邁入2020年,DRAM模組及NAND Flash終端產品現(xiàn)貨價持續(xù)上漲,與存儲顆粒合約價之間的溢價差持續(xù)擴大,包括威剛、十銓、廣穎等存儲模組廠對2020年營運展望樂觀,而且看好2020年獲利表現(xiàn)會
2020-01-15 09:36:01
5552 報導,存儲器三強三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron),正加速為10納米DRAM時代做準備。因存儲器削價競爭結束后,三大廠認為以25
2014-04-04 09:08:42
1577 受標準型DRAM存儲器供不應求影響,4GB DDR3/DDR4原廠顆粒現(xiàn)貨價持續(xù)飆漲,本月以來平均漲幅近15%,第三季度以來累計漲幅高達45%至50%,模組價格本月漲幅也超過20%。
2016-10-22 22:04:59
761 大陸DRAM和NAND Flash存儲器大戰(zhàn)全面引爆,近期包括長江存儲、合肥長鑫等陣營陸續(xù)來臺鎖定IC設計和DRAM廠強力挖角,目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設計公司常憶,以及
2016-11-22 16:06:15
1867 華亞科并入美光后,本月正式更名為美光臺灣分公司桃園廠,美光也計劃擴大投資臺灣,將在臺中建立后段DRAM封測廠,相關投資將在標購達鴻位在后里中科園區(qū)的廠房后立即啟動。
2017-03-07 09:18:03
1065 之前外資曾警告,DRAM 榮景能否持續(xù),取決于存儲器龍頭三星電子,要是三星擴產,好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人,傳出決定擴產,新產線預計兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15
876 靜態(tài)隨機存儲器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動態(tài)隨機存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:18
5523 
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類,前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù),后者即使在切斷電源也可以保持數(shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02
2740 
DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷,而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36
5076 
,從今年第四季度開始,DRAM、NAND產品合約價格開始呈現(xiàn)下跌態(tài)勢,預計持續(xù)至明年上半年。 ? 今年Q4開始,DRAM、NAND出貨下滑、價格下跌 ? 市場調研機構紛紛表示存儲價格在今年Q4已經出現(xiàn)下跌。根據(jù)閃存市場,因為Q3加大了對DRAM的供應,目前DRAM市場
2021-10-21 07:28:00
5277 DRAM是一種半導體存儲器,主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結構簡單,每一個bit的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
以分成SRAM(Static RAM:靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM:動態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫,翻譯過來就是只讀存儲器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認為當前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩(wěn)所導致的;有些人則認為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
SRAM:其特點是只要有電源加于存儲器,數(shù)據(jù)就能長期保存。 2、動態(tài)DRAM:寫入的信息只能保存若干ms時間,因此,每隔一定時間必須重新寫入一次,以保持原來的信息不變?! 】涩F(xiàn)場改寫的非易失性存儲器
2017-10-24 14:31:49
SRAM:其特點是只要有電源加于存儲器,數(shù)據(jù)就能長期保存。 2、動態(tài)DRAM:寫入的信息只能保存若干ms時間,因此,每隔一定時間必須重新寫入一次,以保持原來的信息不變?! 】涩F(xiàn)場改寫的非易失性存儲器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲器的層次結構【2】存儲器的分類【3】SRAM基本原理:結構:芯片參數(shù)與引腳解讀:CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理:結構芯片引腳解讀:【5】存儲器系統(tǒng)設計【6】存儲器擴展
2021-07-29 06:21:48
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進行組合形成邏輯上的與非或門,之后在此基礎上,形成組合邏輯用于存儲信息,例如R-S鎖存器和門控D鎖存器,進而進一步組合復雜化,形成我們
2021-12-10 06:54:11
的應用就是應用程序存儲在Flash/ROM中,初始這些存儲器地址是從0開始的,但這些存儲器的讀時間比SRAM/DRAM長,造成其內部執(zhí)行頻率不高,故一般在前面一段程序將代碼搬移到SRAM/DRAM中去,然后重新映射存儲器空間,將相應SRAM/DRAM映射到地址0,重新執(zhí)行程序可達到高速運行的目的。
2018-06-10 00:47:17
各位大神好,我想用FPGA讀寫DRAM存儲器,求大神指點哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡,好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲器分為哪幾類?Flash存儲器有什么特點?Flash與DRAM有什么區(qū)別?
2021-06-18 07:03:45
SRAM(StaticRandom-AccessMemory):靜態(tài)隨機存儲器,所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲器只要保持通電,里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM(Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM是什么?有何優(yōu)缺點?動態(tài)隨機存取存儲器DRAM是什么?有何優(yōu)缺點?
2021-12-24 07:04:20
[資訊] DRAM挺過7月 有望旺到后年動態(tài)隨機存取內存(DRAM)價格年初以來維持強勢,但封測廠強調,7月爾必達新增產能是否可以去化是重要觀察期,一旦能順利消化,DRAM產業(yè)榮景將能持續(xù)到明、后年
2010-05-10 10:51:03
工程師,2-5年工作經驗,封裝廠。無錫8,前道、后道設備工程師,半導體,封測廠,無錫9. 測試設備工程師,半導體,封測廠,無錫。
2010-03-03 13:51:07
在單板設計中,無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復雜的單板設計,都離不開存儲器設計:
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下:
ROM和RAM指的都是半導體存儲器,ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲器 SRAM——Static RAM(動態(tài)存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產品有別于競爭對手的產品特性,在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續(xù)增長,其復雜性、密度和速度也日益增加,從而需要提出一種專用存儲器設計方法。
2019-11-01 07:01:17
想問一下pcb的工藝,是屬于在晶圓廠做的工藝還是封測廠呀
2021-10-14 22:32:25
程轉換不易,服務器等需求依然暢旺,Mobile DRAM的裝載量持續(xù)擴大,都給2018年DRAM的商機帶來足夠的支撐。3D NAND的多層化,既是進入障礙也是商機的來源,但非存儲器的商機仍然占了半導體市場
2018-12-24 14:28:00
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別?特點?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分,片內640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
存儲器的一般用途是代碼儲存。系統(tǒng)需要一個相對較小進的存儲,大約小2Gb. 這樣 .代碼可以從NOR閃存直接執(zhí)行,這種存儲器也常用于嵌入式文件系統(tǒng)的存儲器,這些類型的系統(tǒng)中 DRAM 常用便簽式存儲器。在這
2018-05-17 09:45:35
而言,鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言,鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
存儲器的分類及原理,動態(tài)隨機存儲器,靜態(tài)隨機存儲器,只讀存儲器,其他存儲器和技術.
2008-08-17 22:29:43
20 TCL3418E原廠存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-06 08:45:51
11 TCL 2939DR原廠存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-10 13:17:45
8 基于當代DRAM結構的存儲器控制器設計
1、引言
當代計算機系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60%的速率增長,存儲器芯片每年僅僅增加10%的
2009-12-31 10:57:03
1028 
為什么存儲器是產業(yè)的風向標
存儲器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導體業(yè)中經常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產以及應用市場面寬,使其半
2010-01-18 16:07:21
626 日本半導體巨頭爾必達及其子公司秋田爾必達22日宣布,已開發(fā)出全球最薄的動態(tài)隨機存儲器(DRAM),4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36
1316 總結2012年DRAM市場動態(tài)并展望2013年,TrendForce提出新的一年DRAM市場值得持續(xù)關注的五大重點趨勢
2013-01-10 11:30:04
1473 日前,存儲器芯片主要供應商之一美光公司(Micron)在香港舉行了 2014 夏季分析師大會,會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 目前存儲器市況呈現(xiàn)兩樣情,DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展,價格平穩(wěn)或小漲;NAND Flash則因供過于求,價格緩跌。外界預期DRAM市場第3季將可喜迎旺季,而NAND Flash市場價格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00
1193 中國存儲器產業(yè)如何發(fā)展?本文從純市場的角度,就DRAM、NAND Flash、封測技術和發(fā)展思路等方面提出幾點思考。
2018-03-07 17:46:00
6778 
存儲器芯片領域,主要分為兩類:易失性和非易失性。易失性:斷電以后,存儲器內的信息就流失了,例如 DRAM,主要用來做PC機內存(如DDR)和手機內存(如LPDDR),兩者各占三成。非易失性:斷電以后
2018-04-09 15:45:33
113863 中國三大存儲器勢力還有一大神秘隊伍合肥長鑫,看看背后有著怎么樣的神秘。 揭開合肥存儲器項目神秘 合肥對DRAM的謀劃不僅是合肥長鑫的存儲項目,在2016年3月,就有消息傳出,原爾必達社長坂本幸雄成立的半導體設計公司兆基科技(Sino King Technology)將在中國主導大規(guī)模半導體生產項目。
2018-05-02 10:28:00
9953 存儲器市場爆發(fā),DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達到60%,首次超越邏輯電路,成為半導體第一大產品。DRAM繼續(xù)保持半導體存儲器領域市占率第一。DRAM廠商中,三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:00
3740 DRAM技術上取得的進步伴隨著多內核處理器的出現(xiàn)、新的操作系統(tǒng),以及跨多種不同運算平臺和應用的越來越多的不同要求,包括服務器、工作站、海量存儲系統(tǒng)、超級計算機、臺式電腦和筆記本電腦和外設。存儲器技術
2020-05-21 07:52:00
7925 
很長一段時間里,由于供貨吃緊、技術受限、需求增加等,DRAM在過去九個季度中價格持續(xù)上漲。但隨著技術漸入瓶頸,加之2018年智能手機增長勢頭放緩、PC出貨量不斷下滑、云服務盛行下服務器需求大減等影響,市場中DRAM漸趨供過于求,進而使得DRAM價格持續(xù)下跌。這種情況,對于國產廠商而言究竟意味著什么呢?
2018-10-17 16:32:58
1268 由于各大內存廠產能“剎不住車”,NAND Flash快閃存儲器和DRAM價格已經持續(xù)走低,終結了持續(xù)兩年的市場供應緊俏狀況。
2018-10-27 08:59:14
4267 半導體存儲器可以簡單分成易失性存儲器和非易失性存儲器,易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化,依然是以靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)為主,非易失存儲器反而不斷有
2019-01-01 08:55:00
13980 
韓國存儲器廠 SK 海力士受惠于 DRAM 價格大漲,以及市況持續(xù)暢旺,去年第四季凈利幾乎翻兩倍。
2018-12-28 14:40:54
1159 
在經歷了兩年的瘋狂上漲之后,存儲器市場要進行深度的調整了。美國花旗銀行預計明年存儲器價格會大幅下降,NAND價格會跌45%,DRAM價格會下跌30%,而且明年Q2季度之前不會見底。
2019-01-02 14:23:40
1156 隨機存取存儲器(RAM)特點:包括DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器),當關機或斷電時,其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存(內存的主體部分),SRAM主要用于高速緩存存儲器。
2019-01-07 16:46:49
16884 19日出具調查報告指出,今年上半年DRAM市場仍供過于求,價格持續(xù)下跌,不僅本季價格跌幅將超過二成,下季仍持續(xù)看跌15%,相當于上半年累計跌價幅度超過三成,比市場原預期更悲觀,華邦、南亞科等芯片廠,以及模組廠威剛、宇瞻等,營運將面臨下修壓力。
2019-02-22 09:20:12
2875 根據(jù)報導,DRAM的價格接連下跌,零售的計算機用DRAM價格最終也下跌到5萬韓元以下,這樣的走勢比預期要快許多,預計今年出口的前景也不樂觀。
2019-03-10 09:54:57
828 存儲器市況不明,針對存儲器價格波動趨勢,存儲器控制芯片廠慧榮總經理茍嘉章表示,預估快閃存儲器(NAND Flash)價格已近谷底,下半年若再跌,幅度大約在低個位數(shù)百分比;而動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)則預估持續(xù)跌至年底。
2019-05-06 16:23:48
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中美貿易戰(zhàn)下,存儲器市場波動情形持續(xù)受關注,研調機構集邦科技近日舉行“Compuforum 2019:資料經濟大未來”研討會,資深協(xié)理吳雅婷預估,今年整體DRAM銷售額
2019-06-06 16:36:37
3382 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界,井水不犯河水”。但在即將來臨的時代,存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場,而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND,正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術。
2019-09-10 15:24:41
1115 隨著5G時代的逐漸逼近,物聯(lián)網的快速發(fā)展促進著存儲器需求的持續(xù)增長。數(shù)據(jù)表明,中國消耗全球20%的DRAM及25%的NAND,2017年中國進口存儲器889.21億美元,同比2016年的637.14億美元增長了39.56%。
2019-09-17 10:47:24
1330 業(yè)內研究人員表示,中國目前有三家廠商正在建設的閃存與存儲器工廠,旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:01
2152 存儲器大廠華邦電高雄新12英寸廠已在7月上梁,興建計劃依進度進行中,原本預期2021年底可開始進入生產,初期以25納米DRAM開始投片。不過,華邦電董事長焦佑鈞6日表示,明年存儲器市況將趨于穩(wěn)定
2019-12-09 11:10:22
3470 內部的數(shù)據(jù)會隨著電量的消失而丟失,因此SRAM具有較高的性能。 但是SRAM也有它的缺點,即它的集成度較低,相同容量的DRAM存儲器可以設計為較
2020-03-08 17:15:00
4433 
據(jù)臺媒報道,由于第一季度表現(xiàn)良好,加上存儲器產業(yè)下半年需求有望升溫,臺灣存儲器模組廠宇瞻股價一路高漲15.9%。
2020-03-08 18:32:31
2419 ReRAM,目前暫無商用產品,其代表公司是美國的Crossbar。 上述新型存儲器已被研究了近數(shù)十年,只是相對于早已產業(yè)化的隨機存儲sram、DRAM存儲器、和NAND Flash,還未能大規(guī)模商用
2020-04-25 11:05:57
3525 
專注工控DRAM模塊與Flash儲存裝置集成方案的敏博(MEMXPRO Inc.),不受疫情影響,持續(xù)生產開發(fā),采用美光原廠顆粒,正式推出原生工業(yè)級16/32G DDR4-3200大容量高速工業(yè)級存儲器模塊。
2020-05-17 10:49:33
1380 的網絡開發(fā)和商業(yè)化,但首先讓我們看一下當前存儲器和新興的非易失性存儲器技術的特點,并了解為什么MRAM能夠立足出來。 非易失性存儲器技術的比較下表1比較了各種新興的非存儲器技術與已建立的存儲器(SRAM,DRAM,NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:16
1487 
靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機存儲器存儲器(SRAM)是隨機存儲器存儲器的一種。說白了的靜態(tài)數(shù)據(jù),就是指這類存儲器要是維持接電源,里邊存儲的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。相對性下,動態(tài)性隨機存儲器存儲器(DRAM)里邊所存儲
2020-08-10 16:43:24
16581 受惠于存儲器市場價格的居高不下,中國臺灣主要的存儲器廠,包括南亞科、旺宏、華邦電等經歷2月份工作時間縮短,影響部分營收的情況下,3月份恢復正常工作時間,也帶動營收的再往前沖。其中,DRAM大廠南亞科
2020-09-03 16:38:02
753 相信有很多人都對計算機里的各種存儲器(ROM、RAM、FLASH 等等)傻傻分不清,就會存在,內存條是 dram 還是 nand?nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么?程序
2020-12-17 14:56:38
12674 獨立存儲器市場和相關技術的摘要,包括NAND,DRAM,持久性存儲器,NOR,(NV)SRAM,新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:44
4749 
。 過去的DRAM不再用于較小的系統(tǒng),因為它們需要DRAM控制器。SRAM進入了內存需求小的系統(tǒng)。DRAM進入更大的存儲器,并伴隨著用于更大存儲器的控制器。 傳統(tǒng)存儲器供應商提供可預測的價格和長期客戶支持很重要,因為新設計仍然使用較舊的
2020-11-24 16:29:11
939 鐵電存儲器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲設備一樣,如只讀存儲器和閃存)結合起來。
2020-12-03 11:53:16
8368 最近Techinsights舉辦了一場關于存儲技術的網絡研討會,Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM,NAND,新興和嵌入式存儲器技術的觀察與分析。以下概述了討論的相關主題。DRA
2020-12-24 13:13:46
1607 隨機存儲存儲器,可讀可寫,分為SRAM和DRAM,即靜態(tài)隨機存儲器和動態(tài)隨機存儲器,理解上靜動態(tài)主要體現(xiàn)是否需要刷新,通常DRAM需要刷新,否則數(shù)據(jù)將丟失;SRAM的效率較好,而成本較高,通常將SRAM作為cache使用。
2021-03-18 15:14:06
5292 、NAND產品合約價格開始呈現(xiàn)下跌態(tài)勢,預計持續(xù)至明年上半年。 今年Q4開始,DRAM、NAND出貨下滑、價格下跌 市場調研機構紛紛表示存儲價格在今年Q4已經出現(xiàn)下跌。根據(jù)閃存市場,因為Q3加大了對DRAM的供應,目前DRAM市場已經恢復平穩(wěn),而NAND市場近期的供應
2021-10-27 09:44:07
2340 SRAM(StaticRandom-AccessMemory):靜態(tài)隨機存儲器,所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲器只要保持通電,里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM(Dynamic Random
2021-10-28 09:51:20
11 Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲器 SRAM——Static RAM(動態(tài)存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2021-12-02 10:06:05
3 兩種最常見的商業(yè)存儲器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快,但需要持續(xù)供電來維持其信息。閃存是非易失性的,對于長期大容量存儲來說足夠穩(wěn)定,但速度不是特別快。鐵電存儲器介于兩者之間,并可能提供必要的中間步驟。
2023-01-30 16:10:04
4097 在當前計算密集的高性能系統(tǒng)中,動態(tài)隨機存儲器(DRAM)和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。先進的 DRAM 存儲單元有兩種,即深溝
2023-02-08 10:14:57
12478 在當前計算密集的高性能系統(tǒng)中,動態(tài)隨機存儲器(DRAM)和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39
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在汽車存儲器市場中,汽車座艙是存儲器的主要應用領域,隨著智能座艙的持續(xù)演進,更多的屏幕、觸控、傳感器、高性能SoC等。
2023-03-03 16:53:40
1136 SRAM也是易失性存儲器,但是,與DRAM相比,只要設備連接到電源,信息就被存儲,一旦設備斷開電源,就會失去信息。
這個設備比DRAM要復雜得多,它一般由6個晶體管組成,因此被稱為6T存儲器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:01
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科技迭代,封測行業(yè)景氣來臨。由于存儲器價格企穩(wěn)和智能手機出貨回升,封測行業(yè)整體于 2019年三季度呈現(xiàn)逐步回暖態(tài)勢,國內主流封測廠盈利能力已進入上升通道。展望 2020年,在 5G、AI、數(shù)據(jù)中心等
2023-04-06 09:26:58
0 DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲器是一種易失性存儲器,意味著當斷電時,存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù),電容需要持續(xù)地充電來保持數(shù)據(jù)的有效性。一旦斷電,電容會迅速失去電荷,導致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:03
5687 DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:02
3356 近日,惠州佰維總經理劉昆奇受邀在SiP China 2023大會上發(fā)表了主題為《淺析SiP里的存儲封裝》的演講,分享佰維存儲在先進封測領域的技術布局以及典型應用案例,與行業(yè)大咖共話先進封測發(fā)展趨勢
2023-08-30 17:43:09
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近日, 惠州佰維總經理劉昆奇受邀在 SiP China 2023大會上 發(fā)表了主題為《淺析SiP里的存儲封裝》的演講,分享佰維存儲在先進封測領域的技術布局以及典型應用案例,與行業(yè)大咖共話先進封測
2023-08-31 12:15:01
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本文將介紹芯片設計中動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的相關知識,包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設備中的應用。
2023-10-23 10:07:34
7658 后存儲內容會丟失的存儲器稱作易失存儲器(Volatile Memory),存儲內容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器(Non-Volatile Memory)。 半導體存儲器分類 1、按功能分為 (1)隨機存取存儲器(RAM)特點:包括DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01
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隨著上游原廠醞釀提價,多家存儲器模塊業(yè)者已經開始備貨,以應對潛在的市場變化。預計供應給OEM廠商的合約價將在二季度起全面反映DRAM的漲價趨勢。
2024-01-03 15:34:13
1649 近日,三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器,這一創(chuàng)新技術具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領未來內存技術的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03
1225 非易失性存儲器,主要用于存儲固件、操作系統(tǒng)和其他重要數(shù)據(jù)。 存儲方式: RAM存儲器使用動態(tài)存儲器(DRAM)或靜態(tài)存儲器(SRAM)來存儲數(shù)據(jù)。 ROM存儲器使用各種類型的非易失性存儲技術,如PROM
2024-08-06 09:17:48
2547 存儲器的刷新是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)維護所存信息的一種重要機制。由于DRAM利用存儲元中的柵極電容來存儲電荷,而電容本身存在漏電流,導致電荷會逐漸流失,從而使得存儲的數(shù)據(jù)變得不可靠。為了保持
2024-09-10 14:34:22
3481 DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,是現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中不可或缺的內存組件。其基本單元的設計簡潔而高效,主要由一個晶體管(MOSFET)和一個電容組成,這一組合使得DRAM能夠在保持成本效益的同時,實現(xiàn)高速的數(shù)據(jù)存取。
2024-09-10 14:42:49
3256 近期,DRAM和NAND存儲行業(yè)再次遭遇消費者需求下滑的沖擊,導致存儲合約價格在短短一個月內出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,DRAM價格尤其受到重創(chuàng),近一個月內下跌近20%。
2024-10-09 17:08:43
1189 DRAM(Dynamic Random Access Memory)即動態(tài)隨機存儲器,是一種半導體存儲器,用于計算機系統(tǒng)中的隨機存取存儲。它由許多存儲單元組成,每個存儲單元可以存儲一位或多位數(shù)據(jù)。DRAM的主要特點是集成度高、成本低,但讀寫速度相對較慢,并且需要定期刷新以保持數(shù)據(jù)。
2024-10-12 17:06:11
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