操作控制器時，你是否對GND和GNDA接口感到困惑?同為“地”為何要分開設(shè)計?接錯有什么后果?今天就給大家講透二者區(qū)別，幫你避開接地誤區(qū)!
2025-12-30 14:29:17
319 
三防漆和UV膠是兩種常見的防護材料，它們外觀可能相似，但內(nèi)核與用途不同。從根本上說，二者的化學本質(zhì)與應用目的有所區(qū)別。三防漆通常指環(huán)氧樹脂、聚氨酯或有機硅等配方的涂料，其主要作用是防護。它通過在
2025-12-19 17:26:58602 
按數(shù)據(jù)傳送的方式，通訊可分為串行通訊與并行通訊，串行通訊是指設(shè)備之間通過少量數(shù)據(jù)信號線(一般是8根以下)， 地線以及控制信號線，按數(shù)據(jù)位形式一位一位地傳輸數(shù)據(jù)的通訊方式。而并行通訊一般是指使用8
2025-12-11 06:52:53
，后來才逐漸演變?yōu)橐环N成熟的面向?qū)ο缶幊陶Z言。
總之，C語言和C++雖然有很多共同之處，但在編程范式、安全性、抽象層次等方面存在顯著差異。開發(fā)者可以根據(jù)項目需求選擇合適的語言，C語言更適合對性能要求極高
2025-12-11 06:51:01
，用戶可以直觀地了解物體或設(shè)備的溫度分布狀態(tài)，從而及時發(fā)現(xiàn)異常。很多人容易將熱成像與普通的紅外測溫槍混淆。其實，二者雖有相似之處，卻各有側(cè)重。紅外測溫模塊通常指單
2025-12-09 09:56:56843 
SRAM（靜態(tài)隨機存儲器）是一種在通電狀態(tài)下可保持數(shù)據(jù)不丟失的存儲器件，無需刷新即可持續(xù)工作，因此具有高速讀寫、響應及時的特點，廣泛應用于對實時性要求高的場景。
2025-12-08 16:51:57442 
在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）和DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）依然是計算系統(tǒng)中最核心的存儲組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲方案，但二者憑借成熟的設(shè)計與明確
2025-12-02 13:50:46868 精妙的對應：人體內(nèi)耳與村田MEMS傳感器慣性傳感器（如陀螺儀和加速度計）與人類耳內(nèi)的感知器官具有相似性。這些生物機制正啟迪著自動駕駛等現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展。陀螺儀與加速度計能夠提供物體的朝向、運動與平衡
2025-12-01 12:02:15688 
Cypress賽普拉斯512Kbit FRAM憑借微秒級寫入、10^14次擦寫壽命及151年數(shù)據(jù)保留，為車載黑匣子EDR提供高可靠數(shù)據(jù)存儲。其-40℃~105℃車規(guī)級工作范圍確保碰撞數(shù)據(jù)完整記錄，滿足汽車安全法規(guī)嚴苛要求。
2025-12-01 09:47:00246 
在各類電子設(shè)備與嵌入式系統(tǒng)中，存儲器的性能與功耗表現(xiàn)直接影響著整體設(shè)計的穩(wěn)定與效率。低功耗SRAM，特別是異步SRAM系列，憑借其出色的能效比與高可靠性，正成為越來越多工業(yè)控制、通信設(shè)備及便攜終端中的關(guān)鍵部件。
2025-11-25 15:42:56271 
在各類存儲設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應用于高性能計算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機存儲器憑借其獨特的雙端口設(shè)計，在高帶寬和多任務場景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44272 之間還有間隔，因此傳輸效率不高。在單片機與單片機之間，單片機與計算機之間通信時，通常采用異步串行通信方式。
4、同步串行通信方式：同步通信時要建立發(fā)送方時鐘對接收方時鐘的直接控制，使雙方完全達到同步。
2025-11-24 06:36:29
在現(xiàn)代高性能電子系統(tǒng)中，存儲器的讀寫速度往往是影響整體性能的關(guān)鍵因素之一。同步SRAM（Synchronous Static Random Access Memory）正是在這一需求下發(fā)展起來的重要
2025-11-18 11:13:01242 富士通16Kbit FRAM憑借微秒級寫入速度與10萬億次擦寫壽命，為圖傳模塊提供高可靠性數(shù)據(jù)存儲。其SPI接口與工業(yè)級溫度范圍（-40℃~85℃）完美適配無人機、安防監(jiān)控等場景的實時數(shù)據(jù)記錄需求。
2025-11-18 09:48:00317 
本文介紹了一個基于FPGA的內(nèi)存到串行數(shù)據(jù)傳輸模塊，該模塊設(shè)計用來高效地處理存儲器中的數(shù)據(jù)并傳輸至串行接口。項目中自定義的“datamover_mm2s_fpga_”方案利用異步FIFO結(jié)構(gòu)來解決不同時鐘域之間數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐絾栴}。
2025-11-12 14:31:304133 
高端處理器芯片中通常設(shè)計有包含四個層級的SRAM緩存子系統(tǒng)：從專屬于單個處理器核心的一級緩存，到多個計算單元共享的三級或四級末級緩存，每一級都在存取速度、存儲容量與制造成本之間實現(xiàn)精密平衡。
2025-11-12 13:58:08455 PSRAM（偽靜態(tài)隨機存儲器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨特的設(shè)計使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應用。
2025-11-11 11:39:04497 測試計劃與測試策略是軟件測試管理的核心文檔，但二者有明顯區(qū)別。測試計劃（TestPlan）面向具體項目，詳細說明時間、資源、分工與準入/退出標準，適用于項目啟動或版本發(fā)布前的落地執(zhí)行。測試策略
2025-11-07 10:05:13200 
在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲器的選擇往往成為設(shè)計成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨有的錯誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計算等應用提供了值得信賴的存儲解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片，基于最新的JEDEC xSPI標準與獨有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建，這款串行接口MRAM存儲芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48285 PSRAM全稱為pseudo SRAM，一般叫偽靜態(tài)SRAM,串行PSRAM具有類似SRAM的接口協(xié)議，給出地址，讀、寫命令，就可以實現(xiàn)存取，不同于DRAM需要用到memory controller來控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新
2025-10-27 16:04:47450 非揮發(fā)性存儲器，如NAND、NOR Flash，數(shù)據(jù)在掉電后不會丟失。這類存儲器通常速度比較慢，可以做資料和大數(shù)據(jù)存儲。
2025-10-27 15:14:39310 遠大于串行接口。以一個簡單的4Mb SRAM為例，其與控制器連接最多可能需要43個引腳，這在追求緊湊設(shè)計的現(xiàn)代電子設(shè)備中成為了重要考量因素。 在芯片設(shè)計領(lǐng)域，嵌入式SRAM目前已經(jīng)占據(jù)了控制器空間的90%。更為重要的是，嵌入式SRAM的制程縮小速
2025-10-26 17:25:18835 本篇將詳細介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實現(xiàn)SRAM的讀寫測試。SRAM是一種非易失性存儲器，具有高速讀取和寫入的特點。在FPGA中實現(xiàn)SRAM讀寫測試，包括設(shè)計SRAM接口模塊
2025-10-22 17:21:384118 
本文圍繞基于SiC分立器件和功率模塊的功率因數(shù)校正器（PFC）級，分析并比較了二者在車載充電器（OBC）應用中的性能。
2025-10-18 09:30:265624 
串行通信是電子設(shè)備中數(shù)據(jù)交換的基石。最常見的串行通信協(xié)議有UART，SPI，I2C等。
2025-10-15 10:53:151791 
富士通MB85RC04VPNF-G-JNERE1 4Kbit工業(yè)級FRAM，150ns極速寫入、1萬億次擦寫、-40℃~+85℃寬溫，I2C接口低功耗，SOP-8小封裝，為PLC、電表、編碼器等邊緣節(jié)點提供高可靠非易失存儲。
2025-10-10 09:45:00307 依賴虛擬環(huán)境對感知、決策與控制等模塊進行海量測試，而路試則通過真實道路環(huán)境驗證系統(tǒng)在自然狀態(tài)下的表現(xiàn)。如何在二者之間找到合理的比例，不僅影響驗證的效率和效果，還將直接決定項目的時間成本、技術(shù)風險和合規(guī)進程。
2025-10-09 18:14:19525 Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM是隨機存取存儲器器件，可通過兼容串行外設(shè)接口 (SPI) 的串行總線訪問。SRAM
2025-10-09 11:16:59540 Microchip Technology 23AA02M和23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAM是可以通過串行外設(shè)接口 (SPI) 兼容總線訪問的隨機存取存儲器器件。該SRAM
2025-10-09 11:12:55559 綠電直連 vs 隔墻售電，厘清二者的區(qū)別，不僅能避免認知誤區(qū)，更能幫助企業(yè)、園區(qū)根據(jù)自身需求選擇精準的能源解決方案。
2025-09-19 10:20:36641 
很多電子愛好者第一次接觸電路時，經(jīng)常會混淆“晶振”和“晶體”。其實，兩者有相似之處，但用途和結(jié)構(gòu)并不完全一樣。 一、什么是晶體？ 晶體（Crystal）是一塊經(jīng)過切割加工的石英晶體，它本身不會“自振
2025-09-11 14:42:37565 
電機驅(qū)動和舵機驅(qū)動是自動化控制、機器人、智能家居等領(lǐng)域中兩種核心的 “動力執(zhí)行控制技術(shù)”，二者的核心目標都是驅(qū)動負載運動，但因針對的執(zhí)行器（電機 / 舵機）特性、控制邏輯和應用場景差異極大，需從
2025-09-11 10:55:14965 富士通256Kbit FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1為LED顯示系統(tǒng)提供高速、高耐久性數(shù)據(jù)存儲方案，支持納秒級寫入與10^12次擦寫，解決傳統(tǒng)存儲器延遲高、壽命短問題，適用于智能交通、戶外廣告等嚴苛環(huán)境，顯著提升系統(tǒng)響應與可靠性。
2025-09-11 09:45:00480 
中航光電研制的二維FA光纖陣列組件作為OCS光交換設(shè)備的關(guān)鍵組件，用于實現(xiàn)陣列光信號的輸入和輸出功能;該組件集成了二維光纖陣列和二維透鏡陣列，通過二者的精確耦合對準，實現(xiàn)準直光束的穩(wěn)定輸出與可靠接收。
2025-09-10 18:19:452001 高效且可靈活擴展的加密（根）密鑰生成與存儲解決方案所發(fā)揮的作用。SRAM PUF技術(shù)利用硅材料的物理特性，生成器件專屬的標識符，提供了一種替代傳統(tǒng)密鑰存儲方法的可靠方案。如果開發(fā)者尚不熟悉SRAM PUF的基礎(chǔ)原理，建議先閱讀前一篇文章了解詳情。
2025-09-05 10:46:161152 滾柱與滾珠導軌的組合應用日益廣泛，從數(shù)控機床到醫(yī)療機器人，二者通過優(yōu)勢互補，為高精度、高可靠性的傳動需求提供了更靈活的解決方案。
2025-09-01 17:51:27526 
在工業(yè)自動化領(lǐng)域，高爐系統(tǒng)的穩(wěn)定運行離不開可靠的數(shù)據(jù)通信。DeviceNET與PROFIBUS DP作為兩大核心工業(yè)網(wǎng)絡(luò)協(xié)議，分別承擔著設(shè)備層與控制層的關(guān)鍵通信任務。二者之間的協(xié)議轉(zhuǎn)換，不僅是技術(shù)
2025-08-29 15:09:57425 
Cypress 64Kbit FRAM以納秒寫入、萬億次擦寫、微瓦功耗，破解手持檢測器數(shù)據(jù)丟幀、壽命及續(xù)航痛點，覆蓋-40℃~85℃，50G抗震，直接替代EEPROM，30天續(xù)航，零掉電丟數(shù)。
2025-08-28 09:45:00434 隨機數(shù)在當前程序運行環(huán)境中是一種常用參數(shù)，目前主要分為兩種，偽隨機數(shù)和真隨機數(shù)，本期我們就來講一下二者的區(qū)別。
2025-08-27 17:46:522185 如何保持SRAM的狀態(tài)，并在芯片復位時不初始化？
2025-08-25 06:09:44
如何保持SRAM的狀態(tài)，并在芯片復位時不初始化？
2025-08-21 07:17:17
。溫濕度控制器作為環(huán)境調(diào)節(jié)的核心裝置，與玻璃生產(chǎn)設(shè)備之間形成了緊密的協(xié)同關(guān)系。從熔爐周邊的環(huán)境穩(wěn)定，到加工設(shè)備的高效運轉(zhuǎn)，再到成品玻璃的存儲保管，二者的良好配合不僅能夠延長設(shè)備的使用年限、提高生產(chǎn)效率，更是
2025-08-14 12:55:10422 
兩個總線能不能同時使用，用了華邦的SDRAM發(fā)現(xiàn)SDRAM數(shù)據(jù)高概率讀寫錯誤，但是用ISSI的沒問題。如果不對外部SRAM讀寫就正常。
2025-08-12 06:56:57
，它的成員使用SRIO技術(shù)來實現(xiàn)高速和低延遲互聯(lián)。RapidIO組織負責制定和推廣RapidIO互聯(lián)標準，支持RapidIO產(chǎn)品的開發(fā)和部署，因此二者相互關(guān)聯(lián)，是不同概念。RapidIO協(xié)議分為邏輯層、傳輸層、物理層。FPGA中SRIO的物理層就是Serdes資源。
2025-08-06 14:50:531620 產(chǎn)生的SPI波形具有精度高、輸出波形諧波小，對稱性好等優(yōu)點。不對稱規(guī)則采樣法的性能介于二者之間。
純分享帖，點擊下方附件免費獲取完整資料~~~
內(nèi)容有幫助可以關(guān)注、點贊、評論支持一下，謝謝
2025-07-31 13:34:23
在科研、工業(yè)檢測等領(lǐng)域，“掃描電鏡”和“掃描電子顯微鏡”這兩個術(shù)語經(jīng)常被提及。對于剛接觸相關(guān)領(lǐng)域的人來說，很容易對它們產(chǎn)生困惑，不清楚二者之間究竟存在怎樣的聯(lián)系和區(qū)別。其實，從本質(zhì)上來說，二者有著
2025-07-25 10:42:521049 
賽普拉斯2 Mbit FRAM FM25V20A-DG以40 MHz SPI總線、1012次擦寫壽命和100 krad(Si)抗輻射能力，取代呼吸機中EEPROM與SRAM加電池的傳統(tǒng)方案，為智能生命支持系統(tǒng)提供原子級可靠的數(shù)據(jù)存儲基石。
2025-07-24 11:25:44520 
串行通信和并行通信是數(shù)據(jù)傳輸?shù)膬煞N基本方式，它們在數(shù)據(jù)傳輸方式、線路設(shè)計、傳輸效率、應用場景等方面存在顯著差異。以下是兩者的詳細對比： 一、數(shù)據(jù)傳輸方式 串行通信 ： 逐位傳輸 ：數(shù)據(jù)按位順序
2025-07-22 10:55:332221 在智能建筑的江湖里，設(shè)備之間的“語言不通”堪稱工程師們的“世紀難題”。比如門禁系統(tǒng)：老設(shè)備用CAN協(xié)議穩(wěn)如老狗，新系統(tǒng)卻要求EtherCAT的速度與激情——二者掐架，難道只能拆了重建？別慌，今天聊聊
2025-07-16 14:24:47
客戶要求Flash driver不能存儲在Flash中，需要在升級的時候，由CAN FBL發(fā)送到SRAM中，再運行SRAM中的Flash driver
我應該如何實現(xiàn)這個要求？如何能把Flash driver分離成一個單獨的部分，再由CAN FBL加載到SRAM中?你們有相關(guān)的文檔和示例程序嗎？
2025-07-15 07:22:16
控制系統(tǒng)中，瞬態(tài)浪涌保護的常駐機構(gòu)通用規(guī)范。此規(guī)范是由鐵路工業(yè)聯(lián)會開發(fā)制定的。這2個標準有很多相似之處，但RIA12標準更要求電子設(shè)備有專門對抗浪涌的能力。
2025-07-09 14:36:0120649 
一、引言
碳化硅（SiC）襯底憑借優(yōu)異性能在半導體領(lǐng)域地位關(guān)鍵，其切割加工精度和效率影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展。自動對刀系統(tǒng)決定切割起始位置準確性，進給參數(shù)控制切割過程穩(wěn)定性，二者協(xié)同優(yōu)化對提升碳化硅襯底切割質(zhì)量
2025-07-03 09:47:02450 
為了安全使用SiC模塊，需要計算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫，并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計算與IGBT既有相似之處，也有不同。相對IGBT，MOSFET可以反向?qū)?，即工作在同步整流模式。本文簡要介紹其損耗計算方法。
2025-06-18 17:44:464438 
普源精電科技有限公司推出的DM3058和DM3058E是兩款經(jīng)濟型5.5位數(shù)字萬用表，它們在高精度、多功能和自動測量方面表現(xiàn)優(yōu)異。盡管這兩款萬用表在功能和設(shè)計上有許多相似之處，但它們之間仍存在一些
2025-06-18 10:51:26859 
的RTC實時時鐘芯片，具有功耗低、走時精準、外圍簡單等特點，二者基本特性如下： D8563和D1302二者基本特性比對 三、引腳信息 引腳信息比對 四、參考設(shè)計 1、D8563參考設(shè)計： 2、D1302參考設(shè)計： 審核編輯 黃宇
2025-06-11 09:54:44771 
CS56404L 64Mb Quad-SPI Pseudo-SRAM 產(chǎn)品特點及核心優(yōu)勢：核心特點接口與模式支持 SPI（單線） 和 QPI（四線） 模式，默認上電為 SPI 模式，可通過指令切換至
2025-06-06 15:01:36
近期受晶圓廠委托， 季豐在執(zhí)行完SRAM芯片在中子輻射下SER測試后， 通過對SRAM芯片的深入研究，對測試失效數(shù)據(jù)的分析，將邏輯失效地址成功轉(zhuǎn)換為物理坐標地址，最終在圖像上顯示失效位置，幫助客戶直觀地看到失效點分布位置。 通過多個失效芯片圖像的疊加，客戶可以看到多個芯片失效積累效果。
2025-06-03 10:08:45861 
MAX9249串行器帶有LVDS系統(tǒng)接口，采用Maxim吉比特多媒體串行鏈路(GMSL)技術(shù)。MAX9249串行器與GMSL解串器配合使用，構(gòu)成完整的數(shù)字串行鏈路，實現(xiàn)高速視頻、音頻和控制數(shù)據(jù)的傳輸。
2025-05-28 16:43:37881 
伺服系統(tǒng)和PLC在工業(yè)自動化中都是重要組成部分，二者存在一定共同點，但區(qū)別更為明顯，以下為你詳細介紹： 共同點 應用領(lǐng)域關(guān)聯(lián)：二者都廣泛應用于工業(yè)自動化領(lǐng)域，在制造業(yè)、物流、機器人等行業(yè)發(fā)揮
2025-05-23 17:53:11781 在工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IIoT）蓬勃發(fā)展的當下，無線通信技術(shù)成為連接工業(yè)設(shè)備、實現(xiàn)智能化生產(chǎn)的關(guān)鍵紐帶。其中，工業(yè)無線AP和工業(yè)無線客戶端扮演著不可或缺的角色，二者既存在諸多相同之處，又在功能特性、應用場
2025-05-22 18:14:53392 
CCM 和DCM 的判斷，不是按照初級電流是否連續(xù)來判斷的。而是根據(jù)初、次級的電流合成來判斷的。只要初、次級電流不同是為零，就是CCM 模式。而如果存在初、次級電流同時為零的狀態(tài)，就是DCM模式。介于二者之間的就是BCM 模式。
2025-05-14 13:50:0820614 
在電子電路的基礎(chǔ)元件中，整流二極管與穩(wěn)壓二極管猶如電流方向的守門員與電壓高低的調(diào)節(jié)器，看似同為PN結(jié)器件，卻因核心功能的本質(zhì)差異而不可隨意替換。工程師在面對電源轉(zhuǎn)換、信號調(diào)理等場景時，常因二者的特性
2025-05-13 16:21:551439 
在數(shù)字電子系統(tǒng)設(shè)計中，時鐘電路與晶振電路是兩個高頻出現(xiàn)的概念。雖然二者緊密相關(guān)且常被協(xié)同討論，但從功能定位、電路構(gòu)成到應用場景都存在本質(zhì)差異。本文將從技術(shù)原理出發(fā)，系統(tǒng)解析兩者的區(qū)別。? 一、定義
2025-05-05 15:19:001885 在近期的自動化項目實施中，我們遇到了客戶自主研發(fā)機器人主站與西門子PLC之間的通信挑戰(zhàn)。由于客戶機器人采用EtherCAT主站協(xié)議，而西門子PLC則采用Profinet通信協(xié)議，二者協(xié)議不同，無法
2025-04-24 16:11:30447 
FSL 頻譜分析儀FSL3,FSL6FSL便攜式頻譜分析儀現(xiàn)在，您在購買頻譜分析儀時無需再在價格和功能二者之間進行折衷了。您不必增加預算，就能購買到具有高端性
2025-04-17 10:23:35
在其上的電壓數(shù)值。 耐電壓：則是設(shè)備絕緣系統(tǒng)在短時間內(nèi)能夠承受的最大電壓值，一旦超過這個數(shù)值，就極有可能造成絕緣擊穿。 二者之間的聯(lián)系 從功能定位來看，工作電壓屬于“日常使用值”，是連接器在常規(guī)工作狀態(tài)下所適配的電
2025-04-11 16:14:053425 在自動化和嵌入式開發(fā)領(lǐng)域，PLC和單片機是兩種常見的控制系統(tǒng)。雖然它們有許多相似之處，但它們的功能、應用范圍、開發(fā)成本等方面也存在顯著差異。本文將從多個角度詳細探討這兩者的不同之處，幫助大家更好地理
2025-04-07 11:58:375117 
哪位大佬施以援手，labview FPGA模塊如何實現(xiàn)0?步長（0.01）到1后又從1-步長（0.01）到0，如此往復循環(huán)，現(xiàn)在實現(xiàn)了0自累加到1與1自累減到0，但是二者沒法聯(lián)立起來建立循環(huán)
2025-04-04 13:09:07
我在定制硬件中使用S32K312 IC （單核）。我已使用 RTD SDK 創(chuàng)建了該項目。
我看到有以下 RAM（大分區(qū)）可供我們使用（根據(jù)生成的鏈接器文件）：
int_dtcm
int_sram
2025-03-27 07:16:12
在 LED 驅(qū)動控制芯片的領(lǐng)域中，SM5166PS 與 SM5166PF 猶如兩顆璀璨的明星，它們均為高集成度LED驅(qū)動芯片 ，在眾多方面有著諸多相似之處，共同為 LED 顯示技術(shù)的發(fā)展奠定了
2025-03-18 17:39:091352 
當我閱讀 S32G3 參考手冊時，我對 S32G DMA 和 Noc 之間的區(qū)別有疑問。由于 NoC 支持內(nèi)核、外設(shè)和 SRAM 之間的通信，并且 DMA 還可以在內(nèi)存塊和 I/O 塊之間傳輸數(shù)據(jù)（沒有內(nèi)核？我不確定）。
2025-03-17 08:25:30
帝晶智慧屏電容屏串行接口
2025-03-11 17:21:501699 在工業(yè)自動化的大舞臺上，PLC（可編程邏輯控制器）宛如掌控全局的 “智慧中樞”，其重要性不言而喻。隨著科技的飛速發(fā)展，PLC 逐漸形成了兩大不同的分支：硬 PLC 和軟 PLC。這兩者在功能上有諸多相似之處，但在架構(gòu)和應用場景方面卻各有千秋。接下來，我們就深入了解一下它們的獨特魅力。
2025-03-10 10:22:55838 兩塊SRAM分別位于不同的基地址，有什么方法可以使這兩塊區(qū)域SRAM當成一塊使用
2025-03-07 08:59:10
大腦——西門子1500 PLC，采用的卻是PROFINET網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)。這兩種截然不同的接口協(xié)議，如同橫亙在二者之間的鴻溝，使得變頻器與1500 PLC無法直接進行數(shù)據(jù)交互，數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ǖ谰痛俗钄?。如此一來，自動化系統(tǒng)內(nèi)部各環(huán)節(jié)的協(xié)同運作大打折扣，集成度
2025-03-06 10:35:13566 
MSP430?超低功耗（ULP）FRAM平臺將獨特的嵌入式FRAM和整體超低功耗系統(tǒng)架構(gòu)組合在一起，從而使得創(chuàng)新人員能夠以較少的能源預算增加性能。FRAM技術(shù)以低很多的功耗將SRAM的速度、靈活性和耐久性與閃存的穩(wěn)定性和可靠性組合在一起。
2025-03-04 17:11:151073 
在數(shù)字化快速發(fā)展的時代，物聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中臺與數(shù)字孿生作為關(guān)鍵技術(shù)，各自發(fā)揮著重要作用，且二者之間存在著緊密而復雜的關(guān)系。深入探究它們之間的聯(lián)系，對于推動各行業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型和智能化發(fā)展具有重要意義。 一
2025-02-27 13:41:43734 
。
作為13.56MHz 高集成度讀寫卡系列芯片家族的新成員，MF RC522 與MF RC500和 MF RC530 有不少相似之處，同時也具備諸多特點和差異。它與主機間的通信采用連線較少的串行通信，且
2025-02-27 10:22:44
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54819 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09949 
分析儀FSL3,FSL6FSL便攜式頻譜分析儀現(xiàn)在，您在購買頻譜分析儀時無需再在價格和功能二者之間進行折衷了。您不必增加預算，就能購買到具有高端性能的儀器—R&S
2025-02-21 10:53:07
出發(fā)，系統(tǒng)梳理二者的選型要點。一、明確保護需求：ESD與TVS的核心差異ESD二極管作用：專門應對靜電放電（如人體放電模型HBM、機器模型MM），適用于高頻、低能量
2025-02-13 10:59:382488 
當向ADS850兩差分輸入相同電平時，其并行輸出的14bit數(shù)據(jù)有部分位錯掉。
當二者電平稍有差別時，沒有該問題。
請問下這可能是哪方面的問題？
2025-02-12 08:40:57
兩款芯片的區(qū)別；TXB0104是buffered-type；TXS0102是switch-type請問這兩者之間有什么區(qū)別嗎？
2025-02-10 08:42:36
? ? ? 舵機和伺服電機在自動化和機器人技術(shù)領(lǐng)域中都是常用的執(zhí)行器，它們都能夠?qū)崿F(xiàn)精確的位置控制，但二者之間存在一些基本的區(qū)別，具體如下： ? ? ? 一、定義與構(gòu)成 ? ? ? 1. 舵機
2025-02-07 07:37:411933 
在電子領(lǐng)域中，二極管作為一種基礎(chǔ)且重要的電子元件，被廣泛應用于各類電路中。其中，共陰二極管與共陽二極管在外觀上極為相似，然而其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作特性卻存在差異。
2025-02-05 17:35:535258 在數(shù)字通信領(lǐng)域，串行接口作為一種高效的數(shù)據(jù)傳輸方式，廣泛應用于各種電子設(shè)備之間的數(shù)據(jù)交換。串行接口不僅具有結(jié)構(gòu)簡單、傳輸距離遠、抗干擾能力強等優(yōu)點，而且能夠支持多種工作方式，以適應不同應用場景的需求。本文將深入探討串行接口的工作方式，并解析RXD1和TXD1端口的含義及其在串行通信中的作用。
2025-01-29 16:51:002295 石墨烯與碳納米管具有相似的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，二者之間存在強烈的界面相互作用。通過將石墨烯與碳納米管復合，可以制備出具有優(yōu)異力學性能和導電性能的新型復合材料。這種復合材料在柔性電子器件、傳感器等領(lǐng)域具有廣泛
2025-01-23 11:06:471872 
本文簡單介紹了MOS管特征頻率與過驅(qū)動電壓的概念以及二者的關(guān)系。
2025-01-20 10:59:052466 
最近在使用ADS1118，想要在ADC的輸入端加一個跟隨器以減小輸入阻抗，再在二者之間加入一個RC濾波器，濾波器的參數(shù)不知道如何計算？請問有相關(guān)資料嗎？（SAR一類的ADC到是很多）。本來想用Tina仿真，結(jié)果沒有spice模型。請問有模型嗎
2025-01-14 08:02:57
一般低速的ADC、DAC通過串行通信接口，比如SPI與處理器/DSP通信，但高速ADC、DAC與處理器之間是怎么通信的呢
2025-01-10 08:30:47
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，微處理器單元（MPU）和微控制器單元（MCU）扮演著至關(guān)重要的角色。它們是計算機和其他電子設(shè)備的核心，負責處理數(shù)據(jù)和執(zhí)行程序。盡管兩者在某些方面有相似之處，但它們在設(shè)計、功能
2025-01-08 09:25:412863
DAC7568芯片與C8051之間的接線如圖：但是由于MCU采用的是C8051F040芯片，其只有兩組“TX RX”串行通信接口，均用于他用了，那么與DAC7568通訊的“TX RX”是否可采用普通I/O呢？若采用普通I/O的話程序的編寫是否更加復雜？
2025-01-07 07:51:04
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論