在芯片代工領(lǐng)域，臺積電占據(jù)主導(dǎo)地位，全球92%的高端芯片都由臺積電制造。在下一代工藝節(jié)點(diǎn)研制上，臺積電也跑在業(yè)界前列，計劃于2022年下半年實(shí)現(xiàn)3nm芯片量產(chǎn)。

如今，臺積電已成為全球最重要的半導(dǎo)體公司。不過，臺積電地位雖然顯赫，但還沒有到獨(dú)步整個芯片行業(yè)的地步，臺積電仍要依賴上游半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的支撐。

日前，美國半導(dǎo)體設(shè)備巨頭應(yīng)用材料亮出的一款全新設(shè)備，能幫助臺積電突破3nm制程，也能卡住臺積電的脖子。

應(yīng)用材料作為全球第一大半導(dǎo)體設(shè)備公司，在第一的位置上已經(jīng)坐了20年，實(shí)力相當(dāng)雄厚。應(yīng)用材料的產(chǎn)品線包括晶圓檢測設(shè)備、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)等等，產(chǎn)品線全球最為齊全。

臺積電所需的諸多半導(dǎo)體設(shè)備，都依賴于應(yīng)用材料。日前，應(yīng)用材料亮出的名為Endura Copper Barrier Seed IMS的新設(shè)備，更是對臺積電攻克3nm制程有重要作用。

據(jù)了解，該設(shè)備集ALD、PVD、CVD、銅回流、表面處理、界面工程與計量這七大工藝于一體，操作更加簡潔，能帶來更高的生產(chǎn)效率，有效降低生產(chǎn)成本。

更重要的是，該設(shè)備可用于3nm工藝，解決隨晶體管縮小而來的能耗增長問題。

晶體管越小，邏輯芯片布線也就愈發(fā)困難。最直接的體現(xiàn)便是，隨著導(dǎo)線的縮小，受到的電子也愈來愈大。據(jù)了解，從7nm微縮至3nm會使得電阻增長10倍。而這使得芯片功耗增加，影響芯片的性能。

Endura Copper Barrier Seed IMS能夠解決這一問題，降低50%的電阻，讓實(shí)現(xiàn)3nm芯片的可能性更進(jìn)一步。

由此可見，Endura Copper Barrier Seed IMS在下一代先進(jìn)制程中的重要性，絲毫不亞于光刻機(jī)。二者均為高端芯片生產(chǎn)過程中，不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備。

不難看出，以應(yīng)用材料為首的美國半導(dǎo)體企業(yè)，不僅能輕松卡住臺積電的脖子，卡住全球芯片產(chǎn)業(yè)也不在話下。由此，美國形成在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域難以撼動的主導(dǎo)地位，掌握最高話語權(quán)。

也正是如此，臺積電不得不屈服于美芯片禁令，拒絕為華為代工。

這給中國芯片產(chǎn)業(yè)敲響了警鐘。我國必須要將核心技術(shù)掌握在自己的手中，才能不會輕易被外部環(huán)境所影響，保證國產(chǎn)芯片的安全。為此，許多中國企業(yè)已經(jīng)在努力中，期待它們傳來更多的好消息。

編輯：jq