chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

安森德超結(jié)(SJ)MOSFET在LED光源中的應用

jf_71021099 ? 來源:jf_71021099 ? 作者:jf_71021099 ? 2023-10-23 15:37 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

發(fā)光二極管,簡稱為LED,是一種常用的發(fā)光器件,通過電子與空穴復合釋放能量發(fā)光。LED光源具有體積小、壽命長、效率高等優(yōu)點,在社會生活的方方面面有著廣泛的應用前景,如照明、平板顯示、醫(yī)療器件等諸多領(lǐng)域已采用LED光源提升設(shè)備效能。

隨著電源管理技術(shù)和功率器件工藝技術(shù)的不斷發(fā)展進步,越來越多的新型半導體器件也逐漸被應用到LED光源產(chǎn)品上,比如許多LED電源廠商已開始用超結(jié)(SJ) MOSFET去替代VDMOS,在達到高效率的同時,更節(jié)省了電源空間和生產(chǎn)成本。

超結(jié)(SJ) MOSFET作為一種高性能的半導體器件,在大功率電子照明領(lǐng)域應用廣泛,尤其是在LED、熒光燈、高壓鈉燈等領(lǐng)域,超結(jié)(SJ)MOSFET已經(jīng)成為重要的解決方案。
3.png

安森德半導體自主研發(fā)的先進多層外延高壓超結(jié)(SJ)MOSFET,具有電流密度高、短路能力強、開關(guān)速度快、易用性好等特點,可廣泛應用于各種LED驅(qū)動電源、電動工具驅(qū)動電源、家電電源等產(chǎn)品中。安森德半導體,為未來的照明技術(shù)的發(fā)展賦能,讓人們的生活更加美好、舒適、節(jié)能。

01安森德超結(jié) (SJ) MOSFET優(yōu)勢

效率高

較高的輕載、滿載效率,超低的導通內(nèi)阻、Qg,有效的降低導通、開關(guān)損耗。

低溫升

較低的功耗,有效的降低電源整體的工作溫度,延長電源的使用壽命。

穩(wěn)定性強

強大的EAS 能力可以為電源抗沖擊提供有效的保證,芯片的內(nèi)部缺陷遠小于低成本的溝槽工藝產(chǎn)品,其高溫穩(wěn)定性大大提高。

內(nèi)阻低

超結(jié)(SJ)MOS具有極低的內(nèi)阻,在相同的芯片面積下,超結(jié)(SJ)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。

體積小

在同等電壓和電流要求下,超結(jié)(SJ)MOS的芯片面積能做到比傳統(tǒng)MOS更小,可以封裝更小尺寸的產(chǎn)品。

02應用拓撲圖
LED燈框圖.png

03行業(yè)市場應用

應用于LED燈、LED顯示屏等領(lǐng)域

04安森德ASDsemi產(chǎn)品選型推薦
QQ截圖20231020110852.png

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9103

    瀏覽量

    225957
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    110

    文章

    2694

    瀏覽量

    73397
  • 發(fā)光二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    13

    文章

    1227

    瀏覽量

    68566
  • LED光源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    263

    瀏覽量

    33766
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    SiC碳化硅MOSFETLLC應用取代結(jié)MOSFET的優(yōu)勢和邏輯

    傾佳電子電源LLC深度研究分析與SiC碳化硅MOSFETLLC應用取代結(jié)MOSFET的優(yōu)勢
    的頭像 發(fā)表于 09-01 09:50 ?1710次閱讀
    SiC碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>在</b>LLC應用<b class='flag-5'>中</b>取代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的優(yōu)勢和邏輯

    新品 | 650V CoolMOS? 8結(jié) (SJ) MOSFET

    新品650VCoolMOS8結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓
    的頭像 發(fā)表于 07-04 17:09 ?727次閱讀
    新品 | 650V CoolMOS? 8<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b> (<b class='flag-5'>SJ</b>) <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    浮思特 | 一文讀懂何為結(jié)MOSFET (Super Junction MOSFET)?

    功率半導體領(lǐng)域,突破硅材料的物理極限一直是工程師們的終極挑戰(zhàn)。隨著電力電子設(shè)備向高壓、高效方向快速發(fā)展,傳統(tǒng)MOSFET結(jié)構(gòu)已逐漸觸及性能天花板。本文將深入解析結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:26 ?822次閱讀
    浮思特 | 一文讀懂何為<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b> (Super Junction <b class='flag-5'>MOSFET</b>)?

    瑞能半導體第三代結(jié)MOSFET技術(shù)解析(2)

    可靠性檢驗,不僅展現(xiàn)出樣本間的高度一致性,更實現(xiàn)了零老化問題。 ?瑞能超級結(jié) MOSFET 展現(xiàn)出卓越的抗靜電(ESD)能力。 升溫表現(xiàn) 測試環(huán)境 測試平臺: 1200W?服務器
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:59 ?312次閱讀
    瑞能半導體第三代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)解析(2)

    新潔能Gen.4結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹

    電壓的平衡。另結(jié)MOSFET具有更低的導通電阻和更優(yōu)化的電荷分布,因此其開關(guān)速度通常比普通MOSFET更快,有助于減少電路的開關(guān)損耗。由
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:05 ?1110次閱讀
    新潔能Gen.4<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b> 800V和900V產(chǎn)品介紹

    愛普生RX8010SJ實時時鐘模塊防監(jiān)控設(shè)備的應用

    的穩(wěn)定運行和精準記錄提供堅實保障。愛普生RX8010SJ防監(jiān)控應用的優(yōu)勢:1.高精度計時與低功耗RX8010SJ內(nèi)置32.768kHz
    的頭像 發(fā)表于 04-18 17:43 ?519次閱讀
    愛普生RX8010<b class='flag-5'>SJ</b>實時時鐘模塊<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>安</b>防監(jiān)控設(shè)備<b class='flag-5'>中</b>的應用

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET全面開啟對結(jié)MOSFET的替代浪潮

    MOSFET的開關(guān)頻率(如B3M040065H的開關(guān)時間低至14ns)遠超SJ 結(jié)MOSFET,可減少電源系統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 03-02 11:57 ?649次閱讀
    國產(chǎn)碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>全面開啟對<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的替代浪潮

    結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析

    隨著BASiC基本半導體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價格低于進口結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFE
    的頭像 發(fā)表于 03-01 08:53 ?751次閱讀
    <b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>升級至650V碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>的根本驅(qū)動力分析

    華太電子正式發(fā)布結(jié)二代(SJ-IGBT)家族新品

    引言 新能源與工業(yè)電源領(lǐng)域,高效、高可靠性功率器件是系統(tǒng)設(shè)計的核心。華太電子正式發(fā)布結(jié)二代(SJ-IGBT)家族新品—HGW75N65S2HEM與HKW75N65S2HEM,以65
    的頭像 發(fā)表于 02-22 17:33 ?1163次閱讀
    華太電子正式發(fā)布<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>二代(<b class='flag-5'>SJ</b>-IGBT)家族新品

    橋式電路碳化硅MOSFET替換結(jié)MOSFET技術(shù)注意事項

    橋式電路,國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET(如BASiC基本股份)替換結(jié)SJ
    的頭像 發(fā)表于 02-11 22:27 ?563次閱讀
    橋式電路<b class='flag-5'>中</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>替換<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)注意事項

    為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

    650V SiC碳化硅MOSFET全面取代結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
    的頭像 發(fā)表于 01-23 16:27 ?1241次閱讀
    為什么650V SiC碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>全面取代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>和高壓GaN氮化鎵器件?

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅
    發(fā)表于 01-22 10:43

    ALE光刻曝光光源與常見矩陣式LED光源性能對比

    匯集多種優(yōu)勢特征于一體的平行紫外光源是半導體芯片制造實現(xiàn)高精度、準確曝光效果的關(guān)鍵。對比矩陣式LED光源,友思特ALE
    的頭像 發(fā)表于 12-23 14:26 ?744次閱讀
    ALE光刻曝光<b class='flag-5'>光源</b>與常見矩陣式<b class='flag-5'>LED</b><b class='flag-5'>光源</b>性能對比

    LED光源抗硫化實驗

    照明技術(shù)迅速發(fā)展的今天,LED光源憑借其高效率、耐用性和環(huán)境友好性,已成為市場上的主流選擇。盡管如此,LED光源
    的頭像 發(fā)表于 12-04 12:40 ?1959次閱讀
    <b class='flag-5'>LED</b><b class='flag-5'>光源</b>抗硫化實驗

    結(jié)MOSFET體二極管性能優(yōu)化

    結(jié)MOSFET體二極管性能優(yōu)化 ? ? ? ? ? ? ? ? ? END ?
    的頭像 發(fā)表于 11-28 10:33 ?754次閱讀