chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

案例分享第七期:背銀晶圓切割實(shí)例

西斯特精密加工 ? 2022-08-19 09:23 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

鍍銀晶圓的材料特性

晶圓經(jīng)過(guò)背面研磨減薄后,經(jīng)由背面蒸鍍金屬,切片加工而成的芯片將在器件熱阻降低、工作散熱和冷卻、封裝厚度減薄等各個(gè)方面實(shí)現(xiàn)很大的改善。

在晶圓背面金屬化過(guò)程中,一般選擇鈦、鎳、銀作為三層背面金屬,厚度在10μm以內(nèi)。

通常,切割的晶圓的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)是:如果背面碎片的尺寸在10μm以下,忽略不計(jì),當(dāng)尺寸大于25μm時(shí),可以看作是潛在的受損,50μm的平均大小可以接受。當(dāng)然,具體切割要求也要根據(jù)晶圓的厚度來(lái)定。

鍍銀晶圓的應(yīng)用

晶圓背面金屬化的主要目的是使接觸電極形成良好的歐姆接觸,經(jīng)過(guò)背面金屬化的芯片具有飽和壓降小、焊接可靠、通態(tài)源漏電阻小、散熱性好、工作能耗低等特點(diǎn),常用于中小功率晶體管。

選刀要點(diǎn)

切片系統(tǒng)與刀片之間的協(xié)作是必要的,刀片在晶圓切片工藝優(yōu)化中起著主要的作用。金剛石尺寸、金剛石含量和粘結(jié)劑的類型,是決定刀片特性的三個(gè)關(guān)鍵參數(shù),決定著刀片的壽命和切削質(zhì)量,改變?nèi)魏我粋€(gè)這些參數(shù)都將直接影響刀片特性與性能。為一個(gè)給定的切片工藝選擇最佳的刀片需要在刀片壽命與切削質(zhì)量之間作出平衡。

132b16fa-1ee9-11ed-9ade-dac502259ad0.jpg133ee5ae-1ee9-11ed-9ade-dac502259ad0.jpg

西斯特科技

深圳西斯特科技有限公司 (簡(jiǎn)稱西斯特SST) ,以“讓一切磨削加工變得容易”為主旨,倡導(dǎo)磨削系統(tǒng)方法論,2015年金秋創(chuàng)立于深圳,根植于技術(shù)創(chuàng)新的精神,屹立于創(chuàng)造價(jià)值、追求夢(mèng)想的企業(yè)文化。

基于對(duì)應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)的深度解讀、創(chuàng)新性的磨具設(shè)計(jì)和磨削系統(tǒng)方法論的實(shí)際應(yīng)用,西斯特秉承先進(jìn)的磨削理念,踐行于半導(dǎo)體、消費(fèi)電子、汽車零部件等行業(yè),提供高端磨具產(chǎn)品以及“切、磨、鉆、拋”系統(tǒng)解決方案,在晶圓與封裝基板劃切、微晶玻璃和功能陶瓷磨削、汽車零部件精密磨削等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。

西斯特科技始終以先進(jìn)的技術(shù)、創(chuàng)新的產(chǎn)品、優(yōu)質(zhì)服務(wù)的理念,引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)革命,創(chuàng)造無(wú)限可能。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5296

    瀏覽量

    131175
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    半導(dǎo)體行業(yè)案例:切割工藝后的質(zhì)量監(jiān)控

    切割,作為半導(dǎo)體工藝流程中至關(guān)重要的一環(huán),不僅決定了芯片的物理形態(tài),更是影響其性能和可靠性的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)的切割工藝已逐漸無(wú)法滿足日益嚴(yán)苛的工藝要求,而新興的激光
    的頭像 發(fā)表于 08-05 17:53 ?567次閱讀
    半導(dǎo)體行業(yè)案例:<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b>工藝后的質(zhì)量監(jiān)控

    切割液性能智能調(diào)控系統(tǒng)與 TTV 預(yù)測(cè)模型的協(xié)同構(gòu)建

    摘要 本論文圍繞超薄切割工藝,探討切割液性能智能調(diào)控系統(tǒng)與 TTV 預(yù)測(cè)模型的協(xié)同構(gòu)建,
    的頭像 發(fā)表于 07-31 10:27 ?248次閱讀
    <b class='flag-5'>切割</b>液性能智能調(diào)控系統(tǒng)與<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> TTV 預(yù)測(cè)模型的協(xié)同構(gòu)建

    超薄切割液性能優(yōu)化與 TTV 均勻性保障技術(shù)探究

    我將圍繞超薄切割液性能優(yōu)化與 TTV 均勻性保障技術(shù)展開(kāi),從切割液對(duì) TTV 影響、現(xiàn)有問(wèn)題及優(yōu)化技術(shù)等方面撰寫論文。 超薄
    的頭像 發(fā)表于 07-30 10:29 ?221次閱讀
    超薄<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b>液性能優(yōu)化與 TTV 均勻性保障技術(shù)探究

    基于納米流體強(qiáng)化的切割液性能提升與 TTV 均勻性控制

    摘要:本文圍繞基于納米流體強(qiáng)化的切割液性能提升及對(duì) TTV 均勻性的控制展開(kāi)研究。探討納米流體強(qiáng)化切割液在冷卻、潤(rùn)滑、排屑等性能方面的提升機(jī)制,分析其對(duì)
    的頭像 發(fā)表于 07-25 10:12 ?260次閱讀
    基于納米流體強(qiáng)化的<b class='flag-5'>切割</b>液性能提升與<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> TTV 均勻性控制

    切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對(duì) TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計(jì)

    摘要:本文聚焦切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對(duì) TTV 厚度均勻性的影響。深入剖析切割液冷卻、潤(rùn)滑、排屑等性能影響
    的頭像 發(fā)表于 07-24 10:23 ?325次閱讀
    <b class='flag-5'>切割</b>液多性能協(xié)同優(yōu)化對(duì)<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計(jì)

    切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)闹悄軟Q策模型與 TTV 預(yù)測(cè)控制

    摘要:本文針對(duì)超薄切割過(guò)程中 TTV 均勻性控制難題,研究切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)闹悄軟Q策模型
    的頭像 發(fā)表于 07-23 09:54 ?292次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b>深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)闹悄軟Q策模型與 TTV 預(yù)測(cè)控制

    切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償技術(shù)對(duì) TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

    一、引言 在制造過(guò)程中,總厚度變化(TTV)是衡量質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響芯片制造的
    的頭像 發(fā)表于 07-17 09:28 ?271次閱讀
    <b class='flag-5'>切割</b>深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償技術(shù)對(duì)<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

    切割振動(dòng)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

    一、引言 切割是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié),切割過(guò)程中的振動(dòng)會(huì)影響表面質(zhì)量與尺寸精度,而進(jìn)給參
    的頭像 發(fā)表于 07-10 09:39 ?238次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b>振動(dòng)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

    超薄切割:振動(dòng)控制與厚度均勻性保障

    超薄因其厚度極薄,在切割時(shí)對(duì)振動(dòng)更為敏感,易影響厚度均勻性。我將從分析振動(dòng)對(duì)超薄切割的影
    的頭像 發(fā)表于 07-09 09:52 ?332次閱讀
    超薄<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b>:振動(dòng)控制與厚度均勻性保障

    基于多物理場(chǎng)耦合的切割振動(dòng)控制與厚度均勻性提升

    一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,切割是關(guān)鍵環(huán)節(jié),其質(zhì)量直接影響芯片性能與成品率。切割過(guò)程中
    的頭像 發(fā)表于 07-07 09:43 ?408次閱讀
    基于多物理場(chǎng)耦合的<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b>振動(dòng)控制與厚度均勻性提升

    用于切割 TTV 控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)

    摘要:本文針對(duì)切割過(guò)程中 TTV(總厚度偏差)控制難題,提出一種用于切割 TTV 控制的
    的頭像 發(fā)表于 05-21 11:00 ?282次閱讀
    用于<b class='flag-5'>切割</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> TTV 控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)

    OpenHarmony應(yīng)用開(kāi)發(fā)精品課程第七期來(lái)啦

    OpenHarmony應(yīng)用開(kāi)發(fā)精品課程第七期來(lái)啦
    的頭像 發(fā)表于 04-15 14:15 ?411次閱讀
    OpenHarmony應(yīng)用開(kāi)發(fā)精品課程<b class='flag-5'>第七期</b>來(lái)啦

    高精度劃片機(jī)切割解決方案

    高精度劃片機(jī)切割解決方案為實(shí)現(xiàn)高精度切割,需從設(shè)備精度、工藝穩(wěn)定性、智能化控制等多維度優(yōu)
    的頭像 發(fā)表于 03-11 17:27 ?588次閱讀
    高精度<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>劃片機(jī)<b class='flag-5'>切割</b>解決方案

    切割的定義和功能

    Dicing 是指將制造完成的(Wafer)切割成單個(gè) Die 的工藝步驟,是從到獨(dú)立芯片生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié)之一。每個(gè) Die 都是一個(gè)
    的頭像 發(fā)表于 02-11 14:28 ?2162次閱讀

    切割技術(shù)知識(shí)大全

    切割劃片技術(shù)作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其技術(shù)水平直接關(guān)聯(lián)到芯片的性能、良率及生產(chǎn)成本。
    的頭像 發(fā)表于 11-08 10:32 ?2833次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b>技術(shù)知識(shí)大全