目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:21
6033 
半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:185523 
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:022740 
在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:174418 
這幾種存儲器的共同特點(diǎn)其實(shí)是掉電后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失，所以可以歸類為非易失性存儲器(即Non-Volatile Memory)。SRAM、DRAM的共同特點(diǎn)是掉電后數(shù)據(jù)會丟失，所以也可稱為易失性
2012-01-06 22:58:43
1. 存儲器理解存儲器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
存儲器的分類存儲器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)，從不同的角度對存儲器可以做不同的分類。1、按存儲介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲器（又稱易失性存儲器）：體積小，功耗低，存取時(shí)間短，電源消失的時(shí)候，所存的信息也隨之消失。磁表面存儲器（...
2021-07-26 08:30:22
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設(shè)備掉電，存儲的信息自動(dòng)清除，而非易失性存儲器具有存儲時(shí)間長的功能。易失性存儲器主要指
2021-12-10 06:54:11
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易
失的
存儲器來運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問儲存
器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
從三個(gè)層面認(rèn)識SRAM存儲器
2021-01-05 07:09:10
為什么有的電子設(shè)備用eMMC存儲器 ？而有的用DDR存儲器呢？這兩者有什么區(qū)別嗎？
2021-06-18 06:13:25
半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
EVAL-AD5232SDZ，用于AD5232雙通道，256位，非易失性存儲器數(shù)字電位器的評估板。 AD5232具有多種可編程性，允許多種工作模式，包括RDAC和EEMEM寄存器中的讀/寫訪問，電阻的遞增/遞減
2020-04-01 09:01:26
的載體。因此各種IC卡的應(yīng)用特 點(diǎn)主要體現(xiàn)在IC卡存儲器的類型，存儲器容量的大小和卡片電路的附加控制功能等幾個(gè)方面。 在IC卡中使用的存儲器類型主要分為兩大類：易失性存儲器和非易失性存儲器?！ ∫?b class="flag-6" style="color: red">失
2020-12-25 14:50:34
如何在啟動(dòng)軟件時(shí)將信息存儲在非易失性存儲器中，以便在 COLD PORST 之后恢復(fù)？
2024-05-21 07:55:53
為什么要有系統(tǒng)調(diào)用？虛擬存儲的作用是什么？為什么虛擬存儲可以實(shí)現(xiàn)？寄存器和存儲器的區(qū)別在哪？
2021-09-29 08:22:56
常用存儲器存儲器的種類RAM存儲器非易失性存儲器存儲器的種類易失性存儲器： 掉電數(shù)據(jù)會丟失讀寫速度較快內(nèi)存非易失性存儲器：掉電數(shù)據(jù)不會丟失讀寫速度較慢機(jī)械硬盤RAM存儲器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢和劣勢：存儲器
2019-07-23 06:15:10
方便移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用.存儲器系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須支持增長的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比，被證實(shí)可以減少功耗。存儲器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計(jì)者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
單片機(jī)中數(shù)據(jù)存儲器片內(nèi)的地址是00--7FH，程序存儲器的片內(nèi)地址是0000H--0FFFH，請問這兩部分是不是有重疊？請具體詳解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類。易失性存儲器斷電后，里面存儲
2022-02-11 07:51:30
和閃存）結(jié)合起來。鐵電存儲器是一種特殊工藝的非易失性的存儲器，是采用人工合成的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲器結(jié)晶體。 FRAM的結(jié)構(gòu)FRAM記憶元件使用了鐵電膜（Ferroelectric film
2020-05-07 15:56:37
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
存儲器的分類及原理,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器,靜態(tài)隨機(jī)存儲器,只讀存儲器,其他存儲器和技術(shù).
2008-08-17 22:29:43
20 摘 要： 本文簡單介紹了鐵電存儲器、磁性隨機(jī)存儲器和相變存儲器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲器的原理、研究進(jìn)展及存在的問題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182972 
鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:505083 
非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機(jī)制
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電
2009-12-19 10:37:46946 
面向納電子時(shí)代的非易失性存儲器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28840 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機(jī)制
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和
2010-01-11 10:02:22883 非易失性存儲器的可配置性
隨著消費(fèi)者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應(yīng)用靈活性，開發(fā)人員對修改系統(tǒng)應(yīng)用功能的快捷性和簡便性要求越來越高
2010-05-12 09:56:061235 
本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲器做了一個(gè)簡單的介紹。
鐵電存儲器(FeRAM)
鐵電存儲器是一種在斷電時(shí)不會丟失內(nèi)容的非易
2010-08-31 10:50:592835 
Synopsys, Inc.宣布：即日起推出面向多種180納米工藝技術(shù)的DesignWare? AEON?非易失性存儲器(NVM)知識產(chǎn)權(quán)(IP)。
2011-06-29 09:04:281353 非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用需要寫
2011-09-07 16:33:051906 
本內(nèi)容提供了內(nèi)置易失性存儲器的數(shù)字電位計(jì)的各種型號參數(shù)知識，來方便大家選型
2011-12-12 15:24:4829 Ramtron宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲器。該16 kb器件的型號為FM25P16，是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲器，為對功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)開創(chuàng)了全新的機(jī)遇.
2012-02-07 09:00:551596 什么是F-RAM？ F-RAM：鐵電隨機(jī)存儲器。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電隨機(jī)存儲器（F-RAM）具有一些獨(dú)一無二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類：易失性和非易失性
2012-10-19 17:16:336821 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機(jī)制
2017-01-19 21:22:5414 汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ?，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確?？煽俊踩牟僮?，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲器，以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲信息。
2018-04-29 11:02:009047 
半導(dǎo)體存儲器可以簡單分成易失性存儲器和非易失性存儲器，易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）為主，非易失存儲器反而不斷有
2019-01-01 08:55:0013980 
非易失性存儲器是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失者的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
2018-12-23 13:31:0012754 非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-04-07 14:33:009495 存儲器范圍最大，它幾乎涵蓋了所有關(guān)于存儲的范疇。寄存器，內(nèi)存，都是存儲器里面的一種。凡是有存儲能力的硬件，都可以稱之為存儲器，這是自然，硬盤更加明顯了，它歸入外存儲器行列，由此可見——。
2019-07-22 09:11:3516095 高溫存儲器的詳解及推薦 存儲器根據(jù)不同的分類條件具有多種分類方式： 用途的不同可以分為內(nèi)存(主存儲器)和外存(輔助存儲器) 存儲介質(zhì)的不同可分為磁表面存儲器和半導(dǎo)體存儲器 存儲方式的不同可分為順序
2020-03-16 15:15:442000 高溫存儲器的詳解及推薦 存儲器根據(jù)不同的分類條件具有多種分類方式： 用途的不同可以分為內(nèi)存(主存儲器)和外存(輔助存儲器) 存儲介質(zhì)的不同可分為磁表面存儲器和半導(dǎo)體存儲器 存儲方式的不同可分為順序
2020-03-23 11:41:211477 新興的非易失性存儲器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機(jī)存取存儲器（FeRAM），磁性隨機(jī)存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:312446 良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級別進(jìn)行質(zhì)量控制測試。新興的非易失性存儲器技術(shù)的制造和測試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:161487 
新式存儲器技術(shù)隊(duì)伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技術(shù)、材料、設(shè)備等環(huán)節(jié)的關(guān)鍵突破，正邁向大規(guī)模量產(chǎn)的路上，眼前我們正處于見證存儲器歷史的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。新式存儲器可分為獨(dú)立型產(chǎn)品，以及嵌入于邏輯
2020-06-30 16:21:581550 只讀存儲器和隨機(jī)存儲器區(qū)別：作用不同、特點(diǎn)不同
2020-07-27 15:09:4318654 經(jīng)常有人將MRAM稱作是非易失性存儲器（NVRAM）未來的關(guān)鍵性技術(shù)。作為一項(xiàng)非易失性存儲器技術(shù)，MRAM存儲芯片是可以在掉電時(shí)保留數(shù)據(jù)并且不需要定期刷新。MRAM存儲芯片利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路
2020-09-24 16:19:431948 SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲提供了一個(gè)快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源（如電池）供電時(shí)，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲器存儲技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。 表1非易失性存儲器比較
2020-10-23 14:36:122146 
MKW Ventures的Mark Webb表示，在接下來的十年中，兩種新興的非易失性存儲器類型（相變存儲器和磁RAM）將在獨(dú)立存儲器中處于領(lǐng)先地位。
2020-11-24 15:29:163440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《非易失性NVSRAM存儲器的詳細(xì)講解.pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-25 11:12:0026 存儲器概況 存儲器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，主要是用來存放程序和數(shù)據(jù)。存儲器按存儲特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導(dǎo)體存儲器。 非易失性存儲器 非易失存儲器是指在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然
2020-12-07 14:26:136411 
MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲存儲器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端
2021-03-03 16:40:051534 一定空間用于存儲應(yīng)用代碼、非易失性數(shù)據(jù)和配置信息。 然而，問題在于非易失性存儲器技術(shù)不斷擴(kuò)展，選擇眾多，使選擇適合應(yīng)用的存儲器頗具挑戰(zhàn)性。 本文對各種存儲器技術(shù)進(jìn)行了介紹，并以O(shè)N Semiconductor、Adesto Technologies、Renesas、ISSI、
2021-05-19 17:22:423292 FRAM是一種非易失性存儲器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點(diǎn)。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281719 FM25V02A是使用高級鐵電工藝的256Kbit非易失性存儲器。FRAM是非易失性的；與RAM相同，它能夠執(zhí)行讀和寫操作。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留時(shí)間，并解決了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器造成的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性的問題。賽普拉斯代理英尚微電子提供技術(shù)相關(guān)支持。
2021-07-27 15:23:083324 所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設(shè)備掉電，存儲的信息自動(dòng)清除，而非易失性存儲器具有存儲時(shí)間長的功能。易失性存儲器主要指RAM，而RAM分為動(dòng)態(tài)RAM（
2021-11-26 19:36:0437 什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲器）是一種非易失性存儲器，它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機(jī)存取存儲器）的特性，具有寫入速度更快、讀/寫
2022-03-02 17:18:361780 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MCU片內(nèi)非易失性存儲器操作應(yīng)用筆記.zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-22 10:00:540 DRAM屬于易失性存儲器，也就是大家常說的內(nèi)存。今天，我們再來看看半導(dǎo)體存儲的另一個(gè)重要領(lǐng)域，也就是非易失性存儲器（也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD硬盤等）。
2022-10-13 09:24:132886 新興的存儲器涵蓋了廣泛的技術(shù)，但是需要注意的關(guān)鍵是MRAM，PCRAM和ReRAM。已經(jīng)有一些離散的MRAM器件問世了，但是有很多關(guān)于代工廠使用專用芯片構(gòu)建ASIC并用非易失性選項(xiàng)代替易失性存儲器的討論。這將是最大的推動(dòng)因素之一。
2022-11-25 14:23:33790 
在過去幾十年內(nèi)，易失性存儲器沒有特別大的變化，主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:464852 
的哈佛機(jī)器。MAXQ器件包含實(shí)現(xiàn)偽馮諾依曼架構(gòu)的硬件，允許方便地訪問代碼空間作為數(shù)據(jù)存儲器。這種額外的多功能性，結(jié)合MAXQ提供存儲器寫和擦除服務(wù)的實(shí)用功能，為完整的讀寫、非易失性存儲器子系統(tǒng)提供了背景。
2023-03-03 14:48:481335 
存儲器按存儲介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:433198 
FRAM是一種非易失性存儲器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點(diǎn)。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:561791 
ROM中存儲的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會丟失，因此也被稱為非易失性存儲器。而RAM是易失性存儲器，當(dāng)斷電時(shí)，其中的數(shù)據(jù)將會丟失。
2023-06-20 16:38:445292 易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時(shí)將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:282450 后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失存儲器（Volatile Memory），存儲內(nèi)容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲器的分類 * RAM
2023-07-12 17:01:132304 
Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:288172 半導(dǎo)體存儲器用于數(shù)據(jù)存儲。按照電源在關(guān)斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分，存儲器可分為非易失性存儲器 (Non-volatile Memory，NVM)和易失性存儲器 （volatile Memory
2023-11-16 09:14:062013 是Volatile RAM（易失性存儲器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲器），又稱
2024-01-12 17:27:154718 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，存儲器是不可或缺的核心部件，它負(fù)責(zé)存儲和處理各種數(shù)據(jù)和信息。根據(jù)存儲位置和功能的不同，存儲器可大致分為內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存）和外存儲器兩大類。這兩者雖然都是用于存儲數(shù)據(jù)，但在多個(gè)方面存在顯著的差異。本文將詳細(xì)探討內(nèi)存儲器與外存儲器的主要區(qū)別。
2024-05-22 18:16:329244 可編程只讀存儲器）和Flash存儲器是兩種常見的非易失性存儲器，它們具有各自的特點(diǎn)和應(yīng)用場景。本文將深入分析和比較EEPROM與Flash存儲器的原理、結(jié)構(gòu)、性能以及應(yīng)用，以期為讀者提供全面而深入的理解。
2024-05-23 16:35:3610922 存儲器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中用于存儲和讀取數(shù)據(jù)的硬件組件，根據(jù)存儲介質(zhì)和工作原理的不同，存儲器可以分為多種類型。本文將從易失性存儲器和非易失性存儲器兩大類別出發(fā)，詳細(xì)介紹幾種常見的存儲器類型及其特點(diǎn)。
2024-07-15 15:53:099018 這三種存儲器的共同特點(diǎn)。 非易失性存儲器 PROM、EPROM和EEPROM都是非易失性存儲器，即它們在斷電后仍然能夠保持存儲的數(shù)據(jù)。這是它們與其他類型的存儲器（如RAM）的主要區(qū)別。非易失性存儲器的優(yōu)點(diǎn)是可以在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)關(guān)閉后仍然保留數(shù)據(jù)，這對于需要
2024-08-05 16:56:512568 EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，電可擦可編程只讀存儲器）是一種非易失性存儲器，它在斷電后仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)。由于其可
2024-08-05 18:05:362709 非易失性存儲器，主要用于存儲固件、操作系統(tǒng)和其他重要數(shù)據(jù)。 存儲方式： RAM存儲器使用動(dòng)態(tài)存儲器（DRAM）或靜態(tài)存儲器（SRAM）來存儲數(shù)據(jù)。 ROM存儲器使用各種類型的非易失性存儲技術(shù)，如PROM
2024-08-06 09:17:482549 NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲器，具有多個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn)，這些優(yōu)點(diǎn)使其在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對NAND Flash優(yōu)點(diǎn)的詳細(xì)闡述，并簡要探討與其他類型存儲器的區(qū)別。
2024-08-20 10:24:441952 內(nèi)存儲器和外存儲器作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的兩大部分，它們在速度、容量、易失性、功能以及應(yīng)用場景等方面存在顯著差異。以下將詳細(xì)介紹這兩者之間的區(qū)別。
2024-08-22 14:57:0315779 非易失性存儲器（Non-Volatile Memory, NVM）是指即使在電源關(guān)閉或失去外部電源的情況下，仍能保持存儲數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)存儲器。這類存儲器在數(shù)據(jù)保存方面具有重要的應(yīng)用價(jià)值，特別是在需要長時(shí)間保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性的場合。
2024-09-10 14:44:453519 鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）與閃存（Flash）是兩種不同類型的非易失性存儲器，它們在工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場景等方面存在顯著的差異。
2024-09-29 15:25:324375 存儲器的類型，我們可以將其分為兩大類：易失性存儲器（Volatile Memory）和非易失性存儲器（Non-Volatile Memory）。 易失性存儲器 ：當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)，存儲在其中的數(shù)據(jù)會丟失。這類存儲器包括隨機(jī)存取存儲器（RAM）和緩存（Cache）。 非易失性
2024-10-10 15:42:331930 的存儲器技術(shù)如EPROM、EEPROM和Flash存儲器所取代。以下是PROM與其他存儲器的一些主要區(qū)別： 1. 可編程性 PROM ：PROM是一次性可編程的，意味著用戶只能編程一次，之后不能更改數(shù)據(jù)。 EPROM ：EPROM（可擦除可編程只讀存儲器）可以通過紫外線擦除，然
2024-11-23 11:18:462414 ? ? 非易失性存儲器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲裝置（存儲器），在沒有外部電源提供的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。 現(xiàn)今的計(jì)算機(jī)中央處理器（CPU：Central Processing Unit）中，直接、高速處理的數(shù)據(jù)通常保存在易失性存儲器中（
2025-02-13 12:42:142471 
非易失性存儲器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿足
2025-04-10 14:02:241340 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論