲(chǔ) 型號(hào) FM24CLXX FRAM Board
2019-12-30 09:45:531331

FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器,它的自身優(yōu)勢(shì)是什么

FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器,它使用鐵電膜作為電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),即使數(shù)據(jù)沒(méi)有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫,高讀寫耐久性,低功耗,防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634

FRAM存儲(chǔ)器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相互兼容

新型的存儲(chǔ)器既具有RAM的優(yōu)點(diǎn),又有非失易失性特征,同時(shí)克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點(diǎn)。 FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲(chǔ)產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM
2020-10-30 16:47:12802

非易失性存儲(chǔ)器MRAM與FRAM到底有什么區(qū)別

“永久性存儲(chǔ)器”通常是指駐留在存儲(chǔ)器總線上的高性能,可字節(jié)尋址的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備。MRAM(磁性只讀存儲(chǔ)器)和 FRAM(鐵電 RAM)都具有相似的性能優(yōu)勢(shì):低電壓運(yùn)行,長(zhǎng)壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:0038

fram是什么存儲(chǔ)器_FRAM技術(shù)特點(diǎn)

鐵電存儲(chǔ)器FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器和閃存)結(jié)合起來(lái)。
2020-12-03 11:53:166108

采用FM20L08鐵電存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)溫度記錄儀系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

FRAM),能夠進(jìn)行無(wú)限次的讀寫操作。 使用FM20L08能夠極大的節(jié)約電路板空間。使用FM20L08存儲(chǔ)器的溫度測(cè)試儀,兼具大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、抗沖擊、抗干擾、數(shù)據(jù)斷電不丟失、實(shí)時(shí)采集速度高的特點(diǎn)。
2021-03-29 14:36:232136

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數(shù)據(jù)非易失性的存儲(chǔ)器

富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器
2021-04-08 15:42:02824

富士通的非易失性鐵電存儲(chǔ)器FRAM有著廣泛的應(yīng)用

富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲(chǔ)器FRAM, 富士通半導(dǎo)體早在1995年已開始研發(fā)FRAM存儲(chǔ)器,FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:16689

鐵電存儲(chǔ)器FRAM的優(yōu)劣勢(shì)

FRAM是一種新型存儲(chǔ)器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn),與EEPROM、FLASH相比,FRAM的讀寫更快、壽命更長(zhǎng),FRAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中,預(yù)計(jì)未來(lái)具有廣闊的市場(chǎng)前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點(diǎn),符合科創(chuàng)板屬性,目前上市公司中尚沒(méi)有從事該產(chǎn)品的開發(fā)。
2021-05-11 17:32:202107

2Mbit串行FRAM存儲(chǔ)器FM25V20A-DGQTR的功能及特征

和橫跨傳統(tǒng)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)覆蓋。Cypress代理英尚微給大家分享一款具有擴(kuò)展溫度的2Mbit串行FRAM存儲(chǔ)器FM25V20A-DGQTR。
2021-05-13 14:35:021561

非易失性存儲(chǔ)器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,低VDD復(fù)位,看門狗定時(shí)器,非易失性事件計(jì)數(shù)器,可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及可用于斷電(NMI)中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。
2021-05-17 16:43:53912

賽普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性鐵電存儲(chǔ)器

引起的復(fù)雜性,開銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。 FM25V05-GTR是串行FRAM存儲(chǔ)器。邏輯上將存儲(chǔ)器陣列組織為65,536×8位,并使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍設(shè)備接口(SPI
2021-06-08 16:32:20938

FM25CL64B-GTR是一款串行FRAM存儲(chǔ)器

FM25CL64B-GTR是串行FRAM存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器陣列在邏輯上組織為8,192×8位,可使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍設(shè)備接口(SPI)總線進(jìn)行訪問(wèn)。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM
2021-06-08 16:35:041683

FM25V10-GTR是采用先進(jìn)鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲(chǔ)器

FM25V10-GTR是采用先進(jìn)鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器FRAM是非易失性的,并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時(shí)消除了由串行閃存
2021-06-08 16:39:521134

128Kbit非易失性存儲(chǔ)器FM25V01A-G的功能及特征

、SRAM、nvSRAM和FRAM的廣泛產(chǎn)品,其密度范圍從4Kbit到4Gbit。賽普拉斯易失性和非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合具有以下特性:超低功耗、高性能、可靠的FRAM產(chǎn)品。Cypress代理可提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。
2021-06-25 09:08:512574

串行FRAM存儲(chǔ)器64K MB85RS64概述及特點(diǎn)

富士通FRAM是新一代非易失性存儲(chǔ)器,其性能優(yōu)于E2PROM和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器,功耗更低,提供更高的速度和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的,但在RAM等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)介質(zhì)用于各種
2021-06-28 15:50:412599

128K串行接口FRAM存儲(chǔ)器MB85RS128B概述及特點(diǎn)

富士通FRAM(鐵電RAM)是新一代非易失性存儲(chǔ)器,性能優(yōu)于 E2PROM 和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器,功耗更低,速度更快和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的,但在ram等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)
2021-06-28 15:52:461394

鐵電存儲(chǔ)器FRAM與其他內(nèi)存的比較

FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測(cè)試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281158

富士通FRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)介紹

FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器(如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055

256Kbit非易失性存儲(chǔ)器FM25V02A的功能及特性

FM25V02A是使用高級(jí)鐵電工藝的256Kbit非易失性存儲(chǔ)器FRAM是非易失性的;與RAM相同,它能夠執(zhí)行讀和寫操作。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留時(shí)間,并解決了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器造成的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性的問(wèn)題。賽普拉斯代理英尚微電子提供技術(shù)相關(guān)支持。
2021-07-27 15:23:082426

FRAM存儲(chǔ)器都用在了哪里

FRAM (鐵電RAM) 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器 (如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要備用電池來(lái)保留數(shù)據(jù),并且具有更高的讀/寫耐久性,更快的寫入速度
2021-10-28 10:26:562565

非易失性存儲(chǔ)器FRAM的常見問(wèn)題解答

什么是FRAM? FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種非易失性存儲(chǔ)器,它使用鐵電薄膜作為電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM(只讀存儲(chǔ)器)和RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的特性,具有寫入速度更快
2022-03-02 17:18:36766

鐵電存儲(chǔ)器FRAM

鐵電存儲(chǔ)器FRAM或FeRAM,FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲(chǔ)介質(zhì),利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點(diǎn): 非易失性:斷電
2022-11-10 17:00:141785

提供即時(shí)寫入功能的FRAM存儲(chǔ)器

FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫入功能,無(wú)限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率,以支持對(duì)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對(duì)用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣,因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。
2022-11-25 14:19:41327

復(fù)旦微電推出FM25/FM29系列SLC NAND存儲(chǔ)器新品

下一階段,復(fù)旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲(chǔ)器全系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量,FM25N將補(bǔ)全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378

鐵電存儲(chǔ)器FRAM與其他內(nèi)存的比較

FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697

國(guó)芯思辰|拍字節(jié)鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)PB85RS128?用于頭戴式無(wú)線耳機(jī),通信速率25MHz

如今,電子設(shè)備的存儲(chǔ)空間設(shè)計(jì)得越來(lái)越大,以便給用戶留有足夠的存儲(chǔ)空間進(jìn)行支配。某工程師在頭戴式無(wú)線耳機(jī)項(xiàng)目中原使用賽普拉斯的FM25V01-G,目前正在尋找國(guó)產(chǎn)替換方案,國(guó)芯思辰給其推薦了拍字節(jié)
2022-11-29 10:25:59423

使用大容量STM32F10xxx的FSMC驅(qū)動(dòng)外部的存儲(chǔ)器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用大容量STM32F10xxx的FSMC驅(qū)動(dòng)外部的存儲(chǔ)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-21 10:03:500

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