中芯國(guó)際（688981）迎來(lái)重量級(jí)人物，蔣尚義博士回歸。

12月15日晚間，中芯國(guó)際公告確認(rèn)，蔣尚義獲委任為公司董事會(huì)副董事長(zhǎng)、第二類(lèi)執(zhí)行董事及戰(zhàn)略委員會(huì)成員，自2020年12月15日起生效；其任期自2020年12月15日起至公司2021年股東周年大會(huì)為止。根據(jù)中芯國(guó)際相關(guān)組織章程，蔣尚義須于2021年股東周年大會(huì)上接受公司股東重選，而如獲重選后，其后須按照公司之組織章程細(xì)則至少每三年一次輪值退任。

蔣尚義已非首次牽手中芯國(guó)際，他曾于2016年12月20日至2019年6月21日擔(dān)任公司獨(dú)立非執(zhí)行董事。在此之前，蔣尚義在臺(tái)積電亦先后擔(dān)任研發(fā)副總裁、首席運(yùn)營(yíng)官（COO）等職。

相關(guān)簡(jiǎn)歷顯示，蔣尚義現(xiàn)年74歲，一九六八年于國(guó)立臺(tái)灣大學(xué)獲電子工程學(xué)學(xué)士學(xué)位，一九七零年于普林斯頓大學(xué)獲電子工程學(xué)碩士學(xué)位，一九七四年于斯坦福大學(xué)獲電子工程學(xué)博士學(xué)位。畢業(yè)后，他曾在德州儀器和惠普公司工作。其后，于一九九七年返回臺(tái)灣，任臺(tái)積電研發(fā)副總裁。于二零一三年底退休時(shí)，蔣尚義的職位是共同首席運(yùn)營(yíng)官。

作為業(yè)內(nèi)風(fēng)云人物，蔣尚義在半導(dǎo)體工業(yè)界的45 年中，曾參與研發(fā) CMOS、NMOS、Bipolar、DMOS、 SOS、SOI、GaAs 鐳射、LED、電子束光刻、矽基太陽(yáng)能電池等項(xiàng)目。在臺(tái)積電期間，蔣尚義牽頭了0.25μm、0.18μm、0.15μm、0.13μm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm 及 16nm FinFET 等關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的研發(fā)，使臺(tái)積電的行業(yè)地位從技術(shù)跟隨者發(fā)展為技術(shù)引領(lǐng)者。

在退休后，蔣尚義還曾擔(dān)任臺(tái)積電董事長(zhǎng)顧問(wèn)、中芯國(guó)際獨(dú)立非執(zhí)行董事。

據(jù)證券時(shí)報(bào)·e公司記者了解，在2019年6月離開(kāi)中芯國(guó)際后，蔣尚義曾短暫出任武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司首席執(zhí)行官。但之后隨著武漢弘芯項(xiàng)目陷入停擺，蔣尚義的情況也一度受到外界關(guān)注。

對(duì)此，他在今年11月17日公開(kāi)發(fā)布聲明稱(chēng)：已于今年6月因個(gè)人原因辭去武漢弘芯的董事、總經(jīng)理及CEO等一切職務(wù)，武漢弘芯也已經(jīng)接受了蔣尚義遞交的辭呈；且其自辭職后于7月已不支薪且不再擔(dān)任武漢弘芯的任何職務(wù)。

外界頗為關(guān)注的是，此次蔣尚義回歸中芯國(guó)際，能否助力公司整體運(yùn)營(yíng)、技術(shù)邁上新的臺(tái)階？

證券時(shí)報(bào)·e公司記者留意到，蔣尚義最近一次對(duì)外表態(tài)時(shí)曾談到，其對(duì)半導(dǎo)體仍有很強(qiáng)烈的熱情，并且熱衷先進(jìn)封裝技術(shù)和小芯片（Chiplet）?！艾F(xiàn)在中芯國(guó)際的先進(jìn)制程技術(shù)已經(jīng)做到14nm、N+1、N+2，相信在中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)我在先進(jìn)封裝和系統(tǒng)整合的夢(mèng)想，可以比在弘芯快至少4-5年。”他說(shuō)。

蔣尚義此前在多次公開(kāi)發(fā)言中也透露了先進(jìn)封裝的重要性。他認(rèn)為，在摩爾定律接近物理極限的當(dāng)下，半導(dǎo)體創(chuàng)新需要投入的研發(fā)成本越來(lái)越高，但回報(bào)周期也在拉長(zhǎng)。目前只有三星、臺(tái)積電少數(shù)的半導(dǎo)體制造廠商在研發(fā)5nm及以下的先進(jìn)制程技術(shù)，而其他玩家，包括格羅方德、聯(lián)電此前已經(jīng)戰(zhàn)略放棄7nm、12nm以下的制程研發(fā)。

為了應(yīng)對(duì)產(chǎn)業(yè)的變化以電路技術(shù)提升的瓶頸，蔣尚義認(rèn)為，應(yīng)該通過(guò)集成系統(tǒng)提升芯片之間的緊密行，使其性能優(yōu)于單一芯片，降本增效。

中芯國(guó)際是全球領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，也是中國(guó)大陸技術(shù)最先進(jìn)、規(guī)模最大、配套服務(wù)最完善、跨國(guó)經(jīng)營(yíng)的專(zhuān)業(yè)晶圓代工企業(yè)，主要為客戶提供0.35微米至14納米多種技術(shù)節(jié)點(diǎn)、不同工藝平臺(tái)的集成電路晶圓代工及配套服務(wù)。公司于12月4日在互動(dòng)平臺(tái)上表示，公司第一代FinFET 14nm已于2019年四季度進(jìn)入量產(chǎn)，第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)。

不久前，中芯國(guó)際還公告稱(chēng)，公司全資附屬公司中芯控股、國(guó)家集成電路基金II和亦莊國(guó)投已訂立合資合同以共同成立合資企業(yè)，該從事發(fā)展及運(yùn)營(yíng)聚焦于生產(chǎn)28nm及以上集成電路項(xiàng)目。該項(xiàng)目將分兩期建設(shè)，項(xiàng)目首期計(jì)劃最終達(dá)成每月約10萬(wàn)片的12英寸晶圓產(chǎn)能，二期項(xiàng)目將根據(jù)客戶及市場(chǎng)需求適時(shí)啟動(dòng)；項(xiàng)目首期計(jì)劃投資76億美元（約合531億元人民幣）。
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