最高的64層3D NAND芯片。據(jù)techweb的消息顯示，長江存儲今年年底預(yù)計(jì)正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，明年開始逐步提升產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2020年底有望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬片晶圓的規(guī)模。
2019-08-27 09:32:51
2672 9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個(gè)存儲單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151919 的堆疊NAND閃存 V-NAND實(shí)現(xiàn)了具有最新第六代產(chǎn)品的128層單堆疊，并通過TLC實(shí)現(xiàn)了512 Gb（千兆位）容量。它計(jì)劃于2020年投放市場，并且正在針對在5年內(nèi)達(dá)到500層或更多層的堆棧
2019-11-25 09:52:316441 東芝推出全球首款注148層3D堆疊式結(jié)構(gòu)閃存注2，該閃存容量達(dá)到256Gb（32GB），同時(shí)采用了行業(yè)領(lǐng)先的三階存儲單元（TLC）技術(shù)。這款全新閃存適用于各種產(chǎn)品應(yīng)用，包括消費(fèi)級固態(tài)硬盤（SSD）、智能手機(jī)、平板電腦和內(nèi)存卡以及面向數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級SSD。據(jù)悉，樣品將于9月開始發(fā)貨。
2015-08-19 13:37:591707 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 明年蘋果iPhone將迎來十周年，屆時(shí)將發(fā)布的iPhone 8將進(jìn)行大幅升級，除采用了OLED曲面屏全新設(shè)計(jì)外，配置方面自然也會提升不少?？紤]到今年iPhone 7和7 Plus都將存儲提升至256GB，如果蘋果再提升，明年512GB版iPhone就有望跟我們見面。
2016-11-21 10:39:181372 據(jù)外媒報(bào)道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達(dá)到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 1、三星宣布512GB eUFS3.1閃存已大規(guī)模生產(chǎn)，寫入速度提升3倍 據(jù)ZDnet報(bào)道，三星電子宣布，已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)面向智能手機(jī)的512GB嵌入式通用閃存（eUFS） 3.1。這款新的閃存
2020-03-18 11:33:375189 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。各大廠商的3D閃存技術(shù)并不一樣，所以堆棧
2021-02-20 10:02:323312 DTDUO3C/32GB/64GB閃存硬盤DTDUO3C/128GB全球記憶體模塊龍頭金士頓 (Kingston)亞太區(qū)Flash Memory業(yè)務(wù)總監(jiān)蘇治源表示，該公司NAND Flash產(chǎn)品去年
2022-02-10 12:26:44
快速向TB級推進(jìn)，也將加快目前512GB容量PCIe SSD價(jià)格下滑的速度。據(jù)報(bào)價(jià)，PCIe SSD 512GB價(jià)格已下滑至48美金，2019年累計(jì)跌幅已高達(dá)23%。隨著新一代SSD在2019下半年戰(zhàn)局
2022-02-06 15:39:12
3.0 USB U盤 (512GB)，同時(shí)預(yù)告今年第一季將率先推出1TB(1024GB)版本，屆時(shí)將會是世界上容量最大的U盤。此款U盤的最高讀寫速度可達(dá)每秒240MB/160MB，是Kingston
2022-02-10 12:13:59
BiCS 3的TLC NAND芯片沒任何區(qū)別，均包含256Gb和512Gb兩種規(guī)格，但是采用BiCS 4技術(shù)的QLC的存儲芯片還可以有768Gb甚至1Tb這兩種規(guī)格。同時(shí)西部數(shù)據(jù)在他們的PPT中表示從
2022-02-03 11:41:35
工作者將高達(dá)10億人?，F(xiàn)今的行動工作者，希望能在極小、最輕便的機(jī)制上，享有越來越優(yōu)異的產(chǎn)品效能和耐久力。SDCS2/512GBSDCS2/32GB-2P1ASDCS2/64GB
2022-02-08 11:17:32
的變化。 需求不足跌價(jià)成必然2018年NAND閃存之所以大降價(jià)，一個(gè)關(guān)鍵原因就是64層堆棧的3DNAND閃存大規(guī)模量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)了從32層／48層堆棧到64層堆棧的飛躍，使得NAND閃存每GB成本降至8美分
2021-07-13 06:38:27
STM32F4的USB端口能讀寫512GB的UFS卡嗎？
2024-03-28 06:42:15
三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程N(yùn)AND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:041005 金士頓發(fā)布512GB新品固態(tài)硬盤
金士頓今天發(fā)布了新款SSDNow V+系列固態(tài)硬盤，容量達(dá)到512GB。雖然原本印象中SSDNow V系列以低價(jià)面向固態(tài)
2010-01-27 09:22:02660 11月21日消息，目前蘋果iPhone手機(jī)最高存儲容量為256GB?，F(xiàn)在有微博網(wǎng)友爆料，蘋果將在明年將iPhone8高配版存儲容量升級為512GB。
2016-11-21 17:54:063043 如今，不少手機(jī)都不能拓展內(nèi)存，用戶在使用時(shí)，可能會遇到過存儲空間不足的情況，只能不斷刪文件清出空間。為了解決這一問題，臺灣某廠商就推出了一款UFS 2.1主控制器，最高可搭配512GB閃存。
2017-03-13 14:38:521144 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 6月29日消息 據(jù)外媒NEOWIN報(bào)道，英特爾今天宣布推出SSD 545s固態(tài)硬盤，它是主流的SATA驅(qū)動器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產(chǎn)品，且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179 目前，東芝和西數(shù)先后宣布成功開發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來臨。那么，它與TLC閃存又有什么區(qū)別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1396142 
東芝在SSD技術(shù)上已經(jīng)是領(lǐng)先各大廠商，東芝對于64層堆疊設(shè)計(jì)的3D TLC閃存真是愛的太深，產(chǎn)品布局之神速令人驚嘆?，F(xiàn)在又將64層堆疊設(shè)計(jì)的3D TLC閃存帶到了企業(yè)及產(chǎn)品上，得益于這種高容量堆疊
2017-08-08 15:56:272744 盡管不少用戶對TLC的壽命和穩(wěn)定性都保持謹(jǐn)慎的態(tài)度，但東芝將TLC應(yīng)用到企業(yè)級，卻也表達(dá)了東芝對TLC的信心。繼主流的XG5 NVMe、低端的TR200 SATA、單芯片的BG3之后，就在近日，東芝再將64層堆疊設(shè)計(jì)的3D TLC閃存帶到了企業(yè)級領(lǐng)域，而這也是全球首次。
2017-08-09 15:53:564419 512GB和1TB的版本均采用TLC閃存，走PCIe 3.0 x4通道，最高連續(xù)讀取3200MB/s，最高寫入2400MB/s；4K隨機(jī)最寫入440K IOPS，最高讀取380K IOPS。
2017-10-16 11:03:254169 三星512GB UFS閃存開始量產(chǎn)，它具有860MB/s讀取速度和255MB/s寫入速度，它的存在必將滅亡手機(jī)存儲卡。
2017-12-05 14:21:281953 三星表示，這款512GB的閃存芯片專門面向移動設(shè)備開發(fā)，其中整合了八個(gè)多層存儲數(shù)據(jù)的V-NAND芯片。和過去三星256GB的芯片相比，雖然容量翻一倍，但是使用的空間卻相同。這給手機(jī)設(shè)計(jì)帶來了福音。
2017-12-06 11:03:441513 蘋果之前向外宣布明年的新iPhone將會進(jìn)行擴(kuò)容到512GB儲存容量，不久后就有網(wǎng)友爆出中國廠商已經(jīng)率先為iPhone加512GB存儲，搶先蘋果官方一步，還表明升級512GB 容量并不太復(fù)雜。
2017-12-10 09:59:519806 在Intel第三代3D閃存固態(tài)盤我們可以知道的是，用上了 Host Memory Buffer （HMB）技術(shù)，Intel的單Die升級到了512Gb，不需要整合DRAM做緩沖池。具體的信息將會CES 2018上才知曉。
2017-12-25 15:18:453696 據(jù)報(bào)道最大容量512GB的microSD存儲卡終于開始發(fā)售，該卡支持Video Speed Class 10即V10標(biāo)準(zhǔn)，滿足10MB/s寫入速度，可用于一般的電子移動設(shè)備。
2018-01-23 16:06:442136 日前，東芝（TOSHIBA）、西數(shù)（WD）等存儲器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲器，核心容量可達(dá) 1.33TB，單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過因 QLC 快閃存
2018-07-26 18:01:002759 日前，英國一家名為Integral Memory的公司，推出了全球首款512GB TF存儲卡。
2018-06-01 15:10:005350 三星電子今天宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS），以用于下一代移動設(shè)備。據(jù)介紹，三星512GB eUFS采用了三個(gè)三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個(gè)控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 由于NAND閃存價(jià)格上漲，SSD普及的道路走的異常艱難，同容量下SSD和HDD的價(jià)格始終相差懸殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存，把SSD的價(jià)格和性能控制在一個(gè)很好的平衡點(diǎn)，具有極高的性價(jià)比和極強(qiáng)的市場競爭力，或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:365391 的3D TLC閃存以及QLC閃存，其中TLC閃存陣容擴(kuò)大，多款新品性能提升，容量最大可達(dá)30.72TB，而QLC閃存無疑是下一步的重點(diǎn)，除了1Tb核心的還會有512Gb核心的，性能更好，功耗更低，消費(fèi)
2018-10-18 17:33:006571 趨勢看，128GB、256GB、512GB容量的機(jī)型也層出不窮，閃存容量高達(dá)1TB的機(jī)型也出現(xiàn)過，因此存儲卡的作用與需求將越來越小，從三星的512GB的存儲卡目前只上架不發(fā)售的情況看，似乎有炫技的意圖在里面。
2018-11-02 14:42:434062 支持64層3D QLC后，現(xiàn)已全面支持最新96層3D NAND閃存顆粒。此次發(fā)布的96層3D TLC NAND閃存固態(tài)硬盤解決方案，客戶無需修改硬件，為客戶快速量產(chǎn)提供了極大的便利性。聯(lián)蕓科技最新發(fā)
2018-11-19 17:22:318411 日前有消息稱紫光純國產(chǎn)的SSD硬盤就要上市了，使用是他們研發(fā)生產(chǎn)的64層堆棧3D TLC閃存，P/E次數(shù)可達(dá)1500次，這個(gè)技術(shù)及規(guī)格在主流SSD中已經(jīng)不低了。
2019-03-15 10:38:455883 國產(chǎn)存儲芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 據(jù)Digitimes報(bào)道，長江存儲（YMTC）將于年底前投入64層3D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)三季度啟動，目前良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-08 09:18:443189 隨著3D閃存的問世，固態(tài)硬盤的容量一直在提升，同時(shí)SSD主控技術(shù)也在進(jìn)步。早在850 PRO和850 EVO這一行業(yè)首個(gè)使用V-NAND技術(shù)的消費(fèi)者固態(tài)硬盤，當(dāng)時(shí)用的還是MHX主控，閃存則是從32層堆棧升級到了48層堆棧。
2019-05-09 11:25:2626064 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國內(nèi)主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對市場影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143966 現(xiàn)在，長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069 此次三星推出的三星Galaxy A50是三星旗下的一款中端產(chǎn)品。該機(jī)配備6.4英寸顯示屏，后置三顆攝像頭，包括一個(gè)主攝像頭、一個(gè)景深鏡頭和一個(gè)廣角鏡頭；配備4000mAh電池，輔以64GB存儲，支持512GB最大擴(kuò)容。
2019-06-12 16:44:443317 今年早些時(shí)候，西部數(shù)據(jù)發(fā)布了WD Black SN750、閃迪Extreme Pro M.2 NVMe 3D兩個(gè)系列的新品SSD，都基于西數(shù)自研主控、64層3D TLC閃存顆粒，元器件、性能、軟件都
2019-07-15 09:52:036449 2019年9月2日，紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D
2019-09-02 16:27:504051 紫光旗下的長江存儲邁出了國產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長江存儲研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:452263 近日，紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用。這是中國首次實(shí)現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn)，將大幅拉近中國與全球一線存儲廠商間的技術(shù)差距。
2019-09-17 11:45:194095 9月19日晚上20點(diǎn)，Redmi最強(qiáng)旗艦K20 Pro尊享版將正式發(fā)布，官方最新預(yù)熱海報(bào)顯示，新機(jī)將搭載512GB超大存儲空間。
2019-09-18 11:48:315657 紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 紫光旗下的長江存儲邁出了國產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長江存儲研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。
2019-10-02 14:38:001949 紫光集團(tuán)旗下長江存儲正式宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking？架構(gòu)的中國首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-10-08 11:29:181727 今年一季度，紫光旗下的長江存儲（YMTC）開始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:331140 國產(chǎn)存儲芯片終于“抬起了頭”。
在被美日韓掌控的存儲芯片市場上，終于有中國公司可以殺進(jìn)去跟國際大廠正面競爭了。據(jù)報(bào)道，今年一季度，紫光旗下的長江存儲（YMTC）開始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:243767 2019年智能手機(jī)的閃存容量進(jìn)一步提升，中高端手機(jī)基本上是128GB起步，高端會上512GB，個(gè)別產(chǎn)品頂配直接上1TB容量了。按照這個(gè)趨勢下去，明年1TB容量的手機(jī)會更多，因?yàn)镾K海力士現(xiàn)在已經(jīng)開始出貨1TB UFS 3.1閃存給手機(jī)廠商，堆棧層數(shù)達(dá)到了128層。
2019-11-21 08:53:08776 如同HDD硬盤中的SMR技術(shù)一樣，QLC閃存現(xiàn)在也有人人喊打的趨勢，究其原因就在于QLC閃存性能、可靠性比TLC閃存更差，但是現(xiàn)在的價(jià)格還沒有達(dá)到預(yù)期。對廠商來說，六大原廠今年都量產(chǎn)了QLC閃存，不過西數(shù)認(rèn)為QLC閃存要到1XX層時(shí)才會爆發(fā)。
2019-12-10 09:42:151116 為什么買了512GB的硬盤到手只有480GB？
2019-12-17 09:55:3518017 為什么買了512GB的硬盤到手只有480GB？
2019-12-17 09:59:537203 在CES展會上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-08 08:41:5212167 在CES展會上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-08 10:34:135597 長江存儲確認(rèn)自主研發(fā)的64層已經(jīng)在去年投入量產(chǎn)(256Gb TLC)，并正擴(kuò)充產(chǎn)能，將盡早達(dá)成10萬片晶圓的月產(chǎn)能規(guī)模。
2020-01-17 15:06:232412 西數(shù)公司今天正式宣布了新一代閃存技術(shù)BiCS5，這是西數(shù)與鎧俠（原來的東芝存儲）聯(lián)合開發(fā)的，在原有96層堆棧BiCS4基礎(chǔ)上做到了112層堆棧。
2020-02-06 15:13:363554 今日，三星電子宣布已開始量產(chǎn)512GB封裝容量的eUFS 3.1閃存，可用于手機(jī)、平板等。
2020-03-17 11:45:262694 三星今日宣布開始量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片，其連續(xù)寫入速度超過1.2GB/s，是其前代產(chǎn)品寫入速度的3倍。
2020-03-17 14:22:143844 3月18日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，三星電子日前公告稱，該公司開始大規(guī)模量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片，適用于旗艦智能手機(jī)。
2020-03-18 17:01:052969 今年初，長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔曾公開表示，長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96層堆疊閃存技術(shù)，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 16:38:211265 在今年，全球閃存廠商都在集體奔向100+層，例如SK海力士的128層已經(jīng)穩(wěn)定出貨，并計(jì)劃在年底推出196層內(nèi)存，三星、鎂光、西數(shù)、Intel也都已經(jīng)突破了百層。近期，國內(nèi)長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示，將跳過96層，直接投入128層閃存的技術(shù)研發(fā)和量產(chǎn)。
2020-04-11 16:47:514000 128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC
2020-04-13 09:29:416830 對3D閃存來說，堆棧層數(shù)越多，容量就越大，存儲密度就越高，這是3D閃存的核心競爭力，2020年全球將大規(guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。
2020-04-20 09:25:073912 長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060），用以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421991 存儲芯片大廠SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，TLC顆粒，容量達(dá)512Gb（64GB）。 ? 據(jù)，SK海力士透露，該閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時(shí)集成了PUC技術(shù)
2020-12-14 15:55:321786 今年的iPhone 12系列總計(jì)有64GB、128GB、256GB和512GB四種容量，從國內(nèi)外的情況來看，盡管首波僅上市了兩款，可銷量著實(shí)恐怖。
2020-11-05 09:32:351517 SSD硬盤，之前他們也有一些移動硬盤之類的產(chǎn)品，但不是重點(diǎn)，現(xiàn)在SSD硬盤會是發(fā)力的關(guān)鍵了，今年9月份宣布了全新的朗系列SSD硬盤，目前已經(jīng)上市。 朗系列SSD是2.5寸SATA規(guī)格的，但是閃存及主控全是國產(chǎn)的，其中閃存是長江存儲的3D閃存， 64層堆棧、TL
2020-11-13 14:54:243214 疊加而成，第一批為TLC顆粒，單個(gè)Die的容量為512Gb（64GB），當(dāng)然后期很可能會加入QLC。 更重要的是，美光不只是宣布了新技術(shù)，而且176層閃存已經(jīng)量產(chǎn)并出貨了，已經(jīng)用于一些Crucial英睿達(dá)品牌的消費(fèi)級SSD，明年還會發(fā)布更多新產(chǎn)品。 在176層閃存技術(shù)上，美光
2020-11-14 10:01:202368 、512GB，那么這兩種情況下SSD有什么區(qū)別，廠商為什么要隱瞞部分SSD容量呢？ 針對這個(gè)現(xiàn)象，長江存儲旗下的致鈦科技今天繼續(xù)科普SSD硬盤，這次就談到了SSD足容的問題。 首先，閃存顆粒在設(shè)計(jì)的時(shí)候都是以2的冪次方來設(shè)計(jì)的，比方說256GB、512GB等，所以依托于閃存顆粒進(jìn)行
2020-12-01 16:24:3612229 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時(shí)集成了PUC技術(shù)。 4D閃存是SK
2020-12-07 13:49:272200 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:092510 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:233708 12月7日，韓國半導(dǎo)體公司SK海力士表示，近期已成功研發(fā)出基于三層存儲單元（TLC）的176層512Gb（千兆位）NAND閃存。
2020-12-08 11:01:412103 2020年閃存繼續(xù)降價(jià)，SSD硬盤也一路下滑，1TB硬盤也成了很多人裝機(jī)的選擇。馬上就要到2021年了，業(yè)界預(yù)計(jì)明年QLC閃存會更普及，其性能、可靠性等指標(biāo)已經(jīng)追上TLC閃存，堆棧層數(shù)也全面邁向100+層。
2020-12-25 10:00:135908 100+層。 這么多年了，大家都知道了SLC、MLC、TLC及QLC閃存類型的區(qū)別，QLC閃存量產(chǎn)上市才2年左右，但是發(fā)展很快，因?yàn)樗娜萘?、成本?yōu)勢最大，消費(fèi)者不爽的主要是性能差，尤其是緩存外性能不如HDD硬盤，還有就是可靠性差，擔(dān)心會掛。 前不久Intel發(fā)布了144層堆棧
2020-12-25 10:50:252768 2020年閃存繼續(xù)降價(jià)，SSD硬盤也一路下滑，1TB硬盤也成了很多人裝機(jī)的選擇。馬上就要到2021年了，業(yè)界預(yù)計(jì)明年QLC閃存會更普及，其性能、可靠性等指標(biāo)已經(jīng)追上TLC閃存，堆棧層數(shù)也全面邁向100+層。
2020-12-25 14:30:332242 2019年長江存儲國產(chǎn)的64層閃存開始量產(chǎn)之后，2020年他們又帶來了128層閃存，2021年則會帶來192層閃存。 日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱，中國閃存廠商長江存儲正在加速擴(kuò)張閃存產(chǎn)能，計(jì)劃在2021
2021-01-12 14:37:427344 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。 各大廠商的3D閃存技術(shù)并不一樣，所以堆棧
2021-02-19 18:03:412917 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。
2021-02-20 10:40:582714 據(jù)供應(yīng)鏈消息，今年 iPhone Pro 系列的最高存儲容量將從 512GB 翻倍到 1TB。
2021-03-05 16:35:20892 今日，作為先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的廠商，三星宣布開發(fā)出三星首款512GB內(nèi)存擴(kuò)展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。
2022-05-10 10:16:082306 美光已經(jīng)在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產(chǎn) 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D NAND?；蛟S更重要的是，芯片制造商私下表示，他們將利用行業(yè)學(xué)習(xí)為目前正在開發(fā)的 3D-IC 堆疊 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 搭載 MediaTek 天璣 8100 5G 移動平臺，兼具澎湃性能與冰封能效；LPDDR5 + 512GB 超大存儲組合，處理速度大幅提升；144Hz 高配 LCD 屏幕，暢享高配護(hù)眼視覺
2022-10-27 09:57:186528 三星電子計(jì)劃從今年第四季度開始生產(chǎn)128gb和256gb產(chǎn)品，并生產(chǎn)512gb產(chǎn)品。256gb產(chǎn)品的連續(xù)讀取速度為2000兆/秒，連續(xù)寫入速度為700兆/秒。
2023-07-14 11:33:521477 據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫存緩慢，很難說服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:241963 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 據(jù)了解，日本存儲巨頭鎧俠于近日宣布推出全新第四代UFS 4.0閃存顆粒。該系列閃存包含256GB、512GB及1TB三種容量版本，主要面向高端智能手機(jī)等新一代移動設(shè)備領(lǐng)域。
2024-04-23 14:28:522415 Lexar NM620 512GB SSD PCIE3.0 X4測評
2024-06-16 14:30:501833 
intel 660P SSD PCIE 3.0X4 512GB測評
2024-06-16 14:32:492191 
融合現(xiàn)有存儲單元與先進(jìn)的 CMOS 技術(shù)，實(shí)現(xiàn)投資效益最大化 ? 全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH? 3D 閃存技術(shù)的 512Gb TLC存儲器已開始送樣 （1
2025-07-28 15:30:20574
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