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【問答精選】RA6T2 1KW 逆變器在線研討會(3)技術(shù)篇-芯片

瑞薩MCU小百科 ? 來源:未知 ? 2023-02-11 06:00 ? 次閱讀
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在去年年底,我們舉辦了《基于RA6T2 1KW 逆變器參考實現(xiàn)》線上研討會,大家對瑞薩RA MCU,尤其是主打高級電機控制電源應用的RA6T2,反響非常熱烈,在后臺提出了很多有意義的問題。經(jīng)過我們分門別類的梳理,特此把一些比較集中的問題和大家做一個分享與統(tǒng)一回答。前期主要聚焦在市場篇,后期會著眼于技術(shù)篇。

前篇回顧:

Part 1. 市場篇-芯片

Part 2. 市場篇-生態(tài)&應用

Part 3. 技術(shù)篇-芯片

問題一

關于RA6T2功能的基本問題

RA6T2芯片基于什么內(nèi)核、最大CPU主頻、多大RAM,F(xiàn)lash、有哪些封裝、工作溫度范圍、有哪些外設、哪些通信接口、包括幾路串口之類的問題,可以從下面一覽圖中獲得直接答案:

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● RA6T2官網(wǎng)產(chǎn)品頁請識別下方二維碼或復制下方網(wǎng)址在瀏覽器中訪問查看:

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https://www.renesas.cn/cn/zh/products/microcontrollers-microprocessors/ra-cortex-m-mcus/ra6t2-240mhz-arm-cortex-m33-trustzone-high-real-time-engine-motor-control

問題二

RA6T2的RAM可以外擴嗎?

支持從外部FLASH運行程序嗎?

瑞薩MCU外擴SRAM flash用的什么接口

● RA6T2暫時不支持外擴memory,因此也不支持從外部Flash運行程序。

●RX家族中的T系列(RX72T)有128K RAM / 1M Flash的配置可供選擇;今年即將推出的RA8T1會有更大的片上Flash/RAM

●當前RA6M系列支持外擴memory:“CS區(qū)域控制器”支持8位/16位外部memory擴展,最高支持16MB;SDRAM區(qū)域控制器,支持最高64B的SDRAM,burst傳輸可高達120MHz

問題三

RA6T2是已經(jīng)通過了汽車芯片等級認證嗎?

支持功能安全ASIL B嗎?

● RA6T2是工業(yè)級別的通用MCU,片上ECC SRAM,帶MPU的CM33內(nèi)核、看門狗、CRC運算單元等支持工業(yè)級別的功能安全,包括IEC61508 Fusa或者IEC 60730等。

問題四

單片機的單個端口驅(qū)動電流多少?

IO是否有鉗位二極管保護過壓或者欠壓?

5V寬電壓支持是僅針對GPIO工作模式嗎?

還是復用外設功能時也兼容5V,比如UARTI2C、SPI等?

● 不同的功能和配置(是否是I2C引腳還是其他輸出引腳,輸出引腳配置的驅(qū)動能力),電流能力不同,請參看芯片的硬件參考手冊46.2.3中的表格 46.5(I/O IOH,IOL)。約在2~20mA之間。為了保護MCU的可靠性,輸出電流值不應超過此表中的值。其中平均電流是指100μs期間測得的電流平均值。

●沒有鉗位二極管。請在絕對最大定格范圍內(nèi)使用。

●RA6T2有部分引腳是5V容忍,具體參考芯片的硬件參考手冊46.1中的表格 46.1的說明1,與是否是GPIO還是復用外設功能無關。

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問題五

RA6T2的Flash最大速度多少?

和CPU主頻獨立嗎?

片上Flash的容量會影響讀取速率嗎?

Data Flash是純Flash還是EEPROM模擬?

單位大小和壽命是怎樣的?

●RA6T2的片上Flash采用瑞薩私有技術(shù),在200MHz CPU主頻時,F(xiàn)lash訪問速度可以到達120MHz。

● Flash讀取速度固定時,片上Flash的容量只能影響需要讀取全片F(xiàn)lash的時間,和速度沒有關系。

●瑞薩MCU的特色之一就是集成了Data flash,非EEPROM模擬。對于RA6T2的Data flash,容量是16KB,擦除單位支持64/128/256字節(jié),編程單位支持4/8/16字節(jié)。該Data flash的擦除次數(shù)可以高達125,000次,詳情參見芯片的硬件參考手冊46.11中的表格 46.50 注釋1

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問題六

RA6T2功耗如何?靜態(tài)電流多大?抗干擾能力如何?有低功耗MCU嗎?最大功耗電流多少?

RA6T2不是低功耗系列產(chǎn)品,主打高性能和實時控制。以全速240MHz來運行Coremark為例,運行功耗139uA/MHz。

●ARM內(nèi)核的瑞薩MCU里,RA2是低功耗系列,以32位CM23為內(nèi)核。以RA2E2為例,Active 電流:81uA/MHz;Software Standby模式下電流:200nA。更低功耗要求,還可以在瑞薩私有16位內(nèi)核的RL78家族里選擇。

● RA6T2的可靠性測試指標,可以參看下方官網(wǎng)公布的文檔,其中ESD相關的指標如下:

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RENESAS SEMICONDUCTOR RELIABILITY REPORT (RA6T2)請識別下方二維碼或復制下方網(wǎng)址到瀏覽器中訪問查看該文檔全文:

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https://www.renesas.cn/cn/zh/document/prr/r7fa6t2xxx-reliability-report?r=1542426

問題七

RA6T2有幾路ADC、支持幾個采樣通道、最高速率是多少?集成DAC和增益放大器嗎?

● RA6T2有兩個獨立的逐次逼近型ADC單元,可以工作在12-bit/14-bit/16-bit模式下。ADC1有21個通道,ADC2有17個通道,之前有復用的,因此兩個ADC都工作時,可以最多支持29個通道。

●每個ADC單元都可以使能三路采保,保持時間可長達5 us

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●ADC工作在12-bit模式時,每個通道最小轉(zhuǎn)換時間0.16 us

●RA6T2也集成四個12-bit的DAC,4個PGA

□ 單端輸入時,增益x2 ~ x13.33可調(diào)

□ 差分輸入時,增益有四檔可設置:x1.5到x5.667

問題八

PWM定時器有幾個,精度可以做到多少?可以同時輸出幾路PWM?有PWM相關例程有哪些?PWM死區(qū)控制又是如何實現(xiàn)的?

● RA6T2集成了兩種定時器,一種是“低功耗異步通用定時器”(AGTW)?!癆”代表“異步”,就是還可以工作在低功耗模式下(Software standby mode);“GT”代表通用定時器;“W”表示它是32-bit的定時器。它可以輸出脈沖,對輸入脈沖計數(shù)或者進行周期測量,對外部事件進行計數(shù)等。另一種是“通用PWM定時器”(GPT),主要區(qū)別就在于“P”,后者是PWM定時器,在文檔里有時用GPT32代表。

●RA6T2集成了10個PWM定時器,即GPT320~GPT329。這10個定時器,在文檔里用10 channel表示,所以有時候口頭上也會說是10PWM定時器。每一個()GPT32有自己的時鐘源和分頻因子,即有自己的time base。每一個()GTP32有2個輸出引腳A、B。因此RA6T2可以有10對PWM信號,即20個PWM信號輸出。Time base的時鐘最高可以200MHz,因此可輸出的最小脈寬是50 ns。10對(20個)PWM信號中,有4對(8個)的PWM信號相位差最小可達156 ps,即高精度PWM通道。

●如下圖所示:

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●每一個()GPT32的A、B兩個輸出引腳可以同時輸出PWM波形,通過設置死區(qū)時間寄存器,自動加載死區(qū)功能。

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問題九

RA6T2集成CAN或者CANFD嗎?支持幾路?通信速度如何?集成LIN控制器嗎?

● RA6T2支持1路經(jīng)典CAN或者CANFD,對應的料號不同。

●經(jīng)典CAN模塊,波特率最高支持1M;CANFD模塊,仲裁場的波特率可高達1M,數(shù)據(jù)場波特率可高達5M。順便說一句,RA6M5集成雙CANFD,它的數(shù)據(jù)場波特率可高達8M。

●RA6T2的串行通訊模塊(SCI)支持simple LIN mode,詳情見芯片的硬件參考手冊26.11

問題十

RA6T2集成CAN或者CANFD嗎?支持幾路?通信速度如何?集成LIN控制器嗎?

● RA6T2芯片上沒有集成TFT-LCD控制器,但是可以通過SPI外接組態(tài)屏。

●集成TFT-LCD控制器的有RA6M3,集成片上2M的片上Flash,640K片上SRAM,支持800x480。RX家族中選擇更多:有RX72M,RX72N、RX66N、RX65N,既集成了TFT-LCD控制器、2D渲染引擎,還有高達4M Flash/1M SRAM的片上資源。在WVGA上跑8位分辨率時,無需外擴memory

問題十一

RA6T2有嵌入DSP單元提供算力嗎?

● RA6T2基于ARM CM33內(nèi)核。內(nèi)核層面支持多條整數(shù)DSP指令,搭配ARM在CMSIS項目中免費提供的DSP庫,提供了包括濾波、矩陣變換等操作。內(nèi)核還包含了單精度浮點擴展,兼容單精度浮點指令。

● 濾波操作是DSP中的重要部分。RA6T2集成了處理單精度浮點數(shù)據(jù)的二階IIR濾波單元。

● DSP中另外一個重要運算是三角函數(shù)。RA6T2也集成了三角函數(shù)硬件單元TFU

問題十二

RA6T2在芯片層面有哪些安全設計?是否鎖步核(lock step)?是否已經(jīng)適配好了功能安全庫

● 瑞薩MCU都集成了帶ECC的SRAM、時鐘精度測量、看門狗、ADC自檢、硬件CRC、存儲器保護單元(MPU)、PWM輸出關閉(POE)、主晶振停止檢測、電源監(jiān)控(POR,PVD)等,從芯片硬件層面全方位支持應用的安全設計。

● RA6T2是基于ARM CM33內(nèi)核,單核架構(gòu),從內(nèi)核方面來講不是鎖步核。

●在FuSa方面,瑞薩提供雙MCU架構(gòu)實現(xiàn)SIL3的方案,目前是基于RX200、RX600、RX700。RA MCU自檢庫已經(jīng)提供基于RA6T1(CM4內(nèi)核)、RA6M1/2/3 (CM4內(nèi)核) 、RA6M4/5(CM33內(nèi)核)的實現(xiàn)。RA6T2的自檢庫暫時還沒有發(fā)布。

問題十三

RA6T2有哪些Security功能?

在代碼包含方面有哪些安全設計?

● RA6T2是CM33內(nèi)核,通過TrustZone和生命周期管理(DLM)機制實現(xiàn)代碼保護。

● 密碼學方面,集成硬件AES,支持128/192/256的密鑰長度;支持芯片唯一ID,集成隨機數(shù)產(chǎn)生器TRGN。

●FSP中支持密鑰安裝和基于HUK的密鑰存儲


原文標題:【問答精選】RA6T2 1KW 逆變器在線研討會(3)技術(shù)篇-芯片

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