揚(yáng)杰科技新能源車用IGBT、SiC模塊封裝項(xiàng)目完成簽約
總投資5億！揚(yáng)杰科技，SiC模塊封裝項(xiàng)目簽約
近日，在江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱揚(yáng)杰科技）新能源車用IGBT、碳化硅（SiC）模塊封裝項(xiàng)目完成簽約。
該項(xiàng)目總投資5億元，主要從事車規(guī)級(jí)IGBT模塊、SiC MOSFET模塊的研發(fā)制造。
審核編輯：劉清
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
150文章
8620瀏覽量
220521 -
新能源車
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
652瀏覽量
24721 -
SiC模塊
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
22瀏覽量
6174 -
揚(yáng)杰科技
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
121瀏覽量
11256
原文標(biāo)題：總投資5億！揚(yáng)杰科技，SiC模塊封裝項(xiàng)目簽約
文章出處：【微信號(hào)：today_semicon，微信公眾號(hào)：今日半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
揚(yáng)杰電子MG600HF065TLC2 IGBT模塊：大功率應(yīng)用的卓越解決方案
在當(dāng)今新能源和工業(yè)電力電子領(lǐng)域，高效、可靠的功率半導(dǎo)體器件是實(shí)現(xiàn)設(shè)備高性能運(yùn)行的核心。揚(yáng)杰推出的MG600HF065TLC2 IGBT模塊，
揚(yáng)杰電子MG35P12E1A IGBT模塊：高效能電力電子解決方案
極型晶體管（IGBT）和快速恢復(fù)二極管（FWD），適用于多種高功率應(yīng)用場(chǎng)景，展現(xiàn)了揚(yáng)杰電子在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力。 產(chǎn)品概述 MG35P12E1A是一款電壓等級(jí)為1200V、額定電流35A的
揚(yáng)杰IGBT七單元模塊：全封裝矩陣平替進(jìn)口，重構(gòu)國(guó)產(chǎn)化功率器件新生態(tài)
國(guó)產(chǎn)化破局 重構(gòu)功率器件生態(tài) IGBT Localization 在全球供應(yīng)鏈震蕩與國(guó)產(chǎn)替代浪潮中，揚(yáng)杰科技推出七單元IGBT全封裝解決方案
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性
碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方
揚(yáng)杰科技SiC車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目盛大開工
2025 年5月9日上午，中共揚(yáng)州市委副書記、秘書長(zhǎng)焦慶標(biāo)，邗江區(qū)委書記張新鋼，揚(yáng)州市財(cái)政局局長(zhǎng)楊蓉、副局長(zhǎng)徐軍，揚(yáng)州市邗江區(qū)副區(qū)長(zhǎng)陳德康等領(lǐng)導(dǎo)齊聚揚(yáng)杰科技，出席揚(yáng)杰科技
揚(yáng)杰科技亮相PCIM Europe 2025 以硬核技術(shù)驅(qū)動(dòng)能源變革
Mosfet新品與微溝槽IGBT單管，前者采用高密度溝槽設(shè)計(jì)，導(dǎo)通電阻降低20%，適用于服務(wù)器電源與消費(fèi)電子快充；后者通過背面加工工藝優(yōu)化，飽和壓降與關(guān)斷損耗雙降，可提升變頻器能效5%以上。 二 技術(shù)論壇 共探發(fā)展 ? ? ? ? 展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，揚(yáng)
揚(yáng)杰科技聯(lián)合舉辦SiC和IGBT功率產(chǎn)品合作交流會(huì)
近日，由揚(yáng)州市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司聯(lián)合舉辦的“揚(yáng)帆起航 共贏未來”SiC、IGBT功率產(chǎn)品合作交流會(huì)在揚(yáng)州隆重舉行。
徐工新能源純電動(dòng)牽引車千臺(tái)簽約
日前，在徐工汽車戰(zhàn)略投資者成功簽約之際，一場(chǎng)新能源純電動(dòng)牽引車批量交付暨千臺(tái)簽約儀式也在這里舉行。
IGBT模塊如何助力新能源發(fā)展
在全球積極推進(jìn)能源轉(zhuǎn)型的大背景下，新能源領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，而 IGBT 模塊作為其中的關(guān)鍵器件，發(fā)揮著不可替代的作用。它究竟是如何助力新能源發(fā)展
BTP1521P解決IGBT模塊升級(jí)SiC模塊的正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓
SiC模塊在高頻高效、高溫耐受性、高電壓能力、系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)性以及應(yīng)用場(chǎng)景適配性等方面的綜合優(yōu)勢(shì)，使其成為電力電子應(yīng)用中的首選，推動(dòng)了IGBT模塊向SiC
三菱電機(jī)高壓SiC模塊封裝技術(shù)解析
SiC芯片可以高溫工作，與之對(duì)應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)
SiC模塊封裝技術(shù)解析
昨天比較詳細(xì)的描寫了半導(dǎo)體材料中襯板和基板的選擇，里面提到了功率器件在新能源汽車中的應(yīng)用，那么功率器件的襯板和基板的選擇也是在半導(dǎo)體的工藝中比較重要的部分，而對(duì)于模塊來說，梵易之前對(duì)IGBT模
下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)——環(huán)氧灌封技術(shù)
的影響 引線框架氧化對(duì)模塊分層的影響 去溢料的過程對(duì)模塊分層的影響 在之前，國(guó)內(nèi)絕大多數(shù)功率器件IGBT SiC模塊廠家采用傳統(tǒng)硅膠灌封方式
新能源車用IGBT模塊：封裝技術(shù)如何塑造未來出行
的關(guān)鍵組件，對(duì)車輛的續(xù)航能力、動(dòng)力響應(yīng)及整體效率具有決定性影響。IGBT模塊的封裝技術(shù)直接關(guān)系到其熱管理、電氣性能、可靠性及使用壽命，是新能源汽車技術(shù)發(fā)展的重要研
IGBT和SiC封裝用的環(huán)氧材料
IGBT和SiC功率模塊封裝用的環(huán)氧材料在現(xiàn)代電子器件中起著至關(guān)重要的作用。以下是從多個(gè)角度對(duì)這些環(huán)氧材料的詳細(xì)分析：1.熱管理導(dǎo)熱性能：環(huán)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論