? ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）邊緣AI需要更快更大容量的存儲(chǔ)，為了突破接口速率、物理距離等因素，適用于AI推理的新型存儲(chǔ)技術(shù)受到更多的關(guān)注。華邦電子的CUBE、兆易創(chuàng)新的堆疊存儲(chǔ)，以及北京君
2025-09-08 06:05:00
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AI(人工智能)極大地增加了物聯(lián)網(wǎng)邊緣的需求。為了滿足這種需求，Etron公司推出了世界上第一款扇入式晶圓級(jí)封裝的DRAM——RPC DRAM?支持高帶寬和更小的尺寸。憑借RPC DRAM的性價(jià)比和低功耗優(yōu)勢(shì)，創(chuàng)新型DRAM是許多可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備上的微型人工智能相機(jī)中使用的理想存儲(chǔ)器。
2026-01-05 14:29:3727 DRAM 被組織成層次化的陣列，總共由數(shù)十億個(gè) DRAM 單元組成，每個(gè)單元存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)。
2025-12-26 15:10:02637 
三防漆作為一種特殊配方的涂料，主要用于保護(hù)電路板及相關(guān)設(shè)備免受潮濕、腐蝕等環(huán)境因素的侵蝕。在實(shí)際應(yīng)用中，三防漆消泡困難是常見(jiàn)問(wèn)題之一，氣泡若未能及時(shí)消除，固化后會(huì)影響涂層致密性和防護(hù)效果。現(xiàn)在讓我們
2025-12-20 16:57:14119 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，Kioxia鎧俠公司宣布開(kāi)發(fā)出高性能晶體管技術(shù)，該技術(shù)將使得高密度、低功耗 3D DRAM 的實(shí)現(xiàn)成為可能。這項(xiàng)技術(shù)在 12月 10 日于美國(guó)舊金山舉行的電子器件會(huì)議
2025-12-19 09:36:061903 
影響工業(yè)鏡頭視場(chǎng)角的因素工業(yè)鏡頭廣泛應(yīng)用于機(jī)器視覺(jué)、監(jiān)控系統(tǒng)和精密檢測(cè)領(lǐng)域，其視場(chǎng)角（FieldofView,FOV）定義了鏡頭在固定位置下所能覆蓋的場(chǎng)景范圍。這一參數(shù)通常以角度或線性尺寸表示，例如
2025-12-17 16:55:49615 
全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Kioxia Corporation今日宣布，已研發(fā)出具備高堆疊性的氧化物半導(dǎo)體溝道晶體管技術(shù)，該技術(shù)將推動(dòng)高密度、低功耗3D DRAM的實(shí)際應(yīng)用。這項(xiàng)技術(shù)已于12月
2025-12-16 16:40:501025 MOSFET時(shí)需要綜合考慮多個(gè)因素，以確保其滿足BMS的高效和穩(wěn)定運(yùn)行要求。本文將介紹在BMS設(shè)計(jì)過(guò)程中選擇MDD的MOSFET時(shí)需要重點(diǎn)關(guān)注的關(guān)鍵因素和最佳實(shí)踐。一、MO
2025-12-15 10:24:57238 
渠道秒罄，京東平臺(tái)三款配色累計(jì)銷量超 6500 件，多次補(bǔ)貨仍供不應(yīng)求。 ? “智能憨憨”由華為與珞博智能聯(lián)合研發(fā)，基于 Fuzozo 芙崽產(chǎn)品矩陣進(jìn)行定制化升級(jí)，核心定位為 “鴻蒙生態(tài)協(xié)同型情感交互終端”。技術(shù)層面，其核心優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在生態(tài)整合與情感計(jì)算能力的結(jié)合：
2025-12-03 07:34:006830 在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）依然是計(jì)算系統(tǒng)中最核心的存儲(chǔ)組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲(chǔ)方案，但二者憑借成熟的設(shè)計(jì)與明確
2025-12-02 13:50:46866 在當(dāng)今高速發(fā)展的3C領(lǐng)域（計(jì)算機(jī)外設(shè)、通信及消費(fèi)電子），對(duì)存儲(chǔ)器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器作為核心存儲(chǔ)部件，其性能表現(xiàn)直接影響設(shè)備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM
2025-12-01 13:42:00253 貼片電阻的阻抗(即交流電路中的綜合阻抗，包含電阻、電感與電容的復(fù)合效應(yīng))受多種因素影響，這些因素可分為材料特性、幾何結(jié)構(gòu)、封裝設(shè)計(jì)、環(huán)境條件及制造工藝五大類。以下是具體分析： 一、材料特性：阻抗
2025-11-27 15:46:26248 
產(chǎn)能有限等因素，導(dǎo)致DRAM與NANDFlash全面供不應(yīng)求。預(yù)測(cè)這一缺貨潮預(yù)計(jì)將持續(xù)至2026年上半年。深圳市瑞之辰科技有限公司認(rèn)為，在此背景下，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上
2025-11-26 11:34:321486 
的智能家電、醫(yī)院的遠(yuǎn)程監(jiān)測(cè)、馬路上的智能交通，都要用到物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)，需求大到用不完。 3. 人才缺口大，薪資有競(jìng)爭(zhēng)力 行業(yè)發(fā)展快，但專業(yè)人才跟不上，據(jù)人社部相關(guān)數(shù)據(jù)，現(xiàn)在物聯(lián)網(wǎng)人才缺口已經(jīng)超百萬(wàn)了。供不應(yīng)求
2025-11-18 15:39:41
DRAM利用電容存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，由于電容存在漏電現(xiàn)象，必須通過(guò)周期性刷新來(lái)維持?jǐn)?shù)據(jù)。此外，DRAM采用行列地址復(fù)用設(shè)計(jì)，提高了存儲(chǔ)密度，但增加了控制復(fù)雜性。它廣泛用于大容量、低成本存儲(chǔ)場(chǎng)景，如計(jì)算機(jī)內(nèi)存。
2025-11-18 11:49:00477 芯源半導(dǎo)體安全芯片的硬件加密引擎支持多種國(guó)際通用加密算法，在實(shí)際為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備選擇加密算法時(shí)，需考慮哪些因素？
2025-11-17 07:43:08
PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲(chǔ)器。它既保留了SRAM無(wú)需復(fù)雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢(shì)。這種獨(dú)特的設(shè)計(jì)使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04497 、機(jī)器人等賽道的需求增長(zhǎng)，芯聯(lián)集成全年?duì)I收將達(dá)到80億元到83億元，同比增幅達(dá)23%-28%，為2026年公司沖擊百億營(yíng)收奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 “目前可以看到，公司的汽車功率模塊、激光雷達(dá)和消費(fèi)類MEMS傳感器等產(chǎn)品需求旺盛，供不應(yīng)求?！彪娫捊涣鲿?huì)上，趙奇開(kāi)門見(jiàn)山點(diǎn)明公司發(fā)展
2025-11-03 09:47:02511 電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置的數(shù)據(jù)采集受 硬件性能、信號(hào)接入、環(huán)境干擾、軟件配置、電源與安裝 五大類因素影響，這些因素會(huì)直接導(dǎo)致采集數(shù)據(jù)出現(xiàn) “精度偏差、時(shí)序混亂、信號(hào)丟失”，最終影響電能質(zhì)量分析的準(zhǔn)確性
2025-10-23 17:23:57865 
影響電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置穩(wěn)定性的環(huán)境因素，核心是那些能直接導(dǎo)致 硬件老化加速、數(shù)據(jù)采集失真、模塊故障停機(jī) 的外部條件，主要可分為 溫濕度、電磁干擾、粉塵與水分、振動(dòng)沖擊、特殊腐蝕 / 雷擊 五大類
2025-10-22 17:44:18501 在當(dāng)今數(shù)字化轉(zhuǎn)型的浪潮中，工業(yè)存儲(chǔ)設(shè)備的選擇直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。天碩工業(yè)級(jí)SSD固態(tài)硬盤憑借其卓越的DRAM緩存技術(shù)，在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。本文將采用問(wèn)答形式，深入探討這一關(guān)
2025-10-20 17:59:28655 
σ等。 雅科貝思VRG系列平臺(tái) 重復(fù)定位精度受多種復(fù)雜因素影響，既有運(yùn)動(dòng)臺(tái)自身因素，比如背隙、摩擦力、線纜擾動(dòng)力、伺服抖動(dòng)、剛度等，也有環(huán)境因素，比如溫度漂移、地基振動(dòng)、環(huán)境噪聲等。我們幾乎不太可能給出每一種因素對(duì)重復(fù)性
2025-10-15 11:24:43501 
在新能源領(lǐng)域（以光伏、風(fēng)電、儲(chǔ)能為核心），電能質(zhì)量受 新能源發(fā)電的固有特性、電力電子設(shè)備特性、并網(wǎng)條件及外部環(huán)境 四大類因素影響，這些因素直接導(dǎo)致電壓波動(dòng)、諧波超標(biāo)、頻率偏差等問(wèn)題，進(jìn)而影響電網(wǎng)穩(wěn)定
2025-10-14 16:36:18674 在技術(shù)飛速發(fā)展的今天，內(nèi)存性能、占用面積和能效已成為現(xiàn)代應(yīng)用的關(guān)鍵考量因素。
2025-10-14 10:32:292639 
，精準(zhǔn)把控測(cè)試過(guò)程中的影響因素，是充分發(fā)揮超景深顯微鏡觀測(cè)效能的關(guān)鍵。本文將系統(tǒng)解析超景深顯微鏡的工作原理，并全面梳理影響其測(cè)試結(jié)果的核心因素。#Photonixb
2025-10-09 18:02:14519 
影響電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置校準(zhǔn)周期的環(huán)境因素，核心是 加速設(shè)備元器件老化、破壞電路穩(wěn)定性、導(dǎo)致測(cè)量精度漂移 的外部條件。這些因素會(huì)使裝置偏離初始校準(zhǔn)狀態(tài)的速度加快，因此需根據(jù)環(huán)境惡劣程度縮短校準(zhǔn)周期
2025-09-19 14:42:13416 電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置的校驗(yàn)準(zhǔn)確性，核心依賴于裝置硬件（如采樣傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器 ADC、基準(zhǔn)源）、信號(hào)傳輸鏈路及校驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)源的穩(wěn)定工作。而環(huán)境因素通過(guò)干擾上述環(huán)節(jié)的性能，直接或間接導(dǎo)致校驗(yàn)數(shù)據(jù)偏差
2025-09-18 11:14:47585 
環(huán)境因素對(duì)電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置的影響程度，核心體現(xiàn)為準(zhǔn)確度偏離標(biāo)稱精度等級(jí)的 “量化幅度”—— 在標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的環(huán)境范圍內(nèi)（如 IEC 61000-4-30、GB/T 19862-2016），影響通常
2025-09-11 18:01:26700 
網(wǎng)線的傳輸距離受多種因素影響，這些因素共同決定了信號(hào)在傳輸過(guò)程中的衰減、干擾和時(shí)延，進(jìn)而限制了有效傳輸距離。以下是主要影響因素的詳細(xì)分析： 1. 網(wǎng)線類型與規(guī)格 不同類別的網(wǎng)線在導(dǎo)體材質(zhì)、絞距
2025-08-25 10:22:231911 
多模光纖的傳輸速率受多種因素影響，這些因素共同決定了其在實(shí)際應(yīng)用中的性能表現(xiàn)。以下是主要影響因素的詳細(xì)分析： 1. 光纖類型與規(guī)格 多模光纖按國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)(如ISO 11801)分為OM1至OM5五類
2025-08-25 09:53:331139 
分析，懂行的工程師卻供不應(yīng)求。PDF如何破解這一困境？關(guān)鍵在于賦能制造業(yè)領(lǐng)域?qū)＜肄D(zhuǎn)型為“公民數(shù)據(jù)科學(xué)家（CitizenDataScientists，縮寫CDS）”
2025-08-20 09:32:591227 
電解電容的壽命受多種因素影響，這些因素相互作用，共同決定了電容在實(shí)際使用中的可靠性和穩(wěn)定性。以下是影響電解電容壽命的主要因素及其詳細(xì)分析： 一、核心影響因素：溫度 高溫加速老化 化學(xué)機(jī)制 ：電解液中
2025-08-08 16:15:421452 在工業(yè)自動(dòng)化、數(shù)據(jù)中心及眾多關(guān)鍵領(lǐng)域，UPS（不間斷電源）的性能直接關(guān)系到電力供應(yīng)的穩(wěn)定性和可靠性。然而，UPS電源的性能并非一成不變，而是受到多種因素的影響。下面對(duì)影響UPS電源性能關(guān)鍵因素的詳細(xì)分析。
2025-08-07 10:21:48742 
濕法刻蝕是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝，其效果受多種因素影響。以下是主要影響因素及詳細(xì)分析：1.化學(xué)試劑性質(zhì)與濃度?種類選擇根據(jù)被刻蝕材料的化學(xué)活性匹配特定溶液（如HF用于SiO?、KOH用于硅襯底
2025-08-04 14:59:281457 
，不僅推動(dòng)了技術(shù)創(chuàng)新，還促進(jìn)了產(chǎn)品迭代升級(jí)，以滿足全球市場(chǎng)尤其是800G乃至1.6T光模塊日益增長(zhǎng)的需求。就在今年上半年，中際旭創(chuàng)、新易盛以及仕佳光子等企業(yè)實(shí)現(xiàn)了業(yè)績(jī)的增長(zhǎng)。 ? 800G / 1.6T 光模塊供不應(yīng)求，CPO技術(shù)成為關(guān)注點(diǎn) 隨著全球云廠商對(duì)
2025-08-04 10:49:388982 
本文描述了ADC和FPGA之間LVDS接口設(shè)計(jì)需要考慮的因素，包括LVDS數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)、LVDS接口數(shù)據(jù)時(shí)序違例解決方法以及硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)。
2025-07-29 10:01:265140 
高光譜工業(yè)相機(jī)成像的影響因素及選擇
2025-07-23 16:18:51416 
AA電池，也就是常說(shuō)的五號(hào)電池，在我們現(xiàn)代生活中無(wú)處不在，為從遙控器和玩具到手電筒和便攜式設(shè)備的諸多設(shè)備供電。它們的可靠性能對(duì)于穩(wěn)定使用至關(guān)重要，而電池壽命是便利性和成本效益的關(guān)鍵因素。
2025-07-21 14:59:511263 時(shí)間回到2022年初，280Ah打破了儲(chǔ)能電池市場(chǎng)的沉寂，一度供不應(yīng)求。在這種背景下，二線動(dòng)力電池廠商將目光轉(zhuǎn)向儲(chǔ)能行業(yè)；同時(shí)，儲(chǔ)能電池賽道迎來(lái)前所未有的投資熱潮，僅2022年儲(chǔ)能電池相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目已達(dá)26個(gè)，投資額合計(jì)超過(guò)3000億元。
2025-07-17 09:23:05771 DRAM內(nèi)存市場(chǎng)“代際交接”關(guān)鍵時(shí)刻2025年P(guān)C及服務(wù)器市場(chǎng)中，DDR4的滲透率約為20%-30%，而DDR5的滲透率約為70%-80%（TrendForce集邦咨詢）。在AI算力爆發(fā)和先進(jìn)
2025-07-09 11:11:241702 
電解電容作為電子電路中關(guān)鍵的儲(chǔ)能與濾波元件，其可靠性直接影響設(shè)備性能與壽命。然而，受材料、工藝、環(huán)境等因素影響，電解電容易發(fā)生多種失效模式。本文將系統(tǒng)梳理其失效因素，并提出針對(duì)性預(yù)防措施。 一、核心
2025-07-08 15:17:38783 
DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場(chǎng)，轉(zhuǎn)向DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場(chǎng)呈現(xiàn)供不應(yīng)求、供需失衡、漲勢(shì)延續(xù)的局面。未來(lái)，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場(chǎng)份額增長(zhǎng)的趨勢(shì)。
2025-06-25 11:21:152009 
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2025-06-20 17:42:06
選擇適合的微機(jī)消諧器是保障電力系統(tǒng)（尤其是中性點(diǎn)非有效接地系統(tǒng)）安全穩(wěn)定運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。以下是關(guān)鍵因素的詳細(xì)分條列舉： 選擇適合微機(jī)消諧器的關(guān)鍵因素： 1. ?系統(tǒng)基本參數(shù)匹配性： ? ? ?額定
2025-06-13 16:27:50406 在材料研究與生產(chǎn)領(lǐng)域，精準(zhǔn)分析材料熱性能至關(guān)重要。蘇州高求美達(dá)公司經(jīng)過(guò)多方調(diào)研與嚴(yán)格測(cè)試，最終選定我司的HS-TGA-101熱重分析儀，為其材料研發(fā)與質(zhì)量把控注入強(qiáng)大助力。蘇州高求美達(dá)熱重分析（TG
2025-06-12 09:47:39761 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，基于產(chǎn)品和市場(chǎng)特性，DRAM可分為主流DRAM和利基DRAM。主流DRAM產(chǎn)品具有大容量、高傳輸速率的特點(diǎn)，主要應(yīng)用于智能手機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器等大規(guī)模標(biāo)準(zhǔn)化電子設(shè)備。其市場(chǎng)
2025-06-07 00:01:004202 
PARKER派克電機(jī)作為工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域的核心驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其壽命直接影響生產(chǎn)效率和運(yùn)維成本。結(jié)合其產(chǎn)品特性及行業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景，以下因素對(duì)電機(jī)壽命具有顯著影響，需針對(duì)性優(yōu)化。
2025-05-27 13:53:471499 激光焊錫膏的較佳溫度和時(shí)間對(duì)于焊接質(zhì)量有著至關(guān)重要的影響。根據(jù)我們的實(shí)驗(yàn)和研究，較佳的激光焊錫膏溫度和時(shí)間取決于多個(gè)因素，如焊錫膏的成分、被焊接材料的種類和厚度，以及焊接環(huán)境的條件等。
2025-05-22 09:18:35757 
回顧過(guò)去幾年，減速器廠商經(jīng)歷了2017年“供不應(yīng)求”的黃金時(shí)代，2018年“供過(guò)于求”的白銀時(shí)代，2019年“求生存”的青銅時(shí)代，2021年后疫情時(shí)代下制造業(yè)的復(fù)蘇，工業(yè)機(jī)器人需求量增長(zhǎng)明顯，減速器
2025-05-12 09:42:171270 
一季度，SK海力士憑借在HBM領(lǐng)域的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，終結(jié)三星長(zhǎng)達(dá)四十多年的市場(chǎng)統(tǒng)治地位，以36.7%的市場(chǎng)份額首度登頂全球DRAM市場(chǎng)第一。 ? 當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)大廠轉(zhuǎn)向更多投資HBM、并逐步放棄部分DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能，疊加關(guān)稅出口等這些因素對(duì)存儲(chǔ)的后續(xù)市場(chǎng)產(chǎn)生影響。 ?
2025-05-10 00:58:008822 一季度在AI服務(wù)器保持穩(wěn)健推動(dòng)對(duì)服務(wù)器DRAM需求，PC和移動(dòng)需求復(fù)蘇力度也較預(yù)期更為明顯，此外疊加關(guān)稅觸發(fā)的部分補(bǔ)庫(kù)存需求的共同影響下，2025年一季度整體表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期，全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模同比
2025-05-06 15:50:231210 
錫絲的直徑對(duì)于激光錫焊效果的影響非常大，如何選擇合適的錫絲直徑就顯得非常重要。松盛光電來(lái)給大家介紹選擇錫絲直徑的關(guān)鍵考慮因素，來(lái)了解一下吧。
2025-04-24 10:54:34750 關(guān)鍵字:旋轉(zhuǎn)式測(cè)徑儀,測(cè)徑儀分辨率,測(cè)徑儀精度,測(cè)徑儀保養(yǎng),測(cè)徑儀維護(hù),測(cè)徑儀校準(zhǔn)
旋轉(zhuǎn)式測(cè)徑儀的測(cè)量精度和分辨率受多種因素影響，以下是對(duì)這些影響因素的詳細(xì)分析：
一、核心部件性能
1.傳感器精度
2025-04-15 14:20:12
接地電阻柜的價(jià)格主要由 技術(shù)參數(shù)、材質(zhì)工藝、品牌服務(wù)、附加功能 及 市場(chǎng)因素 決定，核心要點(diǎn)如下：
關(guān)鍵價(jià)格影響因素
技術(shù)參數(shù)：電壓等級(jí)（如10kV vs 35kV）、電阻值（Ω）、額定電流（A
2025-04-14 09:01:58581 
與MessageBuffer相關(guān)，如果不相關(guān)的話，我想知道HwObjectCount的最大配置數(shù)收什么因素的限制？MessageBuffer的最大個(gè)數(shù)64又會(huì)影響什么配置？（在我個(gè)人的理解中，F(xiàn)IFO的大小
2025-04-02 06:10:03
本文通過(guò)分析器件制造中的影響因素，提出了版圖設(shè)計(jì)技術(shù)與匹配原則及其應(yīng)用。
2025-04-01 10:26:491224 
電源濾波器耐壓值的確定需要綜合考慮多種因素，包括工作電壓與電流、浪涌電壓與電流、元件特性與質(zhì)量、環(huán)境因素、安全標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范、成本與性能平衡。在確定耐壓值時(shí)，應(yīng)充分考慮實(shí)際工作環(huán)境和安全規(guī)范，同時(shí)要充分考慮成本與性能之間的平衡。
2025-03-20 16:30:58676 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在過(guò)去的2024年，SiC市場(chǎng)經(jīng)歷了動(dòng)蕩的一年。從過(guò)去的供不應(yīng)求，受到大規(guī)模產(chǎn)能釋放的影響，迅速轉(zhuǎn)變?yōu)楣┻^(guò)于求；另一方面，應(yīng)用需求也出現(xiàn)了分化，全球的電動(dòng)汽車、工業(yè)市場(chǎng)
2025-03-17 01:10:003845 
本文介紹了硅的導(dǎo)熱系數(shù)的特性與影響導(dǎo)熱系數(shù)的因素。
2025-03-12 15:27:253554 
示，存儲(chǔ)芯片行業(yè)很快將過(guò)渡到供不應(yīng)求狀態(tài)，再加上近期的關(guān)稅變化，將影響供應(yīng)的可用性并增加Sandisk的業(yè)務(wù)成本。因此決定從4月1日起開(kāi)始實(shí)施價(jià)格上漲，漲幅將超過(guò)10%，并適用于所有面向渠道和消費(fèi)者客戶的產(chǎn)品。同時(shí)，還將繼續(xù)進(jìn)行頻繁的定價(jià)審查，預(yù)計(jì)在接下來(lái)的季度會(huì)有額
2025-03-10 09:10:07811 
本文要點(diǎn)提示：? ? ? ? ?? 1. DRAM 的工作原理圖文解說(shuō)，包括讀寫以及存儲(chǔ)；? ? ? ? ? 2. 揭秘DRAM便宜但SRAM貴之謎。? ? ?? 內(nèi)存應(yīng)該是每個(gè)硬件工程師都繞不開(kāi)
2025-03-04 14:45:072238 
激光錫焊焊接質(zhì)量好，效率高，受到很多廠商的歡迎。那么激光錫焊的效率受哪些因素影響呢?松盛光電來(lái)給大家介紹分享，來(lái)了解一下吧。
2025-03-03 10:14:431168 DRAM，除了LPDDR5X數(shù)據(jù)傳輸率為12700MT/s之外，它是一款16Gb內(nèi)存，采用該公司第五代10nm級(jí)DRAM工藝制造，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)電壓為1.05V。即便在0.9伏的低電壓環(huán)境下，也能穩(wěn)定
2025-02-28 00:07:006337 率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代 CPU 設(shè)計(jì)的 1γ（1-gamma）第六代（10 納米級(jí)）DRAM 節(jié)點(diǎn) DDR5 內(nèi)存樣品。得益于美光此前在 1α（1-alpha）和 1
2025-02-26 13:58:15533 影響激光跟蹤儀精度的因素主要有以下幾個(gè)方面：一、儀器自身因素-激光發(fā)射系統(tǒng)-激光束發(fā)散角：發(fā)散角小的激光束更集中，傳播中擴(kuò)散慢，反射光信號(hào)強(qiáng)，測(cè)距精度高；發(fā)散角過(guò)大，信號(hào)易變?nèi)?，影響精度?激光器
2025-02-20 11:35:251379 
的匹配性、焊接工藝的選擇以及焊接過(guò)程中的熱影響區(qū)等多方面因素。本文將從焊接質(zhì)量的關(guān)鍵因素和檢測(cè)方法兩個(gè)方面進(jìn)行綜述。
### 關(guān)鍵因素
#### 1. 材料選擇
焊接材料
2025-02-18 09:17:321435 
語(yǔ)音芯片高音質(zhì)因素包括高分辨率音頻、低失真高動(dòng)態(tài)范圍、高品質(zhì)音頻編解碼、深度音頻處理及VR/AR音頻體驗(yàn)，這些因素共同提升音頻真實(shí)性和逼真感，為用戶帶來(lái)全新音頻享受。
2025-02-17 14:56:47628 驅(qū)動(dòng)板的參數(shù)配置是一個(gè)復(fù)雜且關(guān)鍵的過(guò)程，涉及多個(gè)方面。以下是一些主要的參數(shù)配置步驟和考慮因素。
2025-02-14 14:53:22855
在使用高位AD轉(zhuǎn)換芯片時(shí)引起數(shù)據(jù)頻繁跳動(dòng)的比較明顯因素有哪些？
2025-02-14 08:32:35
MT48LC4M32B2P-6A:L是一款高性能的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），由MICRON制造，專為滿足各種電子設(shè)備的內(nèi)存需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和穩(wěn)定性，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前
2025-02-14 07:28:17
請(qǐng)問(wèn)計(jì)算ADS6442的實(shí)際功耗和哪些因素有關(guān)，和采樣時(shí)鐘什么關(guān)系？如何能降低功耗呢
2025-02-14 06:00:42
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。
2025-02-13 16:42:511336 據(jù)韓媒報(bào)道，知名分析機(jī)構(gòu)Omdia在其最新報(bào)告中預(yù)測(cè)，2025年前三季度，PC、服務(wù)器及移動(dòng)DRAM內(nèi)存價(jià)格將面臨顯著下滑。 具體而言，Omdia預(yù)計(jì)2025年上半年，這些內(nèi)存產(chǎn)品的價(jià)格將下降約10
2025-02-11 10:41:561750 據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia于2月7日發(fā)布的最新數(shù)據(jù)，DRAM市場(chǎng)價(jià)格正面臨持續(xù)的下滑趨勢(shì)，這一趨勢(shì)預(yù)計(jì)至少將持續(xù)到今年第三季度。導(dǎo)致這一狀況的主要原因是IT產(chǎn)品需求疲軟以及中國(guó)公司供應(yīng)量的增加。
2025-02-10 17:30:40964 )的性能，并顯著降低生成式人工智能系統(tǒng)對(duì)DRAM的需求。 Kioxia的AiSAQ?軟件采用了專為SSD優(yōu)化的新型“近似最近鄰”搜索(ANNS)算法。該算法通過(guò)直接在SSD上進(jìn)行搜索，無(wú)需將索引數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
2025-02-10 11:21:471054 本文介紹了PECVD中影響薄膜應(yīng)力的因素。 影響PECVD 薄膜應(yīng)力的因素有哪些？各有什么優(yōu)缺點(diǎn)？ 以SiH4+NH3/N2生成SiNx薄膜，SiH4+NH3+NO2生成SiON薄膜為例，我這邊歸納
2025-02-10 10:27:001660 
本文主要介紹磁性靶材磁控濺射成膜影響因素 ? 磁控濺射作為一種重要的物理氣相沉積技術(shù)，在薄膜制備領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。然而，使用磁性靶材（如鎳）時(shí)，其特殊的磁性質(zhì)會(huì)對(duì)濺射過(guò)程和成膜質(zhì)量產(chǎn)生顯著影響。本文
2025-02-09 09:51:401945 
能達(dá) 600 - 800 臺(tái)，月產(chǎn)能約 2 萬(wàn)臺(tái)。但面對(duì)龐大的市場(chǎng)需求，這一產(chǎn)能遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，致使 SU7 車型月交付量受限在 2 萬(wàn)臺(tái)級(jí)別，供不應(yīng)求的局面亟待解決。雷軍更是為小米汽車立下 2025 年交付 30 萬(wàn)輛的目標(biāo)，當(dāng)下的產(chǎn)能顯然難以支撐。 為了實(shí)現(xiàn)
2025-02-08 11:32:331177 近日，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。 在DRAM方面，消費(fèi)者需求在春節(jié)過(guò)后依然沒(méi)有顯著回暖，市場(chǎng)呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢(shì)
2025-02-07 17:08:291017 近日，據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報(bào)告指出，DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場(chǎng)近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢(shì)。 特別是在DRAM市場(chǎng)方面，春節(jié)長(zhǎng)假過(guò)后，消費(fèi)者對(duì)于DRAM的需求并未如預(yù)期
2025-02-06 14:47:47930 局面，購(gòu)買RTX 5090的消費(fèi)者可能需要等待長(zhǎng)達(dá)16周的時(shí)間才能收到他們的顯卡。 這一情況無(wú)疑給計(jì)劃升級(jí)顯卡的消費(fèi)者帶來(lái)了不小的困擾。據(jù)了解，目前全球顯卡市場(chǎng)供不應(yīng)求，零售商在庫(kù)存方面普遍面臨困境。而B(niǎo)lackwell等渠道也未能幸免，這意味著在短期內(nèi)，顯卡供應(yīng)緊張的問(wèn)題不太可能得到緩解。 面對(duì)
2025-02-06 14:04:31913 和外部?jī)蓚€(gè)方面的因素。 外部因素 雷擊：雷擊是導(dǎo)致浪涌的一個(gè)常見(jiàn)且強(qiáng)大的外部因素。當(dāng)雷電擊中電力線路或附近地面時(shí)，會(huì)在瞬間釋放出巨大的能量。一方面，直擊雷若直接擊中電力線路，強(qiáng)大的雷電流會(huì)瞬間注入線路，使線路電
2025-02-05 14:33:002826 的主要因素，因此了解、影響電容壽命的因素非常重要。 解電容的壽命取決于其內(nèi)部溫度。因此，電解電容的設(shè)計(jì)和應(yīng)用條件都會(huì)影響到電解電容的壽命。從設(shè)計(jì)角度，電解電容的設(shè)計(jì)方法、材料、加工工藝決定了電容的壽命和穩(wěn)定性。而對(duì)應(yīng)
2025-01-28 15:47:004373 據(jù)報(bào)道，三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計(jì)第五代10nm級(jí)DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 此前有報(bào)道指出，三星電子為應(yīng)對(duì)其12nm級(jí)
2025-01-23 15:05:11921 據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM（1b DRAM）的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151360 光通信，也稱為光纖通信，是一種利用光波在光纖中傳輸信息的技術(shù)。它具有高帶寬、高速度、抗干擾性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，已成為現(xiàn)代通信網(wǎng)絡(luò)的主流技術(shù)之一。然而，光通信的傳輸距離受到多種因素的影響，以下是一些主要
2025-01-23 09:39:051952 據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)的良率里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動(dòng)可能對(duì)三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241107 近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí)，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上，全面重新設(shè)計(jì)新版1b
2025-01-22 14:04:071408 電磁波譜是指不同頻率和波長(zhǎng)的電磁波的集合，它們?cè)谧匀唤绾腿嗽煸O(shè)備中廣泛存在。電磁波譜包括從低頻的無(wú)線電波到高頻的伽馬射線等多種類型的電磁波。影響電磁波譜的外部因素有很多，以下是一些主要的因素： 大氣
2025-01-20 16:52:251707 本文介紹了CVD薄膜質(zhì)量的影響因素及故障排除。 CVD薄膜質(zhì)量影響因素 以下將以PECVD技術(shù)沉積薄膜作為案例，闡述影響薄膜品質(zhì)的幾個(gè)核心要素。 PECVD工藝質(zhì)量主要受氣壓、射頻能量、襯底溫度
2025-01-20 09:46:473313 
UPS（不間斷電源）是現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心、企業(yè)、家庭等環(huán)境中不可或缺的電源保護(hù)設(shè)備，它能夠在市電中斷時(shí)提供臨時(shí)電力，保障關(guān)鍵設(shè)備的正常運(yùn)行。然而，UPS的續(xù)航能力受到多種因素的影響，以下是一些主要
2025-01-19 10:03:521535 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN-825: iCoupler隔離產(chǎn)品的電源考慮因素.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-15 16:33:22
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buffer處不應(yīng)該是output類型嗎？還是說(shuō)僅僅IBIS無(wú)法仿真？
2025-01-15 07:21:47
電流互感器（CT）是電力系統(tǒng)中用于測(cè)量和保護(hù)電流的關(guān)鍵設(shè)備。它的主要功能是將高電流轉(zhuǎn)換為低電流，以便測(cè)量和保護(hù)裝置能夠安全、準(zhǔn)確地工作。然而，CT的測(cè)量精度受到多種因素的影響，這些因素可能會(huì)
2025-01-14 09:46:152543 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN-793: iCoupler隔離產(chǎn)品的ESD/閂鎖考慮因素.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-13 15:09:510 的首要因素。不同的元素和化合物具有不同的電子結(jié)構(gòu)和化學(xué)鍵，這些因素決定了材料在電場(chǎng)中的極化能力。 1.1 極性分子的影響 極性分子由于其分子結(jié)構(gòu)的不對(duì)稱性，具有固有的電偶極矩。在外加電場(chǎng)作用下，這些偶極矩會(huì)重新排列，增強(qiáng)材
2025-01-10 09:53:074370 影響HT25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些？
2025-01-08 16:05:031429 據(jù)業(yè)內(nèi)消息，美光科技預(yù)計(jì)今年將繼續(xù)積極擴(kuò)大其DRAM產(chǎn)能，與去年相似。得益于美國(guó)政府確認(rèn)的巨額補(bǔ)貼，美光近期將具體落實(shí)對(duì)現(xiàn)有DRAM工廠進(jìn)行改造的投資計(jì)劃。
去年底，美光科技宣布將在
2025-01-07 17:08:561306 SK海力士今年計(jì)劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存（HBM）的DRAM產(chǎn)能，目標(biāo)是將每月產(chǎn)能從去年的10萬(wàn)片增加至17萬(wàn)片，這一增幅達(dá)到了70%。此舉被視為該公司對(duì)除最大客戶英偉達(dá)外，其他領(lǐng)先人工智能（AI）芯片公司需求激增的積極回應(yīng)。
2025-01-07 16:39:091301 邊緣計(jì)算網(wǎng)關(guān)不僅負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的收集、處理和轉(zhuǎn)發(fā)，還通過(guò)實(shí)時(shí)分析和決策，提高整體系統(tǒng)的運(yùn)行效率。然而，在選購(gòu)邊緣計(jì)算網(wǎng)關(guān)時(shí)，我們需要綜合考慮多個(gè)因素，以確保所選設(shè)備能夠高效、安全地支撐起物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的穩(wěn)定
2025-01-07 16:19:56706 
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