據(jù)業(yè)內(nèi)手機(jī)晶片領(lǐng)域的資深人士透露，臺(tái)積電計(jì)劃在明年1月1日起對(duì)旗下的先進(jìn)工藝制程進(jìn)行價(jià)格調(diào)整，特別是針對(duì)3nm和5nm工藝制程，而其他工藝制程的價(jià)格則保持不變。此次漲價(jià)的具體幅度為，3nm和5nm的AI產(chǎn)品將漲價(jià)5%至10%，而非AI產(chǎn)品則漲價(jià)0%至5%。

這一漲價(jià)舉措無(wú)疑將對(duì)整個(gè)芯片市場(chǎng)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響，進(jìn)而波及到手機(jī)廠(chǎng)商等終端產(chǎn)品制造商。目前，市場(chǎng)上備受矚目的高通驍龍8 Gen4和聯(lián)發(fā)科天璣9400等高端芯片，均采用了臺(tái)積電的3nm制程技術(shù)。因此，隨著臺(tái)積電對(duì)3nm和5nm工藝制程的漲價(jià)，這些高端芯片的成本也將隨之上升，最終可能導(dǎo)致相關(guān)終端產(chǎn)品的價(jià)格上漲。

業(yè)內(nèi)人士分析指出，臺(tái)積電此次漲價(jià)的主要原因在于晶圓廠(chǎng)成本的增加。隨著EUV光刻工具數(shù)量的增加，每片晶圓和每塊芯片的生產(chǎn)成本大幅上升。同時(shí)，先進(jìn)的制程技術(shù)對(duì)于設(shè)備、廠(chǎng)房、電力和人才的要求也更高，進(jìn)一步推高了生產(chǎn)成本。這些增加的成本最終將轉(zhuǎn)嫁到終端消費(fèi)者身上。

對(duì)于手機(jī)廠(chǎng)商等終端產(chǎn)品制造商而言，面對(duì)臺(tái)積電漲價(jià)帶來(lái)的成本壓力，他們可能需要通過(guò)調(diào)整產(chǎn)品定價(jià)、優(yōu)化供應(yīng)鏈管理等方式來(lái)應(yīng)對(duì)。然而，無(wú)論采取何種措施，都難以完全避免終端產(chǎn)品價(jià)格上漲對(duì)消費(fèi)者的影響。因此，消費(fèi)者在購(gòu)買(mǎi)高端手機(jī)等終端產(chǎn)品時(shí)，可能需要承擔(dān)更高的價(jià)格。