最高的64層3D NAND芯片。據(jù)techweb的消息顯示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年年底預(yù)計(jì)正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,明年開始逐步提升產(chǎn)能,預(yù)計(jì)2020年底有望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬(wàn)片晶圓的規(guī)模。
2019-08-27 09:32:51
2672 9月2日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布,其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位,每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存)正式量產(chǎn),以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 SK海力士本周宣布,他們已經(jīng)開始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品,該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前,他們推出了96層第5代3D NAND,但低價(jià)促使他們削減了產(chǎn)量,而第4代72L
2019-11-25 17:21:55
6386 Kioxia(原東芝存儲(chǔ)),西部數(shù)據(jù)(WD)聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前,原東芝存儲(chǔ)就在國(guó)際會(huì)議VLSI研討會(huì)上首次分享了
2019-12-13 10:46:07
12470 7月24日國(guó)外消息:SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:23
1561 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比,具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢(shì)。
2013-08-29 10:46:51
2858 
近日中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)最引人關(guān)注的爆炸性新聞是武漢新芯計(jì)劃2018年量產(chǎn)48層3D NAND,及它的投資240億美元的計(jì)劃。
2016-05-24 10:29:50
1676 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了,TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:43
7470 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月,先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng),如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:06
44661 
目前NAND閃存需求依然居高不下,廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了,SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存,這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16
1088 各大原廠已經(jīng)在2016年研發(fā)了基于48層或32層的3D NADN閃存顆粒,由于技術(shù)不成熟以及2D NAND生產(chǎn)線替換問題,如今3D NAND的良品率并不高,總產(chǎn)量也不夠高,因而才引發(fā)了當(dāng)下固態(tài)硬盤市場(chǎng)價(jià)格的瘋漲。
2016-11-09 17:37:38
3369 SK 海力士最先進(jìn) 72 層 3D NAND 內(nèi)存?zhèn)髅髂觊_始量產(chǎn),韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出,海力士計(jì)劃于 2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì),位在利川(Icheon)的 M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 09:06:35
1594 據(jù)外媒報(bào)道,東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存,采用64層堆疊,單晶粒容量512Gb(64GB,TLC),相對(duì)于上一代48層256Gb,容量密度提升了65%,這樣封裝閃存芯片的最高容量將達(dá)到960GB。
2017-02-23 08:33:40
1752 蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)今天發(fā)布了72層,256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍,單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存,這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍,讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:04
2003 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來越強(qiáng)勁,把三星和蘋果的市場(chǎng)份額搶占不少,但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日,高啟全接受媒體采訪時(shí)表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:04
2528 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊:三星今天在韓國(guó)宣布,開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND閃存芯片,是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:00
2458 日本東芝記憶體與合作伙伴西部數(shù)據(jù)為全新的半導(dǎo)體設(shè)施Fab 6 (6號(hào)晶圓廠)與記憶體研發(fā)中心舉行開幕儀式;東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無(wú)懼芯片價(jià)格下跌疑慮,表示將于9月量產(chǎn)96層3D NAND快閃芯片。
2018-09-20 09:25:42
5627 集微網(wǎng)消息,9月19日,2018年中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(CFMS2018)在深圳舉行,長(zhǎng)江存儲(chǔ)總經(jīng)理?xiàng)钍繉幉┦恳浴皠?chuàng)新Xtacking?架構(gòu):釋放3D NAND潛能”為主題,介紹長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking?架構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND新進(jìn)展。
2018-09-20 10:22:07
5992 提升, 已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一,并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片, 是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND閃存?;蹣s科技身為SSD主控芯片的
2020-09-11 10:03:29
3528 2018年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)32層64Gb 3D NAND Flash量產(chǎn)。它注定將開創(chuàng)中國(guó)存儲(chǔ)芯片的歷史。
2019-01-28 17:18:55
17621 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露,該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃,美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn),并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型,第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-03 09:24:15
4889 11月12日消息今日,美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存,刷新行業(yè)紀(jì)錄,實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176層NAND產(chǎn)品采用美光第五代3D NAND技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。
2020-11-13 09:40:16
3599 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND,并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:00
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128層甚至更高,外圍電路可能會(huì)占到芯片Xtacking技術(shù)將外圍電路連接到存儲(chǔ)單元之上,從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存產(chǎn)品將在2020年進(jìn)入
2020-03-19 14:04:57
2.5V NAND,有效降低功耗,未來EDSFF將在散熱方面會(huì)有更杰出的表現(xiàn),同時(shí)也希望對(duì)NAND進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化。長(zhǎng)江存儲(chǔ):2019年量產(chǎn)64層3D NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為NAND Flash產(chǎn)業(yè)新晉者
2018-09-20 17:57:05
減少NAND閃存產(chǎn)能投資,以便減少NAND供應(yīng),緩解市場(chǎng)對(duì)降價(jià)的預(yù)期。 64層和96層堆棧閃存命運(yùn)各不同今年將是96層3D閃存爆發(fā)的元年。在64層堆棧之后,2018年下半年各大廠商也開始量產(chǎn)96層堆棧
2021-07-13 06:38:27
上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布,已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程,并將于2017年上半年開始量產(chǎn),不過恐怕仍無(wú)法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:26
1430 SK 海力士最先進(jìn)72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產(chǎn),韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出,海力士計(jì)劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì),位在利川(Icheon)的M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:11
1317 
據(jù)報(bào)道,蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級(jí)單元陣列的 72 層,256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊,這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元,單個(gè)
2017-04-12 01:07:11
1359 現(xiàn)在,西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存,其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)(下半年出樣,2018年開始量產(chǎn)),除了TLC類型外,其還會(huì)支持QLC,這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40
937 6月29日消息 據(jù)外媒NEOWIN報(bào)道,英特爾今天宣布推出SSD 545s固態(tài)硬盤,它是主流的SATA驅(qū)動(dòng)器,使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產(chǎn)品,且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:05
1179 盡管不少用戶對(duì)TLC的壽命和穩(wěn)定性都保持謹(jǐn)慎的態(tài)度,但東芝將TLC應(yīng)用到企業(yè)級(jí),卻也表達(dá)了東芝對(duì)TLC的信心。繼主流的XG5 NVMe、低端的TR200 SATA、單芯片的BG3之后,就在近日,東芝再將64層堆疊設(shè)計(jì)的3D TLC閃存帶到了企業(yè)級(jí)領(lǐng)域,而這也是全球首次。
2017-08-09 15:53:56
4419 的廠商競(jìng)爭(zhēng),以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么,到底什么是閃存顆?2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系? 閃存顆粒到底是什么? 閃存顆粒,又稱閃存,是一種非易失性存儲(chǔ)器,即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:26
6 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年,主要是因?yàn)镕lash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重,而且相較于2D NAND技術(shù),64層256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用,使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00
918 上周,隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨(dú)立開發(fā)3D NAND,其維持多年的長(zhǎng)期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時(shí),有外媒報(bào)道,英特爾將于紫光合作,在中國(guó)生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來幾年,英特爾將會(huì)
2018-01-16 14:37:55
5172 
層數(shù)的增加也就意味著對(duì)工藝、材料的要求會(huì)提高,要想達(dá)到140層堆疊就必須使用新的基礎(chǔ)材料。而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候,存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大,然而每層的厚度卻在縮小,以前的32/36層3D NAND
2018-05-28 16:25:48
51340 而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候,存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大,然而每層的厚度卻在縮小,以前的32/36層3D NAND的堆棧厚度為2.5μm,層厚度大約70nm,48層的閃存堆棧厚度為3.5μm,層厚度減少到
2018-06-03 09:50:55
6262 無(wú)論是3D堆疊還是QLC的推出,這些情況均說明了隨著3D NAND技術(shù)走向?qū)嵱没?,?guó)際廠商正在加快推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步。3D NAND相對(duì)2D NAND來說,是一次閃存技術(shù)上的變革。而且不同于基于微縮技術(shù)
2018-06-20 17:17:49
5087 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口,傳輸速率提升至1.4Gbps,與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒,比上代提升30%,而讀取信號(hào)響應(yīng)時(shí)間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:17
3338 面對(duì)2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況,三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒,堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:32
8259 由于NAND閃存價(jià)格上漲,SSD普及的道路走的異常艱難,同容量下SSD和HDD的價(jià)格始終相差懸殊,但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存,把SSD的價(jià)格和性能控制在一個(gè)很好的平衡點(diǎn),具有極高的性價(jià)比和極強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:36
5391 ,第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期,堆棧層數(shù)達(dá)到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了,今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
2018-08-03 16:15:03
1683 昨日長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:39
5421 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)報(bào)捷,已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn),震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:00
2770 上周,美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND,由于采用的QLC(4bits/cell)架構(gòu)相較于TLC(3bits/cell)容量更大,使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb,備受市場(chǎng)高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:46
2599 SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略,來鞏固其市場(chǎng)主導(dǎo)地位。
2018-09-07 16:59:04
3820 32-48層,廠商們還在研發(fā)64層甚至更高層數(shù)的堆棧技術(shù)。四大NAND豪門的3D NAND閃存及特色在主要的NAND廠商中,三星最早量產(chǎn)了3D NAND,其他幾家公司在3D NAND閃存量產(chǎn)上要落后三星
2018-10-08 15:52:39
780 傳說中的64層3D NAND的故事,延續(xù)了1年時(shí)間。這次巧合的機(jī)會(huì)體驗(yàn)到東芝TR200 SSD 240G。而且是東芝自主研發(fā)的3D閃存技術(shù)。是東芝首款64層 3D NAND SSD。
2018-10-09 16:26:00
11015 支持64層3D QLC后,現(xiàn)已全面支持最新96層3D NAND閃存顆粒。此次發(fā)布的96層3D TLC NAND閃存固態(tài)硬盤解決方案,客戶無(wú)需修改硬件,為客戶快速量產(chǎn)提供了極大的便利性。聯(lián)蕓科技最新發(fā)
2018-11-19 17:22:31
8411 推出64層/72層3D NAND,預(yù)計(jì)從下半年開始將陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)階段,屆時(shí)3D NAND產(chǎn)能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:57
1562 2019新年伊始,紫光“官宣”旗下紫光宏茂微電子成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)。
2019-01-11 09:56:31
5732 近日,LiteOn推出一款最新MU3系列SSD,采用東芝64層BiCS 3D TLC NAND,7毫米/2.5英寸外形,SATA 6Gbps接口,提供120GB,240GB和480GB三種容量選擇。
2019-02-18 15:33:37
4328 日前有消息稱紫光純國(guó)產(chǎn)的SSD硬盤就要上市了,使用是他們研發(fā)生產(chǎn)的64層堆棧3D TLC閃存,P/E次數(shù)可達(dá)1500次,這個(gè)技術(shù)及規(guī)格在主流SSD中已經(jīng)不低了。
2019-03-15 10:38:45
5883 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱,中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片,這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無(wú)疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:12
2056 紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)YMTC是國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片陣營(yíng)中主修NAND閃存的公司,也是目前進(jìn)度最好的,去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存,前不久紫光在深圳第七屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)
2019-04-18 16:18:52
2545 據(jù)Digitimes報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)將于年底前投入64層3D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)三季度啟動(dòng),目前良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-08 09:18:44
3189 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中,國(guó)內(nèi)主要有紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)專攻NAND閃存,小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存,但對(duì)市場(chǎng)影響有限,今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:14
3966 現(xiàn)在,長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:00
3069 根據(jù)官網(wǎng)資料,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:00
2725 SK海力士宣布,已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功,并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片,此時(shí)距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過去了八個(gè)月。
2019-06-27 15:23:28
3820 SK海力士宣布,該公司已經(jīng)在全世界率先成功研發(fā)出128層4D Nand閃存芯片,將從今年下半年(7月~12月)開始投入量產(chǎn)。
2019-06-28 14:35:20
6119 NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。作為中國(guó)首款64層3DNAND閃存,該產(chǎn)品將亮相IC China 2019紫光集團(tuán)展臺(tái)。
2019-09-02 16:27:50
4051 長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元
2019-09-03 10:07:02
1788 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技(YMTC)本周早些時(shí)候表示,已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:16
2374 據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:00
5147 近日,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用。這是中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn),將大幅拉近中國(guó)與全球一線存儲(chǔ)廠商間的技術(shù)差距。
2019-09-17 11:45:19
4095 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:24
1455 隨著數(shù)據(jù)量的迅速增大,主流存儲(chǔ)技術(shù)也在迅速向前推進(jìn)中。3D NAND閃存從2014年的24層,到2016年的48層,到2017年的64層,再到2018年的96層,以及明年的1XX層,技術(shù)更新速度越來越快。
2019-09-26 17:26:11
1141 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的中國(guó)首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-10-08 11:29:18
1727 英特爾透露,2019年第四季度將會(huì)推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤的144層QLC(四級(jí)單元)NAND,預(yù)計(jì)將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:32
1449 美光宣布,已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu),并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32
1180 今年一季度,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)開始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:33
1140 根據(jù)消息報(bào)道,西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布,他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功,第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn),今年下半年可能會(huì)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:34
5210 據(jù)證券時(shí)報(bào)消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工,從中長(zhǎng)期來看,這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:15
2895 2020年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:52
3480 長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號(hào)為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:06
3603 據(jù)了解,136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報(bào)道稱三星可能會(huì)大幅改進(jìn)制造工藝,從現(xiàn)在的單堆棧(single-stack)升級(jí)到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01
776 對(duì)3D閃存來說,堆棧層數(shù)越多,容量就越大,存儲(chǔ)密度就越高,這是3D閃存的核心競(jìng)爭(zhēng)力,2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。
2020-04-20 09:25:07
3912 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:00
3612 閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開始接洽合作,從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226,至近期的64層3D NAND,群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:09
1627 ,已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一,并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片,是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?;蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:16
2690 ,已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一,并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片,是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?;蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:34
2586 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:49
3038 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后,自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:21
2924 IT之家11月12日消息 今日,美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存,刷新行業(yè)紀(jì)錄,實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:57
2623 存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:55
3696 NAND 應(yīng)運(yùn)而生,可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量,在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來的 3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存峰
2020-11-20 16:07:13
3095 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來的 3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存峰會(huì)
2020-11-20 17:15:44
4306 NAND應(yīng)運(yùn)而生,可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量,在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 ? ? ? ?依托于先進(jìn)工藝的3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率? 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:49
3617 發(fā)展至今,NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久,存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”,2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:37
4583 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:15
3354 
長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時(shí)間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:21
8286 美光已經(jīng)在完成 232 層 NAND 的訂單,而且不甘示弱,SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產(chǎn) 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D NAND。或許更重要的是,芯片制造商私下表示,他們將利用行業(yè)學(xué)習(xí)為目前正在開發(fā)的 3D-IC 堆疊 NAND。
2022-08-29 16:59:20
888 據(jù)知名半導(dǎo)體和微電子情報(bào)提供商TechInsights報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士等廠商,這也是__中國(guó)品牌在半導(dǎo)體領(lǐng)域首次領(lǐng)先于國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)者。__
2022-12-05 17:07:38
1876 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:39
4227 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃,預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:29
3142 最近,三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示,計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后,將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:05
2015 目前,鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同研發(fā)NAND閃存技術(shù),他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存,這項(xiàng)產(chǎn)品能達(dá)到的傳輸速度高達(dá)3200MT/s。
2024-04-07 15:21:57
1351 據(jù)韓國(guó)業(yè)界消息,三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND(3D NAND)閃存芯片。
2024-04-17 15:06:59
1502 在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來了大量產(chǎn)品,其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:14
4822
評(píng)論