2016年下半年開(kāi)始了新一輪存儲(chǔ)芯片的旺季，DRAM內(nèi)存及NAND閃存的價(jià)格從那時(shí)候開(kāi)始瘋漲，今年已經(jīng)進(jìn)入第三個(gè)年頭了，不過(guò)情況也不一樣了DRAM內(nèi)存顆粒今年的漲價(jià)速度放緩到個(gè)位數(shù)，不過(guò)今年并沒(méi)有
2018-10-31 09:49:01
2463 據(jù)DigiTimes的消息人士報(bào)道，NAND閃存的整體價(jià)格將在2020年急劇上升。該報(bào)告來(lái)自存儲(chǔ)器芯片制造商的多個(gè)消息來(lái)源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。隨著價(jià)格的上漲
2020-01-06 11:15:334546 據(jù)業(yè)內(nèi)人士稱，由于高端智能手機(jī)的銷(xiāo)量疲軟，導(dǎo)致第三季度對(duì)NAND閃存的需求可能會(huì)弱于預(yù)期。 7月份NAND的價(jià)格下降了5%左右，并可能在8到9月份繼續(xù)下降。
2013-07-30 10:37:561189 由于在今年的購(gòu)物假期中消費(fèi)者購(gòu)買(mǎi)全新固態(tài)硬盤(pán)的需求不斷攀升，在接下來(lái)的數(shù)周甚至數(shù)月時(shí)間內(nèi)NAND閃存的價(jià)格可能將持續(xù)拉升。根據(jù)DRAMeXchange公布的最新報(bào)告，2016年第3季度NAND閃存全球總營(yíng)收同比增長(zhǎng)19.6%，究其原因是因?yàn)樵谠摷径仁褂?b class="flag-6" style="color: red">閃存的產(chǎn)品尤其是智能手機(jī)呈現(xiàn)了巨大的需求。
2016-12-05 16:28:10870 
在設(shè)計(jì)使用NAND閃存的系統(tǒng)時(shí)，選擇適當(dāng)?shù)奶匦云胶夥浅Ｖ匾?閃存控制器還必須足夠靈活，以進(jìn)行適當(dāng)?shù)臋?quán)衡。 選擇正確的閃存控制器對(duì)于確保閃存滿足產(chǎn)品要求至關(guān)重要。NAND閃存是一種大眾化
2020-12-03 13:52:283483 本文轉(zhuǎn)自公眾號(hào),歡迎關(guān)注 開(kāi)放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開(kāi)放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家
2023-06-21 17:36:3213703 
隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，NAND閃存和eMMC作為主流存儲(chǔ)介質(zhì)，其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因，并提供延長(zhǎng)使用壽命的實(shí)用方法。前言長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后出現(xiàn)NAND或者eMMC損壞，可能
2025-03-25 11:44:242594 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
nand有壞塊，系統(tǒng)會(huì)跳過(guò)不用，系統(tǒng)跳過(guò)不用的話，那會(huì)不會(huì)不夠用，如果我MTD給uboot只分配了256K，編譯出來(lái)的uboot有200K，剛好在uboot的范圍里有壞塊占了100K，只剩156，裝不下200K的uboot啊
2019-07-23 04:58:59
之前用過(guò)ESP8266，串口轉(zhuǎn)wifi芯片，發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速度受波特率限制即受串口速度限制，剛剛看到發(fā)燒友的ATK-RM04系列的wifi模塊，碰巧學(xué)習(xí)了SPI轉(zhuǎn)以太網(wǎng)模塊現(xiàn)在想用以太網(wǎng)轉(zhuǎn)成wifi，不知道RM04會(huì)不會(huì)受到速率限制？
2020-04-01 21:45:23
(CCxxx0_SFRX); halSpiStrobe(CCxxx0_SRX);Delay_ms(10); //等待接收到數(shù)據(jù)這樣的話，接收數(shù)據(jù)的過(guò)程和校準(zhǔn)的過(guò)程會(huì)不會(huì)沖突？就是在校準(zhǔn)的同時(shí)，會(huì)不會(huì)接收數(shù)據(jù)受到妨礙？
2019-09-12 10:55:03
NAND閃存介質(zhì)為主的一種存儲(chǔ)產(chǎn)品,應(yīng)用于筆記本電腦、臺(tái)式電腦、移動(dòng)終端、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)合.
NAND閃存類(lèi)型
按照每個(gè)單元可以存儲(chǔ)的位數(shù)，可以將NAND閃存類(lèi)型分為SLC、MLC
2025-01-15 18:15:53
大家好，STM32F103的FSMC，地址線只用到A10,A16,A17, 在進(jìn)行FSMC操作時(shí)，其他未用到的地址線，例如A1-A9等，不會(huì)受到影響吧？
2018-11-08 09:03:09
大家好，在我的項(xiàng)目中，它有一個(gè)覆蓋VL53L0x（約5厘米）以上。我想知道VL53L0x
不會(huì)受到什么樣的材料干擾。這意味著VL53L0x在其上方有蓋子時(shí)可以正常工作。非常感謝?；鹦?/div>
2019-04-12 15:17:53
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對(duì)內(nèi)存使用有一些疑問(wèn)： XIP 是否通過(guò) QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng)，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達(dá)6家族有廣泛的第三方SPI（高達(dá)x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺(tái)閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺(tái)，我當(dāng)時(shí)
2019-05-21 06:43:17
;#039;確認(rèn)各圖像的配置數(shù)據(jù)沒(méi)有異常。touchgfx在顯示畫(huà)面的時(shí)候會(huì)不會(huì)受到影響而產(chǎn)生這種噪音？如果有解決噪音的方法，請(qǐng)告訴我。的使用 cubemx，touchgfx480x272 RGB888使用內(nèi)存
2023-01-16 06:42:43
NAND
文章目錄
NAND
一、FLASH閃存是什么？
二、SD NAND Flash
三、STM32例程
一、FLASH閃存是什么？
簡(jiǎn)介
FLASH閃存是屬于內(nèi)存器件的一種，“Flash
2025-07-03 14:33:09
光耦的CTR值是什么？光耦的CTR值會(huì)受到哪些因素影響？怎樣去計(jì)算光耦的CTR值？
2021-10-14 06:47:10
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個(gè)鏈接器來(lái)構(gòu)建 .stldr？我走對(duì)路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)離ML403板支持的CFI兼容性，您無(wú)法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項(xiàng)目?jī)H限于Virtex 4平臺(tái)，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
即使未來(lái)的超閃存和高階RAM的容量增加，這些足跡會(huì)不會(huì)改變？ 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文Even if Future HyperFLASH and HyperRAM's capacites increase, will be these Footprint not changed?
2018-09-27 14:27:59
輸出電阻rds和互導(dǎo)gm都會(huì)受到輸出電壓vgs的影響，那么在mos場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)模型中，輸出電阻和互導(dǎo)是否會(huì)受到交流信號(hào)的影響不斷變化？
2023-04-28 14:32:13
鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開(kāi)發(fā)部門(mén)的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別，他表示鎂光今年年中將開(kāi)始批
2010-03-04 11:02:511566 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫(xiě)的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358955 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類(lèi)型，其中NAND型是專(zhuān)為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類(lèi)型的
2010-05-20 09:26:231244 
，同時(shí)按照業(yè)內(nèi)人士的說(shuō)法，NAND閃存的價(jià)格將繼續(xù)飆升，直至今年第四季度，所以在外界看來(lái)或許意味著 iPhone 7最終的零售價(jià)可能會(huì)因此而受到影響。
2016-08-18 10:01:45729 客戶經(jīng)常問(wèn)我：將磁鐵放在電感數(shù)字轉(zhuǎn)換器（LDC），如LDC1612等附近會(huì)產(chǎn)生什么樣的效果？不受直流磁場(chǎng)的影響對(duì)于安全關(guān)鍵系統(tǒng)以及必須具有防干擾功能的系統(tǒng)（如家庭安全系統(tǒng)）而言尤為重要。答案非常簡(jiǎn)單，就是窄帶LC傳感器不會(huì)受直流磁場(chǎng)的影響。
2017-04-08 08:10:001295 
今年Q1季度到Q2季度以來(lái)，NAND閃存價(jià)格一直在下滑，市場(chǎng)供需情況已經(jīng)變了，本來(lái)預(yù)計(jì)Q3季度會(huì)有蘋(píng)果新機(jī)拉貨導(dǎo)致的需求提升，藉此提振下NAND價(jià)格，不過(guò)現(xiàn)在來(lái)看這些廠商想的太樂(lè)觀了，Q3季度NAND閃存價(jià)格還會(huì)繼續(xù)下滑，這種情況持續(xù)下去，不排除2020年NAND市場(chǎng)大洗牌。
2018-07-17 11:58:001032 內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析，儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價(jià)格持續(xù)下探，但DRAM價(jià)格在服務(wù)器及移動(dòng)設(shè)備、車(chē)用等應(yīng)用多元下，價(jià)格將持穩(wěn)到年底。
2018-06-21 18:45:001187 DVEVM可以啟動(dòng)或（默認(rèn)），與非門(mén)，或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)（UART）。NOR 閃存提供了一個(gè)字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問(wèn)和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問(wèn)；然而，由于它的價(jià)格低，速度快，壽命長(zhǎng)，許多客戶想設(shè)計(jì)NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:57
9 2017年經(jīng)歷市況樂(lè)觀的一年后，NAND閃存（flash）市場(chǎng)在2018年將繼續(xù)明顯降溫。根據(jù)分析師表示，去年持續(xù)一整年的NAND組件短缺現(xiàn)象已經(jīng)轉(zhuǎn)為供過(guò)于求了，從而導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)走低。
2018-08-07 11:44:064257 
根據(jù)韓國(guó)媒體《BusinessKorea》的專(zhuān)文報(bào)導(dǎo)說(shuō)到，由于市場(chǎng)預(yù)測(cè)，半導(dǎo)體價(jià)格已達(dá)到高點(diǎn)并開(kāi)始下跌，未來(lái)韓國(guó)半導(dǎo)體出口價(jià)格將呈下降的趨勢(shì)。特別是NAND Flash快閃存儲(chǔ)器價(jià)格的下降，越來(lái)越有可能連帶影響DRAM價(jià)格下跌。
2018-08-15 10:45:033847 SSD的價(jià)格沒(méi)有最低，只有更低。據(jù)報(bào)道，產(chǎn)業(yè)鏈消息人士本周透露，NAND Flash閃存的價(jià)格在2019年將繼續(xù)下滑，雖然今年已經(jīng)累計(jì)榨干50%水分。此前的一份報(bào)道稱，2019年，SSD每GB的單價(jià)會(huì)跌至0.08美元（約合0.56元）。
2018-10-29 16:39:552765 從Q1季度之后，NAND閃存價(jià)格就止不住下滑了，主要原因是廠商的64/72層堆棧3D NAND閃存產(chǎn)能大增，而需求卻降下來(lái)了，智能手機(jī)市場(chǎng)已經(jīng)連續(xù)多個(gè)季度下滑，蘋(píng)果新機(jī)不如預(yù)期，英特爾CPU缺貨也
2018-11-20 10:14:14886 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類(lèi)型：?jiǎn)螌訂卧⊿LC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:242506 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類(lèi)型：?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:346335 
IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè)，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長(zhǎng)39％和38％。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01629 IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè)，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長(zhǎng)39％和38％。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。
2019-03-24 10:05:26867 
去年中國(guó)移動(dòng)表示，首批5G手機(jī)的價(jià)格將會(huì)在八千元左右，這個(gè)價(jià)格對(duì)于一般用戶而言確實(shí)不便宜。而從目前發(fā)布的5G手機(jī)價(jià)格來(lái)看，除了小米MIX3 5G略顯便宜之外，其他廠商的5G手機(jī)確實(shí)讓人難以接受。不過(guò)由于5G網(wǎng)絡(luò)的開(kāi)放時(shí)間并不會(huì)那么早，所以各家的5G手機(jī)也不會(huì)來(lái)的那么快。
2019-04-01 11:32:141332 據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè)，NAND閃存價(jià)格的大幅下滑將加速SSD存儲(chǔ)的采用，到今年底前PCIe/NVMe SSD可能將占據(jù)市場(chǎng)一半的份額。
2019-04-02 10:34:433210 根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）研究顯示，NAND閃存價(jià)格已經(jīng)連跌6個(gè)季度，今年NAND Flash產(chǎn)業(yè)明顯供過(guò)于求，SSD廠商大打價(jià)格戰(zhàn)導(dǎo)致PC OEM用SSD價(jià)格大跌，512GB/1TB價(jià)格年底有望創(chuàng)造歷史新低。
2019-05-13 16:24:072908 如果比特幣當(dāng)時(shí)有對(duì)外融資，一方面發(fā)展資金上得到補(bǔ)充，另一方面大家集思廣益，比特幣的開(kāi)發(fā)速度會(huì)不會(huì)更快？
2019-07-15 11:54:581050 隨著NAND Flash價(jià)格的連續(xù)走低，為了防止過(guò)量的NAND閃存供應(yīng)導(dǎo)致市場(chǎng)崩潰，三大NAND生產(chǎn)廠商、Intel、美光以及SK海力士已經(jīng)共同宣布將采取手段遏制供大于求的現(xiàn)狀，具體來(lái)講就是全方位
2019-10-12 10:01:221136 從去年初以來(lái)，全球NAND Flash閃存市場(chǎng)價(jià)格已經(jīng)連跌了6個(gè)季度，導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營(yíng)收及盈利不斷下滑，多家廠商還削減了產(chǎn)能，其中美光削減的NAND產(chǎn)能從之前的5％增加到了10
2019-11-14 15:58:53729 三星電子計(jì)劃將其NAND閃存價(jià)格提高10％，原因是日本政府對(duì)半導(dǎo)體材料出口限制導(dǎo)致生產(chǎn)中斷的擔(dān)憂日益增加。美光科技等其他公司也可能效仿。
2019-11-18 15:37:411013 Java語(yǔ)言的優(yōu)點(diǎn)集中在三個(gè)方面，其一是語(yǔ)言生態(tài)體系健全;其二是應(yīng)用場(chǎng)景眾多，是全場(chǎng)景開(kāi)發(fā)語(yǔ)言之一;其三是自身的擴(kuò)展性比較強(qiáng)，而且性能比較穩(wěn)定。
2019-12-26 15:32:532001 任何了解SD卡，USB閃存驅(qū)動(dòng)器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識(shí)的人都知道，控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:001103 
新年伊始，讓PC用戶們心情復(fù)雜的消息傳來(lái)，存儲(chǔ)業(yè)內(nèi)人士指出，NAND Flash閃存芯片的價(jià)格將在今年提高40%之多。
2020-01-02 16:01:161057 新年伊始，讓PC用戶們心情復(fù)雜的消息傳來(lái)，存儲(chǔ)業(yè)內(nèi)人士指出，NAND Flash閃存芯片的價(jià)格將在今年提高40%之多。
2020-01-02 16:30:183604 比特幣價(jià)格的上漲與正在爆發(fā)的疫情有關(guān)。
2020-02-04 16:25:542809 無(wú)論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時(shí)，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來(lái)講，NAND閃存可以說(shuō)已經(jīng)成為固態(tài)硬盤(pán)的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤(pán)的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0316738 
通常情況下，固態(tài)硬盤(pán)（SSD）的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類(lèi)型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:461284 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類(lèi)。
2020-09-18 14:34:528552 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專(zhuān)注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038 近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震，英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價(jià)格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472793 市場(chǎng)跟蹤數(shù)據(jù)顯示，DRAM和NAND閃存相關(guān)產(chǎn)品在10月份的價(jià)格暴跌，韓國(guó)科技媒體THE ELEC指出，出現(xiàn)這一現(xiàn)象的原因可能在于美國(guó)對(duì)華為的制裁生效。
2020-11-02 17:26:252697 樂(lè)觀，價(jià)格持續(xù)下可能影響 SK 海力士 90 億美元收購(gòu)英特爾 NAND 閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的交易。 從消息人士透露的情況來(lái)看，NAND 閃存價(jià)格下滑，主要是因?yàn)楣┙o過(guò)剩，數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商和服務(wù)器廠商已開(kāi)始調(diào)整庫(kù)存，加速 NAND 閃存價(jià)格在今年下半年下滑，供過(guò)于求的狀況可能
2020-11-03 15:08:332014 前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價(jià)格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士，業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:37:321877 SSD主控大廠SMI慧榮總經(jīng)理茍嘉章日前表示，NAND閃存價(jià)格已經(jīng)回到可控范圍內(nèi)，預(yù)計(jì)Q4現(xiàn)貨價(jià)頂多下滑4-5%。
2020-11-08 09:24:491877 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，從8月份開(kāi)始，外媒在報(bào)道中就多次提到全球范圍內(nèi)NAND閃存供應(yīng)過(guò)剩，價(jià)格將下滑，下滑的趨勢(shì)將持續(xù)到明年。 而研究機(jī)構(gòu)在最新的報(bào)告中預(yù)計(jì)，NAND閃存的平均銷(xiāo)售價(jià)格，在明年一季度將環(huán)
2020-12-15 18:04:461882 12 月 15 日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，從 8 月份開(kāi)始，外媒在報(bào)道中就多次提到全球范圍內(nèi) NAND 閃存供應(yīng)過(guò)剩，價(jià)格將下滑，下滑的趨勢(shì)將持續(xù)到明年。 而研究機(jī)構(gòu)在最新的報(bào)告中預(yù)計(jì)，NAND 閃存
2020-12-15 18:10:162393 12月15日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，從8月份開(kāi)始，外媒在報(bào)道中就多次提到全球范圍內(nèi)NAND閃存供應(yīng)過(guò)剩，價(jià)格將下滑，下滑的趨勢(shì)將持續(xù)到明年。
2020-12-16 09:09:022112 寫(xiě)入問(wèn)題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級(jí)應(yīng)用中的一個(gè)限制么？
2021-04-01 17:50:563783 時(shí)，西安累計(jì)陽(yáng)性感染者43例，在疫情封鎖的影響下，位于西安的三星工廠可能會(huì)受到一定程度上的影響。 三星西安的工廠是三星唯一的海外存儲(chǔ)芯片制造基地，每月加工25萬(wàn)片晶圓，NAND閃存產(chǎn)能總量的40%都由西安的工廠提供。 去年12月，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">疫情，三星
2022-04-18 16:18:592612 蘋(píng)果公司將長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YTMC）納入供應(yīng)商名單。蘋(píng)果與YTMC合作的目的是通過(guò)使供應(yīng)商多樣化來(lái)降低NAND閃存的價(jià)格。
2022-09-08 11:55:23995 本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化的NAND閃存設(shè)備接口，該接口提供了以下方法：用于設(shè)計(jì)支持一系列NAND閃存設(shè)備而無(wú)需直接設(shè)計(jì)的系統(tǒng)關(guān)聯(lián)前。該解決方案還提供了系統(tǒng)無(wú)縫利用的方法在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)可能不存在的新NAND設(shè)備。
2022-09-09 16:10:2416 NAND閃存芯片供應(yīng)商現(xiàn)在面臨四到五個(gè)月的庫(kù)存。今年下半年，芯片價(jià)格將迅速下降，季度價(jià)格降幅達(dá)到近20%。
2022-09-27 10:11:581213 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:112256 
圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí)，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨(dú)的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡(jiǎn)單地說(shuō)，沒(méi)有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:322425 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-11-30 15:00:433434 
我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁(yè)就類(lèi)似硬盤(pán)的扇區(qū)，硬盤(pán)的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:003694 據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫(kù)存緩慢，很難說(shuō)服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:241963 業(yè)內(nèi)人士說(shuō)：“nand閃存價(jià)格將比dram快反彈”，“nand閃存供應(yīng)商們的赤字繼續(xù)擴(kuò)大，因此銷(xiāo)售價(jià)格正在接近生產(chǎn)成本，供應(yīng)商們?yōu)榱司S持運(yùn)營(yíng)，擴(kuò)大減產(chǎn)，價(jià)格停止下跌，反彈率領(lǐng)的”。
2023-09-11 14:56:171222 
據(jù)消息人士透露，nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開(kāi)始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營(yíng)造有利的市場(chǎng)氛圍。存儲(chǔ)器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價(jià)格反彈的時(shí)間。
2023-09-20 10:19:501370 三星采取此舉的目的很明確，希望通過(guò)此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng)，穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格，并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:112284 但是，存儲(chǔ)芯片大企業(yè)的價(jià)格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報(bào)道說(shuō)，已經(jīng)從dram開(kāi)始的存儲(chǔ)器價(jià)格上升趨勢(shì)正在擴(kuò)大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:281359 三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過(guò)低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判，目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995 已證實(shí)，西部數(shù)據(jù)已向客戶發(fā)函，宣布將對(duì)NAND閃存及硬盤(pán)產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行調(diào)整。西部數(shù)據(jù)就產(chǎn)品供應(yīng)困難發(fā)表聲明，稱市場(chǎng)需求遠(yuǎn)超預(yù)期，導(dǎo)致供應(yīng)緊張，加劇了電子行業(yè)供應(yīng)鏈問(wèn)題。
2024-04-09 16:33:111359 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《棒形電感電感量小會(huì)不會(huì)影響使用.docx》資料免費(fèi)下載
2024-04-21 16:22:580 NAND閃存，又稱之為“NAND Flash”，是一種基于Flash存儲(chǔ)技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND閃存的定義、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展等幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
2024-08-10 15:57:1913061 NAND閃存和NOR閃存是兩種常見(jiàn)的閃存存儲(chǔ)器技術(shù)，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從技術(shù)原理、結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及發(fā)展趨勢(shì)等方面對(duì)兩者進(jìn)行詳細(xì)比較。
2024-08-10 16:14:277987 NAND閃存的發(fā)展歷程是一段充滿創(chuàng)新與突破的歷程，它自誕生以來(lái)就不斷推動(dòng)著存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步。以下是對(duì)NAND閃存發(fā)展歷程的詳細(xì)梳理，將全面且深入地介紹其關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)和重要進(jìn)展。
2024-08-10 16:32:583368 近期，DRAM和NAND存儲(chǔ)行業(yè)再次遭遇消費(fèi)者需求下滑的沖擊，導(dǎo)致存儲(chǔ)合約價(jià)格在短短一個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，DRAM價(jià)格尤其受到重創(chuàng)，近一個(gè)月內(nèi)下跌近20%。
2024-10-09 17:08:431189 在現(xiàn)代電子設(shè)備中，存儲(chǔ)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。隨著技術(shù)的發(fā)展，存儲(chǔ)解決方案也在不斷進(jìn)步，以滿足日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。EMMC（嵌入式多媒體卡）和
NAND閃存是兩種廣泛使用的存儲(chǔ)技術(shù)，它們?cè)?/div>
2024-12-25 09:37:204674 價(jià)格將出現(xiàn)暴跌。在這樣的市場(chǎng)環(huán)境下，三星電子面臨著巨大的壓力，難以維持過(guò)去那種壓倒性的生產(chǎn)力。 據(jù)報(bào)道，SK海力士正在積極增加NAND閃存的供應(yīng)規(guī)模，這無(wú)疑加劇了市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。面對(duì)如此激烈的競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境，三星電子不得不重新審視自身的生產(chǎn)策略
2025-01-14 14:21:24867 近日，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。 在DRAM方面，消費(fèi)者需求在春節(jié)過(guò)后依然沒(méi)有顯著回暖，市場(chǎng)呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢(shì)
2025-02-07 17:08:291018 TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告顯示，DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢(shì)。
2025-02-08 16:41:02930 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce近日對(duì)2025年NAND閃存價(jià)格走勢(shì)進(jìn)行了預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)全年價(jià)格將呈現(xiàn)V型波動(dòng)。 據(jù)TrendForce分析，2025年一季度，NAND閃存價(jià)格預(yù)計(jì)將下滑13%-18
2025-02-18 11:03:002821 已全部加載完成
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