9月3日，南京傳來振奮人心的科技捷報(bào)：歷經(jīng)四年的潛心鉆研與自主創(chuàng)新，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）在半導(dǎo)體科技領(lǐng)域取得了里程碑式的成就，成功解鎖了溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造的核心技術(shù)瓶頸。這一壯舉不僅標(biāo)志著我國在該領(lǐng)域的首次重大突破，更是有效突破了平面型碳化硅MOSFET芯片性能的上限。

溝槽型碳化硅MOSFET芯片，以其卓越的導(dǎo)電效率、出色的開關(guān)響應(yīng)速度以及更高的晶圓集成度，長期占據(jù)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的尖端位置，被視為推動行業(yè)進(jìn)步的關(guān)鍵力量。然而，其制造過程卻因碳化硅材料的極高硬度及工藝復(fù)雜性而充滿挑戰(zhàn)，成為制約技術(shù)發(fā)展的“攔路虎”。

面對這一難題，該中心的技術(shù)團(tuán)隊(duì)在黃潤華總監(jiān)的帶領(lǐng)下，展現(xiàn)出了非凡的毅力和創(chuàng)新能力。他們不畏艱難，通過無數(shù)次試驗(yàn)與優(yōu)化，終于開創(chuàng)出了一套全新的制造工藝流程，精準(zhǔn)地克服了碳化硅材料刻蝕精度要求高、損傷控制難度大等關(guān)鍵技術(shù)障礙，成功地將溝槽型碳化硅MOSFET芯片從理論推向了實(shí)際應(yīng)用。

據(jù)黃潤華總監(jiān)介紹，與傳統(tǒng)的平面型碳化硅MOSFET相比，新研發(fā)的溝槽型產(chǎn)品在導(dǎo)通性能上實(shí)現(xiàn)了約30%的顯著提升。這一重大技術(shù)革新預(yù)計(jì)將在未來一年內(nèi)迅速融入新能源汽車電驅(qū)動系統(tǒng)、智能電網(wǎng)建設(shè)以及光伏儲能等多個(gè)前沿領(lǐng)域，為這些行業(yè)的發(fā)展注入強(qiáng)勁動力。

尤為值得一提的是，這一技術(shù)成果的廣泛應(yīng)用還將直接惠及廣大消費(fèi)者。在新能源汽車領(lǐng)域，采用碳化硅功率器件不僅能有效提升車輛的續(xù)航能力約5%，還能有效降低芯片的使用成本，進(jìn)一步推動新能源汽車的普及與綠色出行的發(fā)展。