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      NP2305VR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

      微雨問海棠 ? 來源：微雨問海棠 ? 作者：微雨問海棠 ? 2022-07-08 11:43 ? 次閱讀
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      描述

      NP2305VR采用了先進(jìn)的塹壕技術(shù)

      提供卓越的RDS(ON)

      ?V

      ，低柵極電荷和

      工作電壓低至1.8V。這

      該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM

      應(yīng)用程序。

      一般特征

      DS = -20 v, ID

      R

      = -4.2

      DS(上)(Typ) = 36 mΩ@VGS = -4.5 v

      R DS(上)(Typ) = 49米Ω@VGS

      ?高功率和電流處理能力

      = -2.5 v

      ?獲得無鉛產(chǎn)品

      ?表面安裝包

      應(yīng)用程序

      ?PWM程序

      ?負(fù)荷開關(guān)

      包

      ?SOT-23

      poYBAGLHp1-Ae-P3AABfWO8bOE4182.png

      訂購信息

      poYBAGLHp3WAa0oYAAA2PmK00Vo322.png

      絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)

      pYYBAGLHp4uAemiMAADNqbioZEk148.png

      poYBAGLHp5SAdqTuAAA73b5tj2A596.png

      熱特性

      poYBAGLHp6iAc6vPAABShQod2KQ601.png

      注:

      a:TC = 25℃。b:表面安裝在1“x 1”FR4板上。

      c:t = 5 s。d:穩(wěn)態(tài)條件下最大為175°c /W。

      電特性(除非另有說明，TA=25℃)

      poYBAGLHp8CAe6fQAAIf9F1-YKo167.png


      審核編輯 黃昊宇

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