9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 的堆疊NAND閃存 V-NAND實(shí)現(xiàn)了具有最新第六代產(chǎn)品的128層單堆疊，并通過(guò)TLC實(shí)現(xiàn)了512 Gb（千兆位）容量。它計(jì)劃于2020年投放市場(chǎng)，并且正在針對(duì)在5年內(nèi)達(dá)到500層或更多層的堆棧
2019-11-25 09:52:316442 三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發(fā)作業(yè)，計(jì)劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產(chǎn)品后，于2016年生產(chǎn)64層堆疊的V-NAND產(chǎn)品。
2015-08-11 08:32:001030 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 明年蘋(píng)果iPhone將迎來(lái)十周年，屆時(shí)將發(fā)布的iPhone 8將進(jìn)行大幅升級(jí)，除采用了OLED曲面屏全新設(shè)計(jì)外，配置方面自然也會(huì)提升不少?？紤]到今年iPhone 7和7 Plus都將存儲(chǔ)提升至256GB，如果蘋(píng)果再提升，明年512GB版iPhone就有望跟我們見(jiàn)面。
2016-11-21 10:39:181372 西數(shù)公司日前表示今年會(huì)試產(chǎn)512Gb核心容量的64層堆棧3D NAND閃存，單顆核心容量就達(dá)到了64GB，比目前主流水平翻倍，制造超大容量SSD硬盤(pán)更容易了。
2017-02-07 14:21:311053 據(jù)外媒報(bào)道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對(duì)于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達(dá)到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋(píng)果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國(guó)宣布，開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 1、三星宣布512GB eUFS3.1閃存已大規(guī)模生產(chǎn)，寫(xiě)入速度提升3倍 據(jù)ZDnet報(bào)道，三星電子宣布，已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)面向智能手機(jī)的512GB嵌入式通用閃存（eUFS） 3.1。這款新的閃存
2020-03-18 11:33:375189 6月16日，三星電子宣布，6月開(kāi)始量產(chǎn)其最新的智能手機(jī)內(nèi)存解決方案，即基于LPDDR5和UFS的多芯片封裝uMCP。三星的uMCP集成了最快的LPDDR5?DRAM 和最新的UFS3.1?NAND
2021-06-17 07:08:004659 V-NAND 已達(dá)290 層 ? 前不久，三星宣布第9代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開(kāi)始量產(chǎn)，第9代 V-NAND 采用雙重堆疊技術(shù)達(dá)到了290層。早在2022年
2024-05-25 00:55:005554 
3D NAND提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，控制芯片選擇了Silicon Motion SM2262EN。原廠早在2018下半年開(kāi)始量產(chǎn)96或92層3D NAND，并陸續(xù)推出了新制程的SSD，比如：三星970
2022-02-06 15:39:12
USB2.0接口，并且在2.0接口時(shí)也能夠有足夠的傳輸速度。目前將推出512GB的版本，1TB版本將在第一季稍后上市。DTVP30/4GB/8GB/16GBDTVP30/32GB/64GB
2022-02-10 12:13:59
BiCS 3的TLC NAND芯片沒(méi)任何區(qū)別，均包含256Gb和512Gb兩種規(guī)格，但是采用BiCS 4技術(shù)的QLC的存儲(chǔ)芯片還可以有768Gb甚至1Tb這兩種規(guī)格。同時(shí)西部數(shù)據(jù)在他們的PPT中表示從
2022-02-03 11:41:35
應(yīng)用。2018年智能型手機(jī)對(duì)大容量需求強(qiáng)勁，尤其是蘋(píng)果、三星、華為等新機(jī)容量向512GB升級(jí)，正推動(dòng)高端旗艦機(jī)容量需求翻倍增加。西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU321 UFS2.1產(chǎn)品采用了96層3D NAND技術(shù)
2022-02-02 08:45:13
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，可用于各種廣泛的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品【轉(zhuǎn)】東芝公司宣布推出全球最小級(jí)別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合
2018-09-13 14:36:33
大家好，我有一個(gè)有趣的困境，我無(wú)法在網(wǎng)上找到任何地方。我有一個(gè)三星970 pro 512gb用于啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)器，WD Black 4TB Hdd用于存儲(chǔ)，而intel optane 800p 58gb
2018-12-03 15:33:05
STM32F4的USB端口能讀寫(xiě)512GB的UFS卡嗎？
2024-03-28 06:42:15
三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:041005 金士頓發(fā)布512GB新品固態(tài)硬盤(pán)
金士頓今天發(fā)布了新款SSDNow V+系列固態(tài)硬盤(pán)，容量達(dá)到512GB。雖然原本印象中SSDNow V系列以低價(jià)面向固態(tài)
2010-01-27 09:22:02660 7月28日消息，三星上周五表示，公司已量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲(chǔ)產(chǎn)品。這將是全球速度最快的嵌入式存儲(chǔ)芯片。三星將提供16GB、32GB、64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2013-07-29 09:56:171224 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn)，不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車(chē)NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 11月21日消息，目前蘋(píng)果iPhone手機(jī)最高存儲(chǔ)容量為256GB?，F(xiàn)在有微博網(wǎng)友爆料，蘋(píng)果將在明年將iPhone8高配版存儲(chǔ)容量升級(jí)為512GB。
2016-11-21 17:54:063043 如今，不少手機(jī)都不能拓展內(nèi)存，用戶(hù)在使用時(shí)，可能會(huì)遇到過(guò)存儲(chǔ)空間不足的情況，只能不斷刪文件清出空間。為了解決這一問(wèn)題，臺(tái)灣某廠商就推出了一款UFS 2.1主控制器，最高可搭配512GB閃存。
2017-03-13 14:38:521144 在三星S8賣(mài)得最火熱的時(shí)候，S9也慢慢被曝光了。據(jù)悉，三星S9身上有諸多光環(huán)——驍龍845頂級(jí)處理器、8GB運(yùn)存 、512GB存儲(chǔ)空間、5.7英寸4K AMOLED屏幕等。
2017-05-16 11:07:512190 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年，主要是因?yàn)镕lash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 三星512GB UFS閃存開(kāi)始量產(chǎn)，它具有860MB/s讀取速度和255MB/s寫(xiě)入速度，它的存在必將滅亡手機(jī)存儲(chǔ)卡。
2017-12-05 14:21:281953 三星表示，這款512GB的閃存芯片專(zhuān)門(mén)面向移動(dòng)設(shè)備開(kāi)發(fā)，其中整合了八個(gè)多層存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的V-NAND芯片。和過(guò)去三星256GB的芯片相比，雖然容量翻一倍，但是使用的空間卻相同。這給手機(jī)設(shè)計(jì)帶來(lái)了福音。
2017-12-06 11:03:441513 蘋(píng)果之前向外宣布明年的新iPhone將會(huì)進(jìn)行擴(kuò)容到512GB儲(chǔ)存容量，不久后就有網(wǎng)友爆出中國(guó)廠商已經(jīng)率先為iPhone加512GB存儲(chǔ)，搶先蘋(píng)果官方一步，還表明升級(jí)512GB 容量并不太復(fù)雜。
2017-12-10 09:59:519806 在Intel第三代3D閃存固態(tài)盤(pán)我們可以知道的是，用上了 Host Memory Buffer （HMB）技術(shù)，Intel的單Die升級(jí)到了512Gb，不需要整合DRAM做緩沖池。具體的信息將會(huì)CES 2018上才知曉。
2017-12-25 15:18:453696 據(jù)報(bào)道最大容量512GB的microSD存儲(chǔ)卡終于開(kāi)始發(fā)售，該卡支持Video Speed Class 10即V10標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足10MB/s寫(xiě)入速度，可用于一般的電子移動(dòng)設(shè)備。
2018-01-23 16:06:442136 三星在今年必然會(huì)發(fā)的手機(jī)中，還有一款備受期待，就是三星Galaxy Note 9，在外觀上可能會(huì)繼續(xù)保留Note 8的設(shè)計(jì)，但會(huì)在內(nèi)部性能上有明顯的提升。根據(jù)知情人士爆料，Galaxy Note 9很有何能帶來(lái)8GB內(nèi)存＋512GB存儲(chǔ)的配置。
2018-06-11 16:37:00974 
日前，英國(guó)一家名為Integral Memory的公司，推出了全球首款512GB TF存儲(chǔ)卡。
2018-06-01 15:10:005350 三星終于宣布開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND存儲(chǔ)芯片，聲稱(chēng)其堆疊層數(shù)超過(guò)90層，可能指的是其96層，制造生產(chǎn)率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可擁有更高的傳輸速度。
2018-07-12 14:46:002032 據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道，頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫(xiě)入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號(hào)響應(yīng)時(shí)間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 面對(duì)2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開(kāi)始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過(guò)90層。
2018-07-24 14:36:328259 三星電子有限公司今天宣布推出三星移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)T5-全新的移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)（PSSD），提升了外部存儲(chǔ)產(chǎn)品的性能標(biāo)準(zhǔn)。T5采用三星最新的64層V-NAND（垂直NAND）技術(shù)和緊湊耐用的設(shè)計(jì)，具有業(yè)界領(lǐng)先的傳輸速度和加密的數(shù)據(jù)安全性，使消費(fèi)者更輕松隨時(shí)隨地訪問(wèn)其最有價(jià)值的數(shù)據(jù)。
2018-07-26 17:43:092951 隨著Flash各家原廠紛紛升級(jí)到64層3D NAND技術(shù)量產(chǎn)256Gb或512Gb單顆Die，以及提高新工廠的產(chǎn)出量，2018年三星將全面向3D NAND普及，美光預(yù)計(jì)2018年全球NAND
2018-08-22 16:53:432050 三星SSD路線圖更新QLC閃存是重點(diǎn) 在三星Tech Day會(huì)議上，三星不僅宣布了7nm EUV、16Gb GDDR6顯存等新工藝、新產(chǎn)品及新技術(shù)，SSD方面也更新了路線圖，未來(lái)的重點(diǎn)就是96層堆棧
2018-10-18 17:33:006571 趨勢(shì)看，128GB、256GB、512GB容量的機(jī)型也層出不窮，閃存容量高達(dá)1TB的機(jī)型也出現(xiàn)過(guò)，因此存儲(chǔ)卡的作用與需求將越來(lái)越小，從三星的512GB的存儲(chǔ)卡目前只上架不發(fā)售的情況看，似乎有炫技的意圖在里面。
2018-11-02 14:42:434062 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 1TB固態(tài)硬盤(pán)單價(jià)已經(jīng)有節(jié)奏的下跌50%，存儲(chǔ)芯片價(jià)格崩盤(pán)再次給高容量的固態(tài)硬盤(pán)普及推波助瀾。很快，傳說(shuō)中的512GB和1TB產(chǎn)品將會(huì)成為主流。
2019-02-18 15:19:051434 隨著3D閃存的問(wèn)世，固態(tài)硬盤(pán)的容量一直在提升，同時(shí)SSD主控技術(shù)也在進(jìn)步。早在850 PRO和850 EVO這一行業(yè)首個(gè)使用V-NAND技術(shù)的消費(fèi)者固態(tài)硬盤(pán)，當(dāng)時(shí)用的還是MHX主控，閃存則是從32層堆棧升級(jí)到了48層堆棧。
2019-05-09 11:25:2626064 現(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069 的存儲(chǔ)空間將從64GB提高到128GB，iPhone XI系列會(huì)保留256GB/512GB的高配版本，但iPhone XR 2019是否會(huì)提供512GB存儲(chǔ)版本還未能確定。
2019-06-08 18:08:006115 此次三星推出的三星Galaxy A50是三星旗下的一款中端產(chǎn)品。該機(jī)配備6.4英寸顯示屏，后置三顆攝像頭，包括一個(gè)主攝像頭、一個(gè)景深鏡頭和一個(gè)廣角鏡頭；配備4000mAh電池，輔以64GB存儲(chǔ)，支持512GB最大擴(kuò)容。
2019-06-12 16:44:443317 三星最新宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲(chǔ)產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲(chǔ)芯片，三星將提供16GB、32GB和64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-07-02 11:46:151133 據(jù)外媒報(bào)道稱(chēng)，三星歐洲等官網(wǎng)上都已經(jīng)出現(xiàn)了Note 10的細(xì)節(jié)，不過(guò)雖然不多，但是還是能看出一些端倪，比如Note 10+將會(huì)運(yùn)行安卓10.0系統(tǒng)，并且頂配是512GB版本，當(dāng)然也有256GB版本
2019-07-30 10:39:478324 在2016年的舊金山閃存峰會(huì)上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間）、包含獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)與優(yōu)化后的主控，三星于是用Z-NAND來(lái)命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 Galaxy Book S提供了13.3英寸的全高清觸控屏，采用8GB LPDDR4X內(nèi)存，最高512GB機(jī)身存儲(chǔ)，最多支持1TB的micro SD卡。這款筆記本電腦的電池42Wh，三星稱(chēng)視頻播放時(shí)間長(zhǎng)達(dá)23小時(shí)，這表明充滿(mǎn)電就能用一整天。該筆記本電腦還支持QC 2.0和PD 2.0快充。
2019-08-09 08:46:551648 三星發(fā)布全新企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)PM1733，該產(chǎn)品采用了三星自家研發(fā)的主控，搭配自家的第五代V-NAND閃存，單Die容量512Gb(64GB)，提供兩種不同規(guī)格，一個(gè)是2.5英寸雙U.2接口，另一個(gè)是PCIe接口。
2019-08-21 16:52:493293 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進(jìn)一步提高容量和密度，它擁有100多個(gè)活動(dòng)層。從性能的角度來(lái)看，要使V-NAND具有超過(guò)100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)。
2019-09-03 10:38:04981 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進(jìn)一步提高容量和密度，它擁有100多個(gè)活動(dòng)層。從性能的角度來(lái)看，要使V-NAND具有超過(guò)100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)。
2019-09-09 16:05:251778 9月19日晚上20點(diǎn)，Redmi最強(qiáng)旗艦K20 Pro尊享版將正式發(fā)布，官方最新預(yù)熱海報(bào)顯示，新機(jī)將搭載512GB超大存儲(chǔ)空間。
2019-09-18 11:48:315657 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking？架構(gòu)的中國(guó)首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-10-08 11:29:181727 三星宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲(chǔ)產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲(chǔ)芯片，三星將提供16GB、32GB和64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-10-18 14:30:401575 據(jù)悉，三星W20 5G采用4235mAh雙芯電池，搭配12GB+512GB大內(nèi)存，采用Dynamic AMOLED材質(zhì)的可折疊柔性屏幕，6攝像頭組合。
2019-11-20 10:16:341742 NAND閃存巨頭三星電子宣布開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 為什么買(mǎi)了512GB的硬盤(pán)到手只有480GB？
2019-12-17 09:55:3518017 為什么買(mǎi)了512GB的硬盤(pán)到手只有480GB？
2019-12-17 09:59:537203 固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的，也是目前技術(shù)最強(qiáng)的，已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)達(dá)到了48層。
2019-12-22 11:19:011517 今日，三星電子宣布已開(kāi)始量產(chǎn)512GB封裝容量的eUFS 3.1閃存，可用于手機(jī)、平板等。
2020-03-17 11:45:262694 三星今日宣布開(kāi)始量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片，其連續(xù)寫(xiě)入速度超過(guò)1.2GB/s，是其前代產(chǎn)品寫(xiě)入速度的3倍。
2020-03-17 14:22:143844 3月18日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子日前公告稱(chēng)，該公司開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片，適用于旗艦智能手機(jī)。
2020-03-18 17:01:052969 智能手機(jī)的運(yùn)算能力越來(lái)越高，下載速度也越來(lái)越快，儲(chǔ)存芯片的讀寫(xiě)速度亦需要配合，才能發(fā)揮每個(gè)環(huán)節(jié)的最高效能。日前三星（Samsung）就宣布開(kāi)始大規(guī)模投產(chǎn)512GB的eUFS 3.1儲(chǔ)存芯片，它的特點(diǎn)就是其讀寫(xiě)速度較上一代更快。
2020-03-21 10:06:273022 據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報(bào)道稱(chēng)三星可能會(huì)大幅改進(jìn)制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級(jí)到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號(hào)：X2-9060），用以滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-07-06 16:49:421991 存儲(chǔ)芯片大廠SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，TLC顆粒，容量達(dá)512Gb（64GB）。 ? 據(jù)，SK海力士透露，該閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時(shí)集成了PUC技術(shù)
2020-12-14 15:55:321786 疊加而成，第一批為T(mén)LC顆粒，單個(gè)Die的容量為512Gb（64GB），當(dāng)然后期很可能會(huì)加入QLC。 更重要的是，美光不只是宣布了新技術(shù)，而且176層閃存已經(jīng)量產(chǎn)并出貨了，已經(jīng)用于一些Crucial英睿達(dá)品牌的消費(fèi)級(jí)SSD，明年還會(huì)發(fā)布更多新產(chǎn)品。 在176層閃存技術(shù)上，美光
2020-11-14 10:01:202368 、512GB，那么這兩種情況下SSD有什么區(qū)別，廠商為什么要隱瞞部分SSD容量呢？ 針對(duì)這個(gè)現(xiàn)象，長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下的致鈦科技今天繼續(xù)科普SSD硬盤(pán)，這次就談到了SSD足容的問(wèn)題。 首先，閃存顆粒在設(shè)計(jì)的時(shí)候都是以2的冪次方來(lái)設(shè)計(jì)的，比方說(shuō)256GB、512GB等，所以依托于閃存顆粒進(jìn)行
2020-12-01 16:24:3612229 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時(shí)集成了PUC技術(shù)。 4D閃存是SK
2020-12-07 13:49:272200 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:092510 12月7日，韓國(guó)半導(dǎo)體公司SK海力士表示，近期已成功研發(fā)出基于三層存儲(chǔ)單元（TLC）的176層512Gb（千兆位）NAND閃存。
2020-12-08 11:01:412103 人民幣8400元）； Galaxy S21 Ultra起售價(jià)1349歐元（約合人民幣10700元）。 值得注意的是，Galaxy S21 Ultra提供了128GB、256GB和512GB三種存儲(chǔ)選擇，其中512GB頂配版本售
2020-12-23 10:18:333712 EVO 采用了 V-NAND 3-bit MLC，可選 250GB、500GB、1TB、2TB 和 4TB 版本。其中 1TB 以下搭載 512GB LPDDR4 緩存，1TB 版本 搭載 1GB
2021-01-19 17:52:314572 據(jù)供應(yīng)鏈消息，今年 iPhone Pro 系列的最高存儲(chǔ)容量將從 512GB 翻倍到 1TB。
2021-03-05 16:35:20892 今日，作為先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的廠商，三星宣布開(kāi)發(fā)出三星首款512GB內(nèi)存擴(kuò)展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。
2022-05-10 10:16:082306 搭載 MediaTek 天璣 8100 5G 移動(dòng)平臺(tái)，兼具澎湃性能與冰封能效；LPDDR5 + 512GB 超大存儲(chǔ)組合，處理速度大幅提升；144Hz 高配 LCD 屏幕，暢享高配護(hù)眼視覺(jué)
2022-10-27 09:57:186528 和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。 三星電子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:361624 三星電子計(jì)劃從今年第四季度開(kāi)始生產(chǎn)128gb和256gb產(chǎn)品，并生產(chǎn)512gb產(chǎn)品。256gb產(chǎn)品的連續(xù)讀取速度為2000兆/秒，連續(xù)寫(xiě)入速度為700兆/秒。
2023-07-14 11:33:521477 據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫(kù)存緩慢，很難說(shuō)服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:241963 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層，但I(xiàn)T之家此前曾報(bào)道過(guò)，三星在學(xué)術(shù)會(huì)議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達(dá)3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391410 據(jù)韓國(guó)業(yè)界消息，三星最早將于本月開(kāi)始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司預(yù)計(jì)將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當(dāng)前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。
2024-04-18 09:49:201500 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開(kāi)始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場(chǎng)的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 此前，三星國(guó)行GalaxyZFlip5手機(jī)在存儲(chǔ)空間上提供256GB與512GB兩個(gè)選項(xiàng)，而常規(guī)配色（如冰薄荷、冰玫紫等）及三星商城限定色彩（如海浪藍(lán)、山林綠等）以及MaisonMargiela限量版（銀色）則均配備8GB內(nèi)存。
2024-04-24 15:16:531579 作為九代V-NAND的核心技術(shù)，雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計(jì)算領(lǐng)域。據(jù)了解，三星計(jì)劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)
2024-04-28 10:08:011536 在技術(shù)層面，第九代V-NAND無(wú)疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實(shí)力。它采用了雙重堆疊技術(shù)，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎(chǔ)上，再次實(shí)現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破，堆疊層數(shù)飆升至驚人的290層。
2024-04-28 16:02:241874 據(jù)報(bào)道，三星Galaxy S24 Ultra已現(xiàn)身市場(chǎng)，其存儲(chǔ)版本分別有256GB、512GB及1TB三款，但內(nèi)存皆為12GB。然而，最新傳聞稱(chēng)三星將于明年推出的Galaxy S25 Ultra或?qū)?nèi)存提升至16GB。
2024-05-10 14:25:371353 Lexar NM620 512GB SSD PCIE3.0 X4測(cè)評(píng)
2024-06-16 14:30:501833 
intel 660P SSD PCIE 3.0X4 512GB測(cè)評(píng)
2024-06-16 14:32:492191 
據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道，三星電子在其第9代V-NAND閃存技術(shù)中實(shí)現(xiàn)了重大突破，首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬（Mo）技術(shù)。這一創(chuàng)新標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的又一次技術(shù)飛躍。
2024-07-04 09:23:501262 三星電子今日宣布了一項(xiàng)重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先，也預(yù)示著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)即將迎來(lái)一場(chǎng)革命性的變革。
2024-09-12 16:27:311108 近日，據(jù)韓媒報(bào)道，三星位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠正在加速推進(jìn)技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術(shù))轉(zhuǎn)換至第八代V-NAND(238層技術(shù))的基礎(chǔ)上，年內(nèi)
2025-02-14 13:43:271089
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