碳化硅二極管 碳化硅MOSFET 碳化硅半導(dǎo)體

SiC碳化硅功率器件產(chǎn)品線(xiàn)和硅基產(chǎn)品線(xiàn)介紹

硅基功率器件為第二代半導(dǎo)體，碳化硅功率器件為第三代半導(dǎo)體，碳化硅功率器件又稱(chēng)為碳化硅電力電子器件，特性?xún)?yōu)勢(shì)明顯，目前為最先進(jìn)的功率器件。下面我們就來(lái)介紹一下SiC碳化硅功率器件產(chǎn)品線(xiàn)和硅基產(chǎn)品線(xiàn)。

碳化硅功率器件涵蓋碳化硅裸芯片，碳化硅二極管和碳化硅MOSFET，還要碳化硅模塊。我們重點(diǎn)介紹一下碳化硅二極管和碳化硅MOSFET。碳化硅二極管除了確保符合當(dāng)今最嚴(yán)格的能效法規(guī)（Energy Star、80Plus、以及European Efficiency）外，碳化硅二極管的動(dòng)態(tài)特性是標(biāo)準(zhǔn)硅二極管的四倍，而正向電壓（VF）比其低15%。 碳化硅（SiC）二極管的使用大大提高了太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源和電動(dòng)車(chē)電路的效率和穩(wěn)定性。拿慧制敏造半導(dǎo)體的碳化硅二極管來(lái)分析，碳化硅二極管在600V到1200V的電壓范圍內(nèi)采用單二極管和雙二極管（封裝尺寸從DPAK到TO-247），包括陶瓷絕緣型TO-220，以及超薄的緊湊型PowerFLATTM 8x8，具有優(yōu)異的熱性能，是高電壓（HV）表面貼裝（SMD）封裝的新標(biāo)準(zhǔn)，可用于650 V碳化硅二極管（4 A - 10 A）。拿慧制敏造半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET來(lái)分析，碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應(yīng)用于高頻電路。在新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、車(chē)載電源、太陽(yáng)能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。新一代采用輔助源極連接方式的碳化硅 MOSFET（TO-247-4）可以進(jìn)一步降低器件損耗，提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。

碳化硅二極管

硅基產(chǎn)品線(xiàn)主要有低壓MOSFET、高壓MOSFE、FRD快恢復(fù)二極管、IGBT/混合式IGBT

審核編輯黃宇