9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 。 繼96層QLC之后，將于2020年作為Arbordale + DC推出144層QLC 圖1：NAND閃存隨著SLC，MLC，TLC，QLC發(fā)展 3D NAND是當(dāng)前SSD中常用的閃存技術(shù)。換句話說
2019-10-04 01:41:005916 三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品，2015年8月正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于固態(tài)硬盤（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 西數(shù)公司日前表示今年會(huì)試產(chǎn)512Gb核心容量的64層堆棧3D NAND閃存，單顆核心容量就達(dá)到了64GB，比目前主流水平翻倍，制造超大容量SSD硬盤更容易了。
2017-02-07 14:21:311053 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 Micron公司最近推出了第一款QLC閃存產(chǎn)品，為NAND閃存市場(chǎng)又增添一位成員。而英特爾公司也計(jì)劃在2018年下半年推出其首款QLC閃存產(chǎn)品。
2018-06-14 08:55:2619802 作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-04-13 14:30:551874 在SSD市場(chǎng)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)量產(chǎn)了國(guó)產(chǎn)3D閃存，國(guó)內(nèi)SSD主控廠商也是遍地開花。日前國(guó)科微發(fā)布了新一代SSD主控GK2302V200系列，全面適配國(guó)產(chǎn)的128層TLC/QLC閃存，最高能使用160年
2020-05-11 09:58:425659 的是浮動(dòng)?xùn)艠O閃存單元架構(gòu)，獨(dú)立后轉(zhuǎn)向電荷捕獲(charge-trap)閃存單元架構(gòu)，第一代為128層堆疊，但更多的是過渡性質(zhì)，用來發(fā)現(xiàn)、解決新架構(gòu)設(shè)計(jì)的各種問題。 正因如此，美光全新176層堆疊閃存所取代的，其實(shí)是96層堆疊。 美光指出，與上一代128層3DNAND技術(shù)相比，將讀取延遲和寫入延遲改
2020-11-10 17:16:523977 在幾大閃存原廠的主力從96層升級(jí)到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營(yíng)，推出了162層3D閃存。各大廠商的3D閃存技術(shù)并不一樣，所以堆棧
2021-02-20 10:02:323312 V-NAND 1Tb TLC達(dá)290層，已開始量產(chǎn)。根據(jù)規(guī)劃，2025年主流閃存廠商的產(chǎn)品都將進(jìn)入300層+，甚至400層以上。至于遠(yuǎn)期，到2030年閃存有望突破1000層。 ? 2024 年三星第9 代
2024-05-25 00:55:005554 
STM32 啟動(dòng)文件選擇小容量產(chǎn)品是指閃存存儲(chǔ)器容量在16K至32K字節(jié)之間的STM32F101xx、STM32F102什么xx和STM32F103xx微控制器。中容量產(chǎn)品是指閃存存儲(chǔ)器容量在64K
2021-08-05 07:48:19
SK海力士雖然并未有擴(kuò)產(chǎn)消息傳出，但是近期相繼宣布下一代（176層）NAND閃存技術(shù)取得顯著進(jìn)展。其中，美光最新的176層3D NAND已經(jīng)在新加坡工廠量產(chǎn)，將在2021年推出基于該技術(shù)的新產(chǎn)品，SK
2022-01-26 08:35:58
三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹先生表示，三星不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，新一代的QLC產(chǎn)品成本可以降低60%，同時(shí)還推出了容量高達(dá)1Tb的V-NAND技術(shù)，速度將會(huì)達(dá)到1200Mbps。在市場(chǎng)應(yīng)用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
什么是QLC？QLC的出現(xiàn)是不是意味著SSD性能在倒退？QLC閃存會(huì)取代TLC、MLC嗎？
2021-06-18 06:27:34
減少NAND閃存產(chǎn)能投資，以便減少NAND供應(yīng)，緩解市場(chǎng)對(duì)降價(jià)的預(yù)期。 64層和96層堆棧閃存命運(yùn)各不同今年將是96層3D閃存爆發(fā)的元年。在64層堆棧之后，2018年下半年各大廠商也開始量產(chǎn)96層堆棧
2021-07-13 06:38:27
參考資料：小容量產(chǎn)品是指閃存存儲(chǔ)器容量在16K至32K字節(jié)之間的STM32F101xx、 STM32F102xx和STM32F103xx微控制器。中容量產(chǎn)品是指閃存存儲(chǔ)器容量在64K至128K字節(jié)
2021-07-22 07:17:59
一個(gè)市場(chǎng)的培育期和探索階段。民用監(jiān)控市場(chǎng)問題凸顯民用監(jiān)控市場(chǎng)的發(fā)展主要面臨幾個(gè)方面的問題，一個(gè)是雖然民用安防市場(chǎng)已經(jīng)開始啟動(dòng)，但個(gè)人、家庭對(duì)安防的關(guān)注還沒有達(dá)到一個(gè)比較高的程度，所以需要我們花費(fèi)比較
2013-07-31 09:53:02
現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會(huì)支持QLC，這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 東芝日前發(fā)布世界首個(gè)基于QLC（四比特單元） BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片。對(duì)于閃存技術(shù)的未來發(fā)展而言，這可謂是相當(dāng)重大的消息。
2017-07-04 16:30:52997 
目前，東芝和西數(shù)先后宣布成功開發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來臨。那么，它與TLC閃存又有什么區(qū)別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1396142 
一直阻繞東芝180億美元轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)的西數(shù)終于放手，不再干涉東芝進(jìn)行出售。雙方已經(jīng)達(dá)成和解，后續(xù)西部數(shù)據(jù)將繼續(xù)參與合資的閃存芯片工廠。
2017-12-13 09:07:081165 武漢建設(shè)NAND工廠，預(yù)計(jì)今年內(nèi)量產(chǎn)，據(jù)悉國(guó)產(chǎn)NAND閃存是32層堆棧的，是1000多名研究人員耗時(shí)2年、耗資10億美元研發(fā)的。
2018-05-16 10:06:004167 日前，東芝（TOSHIBA）、西數(shù)（WD）等存儲(chǔ)器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲(chǔ)器，核心容量可達(dá) 1.33TB，單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過因 QLC 快閃存
2018-07-26 18:01:002759 為實(shí)現(xiàn)更高儲(chǔ)存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲(chǔ)存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進(jìn)入64層TLC時(shí)代，展望2019年，三星（Samsung）、東芝
2018-06-11 09:16:004985 據(jù)悉美光計(jì)劃在今年年底推出QLC閃存驅(qū)動(dòng)器，目前閃存驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)在蠶食近線磁盤驅(qū)動(dòng)器市場(chǎng)。
2018-07-22 12:26:001006 
很顯然從今年開始，廠商們都開始將目光轉(zhuǎn)向了QLC閃存，之前Intel就已經(jīng)推出了首款搭載QLC閃存的SSD，而現(xiàn)在三星也正式宣布量產(chǎn)首款搭載QLC閃存的SSD，這些SSD從1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三種規(guī)格。
2018-08-07 17:00:031358 2018年8月7日的美國(guó)閃存峰會(huì)（FMS）上，海力士，三星，東芝，西部數(shù)據(jù)，Intel等NAND廠商紛紛發(fā)布QLC架構(gòu)的快閃存儲(chǔ)器或基于QLC NAND的SSD產(chǎn)品，滿足市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)容量日益激增的需求，那么QLC是什么呢？它的性能真的比SLC、MLC、TLC要好嗎
2018-08-18 08:34:498269 趙偉國(guó)認(rèn)為，中國(guó)的集成電路已經(jīng)初步擺脫了抄人家、學(xué)人家的狀態(tài)。他透露，紫光會(huì)在今年底量產(chǎn)32層64G的存儲(chǔ)器，在明年會(huì)量產(chǎn)64層128G的存儲(chǔ)器，并同步研發(fā)128層256G的存儲(chǔ)器。
2018-08-26 10:38:153176 Intel上個(gè)月剛剛發(fā)布了其首款QLC SSD 660P，它因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">QLC的低成本大容量特點(diǎn)，以相同容量下更低的價(jià)格擁有更高的性價(jià)比。雖然QLC性能相對(duì)弱些，但是價(jià)格低容量大還是很不錯(cuò)的。但是最近有消息指出，QLC閃存的產(chǎn)量過低。
2018-09-05 16:42:002854 三星SSD路線圖更新QLC閃存是重點(diǎn) 在三星Tech Day會(huì)議上，三星不僅宣布了7nm EUV、16Gb GDDR6顯存等新工藝、新產(chǎn)品及新技術(shù)，SSD方面也更新了路線圖，未來的重點(diǎn)就是96層堆棧
2018-10-18 17:33:006571 在經(jīng)歷了SLC、MLC、TLC的"技術(shù)降級(jí)"之后，全球消費(fèi)者無奈的只能接受QLC時(shí)代的到來。閃存SLC、MLC、TLC、QLC的降級(jí)之路，充分體現(xiàn)出了資本的貪婪。
2018-10-27 09:01:152086 今年7月，東芝與西數(shù)率先宣布了96層堆疊3D QLC閃存技術(shù)，單芯片就能做到1.33Tb（166GB），單個(gè)封裝可以做到2.66TB的驚人容量。做成2.5寸的SSD，容量要達(dá)到10TB也不是很難的事情。
2018-11-15 09:55:235621 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 QLC即Quad-Level Cell架構(gòu)，每個(gè)閃存單元內(nèi)可儲(chǔ)存4個(gè)比特?cái)?shù)據(jù)，相比TLC閃存的存儲(chǔ)密度提升33%。為了表達(dá)4比特?cái)?shù)據(jù)，一個(gè)QLC閃存單元擁有多達(dá)16種電壓狀態(tài)，對(duì)閃存品質(zhì)及主控糾錯(cuò)能力提出了很高的要求。
2019-04-09 09:56:536300 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國(guó)內(nèi)主要有紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對(duì)市場(chǎng)影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143966 SK Hynix的QLC閃存整體性能令人印象深刻。
2019-05-16 15:01:083806 SK海力士宣布，已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功，并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時(shí)距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過去了八個(gè)月。
2019-06-27 15:23:283820 去年QLC閃存存儲(chǔ)產(chǎn)品上市之后，消費(fèi)者對(duì)其似乎并不感冒，首選還是相對(duì)更加昂貴但穩(wěn)定性更好的TLC閃存產(chǎn)品。
2019-08-08 17:55:58891 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 隨著數(shù)據(jù)量的迅速增大，主流存儲(chǔ)技術(shù)也在迅速向前推進(jìn)中。3D NAND閃存從2014年的24層，到2016年的48層，到2017年的64層，再到2018年的96層，以及明年的1XX層，技術(shù)更新速度越來越快。
2019-09-26 17:26:111141 在近日于韓國(guó)首爾舉行的存儲(chǔ)開放日活動(dòng)中，Intel推出了使用QLC閃存的新款固態(tài)硬盤665P，繼續(xù)使用了660P所采用的慧榮SM2263主控，但閃存顆粒升級(jí)為96層3D QLC，但單Die依舊維持1024Gb容量（128GB）。
2019-09-27 15:22:294205 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking？架構(gòu)的中國(guó)首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-10-08 11:29:181727 在官宣發(fā)布兩個(gè)月后，Intel第二代QLC閃存SSD 665p新鮮上市，最先開賣的1TB容量款式目前的電商零售價(jià)是82.99美元（約合583元），可以說相當(dāng)勁爆。
2019-11-26 15:27:141511 盡管很多人并不喜歡QLC閃存，但是在不斷降低成本的壓力下，從三星到美光再到Intel等公司已經(jīng)把QLC閃存作為重點(diǎn)來抓，Intel今天就推出了第二代QLC閃存的665P系列硬盤，1TB只要83美元。
2019-11-27 08:56:581537 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 閃存芯片中，除了我們耳熟能祥的SLC，MLC,TLC以外，還有一種叫QLC閃存芯片。
2019-12-19 13:46:431618 在CES展會(huì)上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會(huì)在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-08 08:41:5212167 在CES展會(huì)上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會(huì)在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-08 10:34:135597 前幾天西數(shù)、鎧俠(原東芝存儲(chǔ))各自宣布了新一代BiCS5技術(shù)的3D閃存，堆棧層數(shù)也從目前的96層提升到了112層，IO接口速度提升40%，同時(shí)QLC型閃存核心容量可達(dá)1.33Tb，目前是世界最高水平的。
2020-02-04 15:23:071081 
西數(shù)公司今天正式宣布了新一代閃存技術(shù)BiCS5，這是西數(shù)與鎧俠（原來的東芝存儲(chǔ)）聯(lián)合開發(fā)的，在原有96層堆棧BiCS4基礎(chǔ)上做到了112層堆棧。
2020-02-06 15:13:363554 從去年底到現(xiàn)在，NAND閃存價(jià)格止跌回升，連帶著SSD硬盤價(jià)格也上漲了不少，現(xiàn)在1TB容量的SSD全面回到了千元甚至更高價(jià)位。什么時(shí)候1TB SSD硬盤才能降到300多元呢？這還得再等等，需要第四代QLC閃存了。
2020-04-01 08:30:512422 從去年底到現(xiàn)在，NAND閃存價(jià)格止跌回升，連帶著SSD硬盤價(jià)格也上漲了不少，現(xiàn)在1TB容量的SSD全面回到了千元甚至更高價(jià)位。什么時(shí)候1TB SSD硬盤才能降到300多元呢？這還得再等等，需要第四代QLC閃存了。
2020-04-01 09:14:261332 閃存顆粒主要有SLC、MLC和TLC、QLC四種閃存顆粒，至于更新一代的PLC閃存目前尚無定論。日本PCWatch網(wǎng)站分析NADN閃存的發(fā)展趨勢(shì)，指出QLC閃存至少會(huì)發(fā)展四代產(chǎn)品。
2020-04-07 09:36:281462 今年初，長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售資深副總裁龔翔曾公開表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過如今業(yè)界常見的96層堆疊閃存技術(shù)，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 16:38:211265 在今年，全球閃存廠商都在集體奔向100+層，例如SK海力士的128層已經(jīng)穩(wěn)定出貨，并計(jì)劃在年底推出196層內(nèi)存，三星、鎂光、西數(shù)、Intel也都已經(jīng)突破了百層。近期，國(guó)內(nèi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售資深副總裁龔翔表示，將跳過96層，直接投入128層閃存的技術(shù)研發(fā)和量產(chǎn)。
2020-04-11 16:47:514000 今日（4月13日），長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商場(chǎng)SSD等終端產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-13 09:23:091347 2020年4月13日，中國(guó)武漢，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款
2020-04-13 09:29:416830 4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC3DNAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格
2020-04-13 14:25:114118 2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:523480 4月13日，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491750 長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功，型號(hào)為X2-6070，并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:063603 對(duì)3D閃存來說，堆棧層數(shù)越多，容量就越大，存儲(chǔ)密度就越高，這是3D閃存的核心競(jìng)爭(zhēng)力，2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。
2020-04-20 09:25:073912 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功，這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:225527 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-05-12 09:54:014518 SSD硬盤現(xiàn)在已經(jīng)開始從TLC閃存向著QLC閃存升級(jí)，未來很快還會(huì)升級(jí)到PLC，容量還會(huì)增加，但是代價(jià)就是寫入壽命越來越低。從行業(yè)報(bào)告來看，PLC閃存的P/E壽命最短只有35次。
2020-06-30 15:54:1411952 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號(hào)：X2-9060），用以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-07-06 16:49:421991 最近關(guān)于QLC閃存的消息不斷，最勁爆的莫過于武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)全球首款128層QLC 3D NAND閃存，多項(xiàng)技術(shù)世界領(lǐng)先，最快年底量產(chǎn)。
2020-07-30 11:40:1021165 隨著QLC閃存的不斷深入，SSD硬盤容量也是走上了康莊大道了，現(xiàn)在海盜船推出了七起步1TB、最高8TB容量的M．2硬盤——MP400系列，全面升級(jí)3D QLC閃存。
2020-10-10 14:50:533016 
閃存是最常用器件之一，在諸如SSD等存儲(chǔ)設(shè)備中均存在閃存。但是，大家對(duì)閃存真的足夠了解嗎?為增進(jìn)大家對(duì)閃存的了解和認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)QLC閃存以及TLC閃存相關(guān)內(nèi)容予以介紹。如果你對(duì)閃存具有興趣，不妨
2020-11-06 17:38:5889196 
疊加而成，第一批為TLC顆粒，單個(gè)Die的容量為512Gb（64GB），當(dāng)然后期很可能會(huì)加入QLC。 更重要的是，美光不只是宣布了新技術(shù)，而且176層閃存已經(jīng)量產(chǎn)并出貨了，已經(jīng)用于一些Crucial英睿達(dá)品牌的消費(fèi)級(jí)SSD，明年還會(huì)發(fā)布更多新產(chǎn)品。 在176層閃存技術(shù)上，美光
2020-11-14 10:01:202368 得益于容量大、價(jià)格低的優(yōu)勢(shì)，如今越來越多的SSD硬盤轉(zhuǎn)向QLC閃存，大家擔(dān)心的主要是QLC閃存的壽命，具體來說就是P/E擦寫次數(shù)，通常在1000次左右，而IBM現(xiàn)在解決了QLC壽命問題，做到了史無前例的16000次擦寫壽命，壽命比SLC還強(qiáng)。
2020-12-08 09:40:035086 雖然已經(jīng)將閃存業(yè)務(wù)出售給SK海力士，但是Intel還會(huì)繼續(xù)發(fā)展存儲(chǔ)芯片。日前的存儲(chǔ)峰會(huì)上，Intel推出了一系列SSD硬盤，包括670P、傲騰H20等，首發(fā)了144層TLC、QLC閃存，涵蓋消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)等多個(gè)市場(chǎng)。
2020-12-17 10:11:282736 2020年閃存繼續(xù)降價(jià)，SSD硬盤也一路下滑，1TB硬盤也成了很多人裝機(jī)的選擇。馬上就要到2021年了，業(yè)界預(yù)計(jì)明年QLC閃存會(huì)更普及，其性能、可靠性等指標(biāo)已經(jīng)追上TLC閃存，堆棧層數(shù)也全面邁向100+層。
2020-12-25 10:00:135908 2020年閃存繼續(xù)降價(jià)，SSD硬盤也一路下滑，1TB硬盤也成了很多人裝機(jī)的選擇。馬上就要到2021年了，業(yè)界預(yù)計(jì)明年QLC閃存會(huì)更普及，其性能、可靠性等指標(biāo)已經(jīng)追上TLC閃存，堆棧層數(shù)也全面邁向
2020-12-25 10:50:252768 2020年閃存繼續(xù)降價(jià)，SSD硬盤也一路下滑，1TB硬盤也成了很多人裝機(jī)的選擇。馬上就要到2021年了，業(yè)界預(yù)計(jì)明年QLC閃存會(huì)更普及，其性能、可靠性等指標(biāo)已經(jīng)追上TLC閃存，堆棧層數(shù)也全面邁向100+層。
2020-12-25 14:30:332242 近日，Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品，不過對(duì)于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392737 近日，Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品，不過對(duì)于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:48:343180 在幾大閃存原廠的主力從96層升級(jí)到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營(yíng)，推出了162層3D閃存。 各大廠商的3D閃存技術(shù)并不一樣，所以堆棧
2021-02-19 18:03:412917 在幾大閃存原廠的主力從96層升級(jí)到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營(yíng)，推出了162層3D閃存。
2021-02-20 10:40:582714 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發(fā)展下來，容量密度越來越高，成本越來越低，性能和壽命卻越來越渣，不得不依靠各種技術(shù)以及主控優(yōu)化來輔助，但依然不容樂觀。 TLC依然是目前市場(chǎng)
2021-02-22 09:53:272195 
SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發(fā)展下來，容量密度越來越高，成本越來越低，性能和壽命卻越來越渣，不得不依靠各種技術(shù)以及主控優(yōu)化來輔助，但依然不容樂觀。
2021-02-22 10:00:493891 
日前在Tech Field Day 2022技術(shù)峰會(huì)預(yù)覽下一代192層3D閃存芯片時(shí)，Solidigm明確指出，這是QLC顆粒（4bits/cell）。
2022-11-10 10:39:341481 SK海力士收購Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重新組建的Solidigm公司非?；钴S，最近披露了其近期NAND、SSD規(guī)劃路線圖，預(yù)計(jì)2023年上半年陸續(xù)落地。 雖然是企業(yè)級(jí)的，距離我們很遠(yuǎn)，但技術(shù)上
2022-11-22 17:38:192487 SK海力士收購Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來的Solidigm，就發(fā)布了一款QLC閃存的企業(yè)級(jí)產(chǎn)品P5-D5430，可以說是QLC SSD的一個(gè)代表作。
2023-06-09 10:41:431841 
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 長(zhǎng)江存儲(chǔ)1Tb TLC芯片的存儲(chǔ)密度已達(dá)15.47Gb每平方毫米，1Tb QLC更是高達(dá)19.8Gb每平方毫米，在兩種閃存類型中都無出其右者。
2023-11-02 11:11:463853 
在存儲(chǔ)容量和成本的權(quán)衡下，據(jù)報(bào)道，蘋果 iPhone 16 Pro 系列的1TB機(jī)型可能將采用QLC NAND閃存。這一決策意味著成本降低，但讀寫速度可能會(huì)受到影響。
2024-01-18 20:02:242493 據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層，但IT之家此前曾報(bào)道過，三星在學(xué)術(shù)會(huì)議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達(dá)3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391410 美光科技近期宣布，其創(chuàng)新的232層QLC NAND芯片已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并已開始出貨。這一里程碑式的成就標(biāo)志著美光在NAND技術(shù)領(lǐng)域再次取得了顯著進(jìn)步，鞏固了其在全球存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2024-04-29 10:36:341553 美光科技近日宣布了重大技術(shù)突破，其先進(jìn)的232層QLC NAND閃存已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤（SSD）中。此外，美光還推出了2500 NVMeTM SSD，該產(chǎn)品已面向企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)客戶大規(guī)模生產(chǎn)，并向PCOEM廠商提供了樣品。
2024-05-06 10:59:251099 美光科技再次領(lǐng)跑行業(yè)前沿，近日宣布其232層QLC NAND產(chǎn)品已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并已開始應(yīng)用于部分Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤中。這一突破性的技術(shù)不僅滿足了客戶端對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的高需求，同時(shí)也為數(shù)據(jù)中心提供了更高效的存儲(chǔ)解決方案。
2024-05-09 14:53:551034 三星電子今日宣布了一項(xiàng)重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先，也預(yù)示著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)即將迎來一場(chǎng)革命性的變革。
2024-09-12 16:27:311108 近日，鎧俠宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四層單元（4LC）技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統(tǒng)的TLC UFS，擁有更高的位密度，使其在存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)的移動(dòng)應(yīng)用程序領(lǐng)域具有更廣泛的應(yīng)用前景。
2024-10-31 18:22:003418 轉(zhuǎn)眼間，QLC SSD問世已有幾個(gè)年頭，從問世之初被質(zhì)疑的“短命鬼”，到如今市場(chǎng)的又一大主流選擇，QLC和它的前輩們一樣，在批判中前進(jìn)，在螺旋中上升。
2025-11-30 09:25:20495 在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822
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