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電子發(fā)燒友網(wǎng)>人工智能> Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

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超級計(jì)算機(jī)性能百億億次時代開啟 SK海力士HBM3為超算加速

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2023-05-25 16:39:337121

HBM性能驗(yàn)證變得簡單

HBM2E(高帶寬內(nèi)存)是一種高性能 3D 堆疊 DRAM,用于高性能計(jì)算和圖形加速。它使用更少的功率,但比依賴DDR4或GDDR5內(nèi)存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(tǒng)(如內(nèi)存子系統(tǒng)、互連總線和處理)結(jié)構(gòu)復(fù)雜,驗(yàn)證內(nèi)存性能和利用率對用戶來說是一個巨大的挑戰(zhàn)。
2023-05-26 10:24:381416

AI推理打造高達(dá)24Gb/s的GDDR6 PHY,Rambus全面支持中國市場的AI升級

人工智能在通過大量的數(shù)據(jù)進(jìn)行訓(xùn)練之后,神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)打造的完整模型將被集成在邊緣或?qū)嶋H應(yīng)用場之中,往往大量的AI正是應(yīng)用在于邊緣AI推理。與AI訓(xùn)練需要大量的數(shù)據(jù)和算力不同,AI推理對算力的需求大幅下降
2023-05-26 16:38:422436

Rambus提升GDDR6帶寬,以應(yīng)對邊緣計(jì)算挑戰(zhàn)

HBM(高帶寬內(nèi)存)于 2013 年推出,是一種高性能 3D 堆疊 SDRAM架構(gòu)。如其名稱所述,HBM最重要的是帶寬更高,盡管HBM內(nèi)存都以相對較低的數(shù)據(jù)速率運(yùn)行,但其通道數(shù)更多。例如,以3.6
2023-05-29 09:34:571279

瘋搶!HBM成為AI新瓶頸!

SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達(dá)首先要求提供樣品,這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3,并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:391894

三星計(jì)劃為英偉達(dá)AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù);傳蘋果悄悄開發(fā)“Apple GPT” 或?qū)⑻魬?zhàn)OpenAI

熱點(diǎn)新聞 1、三星計(jì)劃為英偉達(dá)AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù) 據(jù)報道,英偉達(dá)正在努力實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心AI GPU中使用的HBM3和2.5D封裝的采購多元化。消息人士稱,這家美國芯片巨頭正在
2023-07-20 17:00:021360

Cadence將收購Rambus半導(dǎo)體公司PHY IP資產(chǎn)

Cadence高級首席副總經(jīng)理兼ip集團(tuán)總經(jīng)理博伊德?菲爾普斯所說的話。內(nèi)存和serdes ip設(shè)計(jì)及整合ai、數(shù)據(jù)中心及超大型應(yīng)用程序,cpu的架構(gòu)及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的設(shè)計(jì)繼續(xù)對必需的因素,是rambus ip和經(jīng)驗(yàn),許多球隊(duì)的參與是促進(jìn)設(shè)計(jì)的提高采斯的智能系統(tǒng)設(shè)計(jì)戰(zhàn)略進(jìn)一步加速。
2023-07-21 11:38:081483

美光推出業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存

1.2TB/s,引腳速率超過 9.2Gb/s,比當(dāng)前市面上現(xiàn)有的 HBM3 解決方案性能提升最高 50%。美光第二代 HBM3 產(chǎn)品與前一代產(chǎn)品相比,每瓦性能提高 2.5 倍,創(chuàng)下了關(guān)鍵型人工智能(AI
2023-07-28 11:36:401472

Cadence收購Rambus SerDes和存儲接口PHY IP業(yè)務(wù)

IP 業(yè)務(wù)達(dá)成最終協(xié)議,Rambus 是首屈一指的芯片和硅 IP 提供商,致力于提高數(shù)據(jù)速率和安全性。Rambus 將保留其數(shù)字 IP 業(yè)務(wù),包括存儲和接口控制器以及安全 IP。通過擬定的此次技術(shù)
2023-07-28 17:11:512185

美光推出性能更出色的大容量高帶寬內(nèi)存 (HBM) 助力生成式人工智能創(chuàng)新

性能提升最高50%。美光第二代HBM3產(chǎn)品與前一代產(chǎn)品相比,每瓦性能提高2.5倍,創(chuàng)下了關(guān)鍵型人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心性能、
2023-08-01 15:38:211539

三星正與英偉達(dá)開展GPU HBM3驗(yàn)證及先進(jìn)封裝服務(wù)

在此之前,英偉達(dá)將大部分gpu的高級成套產(chǎn)品委托給tsmc。半導(dǎo)體方面,將sk海力士的hbm3安裝在自主制造的單一gpu芯片上,生產(chǎn)英偉達(dá)h100。但是最近隨著生成型人工智能的普及,h100的需求劇增,在處理nvidia的所有訂單上遇到了困難。
2023-08-02 11:54:181663

業(yè)界最快、容量最高的HBM?

容量HBM3 Gen2內(nèi)存樣品,其帶寬超過1.2TB/s,引腳速度超過9.2Gb/s,相比目前出貨的HBM3解決方案提高了50%。美光的HBM3 Gen2產(chǎn)品的每瓦性能是前幾代產(chǎn)品的2.5倍,據(jù)稱
2023-08-07 17:38:071470

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ),成功開發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e?!皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ),從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e,鞏固在針對ai的存儲市場上的獨(dú)一無二的地位?!?/div>
2023-08-21 09:21:491810

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E,向英偉達(dá)提供樣品

該公司表示,HBM3E(HBM3的擴(kuò)展版本)的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平,SK海力士計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E,鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:411676

SK海力士推全球最高性能HBM3E內(nèi)存

HBM3E內(nèi)存(也可以說是顯存)主要面向AI應(yīng)用,是HBM3規(guī)范的擴(kuò)展,它有著當(dāng)前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:071670

SK海力士成功開發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E

與此同時,SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù),其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性(Backward compatibility)**,因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中,無需修改其設(shè)計(jì)或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
2023-08-23 15:13:131516

三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3

有分析師爆料稱三星將成為英偉達(dá)的HBM3存儲芯片關(guān)鍵供應(yīng)商,三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3。
2023-09-01 09:46:5141381

創(chuàng)意電子宣布5nm HBM3 PHY和控制器經(jīng)過硅驗(yàn)證,速度為8.4Gbps

區(qū)進(jìn)行了展示。利用臺積電業(yè)界領(lǐng)先的CoWoS?技術(shù),平臺包含功能齊全的HBM3控制器和PHY IP以及供應(yīng)商HBM3儲存。 Level4自動駕駛計(jì)算機(jī)所需的計(jì)算量呈爆炸式增長,因此車用處理紛紛采用基于2.5D小芯片的架構(gòu)和HBM3存儲。在惡劣的車用環(huán)境和高可靠性要求下,2.5D互連的持續(xù)監(jiān)控和
2023-09-07 17:37:501195

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點(diǎn)

,skjmnft同時已經(jīng)向英偉達(dá)等用戶ERP交付樣品。 該公司的HBM3E內(nèi)存采用 eight-tier 布局,每個堆棧為24 GB,采用1β 技術(shù)生產(chǎn),具備出色的性能。Multiable萬達(dá)寶ERP具備數(shù)字化管理各個業(yè)務(wù)板塊,提升
2023-10-10 10:25:461636

淺談DRAM的常用封裝技術(shù)

目前,AI服務(wù)HBM(高帶寬內(nèi)存)的需求量越來越大,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">HBM大大縮短了走線距離,從而大幅提升AI處理運(yùn)算速度。HBM經(jīng)歷了幾代產(chǎn)品,包括HBM、HBM2、HBM2e和HMB3,最新的HBM3e剛出樣品。
2023-11-28 09:49:103064

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

Gbps性能,可支持 HBM3 標(biāo)準(zhǔn)的持續(xù)演進(jìn)。相比 HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的數(shù)據(jù)速率,Rambus HBM3 內(nèi)存控制器的數(shù)據(jù)速率提高了 50%,總內(nèi)存吞吐量超過 1.2 TB/s,適用于推薦系統(tǒng)的訓(xùn)練、生成式 AI 以及其他要求苛刻的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。
2023-12-07 14:16:061367

AI大模型不斷拉高上限,內(nèi)存控制器IP提早部署,力拱HBM3E的到來

數(shù)據(jù)量、復(fù)雜度在增加,HBM內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓(xùn)練場景。最近,內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E競爭當(dāng)中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內(nèi)存
2023-12-13 15:33:482459

Rambus推出9.6Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP

人工智能(AI)無疑是近幾年最火的技術(shù)。從開發(fā)到部署AI技術(shù)主要可分為兩大步驟,即AI訓(xùn)練和AI推理。
2023-12-22 13:50:331569

Rambus 通過業(yè)界首款第四代 DDR5 RCD 提升數(shù)據(jù)中心服務(wù)性能

DDR5 模塊解決方案,其內(nèi)存帶寬提高了 50%。它支持服務(wù)內(nèi)存性能的快速提升,以滿足生成式人工智能和其他高級數(shù)據(jù)中心工作
2023-12-28 11:21:571133

英偉達(dá)斥資預(yù)購HBM3內(nèi)存,為H200及超級芯片儲備產(chǎn)能

據(jù)最新傳聞,英偉達(dá)正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片,這也進(jìn)一步說明了對于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:041446

Rambus HBM3內(nèi)存控制器IP速率達(dá)到9.6 Gbps

在人工智能大模型浪潮的推動下,AI訓(xùn)練數(shù)據(jù)集正極速擴(kuò)增。以ChatGPT為例,去年11月發(fā)布的GPT-3,使用1750億個參數(shù)構(gòu)建,今年3月發(fā)布的GPT-4使用超過1.5萬億個參數(shù)。海量的數(shù)據(jù)訓(xùn)練,這對算力提出了高需求。
2024-01-23 11:19:091868

AMD Instinct MI300新版將采用HBM3e內(nèi)存,競爭英偉達(dá)B100

AMD于去年宣布旗下兩款I(lǐng)nstinct MI300加速,包括基于GPU的MI300X以及基于APU架構(gòu)的MI300A, both配備192GB/128GB的HBM3內(nèi)存,還流傳著一款純粹的CPU架構(gòu)產(chǎn)品MI300C。
2024-02-23 14:36:351826

AMD發(fā)布HBM3e AI加速升級版,2025年推新款I(lǐng)nstinct MI

目前,只有英偉達(dá)的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比,HBM3e的速度提升了50%,單個平臺可以達(dá)到10TB/s的帶寬,單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率,內(nèi)存容量高達(dá)141GB。
2024-02-25 11:22:421391

AMD MI300加速將支持HBM3E內(nèi)存

據(jù)手機(jī)資訊網(wǎng)站IT之家了解,MI300加速配備了HBM3內(nèi)存模塊,并面向HBM3E進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)。另外,該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入,不僅與主要的存儲供應(yīng)商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系,同時也與如臺積電等重要的基板供應(yīng)商以及OSAT社區(qū)保持著緊密的合作關(guān)系。
2024-02-27 15:45:051331

HBM、HBM2、HBM3HBM3e技術(shù)對比

AI服務(wù)出貨量增長催化HBM需求爆發(fā),且伴隨服務(wù)平均HBM容量增加,經(jīng)測算,預(yù)期25年市場規(guī)模約150億美元,增速超過50%。
2024-03-01 11:02:536010

SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn),AI性能提升30倍,成本能耗降低96%

同日,SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作,并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱,該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商,每秒鐘能處理高達(dá) 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項(xiàng)數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時內(nèi)處理多達(dá)約 33,800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:442225

SK海力士HBM3E正式量產(chǎn),鞏固AI存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預(yù)計(jì)這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗(yàn),將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:211675

什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:374681

英偉達(dá)CEO贊譽(yù)三星HBM內(nèi)存,計(jì)劃采購

 提及此前有人預(yù)測英偉達(dá)可能向三星購買HBM3HBM3E等內(nèi)存,黃仁勛在會上直接認(rèn)可三星實(shí)力,稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進(jìn)行測試,未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:241407

NVIDIA預(yù)定購三星獨(dú)家供應(yīng)的大量12層HBM3E內(nèi)存

據(jù)悉,HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量,較8層堆疊的HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11990

HBM3E起飛,沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響

HBM3自2022年1月誕生,便憑借其獨(dú)特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu),迅速成為高性能計(jì)算領(lǐng)域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性,更在技術(shù)上取得了顯著的突破。它采用了高達(dá)1024位的數(shù)據(jù)路徑,并以驚人的6.4 Gb/s的速率運(yùn)行,實(shí)現(xiàn)了高達(dá)819 Gb/s的帶寬,為高性能計(jì)算提供了強(qiáng)大的支持。
2024-03-30 14:34:103382

韓美半導(dǎo)體新款TC鍵合機(jī)助力HBM市場擴(kuò)張

TC鍵合機(jī)作為一種應(yīng)用熱壓技術(shù)將芯片與電路板連接的設(shè)備,近年來廣泛應(yīng)用于HBM3E和HBM3的垂直堆疊工藝中,提升了生產(chǎn)效率和精度。
2024-04-12 09:44:462069

三星聯(lián)席CEO在AI合作交流中力推HBM內(nèi)存

慶桂顯此行主要推廣三星的HBM內(nèi)存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤,三星已被競爭對手SK海力士超越;位于第三位的美光近年來也在HBM3芯片上取得突破,成功獲得英偉達(dá)H200訂單。
2024-04-16 16:46:051045

三星LPDDR5X DRAM內(nèi)存創(chuàng)10.7Gbps速率新高

值得注意的是,此前市場上其他品牌的LPDDR5X DRAM內(nèi)存最高速度僅為9.6Gbps。三星表示,新款10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存采用12納米級制程工藝,相較前代產(chǎn)品性能提升超過25%,容量增加30%。
2024-04-17 16:29:161383

Rambus推GDDR7內(nèi)存控制器IP滿足AI應(yīng)用需求

據(jù)報道,該公司的 GDDR7 控制器采用 PAM3 信號,運(yùn)行速度高達(dá) 40 Gbps,能為 GDDR7 存儲設(shè)備提供 160 GB/s 的吞吐量,相比其自身研發(fā)的GDDR6 控制器,提升了 67%。
2024-04-23 15:52:421051

SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片

HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:191395

三星HBM芯片遇阻英偉達(dá)測試

近日,三星電子最新的高帶寬內(nèi)存HBM)芯片在英偉達(dá)測試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露,芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達(dá)標(biāo),影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011109

中國AI芯片和HBM市場的未來

 然而,全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內(nèi)存獨(dú)家供應(yīng)商,且已于今年3月啟動HBM3E量產(chǎn)。
2024-05-28 09:40:311726

美光HBM3E解決方案,高帶寬內(nèi)存助力AI未來發(fā)展

美光近期發(fā)布的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品組合創(chuàng)新備受矚目,這些成就加速了 AI 的發(fā)展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能,功耗比競品1低 30%。
2024-05-28 14:08:131662

Rambus通過全新PMIC系列支持多代基于 DDR5 的高性能服務(wù)

提供業(yè)界領(lǐng)先的 DDR5 服務(wù) PMIC,滿足AI及其他高級工作負(fù)載對最高性能與容量內(nèi)存模塊的需求 通過全新PMIC系列支持多代基于 DDR5 的高性能服務(wù) 為 DDR5 服務(wù)內(nèi)存模塊提供完整
2024-06-20 15:13:131595

Rambus 通過 DDR5 服務(wù) PMIC 擴(kuò)展適用于高級數(shù)據(jù)中心內(nèi)存模塊的芯片組

提供業(yè)界領(lǐng)先的 DDR5 服務(wù) PMIC,滿足AI及其他高級工作負(fù)載對最高性能與容量內(nèi)存模塊的需求 通過全新PMIC系列支持多代基于 DDR5 的高性能服務(wù) 為 DDR5 服務(wù)內(nèi)存模塊提供完整
2024-06-21 11:29:45747

英偉達(dá)、臺積電與SK海力士攜手,2026年量產(chǎn)HBM4內(nèi)存,能效顯著提升

科技行業(yè)持續(xù)向AI時代邁進(jìn)的浪潮中,英偉達(dá)、臺積電與SK海力士三大巨頭宣布了一項(xiàng)重大合作,旨在通過組建“三角聯(lián)盟”共同推進(jìn)下一代高帶寬內(nèi)存HBM)技術(shù)的發(fā)展,特別是備受矚目的HBM4內(nèi)存。這一合作不僅標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一次重要聯(lián)手,也為未來數(shù)據(jù)處理和計(jì)算性能提升奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2024-07-15 17:28:051579

內(nèi)存控制器概述和工作原理

內(nèi)存控制器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)部控制內(nèi)存并負(fù)責(zé)內(nèi)存與CPU之間數(shù)據(jù)交換的重要組成部分。它不僅是連接CPU與內(nèi)存的橋梁,還決定了計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所能使用的最大內(nèi)存容量、內(nèi)存BANK數(shù)、內(nèi)存類型和速度、內(nèi)存顆粒數(shù)據(jù)深度和數(shù)據(jù)寬度等重要參數(shù),從而對計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的內(nèi)存性能乃至整體性能產(chǎn)生顯著影響。
2024-09-04 14:19:342749

三星電子HBM3E內(nèi)存獲英偉達(dá)認(rèn)證,加速AI GPU市場布局

近日,知名市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報告中宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展:三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過英偉達(dá)驗(yàn)證,并正式開啟出貨流程。具體而言,三星的HBM3E 8Hi版本已被確認(rèn)
2024-09-05 17:15:281404

Rambus推出業(yè)界首款HBM4控制器IP

Rambus Inc.,業(yè)界知名的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商,近日宣布了一項(xiàng)重大突破:推出業(yè)界首款HBM4(High Bandwidth Memory 4,高帶寬內(nèi)存4代)內(nèi)存控制器IP。這一創(chuàng)新成果
2024-11-14 16:33:041413

Cadence推出HBM4 12.8Gbps IP內(nèi)存系統(tǒng)解決方案

需求。Cadence HBM4 解決方案符合 JEDEC 的內(nèi)存規(guī)范 JESD270-4,與前一代 HBM3E IP 產(chǎn)品相比,內(nèi)存帶寬翻了一番。Cadence HBM4 PHY 和控制器 IP 現(xiàn)已
2025-05-26 10:45:261307

英偉達(dá)、微軟、亞馬遜等排隊(duì)求購SK海力士HBM芯片,這些國產(chǎn)設(shè)備廠迎機(jī)遇

AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲),是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品,SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313696

HBM格局生變!傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達(dá),國內(nèi)廠商積極布局

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)根據(jù)韓媒sedaily 的最新報道,三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時,美光已經(jīng)為英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E。至此,高端HBM內(nèi)存的供應(yīng)由SK海力士
2024-07-23 00:04:005544

風(fēng)景獨(dú)好?12層HBM3E量產(chǎn),16層HBM3E在研,產(chǎn)業(yè)鏈涌動

9.6Gbps,這是在以搭載四個HBM的單個GPU運(yùn)行大型語言模型(LLM)“Llama 3 70B”時,每秒可讀取35次
2024-10-06 01:03:005496

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