Texas Instruments TPS22999導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)是一款單通道負(fù)載開關(guān)，旨在實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)通時(shí)間和較低的浪涌電流。該負(fù)載開關(guān)具有N溝道MOSFET，可在0.1V至VBIAS -1V輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持1.5A最大連續(xù)電流。 TPS22999負(fù)載開關(guān)在開關(guān)關(guān)閉時(shí)具有集成式5.3Ω快速輸出放電路徑，可實(shí)現(xiàn)可靠的系統(tǒng)運(yùn)行。該負(fù)載開關(guān)具有一個(gè)電源正常狀態(tài)（PG）信號(hào)，指示主MOSFET何時(shí)完全穩(wěn)定至最低電阻路徑。TPS22999負(fù)載開關(guān)采用間距為0.35mm的8引腳WCSP封裝（YCH），并可在自然通風(fēng)條件下的-40°C至105°C溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。典型應(yīng)用包括可穿戴設(shè)備、固態(tài)硬盤（SSD）、個(gè)人電腦和筆記本電腦、工業(yè)電腦和光學(xué)模塊。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments TPS22999導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 輸入工作電壓范圍（V IN ）
• 偏置電壓范圍：2.3V至5.5V
• 持續(xù)電流：1.5A（最大值）
• 7.5mΩ（典型）導(dǎo)通電阻 (R ON )
• 調(diào)節(jié)浪涌電流
• 集成快速輸出放電：5.3Ω
• 開漏電源良好 (PG) 信號(hào)
• < 200μs（VIN =1V開啟時(shí)間）
• 熱關(guān)斷
• VBIAS欠壓鎖定（UVLO）
• 低功耗：
  • 10μA（典型）開啟狀態(tài)（ IQ ）
  • 2.7μA（典型）關(guān)斷狀態(tài)（I SD ）
• 智能EN引腳下拉（R PD，EN ）：
  • 25nA（典型值）EN ≥ VIH (I ON )
  • 500kΩ（典型）EN ≤ VIL (R PD，ON )

典型應(yīng)用圖

方框圖

TPS22999負(fù)載開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、核心特性

• 超低導(dǎo)通電阻：7.5mΩ（典型值）
• 寬輸入電壓范圍：0.1V至4.5V
• 最大連續(xù)電流：1.5A
• 集成5.3Ω快速輸出放電(QOD)路徑
• 開放漏極電源良好(PG)信號(hào)
• 開啟時(shí)間：<200μs（VIN=1.0V時(shí)）
• 智能EN引腳下拉功能
• 工作溫度范圍：-40°C至105°C

二、關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新

1. 受控浪涌電流技術(shù)

TPS22999通過創(chuàng)新的內(nèi)部電路設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了浪涌電流的精確控制：

• 典型浪涌電流限制：0.9-1.4A（取決于VBIAS電壓）
• 計(jì)算公式：tcharge = VIN/Iinrush × CL
• 60μF負(fù)載電容在1.8V輸入時(shí)的典型充電時(shí)間為130μs

這一特性有效防止了輸入電壓跌落，確保系統(tǒng)穩(wěn)定啟動(dòng)。

2. 智能使能控制

EN引腳設(shè)計(jì)具有多項(xiàng)智能特性：

• 低電壓GPIO兼容性（VIH=0.8V）
• 智能下拉電阻配置：
  • EN≤VIL(0.35V)：500kΩ下拉激活
  • EN≥VIH(0.8V)：下拉斷開（僅25nA泄漏）
• 75mV典型遲滯電壓防止誤觸發(fā)

三、典型應(yīng)用設(shè)計(jì)

1. 外圍元件選型指南

?輸入/輸出電容?：

• 輸入電容(CIN)：最小1μF（陶瓷電容）
• 輸出電容(COUT)：最大70μF（穩(wěn)定性要求）
• 偏置電容(CBIAS)：0.1μF（靠近VBIAS引腳）

?功率MOSFET?：

• 集成35mΩ（高邊）和18mΩ（低邊）MOSFET
• 無需外部MOSFET即可支持1.5A連續(xù)電流

2. 電源良好(PG)功能配置

PG信號(hào)使用注意事項(xiàng)：

• 開漏輸出，需外接上拉電阻（典型10kΩ）
• 有效標(biāo)志：PG拉低表示MOSFET完全增強(qiáng)
• 未使用時(shí)建議接地
• 響應(yīng)時(shí)間：與負(fù)載電容大小相關(guān)

四、熱管理與保護(hù)機(jī)制

1. 熱關(guān)斷保護(hù)

• 觸發(fā)閾值：131°C（典型值）
• 遲滯：15°C
• 保護(hù)行為：鎖定關(guān)閉直至溫度降低且EN切換

2. 電氣保護(hù)特性

• 輸入耐壓：-0.3V至6V
• ESD保護(hù)：
  • HBM：±2000V
  • CDM：±500V
• VBIAS欠壓鎖定(UVLO)：2.05V-2.25V（上升閾值）

五、封裝與布局建議

1. 封裝信息

• 封裝類型：8引腳DSBGA(YCH)
• 封裝尺寸：1.4mm×0.7mm
• 球間距：0.35mm

2. PCB布局要點(diǎn)

1. 電源走線盡可能短而寬
2. 輸入/輸出電容盡量靠近器件引腳
3. 敏感信號(hào)（如EN、PG）遠(yuǎn)離高頻噪聲源
4. 采用四層板設(shè)計(jì)優(yōu)化熱性能
5. 接地過孔均勻分布在器件周圍

六、應(yīng)用場景推薦

1. ?可穿戴設(shè)備?：利用其小尺寸和低靜態(tài)電流(10μA)特性
2. ? 固態(tài)硬盤(SSD) ?：快速開啟時(shí)間保障存儲(chǔ)設(shè)備響應(yīng)速度
3. ?工業(yè)PC?：寬溫度范圍適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境
4. ?光學(xué)模塊?：精確的電源時(shí)序控制
5. ?電池供電設(shè)備?：超低導(dǎo)通電阻減少能量損耗