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Nexperia為MOSFET器件推出全新增強(qiáng)型電熱模型

jf_94163784 ? 來(lái)源:jf_94163784 ? 作者:jf_94163784 ? 2022-09-21 00:08 ? 次閱讀
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基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)今日宣布MOSFET器件推出全新增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為MOSFET提供仿真模型,但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進(jìn)模型可捕獲-55℃至175℃的整個(gè)工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。

這些先進(jìn)模型中加入了反向二極管恢復(fù)時(shí)間和電磁兼容性(EMC),大大提升了器件整體精度。參數(shù)可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級(jí)仿真,并在原型設(shè)計(jì)前對(duì)電熱及EMC性能進(jìn)行評(píng)估。模型還有助于節(jié)省時(shí)間和資源,工程師此前需要確保他們的設(shè)計(jì)可以在(不太可能的)最壞情況下工作,而現(xiàn)在能夠在特定溫度范圍內(nèi)對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行仿真。

Nexperia與一家一級(jí)OEM合作開(kāi)發(fā)了這些模型,目前僅有Nexperia能夠滿足其要求。Nexperia應(yīng)用工程師Andy Berry表示:“這些全新的先進(jìn)電熱模型旨在為設(shè)計(jì)人員提供最高可信度的電路仿真結(jié)果?!薄霸陔p脈沖測(cè)試中,模型對(duì)真實(shí)器件行為做出了精確預(yù)測(cè),證明其具有出色的高精度。我們的合作伙伴在初步反饋中表示,這些模型是他們所見(jiàn)過(guò)最為精確的模型?!?/p>

繼Nexperia廣受歡迎的交互式應(yīng)用筆記發(fā)布之后,這些先進(jìn)的電熱模型是由我們的工程師團(tuán)隊(duì)專為廣大工程師朋友設(shè)計(jì)的一系列支持工具中的最新一款,計(jì)劃在未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)發(fā)布。此種可支持外部活動(dòng)的新工具旨在盡可能為Nexperia的客戶提供無(wú)縫的器件設(shè)計(jì)。

審核編輯:湯梓紅

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