NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:23
1905 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步擴展其EXCELON? F-RAM存儲器產(chǎn)品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲密度的新型F-RAM存儲器。全新
2023-08-09 14:32:40399 
questions regarding the reliability of F-RAM memories and what software needs to take into consideration.
2018-11-02 14:27:34
F-RAM存儲技術(shù)是怎樣進入汽車核心應(yīng)用領(lǐng)域的？
2021-05-13 06:29:08
[ZZ]EEPROM和FLASH，NAND FLASH和NOR FLASH的區(qū)別
2021-01-06 07:22:56
1、NAND Flash 和 NOR Flash區(qū)別2、串行通信的優(yōu)點3、三、五級流水線4、LDMIA R0! , {R1-R4}的尋址方式5、大小端存儲6、合法立即數(shù)7、STMDB R10
2021-07-16 07:23:16
NAND 比NOR 便宜；NAND 的容量比NOR 大（指相同成本）；NAND 的擦寫次數(shù)是NOR 的十倍；NAND 的擦除和寫入速度比NOR 快，讀取速度比NOR 稍慢；1、NAND 和NOR
2021-12-23 06:52:55
NAND和NOR flash的區(qū)別
2012-08-09 14:17:12
Flash的原理是什么？Flash主要有哪幾種？NOR Flash與NAND Flash有何不同？
2021-10-22 08:47:25
NOR Flash 和 NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR Flash 技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM(Electrically
2021-07-22 08:16:03
1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實現(xiàn)ram一樣的隨機尋址功能，可以讀取任何一個字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線和地址線
2022-01-26 06:36:43
?；径际怯玫?b class="flag-6" style="color: red">NOR flash或者 NAND flash。這個東西是怎么能夠把程序存下來的呢？引起了我們的思考。這種電子產(chǎn)品，一般通過電子的流動來工作，但是當(dāng)電沒有了，機器也就無法保持原來的狀態(tài)，數(shù)據(jù)也就
2018-07-17 15:02:30
（NOR Flash與NAND Flash連接線）：NOR Flash與主控芯片的連接線分為數(shù)據(jù)線和地址線，所以可以隨時訪問任意地址。而NAND Flash與主控芯片的連接線只有一種，所以此線是復(fù)用...
2021-07-22 09:26:53
韋老師講NOR啟動、NAND啟動時，NOR啟動，nor地位0，SRAM為0x4000,0000，SDRAM 0x3000,0000 這些數(shù)據(jù)是什么意思，這些地址是怎么來的？比如說我以后用的不是
2019-05-06 09:21:48
第8課第2節(jié)說NOR啟動，NOR Flash基地址為0，片內(nèi)RAM地址為0x40000000，這里RAM地址為什么是0x40000000？第8課第7節(jié)說NOR啟動，設(shè)置棧地址為0x40000000+4096，在4KRAM的頂部，為什么是4096不是0？
2019-04-23 03:12:33
本帖最后由 Mr_RMS 于 2018-3-12 10:34 編輯
nor flash啟動與nand flash啟動的區(qū)別1)接口區(qū)別：NOR FLASH地址線和數(shù)據(jù)線分開，來了地址和控制信號
2018-03-12 10:19:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:52 編輯
NOR和NAND flash的區(qū)別
2012-08-09 09:15:10
NOR＋RAM的設(shè)計。NOR閃存的不足之處是存儲密度較低，所以也有采用NAND＋RAM的設(shè)計。對于這兩種方案，很難說哪一種更好，因為我們不能離開具體的產(chǎn)品而從某一個方面單純地去評價。追求小巧優(yōu)雅的手機將需要NOR
2013-04-02 23:02:03
RAM中。由于NOR的這個特點，嵌入式系統(tǒng)中經(jīng)常將NOR芯片做啟動芯片使用。而NAND共用地址和數(shù)據(jù)總線，需要額外聯(lián)結(jié)一些控制的輸入輸出，所以直接將NAND芯片做啟動芯片比較難。 4) N AN D
2014-04-23 18:24:52
: S3C2400A芯片問題發(fā)生描述:視頻中老師講到Nor啟動還有Nand啟動，涉及到的SRAM地址是不一樣的，Nor啟動和Nand啟動指定的SRAM是同一塊嗎？若是同一塊，為什么SRAM的地址會變，不是固定的嗎？ 是因為片內(nèi)SRAM接的地址總線隨著Nor或者Nand啟動，發(fā)生變化了，所以SRAM的地址不同嗎？
2019-04-09 07:45:01
用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲密度的理想解決方案。NOR是現(xiàn)在市場上主要的非易失閃存技術(shù)。NOR一般只用來存儲少量的代碼；NOR主要應(yīng)用在代碼存儲介質(zhì)中。NOR
2018-08-09 10:37:07
各位專家好！我在做C6678的 NAND&NOR boot ，根據(jù)說明燒寫完eeprom IBL和NOR、NAND flash代碼后，選擇NAND Boot:Set the dip
2018-08-06 06:37:35
“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因為大多數(shù)情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲密度的理想
2015-11-04 10:09:56
讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產(chǎn)品的首款器件FM25V10，是1兆位 （Mb）、2.0至3.6V、具有串行外設(shè)接口 
2008-10-08 09:23:16
Flash按照內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)的不同，可以分為哪幾種？Nor Flash 和Nand Flash有什么區(qū)別？SPI NAND Flash和SPI NOR Flash的區(qū)別在哪里？
2021-06-18 08:46:32
幾乎所有微控制器都使用內(nèi)部 NOR 閃存作為隨機存取指令或數(shù)據(jù)存儲器。NAND 內(nèi)存是從起始頁面地址開始的順序訪問，不支持直接獲取指令（必須先將內(nèi)容復(fù)制到 RAM）。這是閃存架構(gòu)的根本區(qū)別。我不記得 ST 明確聲明內(nèi)部閃存是基于 NOR 的，但這等同于聲明 ST 控制器使用基于半導(dǎo)體的門來實現(xiàn)邏輯。
2023-01-31 07:34:49
我在其他帖子中讀到，RAM 擴展在 SPC 線路 MCU 中是不可能的。但是STM32F429呢？根據(jù)數(shù)據(jù)表 ( https://www.st.com/resource/en/datasheet
2023-01-04 06:10:10
如題，本人想玩下STM32對NAND FLASH ,NOR FLASH ,SRAM的訪問，來熟悉這些器件的應(yīng)用，不知這里有哪位大俠用STM32玩過這些,可以交流交流。。。
2020-05-25 20:04:22
之處，因為大多數(shù)情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲密度的理想解決方案。) NOR是現(xiàn)在市場上主要的非易失閃存技術(shù)。NOR一般只用來存儲少量的代碼
2013-01-04 00:20:57
各位大俠遇到的問題是這樣的，開發(fā)板配套的裸機程序全部是在nand中運行的 究其原因，是由于sp指針指向4000這個地址。 如果是nor啟動 這個地址是nor內(nèi)部的編址，所以不能在nor中運行 后來我
2019-08-20 02:33:06
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
，降低了成本。
flash 分為 nor flash 和 nand flash：
nor flash 數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實現(xiàn)ram一樣的隨機尋址功能，可以讀取任何一個字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦
2023-05-19 15:59:37
存儲設(shè)備中。NAND Flash和NOR Flash是目前市場上兩種主要的非易失閃存芯片。與NOR F1ash相比，NAND Flash在容量、功耗、使用壽命等方面的優(yōu)勢使其成為高數(shù)據(jù)存儲密度的理想
2019-07-19 07:15:07
我們在PSoC? Creator 中有一個 PSoC6 項目，并希望將 QSPI F-RAM?存儲器添加到TDA5235_868_5_BOARD中。我很難找到如何在F-RAM? PSoC
2024-03-01 12:14:13
NAND 閃存的缺點在于讀速度較慢，它的I/O 端口只有8 個，比 NOR 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個I/O 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 NOR 閃存的并行傳輸模式慢得
2018-06-14 14:34:31
上的內(nèi)容被修改了, 它對應(yīng)ram, 這就是nand啟動* 否則就是nor啟動*/mov r1, #0ldr r0, [r1] /* 讀出原來的值備份 */str r1, [r1] /* 0->
2019-04-18 06:26:29
，否則速率很慢；燒寫Nand Flash只是從理論上能夠達(dá)到，但是還沒有人直接實現(xiàn)這點。本文使用一個間接的方法來實現(xiàn)對S3C2410、S3C2440開發(fā)板的Nor、Nand Flash的燒寫。原理為
2009-03-27 09:51:32
我正在學(xué)習(xí)韋老師的1期加強版linux,在學(xué)到初始化clk時，發(fā)現(xiàn)把clk設(shè)置成FCLK=400M，HCLK=100,PCLK=50M后，依次點燈程式為什么在Nor上工作不了，可在NAND的上可以
2019-05-08 07:04:45
在Flash閃存內(nèi)運行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR 的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響到它的性能。NAND的結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度
2022-06-16 17:22:00
據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的發(fā)展，閃存技術(shù)的特性使其相對于許多計算機技術(shù)而言發(fā)展得更迅猛。 Flash按照內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)的不同，可以分為兩種：Nor Flash和Nand Flash。Nor Flash
2023-02-17 14:06:29
flash 是一種XIP 器件，但是為什么還需要搬移到內(nèi)部RAM？那么NAND flash 的boot 與NOR flash 還有什么區(qū)別嗎？ 期待您的回答......
2018-12-24 14:28:33
請問F2812內(nèi)部的flash是nor flash還是NAND flash？NOR Flash的數(shù)據(jù)寫入的速度是多少，寫1M數(shù)據(jù)要多少時間？再就是如果外擴flash的話，選擇nor flash 還是nand flash好一些呢?
2018-11-14 10:55:47
請問nand flash和nor flash有什么不同？
2020-11-05 08:03:50
本文件涵蓋了F-RAM在汽車應(yīng)用上的很多應(yīng)用實例，包括安全氣囊、遠(yuǎn)程信息處理技術(shù)、娛樂和控制系統(tǒng)
2010-08-09 11:33:19
35
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01183 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988
2010-11-03 16:40:29112 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了
2006-04-17 20:48:523069 nand nor flash區(qū)別
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:231163 FM25V10 新型F-RAM系列產(chǎn)品,具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體
2008-09-23 08:45:122634 FM28V020 推出V系列并口256Kb F-RAM器件
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器(F-RAM) 和集成半導(dǎo)
2009-08-18 11:58:321555 From M-system公司Arie TAL NAND和NOR的比較
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年
2009-09-13 14:07:371002 F-RAM與BBSRAM功能和系統(tǒng)設(shè)計之比較
引言
高性能和環(huán)保是當(dāng)前技術(shù)創(chuàng)新的兩大要求。二者共同推動半導(dǎo)體元器件的發(fā)展，同時也為全球眾多企業(yè)和消費者所
2010-03-03 16:29:431448 
NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 宣布，
2010-12-20 09:02:481087 Ramtron宣布提供全新4至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預(yù)認(rèn)證樣片，新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國晶圓供應(yīng)商的鐵電存儲器工藝制造，具有1萬次 (1e12)的讀/寫循環(huán)、低功耗和無延遲
2011-10-27 09:34:131244 低能耗半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron與日本ROHM簽署了製造和授權(quán)許可合作協(xié)定，根據(jù)這項長期協(xié)定，ROHM公司將在其成熟的F-RAM生產(chǎn)線上為Ramtron公司製造基于F-RAM技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品
2012-08-08 09:54:52753 世界領(lǐng)先隨機存取存儲器（F-RAM）和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron宣布，現(xiàn)已提供可與飛思卡爾半導(dǎo)體公司廣受歡迎的Tower System開發(fā)平臺共用的全新F-RAM存儲器模塊。
2012-10-08 14:31:23930 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 ：什么是F-RAM？F-RAM：鐵電隨機存儲器。 相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電隨機存儲器（F-RAM）具有一些獨一無二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲器可以分
2012-10-19 11:25:353151 
什么是F-RAM？ F-RAM：鐵電隨機存儲器。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電隨機存儲器（F-RAM）具有一些獨一無二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類：易失性和非易失性
2012-10-19 17:16:334704 賽普拉斯的F-RAM是業(yè)內(nèi)能效最高的NVRAM技術(shù)，具有近乎無限的100萬億次讀寫耐久性。F-RAM 存儲單元中的鐵電材料可抵御由輻射或磁場導(dǎo)致的數(shù)據(jù)損壞，因此可為醫(yī)療、航天和國防應(yīng)用提供軟錯誤免疫能力。
2016-01-25 10:52:431330 A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes similar to a RAM
2017-09-12 15:26:478 A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes similar to a RAM.
2017-09-12 15:33:1110 A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes similar to a RAM.
2017-09-12 15:35:5317 A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes similar to a RAM.
2017-09-14 11:26:2518 The FM28V202A is a 128 K × 16 nonvolatile memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile
2017-09-14 11:29:227 The FM28V102A is a 64 K × 16 nonvolatile memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile,
2017-09-14 11:32:150 A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes similar to a RAM.
2017-09-14 11:36:4446 The FM16W08 is a 8 K × 8 nonvolatile memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile
2017-09-14 11:43:0513 內(nèi)存SRAM-NOR-NAND資料匯總（附程序及原理圖）
2017-11-29 17:49:5012 要解答這個問題，首先要從Nand flash本身的結(jié)構(gòu)說起。Nand flash的結(jié)構(gòu)和RAM不一樣，它的數(shù)據(jù)線是復(fù)用的，內(nèi)與足夠的地址線用來尋址，對于它的數(shù)據(jù)存取通常是以塊為單位。這一點跟Nor
2017-12-21 18:14:247371 ，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。
2018-04-09 15:45:33109972 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。
2018-09-18 15:10:169544 
NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡單，NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價格。
2018-10-07 15:41:0023547 ramtron international corporation宣布推出新型f-ram系列中的首款產(chǎn)品，具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性。
2019-01-01 15:48:002405 在NOR和NAND閃存中，存儲器被組織成擦除塊。該架構(gòu)有助于在保持性能的同時保持較低的成本，例如，較小的塊尺寸可以實現(xiàn)更快的擦除周期。然而，較小塊的缺點是芯片面積和存儲器成本增加。由于每比特成本較低，與NOR閃存相比，NAND閃存可以更經(jīng)濟高效地支持更小的擦除塊。
2019-08-29 17:26:2912636 
非揮發(fā)性快閃存儲器大廠旺宏董事長表示，近期NOR Flash價格持穩(wěn)，看好5G基地臺及終端設(shè)備將會采用更多高容量NOR Flash。旺宏在SLC NAND Flash市場開始擴大出貨，19納米
2019-11-12 14:16:061465 Ramtron International公司近日宣布推出采用精簡的FBGA封裝的4M F-RAM存儲器FM22LD16。FM22LD16是一個容量為4M，3V工作電壓，并行非易失性RAM，48
2020-08-30 10:09:01677 。NAND Flash讀/寫操作采用512或2048字節(jié)的頁。 NOR Flash是并行訪問，Nand Flash是串行訪問，所以相對來
2020-11-03 16:17:0529749 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布已與 IBM 達(dá)成
2021-03-29 18:13:201569 1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實現(xiàn)ram一樣的隨機尋址功能，可以讀取任何一個字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線和地址
2021-12-02 12:21:0630 使用FlashMemory作為存儲介質(zhì)。 根據(jù)硬件上存儲原理的不同，F(xiàn)lash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND FLASH兩類。主要的差異如下所示： NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1259808 
FLASH芯片分為Nor Flash和Nand Flash，Nor Flash容量小有獨立的地址線，用于存儲較小的程序代碼如引導(dǎo)代碼和程序參數(shù)，NAND FLASH容量大地址總線共用一組引線，Nand Flash用來安裝操作系統(tǒng)存放應(yīng)用程序及用戶數(shù)據(jù) 像IOS,Linux Andriod
2022-02-10 10:11:4532 ? F-RAM存儲器（鐵電存取存儲器）開始批量供貨。該系列儲存器是業(yè)界功率密度最高的串行F-RAM存儲器，能夠滿足新一代汽車和工業(yè)系統(tǒng)對非易失性數(shù)據(jù)記錄的需求，防止在惡劣的工作環(huán)境中丟失數(shù)據(jù)。新存儲器
2022-11-23 13:57:42336 
NOR架構(gòu)的布線和結(jié)構(gòu)如下圖所示。每個記憶單元互相獨立，都有一段直連到地，組成一個類似NOR閘（或稱“或非門”）的電路。
2022-12-05 12:24:009741 在嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域，作為存儲設(shè)備的NOR Flash和NAND Flash，大家應(yīng)該不陌生。早期NOR Flash的接口是并行口的形式，也就是把數(shù)據(jù)線，地址線并排設(shè)置在IC的管腳中。但是由于不同容量
2023-03-06 09:49:174893 非易失性存儲元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經(jīng)基本被淘汰了，因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051888 
為什么Nor Flash可以實現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲器是一種常用的非易失性存儲器，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù)，同時因為沒有
2023-10-29 16:32:58647 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20735 
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