電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 ，日前，Sandisk（閃迪）發(fā)布漲價通知函顯示，Sandisk計劃從4月1日起對所有面向渠道和消費者客戶的產(chǎn)品漲價，漲幅將超過10%。
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Sandisk在通知函中表示，存儲芯片行業(yè)很快將過渡到供不應(yīng)求狀態(tài)，再加上近期的關(guān)稅變化，將影響供應(yīng)的可用性并增加Sandisk的業(yè)務(wù)成本。因此決定從4月1日起開始實施價格上漲，漲幅將超過10%，并適用于所有面向渠道和消費者客戶的產(chǎn)品。同時，還將繼續(xù)進(jìn)行頻繁的定價審查，預(yù)計在接下來的季度會有額外的漲幅。
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另外，閃迪還表示，我們應(yīng)對計劃外需求和訂單的能力有限。請確保盡早溝通訂單的任何更改。預(yù)計任何計劃外需求都會延長交貨時間。
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Sandisk閃迪公司于美國時間2月24日宣布，已完成其與西部數(shù)據(jù)的業(yè)務(wù)分拆，并正式成為一家獨立的上市公司。
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閃迪公司首席執(zhí)行官David Goeckeler表示：“我們滿懷激動地開啟了閃迪的新篇章。創(chuàng)新是一切的開端，而NAND技術(shù)則是強大的推動者。依托于穩(wěn)健增長的市場環(huán)境，我們將把握機遇持續(xù)鞏固全球閃存創(chuàng)新的領(lǐng)導(dǎo)地位。煥新出發(fā)的閃迪已準(zhǔn)備好重塑數(shù)字世界的格局，并始終致力于發(fā)揮我們的核心優(yōu)勢，為公司和股東實現(xiàn)長期的價值增長?！?br /> ?
閃迪在近期的投資者說明會上也表示，雖目前存儲市場處于短期逆風(fēng)，供給增長放緩，預(yù)計今年下半年將供不應(yīng)求。
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近期閃迪攜手鎧俠在ISSCC 2025推出的下一代閃存芯片（332層），正是采用該技術(shù)進(jìn)行研發(fā)，優(yōu)化平面布局后，位密度提升了59%，預(yù)計新型3D閃存接口速度將較其正在量產(chǎn)的第8代產(chǎn)品提升33%，達(dá)到4.8Gb/s的接口速率。
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SanDisk閃迪日前展示了其最新研發(fā)的高帶寬閃存（HBF），這是一種專為 AI 領(lǐng)域設(shè)計的新型存儲器架構(gòu)。在設(shè)計上，HBF結(jié)合了3D NAND閃存和高帶寬存儲器（HBM）的特性，能更好地滿足AI推理的需求。
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對于未來的戰(zhàn)略部署，閃迪表示將通過節(jié)點設(shè)計以優(yōu)化資本投入，戰(zhàn)略性引入新的、持續(xù)時間更長的節(jié)點。閃迪認(rèn)為在3D NAND時代下，閃存行業(yè)資本支出在2021年已迅速到達(dá)峰值，并強調(diào)目前層數(shù)競賽已經(jīng)結(jié)束，倒逼資本支出投入逐漸減少。
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TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，NANDFlash市場供需結(jié)構(gòu)將有望在25年下半年顯著改善，包含原廠減產(chǎn)、智能手機庫存去化、AI及DeepSeek效應(yīng)等因素將推升NANDFlash需求，從而緩解供過于求的局面，預(yù)期下半年將迎來價格回升。
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根據(jù)閃存市場預(yù)計，2025年第一季度受2024年末庫存調(diào)整影響，消費級DRAM價格小幅下跌(約3-5%)，企業(yè)級產(chǎn)品因需求穩(wěn)定保持平穩(wěn);2025年第二季度AI芯片缺貨緩解帶動HBM(高帶寬內(nèi)存)配套DRAM需求，價格環(huán)比上漲5-8%;2025年第三季度傳統(tǒng)消費電子旺季備貨啟動，疊加手機廠商提前采購LPDDR6，價格漲幅將擴(kuò)大至10-12%;2025年第四季度供需趨于平衡，價格高位震蕩，全年綜合漲幅預(yù)計達(dá)15-18%。
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