的堆疊NAND閃存 V-NAND實(shí)現(xiàn)了具有最新第六代產(chǎn)品的128層單堆疊，并通過TLC實(shí)現(xiàn)了512 Gb（千兆位）容量。它計(jì)劃于2020年投放市場(chǎng)，并且正在針對(duì)在5年內(nèi)達(dá)到500層或更多層的堆棧
2019-11-25 09:52:31
6442 AMD發(fā)布了第六代Carrizo APU，Carrizo共有15W和35W兩個(gè)功耗版本，本月底搭載新一代處理器的筆記本將完成出貨。
2015-06-03 14:53:411745 三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發(fā)作業(yè)，計(jì)劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產(chǎn)品后，于2016年生產(chǎn)64層堆疊的V-NAND產(chǎn)品。
2015-08-11 08:32:001030 時(shí)間過的很快，對(duì)于老玩家來說，今年已經(jīng)迎接第六代 Intel 處理器，當(dāng)然這還不算古早時(shí)期的 Intel 產(chǎn)品。第六代處理器架構(gòu)命名為 Skylake，根據(jù) Intel 的 Tick-Tock 策略
2015-10-06 10:55:0023159 A9基本上是一個(gè)以FinFET制程打造之蘋果（Apple）第六代A系列應(yīng)用處理器的故事，但它更進(jìn)一步透露的是Apple在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)上的雄心壯志 ──Apple第一代的A4處理器是在2010年問世
2015-11-16 09:17:479103 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 NAND 存儲(chǔ)器制造商三星和 SK 海力士已尋求將 NAND 閃存價(jià)格提高 3%-5% 以試探市場(chǎng)反應(yīng)，并表示 NAND 閃存的價(jià)格已降至可變成本以下。 ? 2. 日媒：蘋果Vision Pro 給電子
2023-06-09 12:01:041328 
的存儲(chǔ)卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存儲(chǔ)卡產(chǎn)品線Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，還真不便宜！該款存儲(chǔ)卡起售價(jià)$199.99，對(duì)于一張存儲(chǔ)卡而言，這個(gè)定價(jià)可以算得
2015-12-16 11:31:26
三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹先生表示，三星不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，新一代的QLC產(chǎn)品成本可以降低60%，同時(shí)還推出了容量高達(dá)1Tb的V-NAND技術(shù)，速度將會(huì)達(dá)到1200Mbps。在市場(chǎng)應(yīng)用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
韓國(guó)三星電子日前宣布，位于中國(guó)陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國(guó)
2014-05-14 15:27:09
NAND只需要提高堆棧層數(shù)，目前多種工藝架構(gòu)并存。從2013年三星推出了第一款24層SLC/MLC 3D V-NAND，到現(xiàn)在層數(shù)已經(jīng)邁進(jìn)200+層，并即將進(jìn)入300+層階段。目前，三星/西部數(shù)據(jù)
2024-12-17 17:34:06
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達(dá)到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
提供領(lǐng)先的創(chuàng)新視頻和顯示處理解決方案提供商——Pixelworks, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：PXLW）今日發(fā)布了其第六代移動(dòng)視覺處理器---i6，這是首款基于Pixelworks大量移動(dòng)顯示
2020-11-23 14:02:58
TCL AT25286深圳三星純(25英寸)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:21:22
13 TCL AT29128三星存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:24:3643 TCL AT29211A三星純存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:28:5634 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，華爾街郵報(bào)綜合之前諸多的相關(guān)報(bào)道，于周二報(bào)道稱蘋果的第六代iPhone將采用更輕更薄的內(nèi)置觸摸屏技術(shù)。
2012-07-19 10:50:432401 
中國(guó)，北京-2014年10月29日-硅電視調(diào)諧器領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Labs（芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司，NASDAQ:SLAB）今天宣布推出高性能且經(jīng)過現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的第六代電視調(diào)諧器IC。
2014-10-29 16:29:081387 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）擴(kuò)大采用第六代STripFET技術(shù)的高效功率晶體管的產(chǎn)品系列，為設(shè)計(jì)人員在提高各種應(yīng)用的節(jié)能省電性能帶來更多選擇。 最新的STripFET
2017-12-01 11:47:03433 三星表示，這款512GB的閃存芯片專門面向移動(dòng)設(shè)備開發(fā)，其中整合了八個(gè)多層存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的V-NAND芯片。和過去三星256GB的芯片相比，雖然容量翻一倍，但是使用的空間卻相同。這給手機(jī)設(shè)計(jì)帶來了福音。
2017-12-06 11:03:441513 三星手機(jī)存儲(chǔ)器最新資料下載
2018-01-19 09:44:541 因2017年存儲(chǔ)器領(lǐng)域遭遇大幅度的內(nèi)存不足，飚價(jià)過高，三星等存儲(chǔ)器巨頭借此賺的缽滿盆盈。今年中國(guó)廠商將進(jìn)行大規(guī)模的擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)器價(jià)格將會(huì)有所松動(dòng)，也就是說三星半導(dǎo)體龍頭將不保。
2018-02-01 09:37:211089 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項(xiàng)目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日?qǐng)?bào)道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項(xiàng)目之一，也是中國(guó)最先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤、移動(dòng)設(shè)備和其它消費(fèi)電子產(chǎn)品。
2018-02-09 10:18:468073 據(jù)新華社消息，5月17日，在河北省廊坊市固安產(chǎn)業(yè)新城，維信諾（固安）第六代全柔AMOLED屏幕面板生產(chǎn)線正式啟動(dòng)。
2018-05-18 10:55:003527 三星電子 30 日宣布，已開始正式量產(chǎn)全球首款 32GB 容量、適用于小型雙列直插式存儲(chǔ)器模組（SoDIMM）規(guī)格的電競(jìng)筆電 DDR4 存儲(chǔ)器。而新的 SoDIMM 存儲(chǔ)器模組是以 10 納米制程技術(shù)打造，可以用戶享受豐富的電競(jìng)游戲之外，并具有更大的容量與更快的速度，而且傭有更低的耗能表現(xiàn)。
2018-06-11 11:49:001095 根據(jù)韓國(guó)媒體的報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠三星已經(jīng)確認(rèn)，將會(huì)在韓國(guó)平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠，用于擴(kuò)大DRAM、NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的產(chǎn)能。 之前，韓國(guó)媒體《FN News》曾經(jīng)引用業(yè)界人士和平
2018-03-06 18:59:115298 在舊金山的閃存峰會(huì)上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達(dá)1Tb，用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。
2018-05-16 23:41:001196 三星 17 日宣布，量產(chǎn)首批 8GB LPDDR5 存儲(chǔ)器顆粒，速率可達(dá) 6，400Mbps，比現(xiàn)有 LPDDR4-4266 存儲(chǔ)器快了 50%，同時(shí)功耗降低 30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了 8GB
2018-07-18 17:56:004088 近年來中國(guó)大陸地區(qū)一直深耕OLED技術(shù)，京東方、華星光電、天馬微電子等都相繼建設(shè)OLED屏幕產(chǎn)線，為下一輪技術(shù)爭(zhēng)奪做好了充足的準(zhǔn)備。其中，天馬的第六代AMOLED生產(chǎn)線早在去年4月就已經(jīng)成功點(diǎn)亮，這是全球第一條同時(shí)點(diǎn)亮剛性和柔性顯示屏的第六代AMOLED生產(chǎn)線，本月也將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-06-13 15:55:002365 三星電子今天宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS），以用于下一代移動(dòng)設(shè)備。據(jù)介紹，三星512GB eUFS采用了三個(gè)三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個(gè)控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 三星終于宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND存儲(chǔ)芯片，聲稱其堆疊層數(shù)超過90層，可能指的是其96層，制造生產(chǎn)率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可擁有更高的傳輸速度。
2018-07-12 14:46:002032 據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道，頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號(hào)響應(yīng)時(shí)間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 三星17日宣布，量產(chǎn)首批8GB LPDDR5存儲(chǔ)器顆粒，速率可達(dá)6,400Mbps，比現(xiàn)有LPDDR4-4266存儲(chǔ)器快了50%，同時(shí)功耗降低30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了8GB LPDDR5存儲(chǔ)器的測(cè)試。
2018-07-20 10:39:445216 面對(duì)2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 三星電子有限公司今天宣布推出三星移動(dòng)固態(tài)硬盤T5-全新的移動(dòng)固態(tài)硬盤（PSSD），提升了外部存儲(chǔ)產(chǎn)品的性能標(biāo)準(zhǔn)。T5采用三星最新的64層V-NAND（垂直NAND）技術(shù)和緊湊耐用的設(shè)計(jì)，具有業(yè)界領(lǐng)先的傳輸速度和加密的數(shù)據(jù)安全性，使消費(fèi)者更輕松隨時(shí)隨地訪問其最有價(jià)值的數(shù)據(jù)。
2018-07-26 17:43:092951 此外，新的V-NAND數(shù)據(jù)寫入速度僅延遲了500微妙，與前一代相比改進(jìn)了30%，讀取信號(hào)時(shí)間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節(jié)能，電壓從1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:001476 第六代微軟小冰正式發(fā)布，相比與以往的低調(diào)，此次微軟小冰六代的發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)格外盛大。
2018-07-31 15:08:507198 三星電子也不甘示弱，早先已經(jīng)宣布量產(chǎn)96層堆疊第五代V-NAND閃存，并宣布會(huì)在年內(nèi)推出全球第一款32TB超大容量SSD。
2018-08-07 14:32:115169 大家都知道現(xiàn)在飛行器，尤其是軍事飛行器都在朝向更快的飛行速度發(fā)展，尤其是對(duì)于第六代戰(zhàn)機(jī)來說，雖然還無法確定是有人還是無人，但是高速度絕對(duì)是主要的技術(shù)指標(biāo)，而這次曝光的信息或許就是意味著這款無人機(jī)和我們的第六代戰(zhàn)機(jī)有著很大關(guān)聯(lián)。
2018-08-23 11:35:505106 8月30日下午，合肥第六代柔性AMOLED生產(chǎn)線項(xiàng)目簽約落戶合肥新站高新科技產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，總投資400億！
2018-09-07 11:42:175548 據(jù)日媒指出，三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814 三星新一代860 QVO系列固態(tài)硬盤于今日上架美國(guó)官網(wǎng)，作為三星首款面向消費(fèi)者的QLC固態(tài)硬盤，它采用傳統(tǒng)的2.5寸盤規(guī)格，內(nèi)部為三星自主MJX主控、三星自產(chǎn)V-NAND QLC閃存顆粒，容量規(guī)格有1TB、2TB、4TB。1TB版本官方建議零售價(jià)149.99美元。
2018-11-30 14:08:012848 2月19日消息，有網(wǎng)友在小米公司產(chǎn)品總監(jiān)王騰微博下評(píng)論：“人家隔壁都官員要出第六代屏幕指紋了，滕總不科普下小米9不用的原因嗎？”（iQOO新機(jī)將搭載第六代屏幕指紋，這可能是全球首款使用第六代屏幕指紋識(shí)別的智能手機(jī)）。
2019-02-20 09:14:366672 視頻簡(jiǎn)介：全新的Simple Switcher竟然能和納米小子和電源模塊并駕齊驅(qū)？快來了解第六代Simple Switcher穩(wěn)壓器如何逆襲成為高穩(wěn)定性高EMI性能高速度的吧。
2019-03-27 06:26:003957 本周，Intel發(fā)布產(chǎn)品調(diào)整通知，宣布第六代酷睿處理器進(jìn)入EOL階段（end of life），也就是開始退役。
2019-03-07 10:47:493315 
3 月 27 日的發(fā)布會(huì)上，蘋果發(fā)布了第六代 iPad 產(chǎn)品，官方售價(jià)從 2588 元起，教育售價(jià) 2388 元。這款產(chǎn)品相對(duì)于去年的第五代而言有兩大升級(jí)亮點(diǎn)，首先是升級(jí)了全新的 A10
2019-06-13 10:25:3111026
據(jù)彭博社報(bào)道，三星電子公司副主席李在镕表示該公司將繼續(xù)投資未來的業(yè)務(wù)，包括第六代移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)芯片。這家韓國(guó)科技巨頭面臨著一個(gè)快速變化的全球商業(yè)環(huán)境，而這已經(jīng)給利潤(rùn)帶來壓力。
三星在
2019-06-17 17:00:243088 在2016年的舊金山閃存峰會(huì)上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間）、包含獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)與優(yōu)化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 8月6日，三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)250千兆字節(jié)（SATA）固態(tài)硬盤（SSD），該硬盤集成了該公司的第六代（1xx層）256Gb，適用于全球PC OEM的三位V-NAND。通過在短短13個(gè)月內(nèi)推出新一代V-NAND，三星已將批量生產(chǎn)周期縮短了四個(gè)月，同時(shí)確保了業(yè)界最高的性能，功效和制造生產(chǎn)率。
2019-08-07 17:10:553350 
三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進(jìn)一步提高容量和密度，它擁有100多個(gè)活動(dòng)層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)。
2019-09-03 10:38:04981 全球第一的非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體企業(yè)英特爾在韓國(guó)推出新一代存儲(chǔ)器半導(dǎo)體，外界解讀，英特爾選在存儲(chǔ)器半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)發(fā)表新產(chǎn)品，是在向全球前兩大存儲(chǔ)器半導(dǎo)體企業(yè)三星電子、SK海力士宣戰(zhàn)。
2019-09-27 17:20:141177 根據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo)，在當(dāng)前存儲(chǔ)器價(jià)格已經(jīng)觸底反彈，整體市場(chǎng)庫(kù)水水位也進(jìn)一步降低的情況之下，三星決定開始恢復(fù)針對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的投資。而根據(jù)知情人士的消息指出，三星最近為韓國(guó)P2晶圓廠訂購(gòu)了DRAM設(shè)備，也
2019-10-30 15:15:303224 三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)250千兆字節(jié)（GB）SATA固態(tài)硬盤（SSD），該硬盤集成了該公司的第6代（1xx層）256千兆位（Gb）三位V- NAND。該公司已將SSD交付給全球PC制造商。
2019-11-22 17:07:39896 固態(tài)硬盤市場(chǎng)的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的，也是目前技術(shù)最強(qiáng)的，已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)達(dá)到了48層。
2019-12-22 11:19:011517 據(jù)韓國(guó)網(wǎng)站Elec顯示，LG目前正在升級(jí)其生產(chǎn)設(shè)施，以為2020年推出的iPhone提供第六代OLED面板。
2020-01-05 10:43:433192 3月18日，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子已經(jīng)開始批量生產(chǎn)一種512GB的eUSF 3.1高速智能手機(jī)存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器能夠在4秒內(nèi)存儲(chǔ)5GB內(nèi)容，相當(dāng)于一部藍(lán)光電影。
2020-03-20 10:51:281830 據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報(bào)道稱三星可能會(huì)大幅改進(jìn)制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級(jí)到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776 繼三星去年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)128層第六代NAND閃存芯片后，又在兩個(gè)月前宣布將完成160層第七代NAND閃存芯片的開發(fā)，目前看來三星已經(jīng)將對(duì)手遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后。
2020-06-18 16:06:512328 新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù)，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 VOANDOS維安達(dá)斯——第六代語音導(dǎo)航版激光對(duì)射探測(cè)器，震撼上市，這是維安達(dá)斯繼2019年第五代旗艦版激光對(duì)射后的又一匠心之作。 第六代語音導(dǎo)航版激光對(duì)射探測(cè)器是本公司在第五代旗艦版激光對(duì)射探測(cè)器
2021-04-01 14:45:02776 VOANDOS維安達(dá)斯——第六代語音導(dǎo)航版激光對(duì)射探測(cè)器，震撼上市。 第六代語音導(dǎo)航版激光對(duì)射探測(cè)器是本公司在第五代旗艦版激光對(duì)射探測(cè)器基礎(chǔ)上再次升級(jí)而成的又一代匠心產(chǎn)品，他在保持第五代激光對(duì)射
2021-06-30 15:23:35710 官方發(fā)布 今日，三星宣布已開發(fā)出用于企業(yè)服務(wù)器的PM1743固態(tài)硬盤。PM1743固態(tài)硬盤擁有最新的PCIe 5.0接口和三星先進(jìn)的第6代V-NAND閃存技術(shù)。
2021-12-30 11:57:363953 6月11日動(dòng)靜，蔚藍(lán)科技推出的第六代c系列阿爾法機(jī)器狗打開預(yù)售，價(jià)錢為16900元起，此刻不妨在蔚藍(lán)科技官方店鋪微信小步調(diào)付出2000元定金介入預(yù)購(gòu)。 蔚藍(lán)科技第六代c系列阿爾法機(jī)器狗的目的是代替
2022-02-14 09:53:005475 三星電子計(jì)劃在今年6月前完成11納米制程第六代1cDRAM的開發(fā)。
2022-04-19 11:31:193502 而主要的 NAND 制造商正在競(jìng)相增加垂直 3D NAND 門的數(shù)量，并推出了 1yyL 3D NAND 設(shè)備。例如，三星 V7 V-NAND、鎧俠和西部數(shù)據(jù)公司 (WDC) BiCS6、美光第 2 代 CTF CuA 和 SK 海力士第 2 和第 3 代 4D PUC NAND 。
2022-07-13 15:30:114733 2022百度世界大會(huì)-百度正式發(fā)布第六代無人車Apollo RT6 ? ? ? ? 審核編輯：彭靜
2022-07-21 15:23:45664 
市場(chǎng)對(duì)更高密度、更大容量存儲(chǔ)的需求，推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時(shí)避免了縮小時(shí)通常會(huì)發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案，有望成為未來存儲(chǔ)創(chuàng)新的基礎(chǔ)。
2022-11-07 10:33:551379 * 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度，可更高效地為企業(yè)擴(kuò)展存儲(chǔ)空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會(huì)
2022-11-08 13:37:361624 三星采用 3D 縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時(shí)避免了縮小時(shí)通常會(huì)發(fā)生的單元間的干擾。通過這項(xiàng)技術(shù)，三星顯著的提升每片晶圓的存儲(chǔ)密度，使三星的存儲(chǔ)密度達(dá)到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25847 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。
2022-12-06 10:39:311027 基于先進(jìn)的5納米工藝控制器和第七代?V-NAND 技術(shù)，PM9C1a將個(gè)人計(jì)算機(jī)日常工作效率提升至新高度，同時(shí)，可處理高要求的計(jì)算和游戲任務(wù) 深圳2023年1月12日 /美通社/ -- 今日，三星
2023-01-12 21:32:101153 最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Emulex和博科產(chǎn)品的第六代光纖通道評(píng)估.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-23 15:19:000 2023年9月6日三星電子宣布推出固態(tài)硬盤990 PRO系列4TB（萬億字節(jié)）產(chǎn)品，預(yù)計(jì)將于10月正式進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)。990 PRO系列屬于高性能PCIe【1】4.0固態(tài)硬盤系列，采用三星第8代V-NAND技術(shù)和三星自研控制器。
2023-09-07 09:44:151750 
近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:031225 據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層，但I(xiàn)T之家此前曾報(bào)道過，三星在學(xué)術(shù)會(huì)議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達(dá)3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391410 據(jù)韓國(guó)業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司預(yù)計(jì)將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當(dāng)前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。
2024-04-18 09:49:201500 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場(chǎng)的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 作為九代V-NAND的核心技術(shù)，雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計(jì)算領(lǐng)域。據(jù)了解，三星計(jì)劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)
2024-04-28 10:08:011536 在技術(shù)層面，第九代V-NAND無疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實(shí)力。它采用了雙重堆疊技術(shù)，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎(chǔ)上，再次實(shí)現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破，堆疊層數(shù)飆升至驚人的290層。
2024-04-28 16:02:241874 第九代V-NAND采用雙堆疊設(shè)計(jì)，將旗艦版V8閃存原先的236層進(jìn)一步增加至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計(jì)算設(shè)備領(lǐng)域。
2024-04-28 17:36:181369 據(jù)悉，Switch 2游戲機(jī)可能搭載由三星代工廠生產(chǎn)的SoC（英偉達(dá)Tegra T239芯片，采用三星7LPH工藝節(jié)點(diǎn)）。此外，任天堂還計(jì)劃采用三星第五代V-NAND存儲(chǔ)技術(shù)以及三星作為顯示面板供應(yīng)商。
2024-04-29 10:23:182172 在今日舉行的I/O 2024開發(fā)者大會(huì)上，谷歌公司震撼發(fā)布了其第六代數(shù)據(jù)中心AI芯片——Trillium Tensor處理器單元（TPU）。據(jù)谷歌首席執(zhí)行官皮查伊透露，這款新型TPU預(yù)計(jì)在年內(nèi)交付，屆時(shí)將帶來前所未有的計(jì)算性能飛躍。
2024-05-15 11:18:081201 分析人士認(rèn)為，谷歌積極推進(jìn)自主研發(fā)芯片，按照其規(guī)劃，第七代和第八代產(chǎn)品將分別與聯(lián)發(fā)科、世芯合作生產(chǎn)。此次第六代TPU的推出，有望引領(lǐng)CSP（云端服務(wù)提供商）廠商投入自研芯片領(lǐng)域。
2024-05-16 18:05:322374 百度近日宣布，其自動(dòng)駕駛出租車業(yè)務(wù)“蘿卜快跑”正式推出第六代車型——頤馳06，這是百度Apollo與江鈴新能源的聯(lián)合力作。新車出廠價(jià)定為20.46萬元，首批交付量高達(dá)1000輛。
2024-05-20 14:36:115424 據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道，三星電子在其第9代V-NAND閃存技術(shù)中實(shí)現(xiàn)了重大突破，首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬（Mo）技術(shù)。這一創(chuàng)新標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的又一次技術(shù)飛躍。
2024-07-04 09:23:501262 microSD 存儲(chǔ)卡 PRO Plus 和 EVO Plus 采用三星先進(jìn)的 V-NAND 技術(shù)，可安全可靠地捕捉和存儲(chǔ)日常瞬間 性能提升后，順序讀取速度高達(dá) 180MB/s，傳輸速度達(dá)
2024-08-01 09:24:59699 
三星電子今日宣布了一項(xiàng)重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先，也預(yù)示著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)即將迎來一場(chǎng)革命性的變革。
2024-09-12 16:27:311108 三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品，集成了多項(xiàng)前沿技術(shù)突破，標(biāo)志著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能與容量的全新飛躍。這款基于雙堆棧架構(gòu)的QLC V-NAND，通過創(chuàng)新的通道孔蝕刻技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的單元層數(shù)，為各類AI應(yīng)用提供了前所未有的內(nèi)存解決方案。
2024-09-23 14:53:521479 三星電子在車載存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域邁出了重要一步，正式宣布成功研發(fā)出業(yè)界首款基于其先進(jìn)第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。這一創(chuàng)新成果不僅標(biāo)志著三星在車載數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的深厚積累與前瞻布局，更為未來智能汽車的高性能、高效率數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求提供了強(qiáng)有力的支持。
2024-09-24 15:24:031104 在今日舉辦的聯(lián)想2024年度全球創(chuàng)新盛會(huì)Tech World上，聯(lián)想集團(tuán)震撼發(fā)布了其第六代Neptune垂直液冷產(chǎn)品——ThinkSystem N1380 Neptune，這款產(chǎn)品專為生成式AI計(jì)算量身打造，再次彰顯了聯(lián)想在高性能計(jì)算和液冷技術(shù)領(lǐng)域的卓越實(shí)力與創(chuàng)新能力。
2024-10-16 17:15:221936 nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P，其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P相似，顯示出三星在半導(dǎo)體工藝研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新與投入。 據(jù)了解，在決定啟動(dòng)D1B-P項(xiàng)目時(shí)，三星現(xiàn)有的12nm級(jí)DRAM工藝良率
2025-01-22 14:04:071411 據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。
2025-02-13 16:42:511343 近日，據(jù)韓媒報(bào)道，三星位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠正在加速推進(jìn)技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術(shù))轉(zhuǎn)換至第八代V-NAND(238層技術(shù))的基礎(chǔ)上，年內(nèi)
2025-02-14 13:43:271089 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 日前，瑞薩電子宣布推出業(yè)界首款面向DDR5寄存雙列直插式內(nèi)存模塊（RDIMM）的第六代（Gen6）寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（RCD），這款全新RCD率先實(shí)現(xiàn)了9600兆傳輸/秒（MT/s
2025-11-19 15:59:055454 
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