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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>兆易創(chuàng)新推出國內(nèi)首款2Gb大容量高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品

兆易創(chuàng)新推出國內(nèi)首款2Gb大容量高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品

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創(chuàng)新攜三大產(chǎn)品線隆重亮相2020慕尼黑上海電子展

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創(chuàng)新推出國內(nèi)2Gb SPI NOR Flash產(chǎn)品

中國北京(2020 年7月3日) — 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商創(chuàng)新 GigaDevice(股票代碼 603986)今日宣布,隆重推出國內(nèi)容量高達 2Gb高性能 SPI NOR Flash
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國產(chǎn)超高速8通道SPI NOR Flash產(chǎn)品介紹

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推進新產(chǎn)品量產(chǎn)銷售,創(chuàng)新經(jīng)營業(yè)績保持穩(wěn)定增長

創(chuàng)新Flash產(chǎn)品,累計出貨量已經(jīng)超過130億顆,持續(xù)為市場提供高性能、大容量、低功耗、小尺寸等多樣化產(chǎn)品組合。報告期內(nèi),公司推出國內(nèi)容量高達2Gb、高性能的GD25/GD55 B/T/X系列產(chǎn)品
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創(chuàng)新一舉摘得第集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會兩項大獎

2020年第十五屆中國芯集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會暨中國芯優(yōu)秀產(chǎn)品征集結(jié)果發(fā)布儀式,在杭州拉開帷幕,IC PARK入園企業(yè)創(chuàng)新一舉摘得兩項大獎:旗下2Gb容量高性能SPI NOR Flash
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創(chuàng)新榮獲2020“中國芯”兩項大獎

今日,2020年第十五屆中國芯集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會暨中國芯優(yōu)秀產(chǎn)品征集結(jié)果發(fā)布儀式,在杭州拉開帷幕,創(chuàng)新一舉摘得兩項大獎:旗下2Gb容量高性能SPI NOR Flash GD55LB02GE
2020-10-30 18:03:522852

創(chuàng)新公布自研內(nèi)存進展:首發(fā)4Gb DDR3、明年上半年問世

2019年國內(nèi)的合肥長鑫推出了國產(chǎn)DDR4內(nèi)存,結(jié)束了國內(nèi)沒有DRAM芯片自產(chǎn)的日子,此后也有其他公司準備進軍內(nèi)存市場,比如創(chuàng)新。該公司日前透露了其內(nèi)存計劃,2021年上半年將推出4Gb
2020-11-03 11:13:592688

關(guān)于NOR Flash的幾大應(yīng)用領(lǐng)域淺析

NOR Flash和NAND FLASH是目前兩種主要的非失閃存技術(shù)。NAND FLASH具有“容量大、單位容量成本低”等特點是高數(shù)據(jù)存儲密度的理想解決方案。而NOR Flash“讀寫速度快、可靠性高、使用壽命長”,多用來存儲少量代碼。
2021-03-23 14:54:0515915

創(chuàng)新第五次斬獲“十大中國IC設(shè)計公司”獎

在“芯”光閃耀的2021中國IC設(shè)計成就獎頒獎典禮暨中國IC領(lǐng)袖峰會上,創(chuàng)新再次斬獲“十大中國IC設(shè)計公司”獎,這也是公司第五次獲此殊榮。同時,旗下2Gb容量高性能4通道 SPI NOR
2021-03-31 15:53:313229

NOR falsh、NAND flash、SDEMMC、QSPI flashSPI flash

1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線和地址線分開,可以實現(xiàn)ram一樣的隨機尋址功能,可以讀取任何一個字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線和地址線
2021-12-02 12:21:0630

創(chuàng)新GD5F全系列SPI NAND Flash通過AEC-Q100車規(guī)級認證,全面進入汽車應(yīng)用領(lǐng)域

 創(chuàng)新38nm GD5F SPI NAND Flash產(chǎn)品覆蓋1Gb~4Gb容量,滿足AEC-Q100標(biāo)準,兼具性能與成本優(yōu)勢,可為整車廠或者Tire1模組廠提供優(yōu)質(zhì)的車規(guī)級存儲方案.
2022-02-22 11:01:231619

創(chuàng)新全面進入汽車應(yīng)用領(lǐng)域 Holtek推出微控制器HT32F542xx系列

創(chuàng)新全面進入汽車應(yīng)用領(lǐng)域? 創(chuàng)新宣布其全國產(chǎn)化38nm SPI NAND Flash——GD5F全系列已通過AEC-Q100車規(guī)級認證。該系列包括GD5F1GQ5/GD5F2
2022-03-23 15:44:343476

創(chuàng)新推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

創(chuàng)新今天宣布,推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列,采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝,最大厚度僅為0.4mm,在如此緊湊、輕薄的空間內(nèi),其功耗、電壓
2022-07-20 15:10:051804

創(chuàng)新推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品

應(yīng)此需求,創(chuàng)新推出了GD25UF產(chǎn)品系列,該系列工作電壓可擴展至1.14~1.6V,具有單通道、雙通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式,支持不同容量選擇,能夠滿足智能設(shè)備所需的代碼存儲要求。
2022-08-19 10:21:181823

創(chuàng)新推出1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品GD25UF系列

創(chuàng)新今日宣布,推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25UF系列。該系列在數(shù)據(jù)傳輸速度、供電電壓、讀寫功耗等關(guān)鍵性能指標(biāo)上均達到國際領(lǐng)先水平,在針對智能可穿戴設(shè)備、健康監(jiān)測、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備或其它單電池供電的應(yīng)用中,能顯著降低運行功耗,有效延長設(shè)備的續(xù)航時間。
2022-08-19 17:22:422131

創(chuàng)新自研DDR3L產(chǎn)品——GDPxxxLM系列

創(chuàng)新推出的DDR3L GDPxxxLM系列產(chǎn)品采用長鑫存儲(CXMT)先進工藝制程,符合JEDEC標(biāo)準,讀寫速率為2133/1866 Mbps,容量2Gb/4Gb,支持1.5V和1.35V兩種電壓。
2022-09-08 10:20:371890

重點布局利基市場,創(chuàng)新推出DDR3L產(chǎn)品

( 2022 年 9 月 8 日) — 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布,推出公司自研DDR3L產(chǎn)品——GDPxxxLM系列,提供2Gb/4Gb
2022-09-08 13:58:021389

創(chuàng)新發(fā)布GD32A503系列車規(guī)級MCU

創(chuàng)新今日宣布,發(fā)布基于Cortex?-M33內(nèi)核的GD32A503系列車規(guī)級微控制器,正式進入車規(guī)級MCU市場。
2022-09-20 14:35:112815

創(chuàng)新DDR3L GDPxxxLM系列產(chǎn)品采用長鑫存儲(CXMT)先進制程

,在各細分領(lǐng)域力尋突破口。 創(chuàng)新推出自研DDR3L產(chǎn)品——GDPxxxLM系列,提供2Gb/4Gb不同容量選擇,GDPxxxLM系列符合JEDEC標(biāo)準,讀寫速率為2133/1866 Mbps
2022-10-13 17:55:534785

創(chuàng)新:基于GD SPI NOR Flash的TWS耳機方案

新的變化:需要更高品質(zhì)和穩(wěn)定性;容量不斷提升;功耗和尺寸不斷降低。 方案優(yōu)勢 可提供更全面的全球化服務(wù); 具有業(yè)內(nèi)最全的NOR Flash產(chǎn)品系列; 針對低功耗應(yīng)用,推出了GD25LE/GD25WX/GD25UF等產(chǎn)品系列,GD25LE是針對穿戴市場推出產(chǎn)品系列,相比GD25LQ通用產(chǎn)品系列
2023-02-07 12:00:221719

AN017 基于Jlink燒錄文件到SPI Nor Flash的方法

AN017 基于Jlink燒錄文件到SPI Nor Flash的方法
2023-02-27 18:21:340

一文了解SPI NAND FlashSPI NOR Flash的區(qū)別

在嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域,作為存儲設(shè)備的NOR Flash和NAND Flash,大家應(yīng)該不陌生。早期NOR Flash的接口是并行口的形式,也就是把數(shù)據(jù)線,地址線并排設(shè)置在IC的管腳中。但是由于不同容量
2023-03-06 09:49:179263

創(chuàng)新存儲產(chǎn)品全球累計出貨量已達1億顆

創(chuàng)新自2015年開始布局汽車電子領(lǐng)域,并在2019年和2022年陸續(xù)完成了GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPI NAND Flash容量AEC-Q100車規(guī)級認證,經(jīng)過長期的技術(shù)沉淀和積累。
2023-04-12 14:47:03665

創(chuàng)新推出GD32H737/757/759系列Cortex?-M7內(nèi)核超高性能MCU

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商創(chuàng)新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布,正式推出中國基于Arm Cortex-M7內(nèi)核的GD32H737/757/759系列超高性能微控制器。
2023-05-11 11:16:122734

TWS藍牙耳機SPI NOR Flash

近年來,在物聯(lián)網(wǎng)和消費電子產(chǎn)品的需求下,特別是在各種新興應(yīng)用的推動下,NOR?Flash迎來了低谷翻轉(zhuǎn)的機遇。不僅中高容量價格穩(wěn)定,而且低容量NOR?Flash價格的下降也大大縮小。特別是在TWS
2023-07-31 14:33:101492

國產(chǎn)8MB SPI Nor Flash GT25Q80A

聚辰半導(dǎo)體推出SPI NOR Flash產(chǎn)品,可以覆蓋從消費級,到工業(yè)級,直至汽車級的所有應(yīng)用,產(chǎn)品在可靠性,功耗,溫度和速度等關(guān)鍵性能指標(biāo)方面達到國內(nèi)外前沿水準。
2023-07-31 16:34:011443

創(chuàng)新車規(guī)級存儲產(chǎn)品累計出貨量已達1億顆

? ? 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)今日宣布,搭載了創(chuàng)新GD25F128F車規(guī)級SPI NOR Flash的明然科技國產(chǎn)化主動懸架控制器
2023-11-01 14:43:531594

創(chuàng)新:前沿存儲技術(shù)與開創(chuàng)性Flash解決方案引領(lǐng)行業(yè)變革

起初,創(chuàng)新的重點主要集中在NOR Flash上,但隨著技術(shù)的演進和市場的變化,其產(chǎn)品線逐漸從NOR擴展到了NAND Flash,提供了從小容量到8GB的豐富選擇,以滿足各種應(yīng)用場景的需求。
2023-11-12 11:29:112082

創(chuàng)新推出中國基于Arm? Cortex?-M7內(nèi)核的超高性能微控制器

2023年5月11日,業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商創(chuàng)新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布,正式推出中國基于Arm? Cortex?-M7內(nèi)核的GD32H737/757/759系列超高性能微控制器。
2024-03-04 10:42:524458

弘宇二代大容量NOR Flash進入流片,助推智能化設(shè)

據(jù)供應(yīng)鏈透露,中天弘宇的新產(chǎn)品將采用28nm制程,單個顆粒的設(shè)計存儲容量將達至2GB以上,相較之下,業(yè)界現(xiàn)行最高水平只有512MB。這標(biāo)志著該公司是否能夠運用“二次電子倍增注入浮柵”原理突破NOR Flash工藝限制,將在這一代產(chǎn)品中得到驗證。
2024-04-22 09:52:491485

佰維存儲推出自研工規(guī)級寬溫SPI NOR Flash產(chǎn)品—TGN298系列

近日,佰維存儲(股票代碼:688525)推出了自研工規(guī)級寬溫SPI NOR Flash產(chǎn)品——TGN298系列。
2024-05-16 10:09:531317

佰維存儲推出自研工規(guī)級寬溫SPI NOR Flash產(chǎn)品TGN298系列

近日,佰維存儲宣布推出全新自研工規(guī)級寬溫SPI NOR Flash產(chǎn)品——TGN298系列。這款高性能產(chǎn)品以其卓越的技術(shù)指標(biāo)和廣泛的應(yīng)用前景,再次證明了佰維存儲在存儲領(lǐng)域的創(chuàng)新能力。
2024-05-16 14:47:481365

創(chuàng)新80余款創(chuàng)新方案亮相2024慕尼黑上海電子展

國內(nèi)“MCU+Flash”技術(shù)優(yōu)勢雙第一,創(chuàng)新重點展品一探究竟! 作為中國高性能通用微控制器領(lǐng)域的領(lǐng)跑者,創(chuàng)新GD32 MCU已提供超過51個系列、600+款型號選擇,累計出貨量超15.7億
2024-07-17 09:28:311465

物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)存儲方案詳解_SPI NOR Flash

物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中為什么要使用SPI NOR FLASH 物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中使用SPI NOR FLASH的原因主要基于其獨特的性能特點和在嵌入式系統(tǒng)中的廣泛應(yīng)用。以下是詳細的分析: 1、高可靠性與低時延
2024-09-24 14:39:481805

創(chuàng)新重磅發(fā)布兩MCU新品

發(fā)布會中,創(chuàng)新展現(xiàn)了其在工業(yè)自動化、數(shù)字能源等領(lǐng)域的最新成果,不僅重磅揭幕了兩MCU新品——EtherCAT從站控制芯片和GD32G5系列Cortex-M33內(nèi)核的高性能MCU,還同步推出一系列搭載
2024-11-13 17:27:031990

創(chuàng)新車規(guī)閃存芯片GD25/55LX系列榮獲高工智能汽車“年度產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新獎”

近日,2024年(第八屆)高工智能汽車年會暨年度金球獎評選頒獎典禮在上海舉行。創(chuàng)新旗下超高速8通道車規(guī)閃存芯片GD25/55LX系列SPI NOR Flash以優(yōu)異的產(chǎn)品性能和廣泛的市場覆蓋榮膺
2024-12-24 18:28:482212

創(chuàng)新榮獲智能汽車“年度產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新獎”

NOR Flash的卓越表現(xiàn),成功斬獲了中國市場智能汽車產(chǎn)業(yè)鏈“年度產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新獎”。 這一殊榮不僅彰顯了創(chuàng)新在智能汽車領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新實力,更體現(xiàn)了其產(chǎn)品在市場上的廣泛認可和深遠影響。GD25/55LX系列SPI NOR Flash憑借優(yōu)異的產(chǎn)品性能,為智能汽車提供了穩(wěn)定、
2025-01-02 13:53:48895

創(chuàng)新GD25NE系列SPI NOR Flash:專為1.2V SoC打造,雙電壓供電助力讀功耗減半

創(chuàng)新最新推出專為1.2V SoC應(yīng)用打造的雙電壓供電SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25NE系列。 該系列產(chǎn)品無需借助外部升壓電路即可與下一代1.2V SoC實現(xiàn)無縫兼容,此產(chǎn)品的面世將
2025-03-12 09:11:001167

AMEYA360:創(chuàng)新推出GD25NE系列SPI NOR Flash

創(chuàng)新 今日宣布推出專為1.2V SoC應(yīng)用打造的雙電壓供電SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25NE系列。該系列產(chǎn)品無需借助外部升壓電路即可與下一代1.2V SoC實現(xiàn)無縫兼容,此產(chǎn)品的面世
2025-03-12 16:03:21833

創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

今日,創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash,該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理(BBM)功能,可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、受壞塊
2025-04-16 13:50:011168

創(chuàng)新Flash存儲技術(shù)賦能AI IPC產(chǎn)業(yè)升級

在AIoT技術(shù)快速演進的時代背景下,AI IPC行業(yè)正在經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。作為中國存儲芯片行業(yè)的領(lǐng)軍者,創(chuàng)新憑借其在NOR/NAND Flash領(lǐng)域二十年的技術(shù)沉淀和持續(xù)創(chuàng)新,正為AI
2025-07-14 09:40:521908

SPI NOR FLASH是什么,與SPI NAND Flash的區(qū)別

SPI NOR FLASH是什么? ? SPI NOR FLASH是一種非易失性存儲器,它通過串行接口進行數(shù)據(jù)傳輸,具有讀寫速度快、可靠性高、體積小等優(yōu)點。它采用類似SRAM的存儲方式,每個存儲單元
2025-08-21 09:26:001270

創(chuàng)新亮相第26屆中國國際光電博覽會

今日,創(chuàng)新(GigaDevice)亮相于深圳國際會展中心舉辦的第26屆中國國際光電博覽會(展位號:12C12),全面展示GD25 SPI NOR Flash、GD32 MCU等產(chǎn)品組合在光模塊領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用方案,集中體現(xiàn)公司在高速光通信行業(yè)的技術(shù)優(yōu)勢。
2025-09-10 17:52:40783

創(chuàng)新NOR FLASH定義車載導(dǎo)航系統(tǒng)存儲新標(biāo)準?

創(chuàng)新NOR Flash以其高速讀取、車規(guī)級可靠性和XIP技術(shù),為車載導(dǎo)航系統(tǒng)提供快速啟動、實時數(shù)據(jù)存儲和完整路徑規(guī)劃支持,顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)速度和數(shù)據(jù)安全性。
2025-09-23 09:22:003759

創(chuàng)新榮獲2025“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品

11月14日,創(chuàng)新(GigaDevice)新一代GD5F1GM9 SPI NAND Flash產(chǎn)品在2025年“中國芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會暨第二十屆“中國芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集活動發(fā)布儀式上,榮獲“優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品”獎。這一獎項充分肯定了創(chuàng)新在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)實力與創(chuàng)新能力。
2025-11-19 11:00:38475

高性能SPI NOR FLASH芯片ZB25VQ系列推薦

在嵌入式系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備及各類存儲應(yīng)用中,SPI NOR FLASH芯片因其接口簡單、功耗低、讀寫速度快等特點,成為代碼存儲與數(shù)據(jù)緩存的常見選擇。SPI NOR FLASH是一種基于SPI(串行外設(shè)
2025-12-01 14:52:03352

Infineon SEMPER NOR Flash與HYPERRAM? 2.0 Gen2 Flash+RAM MCP產(chǎn)品解析

啟動代碼,用RAM進行暫存擴展內(nèi)存。英飛凌(Infineon)推出Flash+RAM多芯片封裝(MCP)Gen 2產(chǎn)品,將SEMPER? NOR Flash和HYPERRAM? 2.0集成在一個封裝中
2025-12-20 16:20:021045

國產(chǎn)SPI NOR Flash接口閃存介紹

在當(dāng)今各類電子設(shè)備對存儲性能要求日益提升的背景下,SPI NOR Flash憑借其高速讀取、低功耗及靈活接口等優(yōu)勢,成為嵌入式系統(tǒng)代碼存儲的關(guān)鍵元件。GT25Q系列SPI NOR Flash采用先進
2025-12-26 11:51:49154

高性能SPI接口的NOR FLASH存儲器ZB25D80B

英尚代理的恒爍半導(dǎo)體NOR FLASH存儲器,具備通用SPI接口,覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項,為各類嵌入式系統(tǒng)提供可靠的非失性存儲支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環(huán)境的ZB25LD
2026-01-05 16:11:0163

國內(nèi)NOR Flash市場最新動向?。ǜ綇S商列表)

就開始出現(xiàn)供貨反轉(zhuǎn),整個市場供不應(yīng)求,也因此從2019年四季度開始因供需原因?qū)е聝r格上漲。 國內(nèi)NOR Flash龍頭廠商創(chuàng)新4月7日表示,目前這個趨勢依然沒有變化,整體來看,NOR Flash產(chǎn)品還是供不應(yīng)求,創(chuàng)新的部分產(chǎn)品暫時也還無法完全滿足客戶的訂單需求。 中國臺灣地
2020-05-02 08:30:0033700

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