第三版HBM2存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布，環(huán)比提升33%
本周，固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)(JEDEC)發(fā)布第三版HBM2存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)JESD235C，將針腳帶寬提高到3.2Gbps，前兩版中依次是2Gbps、2.4Gbps，環(huán)比提升33%。
按照設(shè)計(jì)規(guī)范，單Die最大2GB、單堆棧12 Die(無標(biāo)準(zhǔn)高度限制)，也就是24GB容量，匹配1024bit位寬，單堆棧理論最大帶寬410GB/s。對(duì)于支持四堆棧(4096bit)的圖形芯片來說，總帶寬高達(dá)1.64TB/s。
第三代HBM2的電壓和上一版一致，為1.2V，比第一代的1.35V有所下降。
簡單比較下，常見高端獨(dú)顯采用的256bit GDDR6，按照14Gbps的針腳帶寬計(jì)算，總帶寬448GB/s，也就是第三代HBM2一個(gè)堆棧的水平。考慮到HBM2更容易擴(kuò)充總線寬度，GDDR6過猶不及，況且單堆棧最大容量就能達(dá)到24GB，四堆棧直逼100GB。
圖為HBM顯存示意
事實(shí)上，3.2Gbps的第三代HBM2早先已經(jīng)由三星和SK海力士提出，并更名為HBM2E，這種說法也得到了JEDEC默認(rèn)。
在JESD235C標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布的同時(shí)，三星宣布，名為Flashbolt(前兩代名為Flarebolt和Aquabolt)的第三代HBM2(HBM2E)存儲(chǔ)芯片將在上半年量產(chǎn)，單顆最大容量16GB，由16Gb的單Die通過8層堆疊而成。
三星的第三代HBM2E甚至支持超頻，單針腳可加速到4.2Gbps，單堆棧最大帶寬從而升至538GB/s。
責(zé)任編輯：gt
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