2023年，存儲(chǔ)芯片的跌勢仍在延續(xù)，何時(shí)止跌還是未知數(shù)。

2022年，存儲(chǔ)芯片無疑是半導(dǎo)體下行周期中受影響最嚴(yán)重的芯片品類。進(jìn)入2023年，存儲(chǔ)芯片的下滑趨勢仍在繼續(xù)，何時(shí)止跌仍是未知數(shù)。

從2021年下半年至今，存儲(chǔ)芯片價(jià)格下跌的時(shí)長已經(jīng)超過18個(gè)月。DRAM和NAND Flash兩大內(nèi)存芯片價(jià)格已經(jīng)下跌長達(dá)20個(gè)月之久。盡管各大分析師認(rèn)為，目前存儲(chǔ)芯片價(jià)格已接近底部，跌幅有所收窄，但下行趨勢仍在繼續(xù)。

Utmel表示，2023 年 2 月全球智能手機(jī)出貨量（批發(fā)）和銷售額（零售）分別同比下降 11% 和 5%。作為存儲(chǔ)芯片終端需求的三大驅(qū)動(dòng)力，智能手機(jī)市場的低迷無疑讓存儲(chǔ)芯片需求回暖雪上加霜。

當(dāng)然，存儲(chǔ)芯片也出現(xiàn)在一些細(xì)分領(lǐng)域的利好信息中，比如ChatGPT對高帶寬存儲(chǔ)芯片的需求猛增，汽車智能化、高端制造信息化升級也將帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片需求的增長。不過，這些細(xì)分需求能否對沖存儲(chǔ)芯片整體下滑的趨勢，目前還是一個(gè)未知數(shù)。

存儲(chǔ)芯片作為占集成電路第二大比重的產(chǎn)業(yè)占據(jù)著核心地位，半導(dǎo)體和消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)的景氣度有重要的支撐作用。而2023年的減單、減產(chǎn)、價(jià)格暴跌持續(xù)影響著存儲(chǔ)芯片行業(yè)。

2022年下半年開始，三星、美光科技、西部數(shù)據(jù)、海力士、鎧甲俠等存儲(chǔ)芯片巨頭紛紛通過減產(chǎn)去庫存應(yīng)對市場疲軟態(tài)勢。2023年一季度，鎧甲俠、美光產(chǎn)線持續(xù)承壓，西部數(shù)據(jù)、SK海力士跟進(jìn)減產(chǎn)，力圖跨過行業(yè)寒冬。

從有分析人士的數(shù)據(jù)來看，主要廠商的努力對于減緩存儲(chǔ)芯片價(jià)格的下滑起到了不小的作用。2022年第四季度全球DRAM和NAND閃存價(jià)格下跌約20%-25%，預(yù)計(jì)2023年第一季度DRAM價(jià)格跌幅收窄至13%-18%，NAND閃存價(jià)格下跌約 10%-15%。這也使得業(yè)內(nèi)普遍預(yù)期行業(yè)反彈的時(shí)間表越來越近。

由于存儲(chǔ)芯片固有的周期性，作為最主要產(chǎn)品的DRAM和NAND Flash的市場規(guī)模也具有明顯的周期性波動(dòng)，通常遵循3-4年的波動(dòng)周期。按照這個(gè)規(guī)律，存儲(chǔ)芯片的最后一個(gè)景氣高點(diǎn)是2021年，預(yù)計(jì)到2023年底恢復(fù)增長趨勢。

有業(yè)內(nèi)專家分析，2023年存儲(chǔ)芯片行業(yè)走勢有望呈現(xiàn)兩極分化：一方面，低端芯片產(chǎn)品庫存持續(xù)高企，價(jià)格大幅回落；另一方面，部分高端芯片市場需求日益旺盛，但由于產(chǎn)能回升緩慢等原因，供需矛盾依然突出，甚至面臨“一芯難求”的局面。其中，最具代表性的是高帶寬存儲(chǔ)芯片訂單的大增。

ChatGPT的出現(xiàn)將推動(dòng)AI在地面的應(yīng)用，同時(shí)也催生了對高性能芯片的需求。受益于 ChatGPT，三星電子和 SK 海力士的 HBM 訂單自 2023 年初以來大幅增加，價(jià)格大幅反彈。

ChatGPT發(fā)布后迅速在全球引起廣泛關(guān)注，各大廠商紛紛公布各自的GPT模型開發(fā)計(jì)劃。以GPT模型為代表的大模型的訓(xùn)練和應(yīng)用帶來了底層算力需求的大幅提升，相應(yīng)地需要大量的AI芯片為其提供算力支持。訓(xùn)練AI模型需要大規(guī)模的數(shù)據(jù)集，AI芯片中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)越多，大型模型的訓(xùn)練速度越快，訓(xùn)練精度越高。因此，ChatGPT 的訓(xùn)練量急劇增加，最底層的基礎(chǔ)設(shè)施需要大量的運(yùn)算芯片和存儲(chǔ)芯片。

HBM 是一種基于 3D 堆疊工藝的 DRAM 內(nèi)存芯片技術(shù)，可顯著提高數(shù)據(jù)處理速度，而 ChatGPT 的發(fā)展導(dǎo)致第三代 HBM 報(bào)價(jià)大幅增加。HBM 是一種基于 3D 堆疊工藝的 DRAM 內(nèi)存芯片，安裝在 GPU、網(wǎng)絡(luò)交換設(shè)備、AI和高性能服務(wù)器中。HBM 可以大幅提升數(shù)據(jù)處理速度，每瓦帶寬比 HBM 可以大幅提升數(shù)據(jù)處理速度，每瓦帶寬是 GDDR5 的三倍以上，HBM 比 GDDR5 節(jié)省了 94% 的表面積。以HBM為代表的超高帶寬內(nèi)存技術(shù)世代級模型也將加速HBM內(nèi)存進(jìn)一步提升容量和帶寬。第三代 HBM 提供了一個(gè)巨大的飛躍，

當(dāng)然，汽車智能化的快速推進(jìn)和高端制造信息化升級，也將帶動(dòng)汽車、工業(yè)、醫(yī)療等行業(yè)強(qiáng)勁的市場需求。雖然車載存儲(chǔ)芯片整體市場規(guī)模約為手機(jī)存儲(chǔ)市場的十分之一，但在智能網(wǎng)聯(lián)汽車發(fā)展大趨勢下，車載存儲(chǔ)板塊的快速發(fā)展有望為存儲(chǔ)行業(yè)提供新的增長動(dòng)力，根據(jù) Utmel 的預(yù)測，2021 年至 2027 年的復(fù)合年增長率為 18.6%。

此外，5G基站、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、智能家居、可穿戴設(shè)備等新興應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，將對功耗、安全、傳輸速率、體積、成本等提出更高要求。存儲(chǔ)芯片，也將為存儲(chǔ)芯片市場提供重要的驅(qū)動(dòng)力。

編輯：黃飛

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