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      NP3403MR 30V p通道增強模式MOSFET

      微雨問海棠 ? 來源：微雨問海棠 ? 作者：微雨問海棠 ? 2022-07-13 11:13 ? 次閱讀
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      描述

      NP3403MR采用先進壕溝

      技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON)，低柵

      在極低電壓的情況下進行充電和操作

      2.5 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān)

      或在PWM應(yīng)用中。

      一般特征

      ?VDS = -30v, id = -2.6a

      RDS(上)(Typ) = 84Ω@VGS = -4.5 v

      RDS(上)(Typ) = 110Ω@VGS = -2.5 v

      ?高功率和電流處理能力

      ?獲得無鉛產(chǎn)品

      ?表面安裝包

      應(yīng)用程序

      ? PWM 應(yīng)用 程序

      ? Load 開關(guān)

      包

      ?SOT-23

      poYBAGLOMoyAEEW1AABf5I_jBLc441.png

      訂購信息

      poYBAGLONhCAHbDPAAA20Tima2o539.png

      絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)

      pYYBAGLONjeAN0GbAACTdCBpQT4752.png

      電特性(除非另有說明，TA=25℃)

      pYYBAGLONlmATVkUAAIJXQ0Uy-g288.png

      注:

      a.表面安裝在FR4板上，t≤10秒

      B.脈沖測試:脈寬≤300μs，占空比≤2%

      C.設(shè)計保證，不經(jīng)生產(chǎn)檢驗

      熱特性

      poYBAGLOODKAWFXuAAAfc40VImw997.png



      審核編輯 黃昊宇

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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