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TPS22963/64負(fù)載開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-09-10 11:06 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPS22963/64負(fù)載開關(guān)是一款具有受控接通功能的小型超低RON負(fù)載開關(guān)。該器件采用低RDSON N溝道MOSFET,可以在1V至5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。它還可以開關(guān)高達(dá)3A的電流。集成的電荷泵可偏置NMOS開關(guān),獲得低開關(guān)導(dǎo)通電阻。開關(guān)由開/關(guān)輸入 (ON) 控制,能夠直接與低壓GPIO控制信號連接。TPS22963/64器件的上升時間由內(nèi)部控制,以避免浪涌電流。

數(shù)據(jù)手冊;*附件:Texas Instruments TPS22963,64負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊.pdf

TPS22963/64提供反向電流保護(hù)。當(dāng)電源開關(guān)被禁用時,該器件將不允許電流流入開關(guān)的輸入側(cè)。該功能僅在器件被禁用時才激活,允許為某些應(yīng)用提供有意的反向電流(當(dāng)開關(guān)被啟用時)。Texas Instruments TPS22963/64采用節(jié)省空間的6引腳WCSP封裝。該器件在自然通風(fēng)的溫度范圍內(nèi)(–40°C至+85°C)額定運(yùn)行。

特性

  • 集成式N溝道負(fù)載開關(guān)
  • 輸入電壓范圍:1V至5.5V
  • 內(nèi)部直通-FET RDSON = 8mΩ(典型值)
  • 超低導(dǎo)通電阻
    • RON = 13mΩ(典型值)(VIN = 5V時)
    • RON = 14mΩ(典型值)(VIN = 3.3V時)
    • RON = 18mΩ(典型值)(VIN = 1.8V時)
  • 最大連續(xù)開關(guān)電流:3A
  • 反向電流保護(hù)(當(dāng)禁用時)
  • 低關(guān)斷電流 (760nA)
  • 低閾值(1.3V)GPIO控制輸入
  • 具有受控壓擺率,可避免浪涌電流
  • 快速輸出放電(僅限TPS22964)
  • 端子晶片級封裝(所示為標(biāo)稱尺寸)
    • 0.9mm x 1.4mm,0.5mm腳距,0.5mm高度
  • 根據(jù)JESD 22標(biāo)準(zhǔn)測試的ESD性能
    • 2kV人體模型(A114-B,II類)
    • 500V充電器件模型 (C101)

功能框圖

1.png

TPS22963/64負(fù)載開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述

TPS22963C和TPS22964C是德州儀器(TI)推出的兩款5.5V、3A負(fù)載開關(guān),采用13mΩ超低導(dǎo)通電阻設(shè)計,具有反向電流保護(hù)和可控開啟特性。這兩款器件基于集成N溝道MOSFET架構(gòu),主要面向空間受限的便攜式電子設(shè)備。

?關(guān)鍵特性?:

  • 超低導(dǎo)通電阻:13mΩ典型值(5V時)
  • 寬輸入電壓范圍:1V至5.5V
  • 最大連續(xù)開關(guān)電流:3A
  • 低靜態(tài)電流:17μA(典型值)
  • 低閾值(1.3V)GPIO控制輸入
  • 集成反向電流保護(hù)(禁用時)
  • 快速輸出放電功能(TPS22964C特有)
  • 緊湊型WCSP封裝(1.4mm×0.9mm)

二、核心功能解析

1. 開關(guān)控制機(jī)制

通過ON引腳實現(xiàn)控制:

  • ? 高電平(VIH) ?:開啟開關(guān),VIH閾值隨VIN變化:
    • VIN≥2.5V時:1.3V
    • VIN=1-2.49V時:1.1V
  • ? 低電平(VIL) ?:關(guān)閉開關(guān),典型滯后電壓115mV

2. 反向電流保護(hù)

當(dāng)開關(guān)禁用時:

  • 阻止電流從VOUT流向VIN
  • 保護(hù)條件:VIN>1V或VOUT>1V
  • 典型反向漏電流僅-2.1μA(5V時)

3. 快速輸出放電(TPS22964C)

  • 禁用時通過273Ω電阻放電
  • 防止輸出端浮空
  • 放電時間常數(shù):τ=273Ω×COUT

4. 受控開啟特性

  • 內(nèi)置緩啟動電路
  • 典型上升時間:
    • 715μs(3.3V時)
    • 890μs(5V時)
  • 有效抑制浪涌電流

三、典型應(yīng)用設(shè)計

1. 外圍元件選型

? 輸入電容(CIN) ?:

  • 推薦值:1μF陶瓷電容
  • 位置:盡量靠近VIN和GND引腳
  • 作用:抑制輸入電壓跌落

? 輸出電容(COUT) ?:

  • 推薦值:0.1μF陶瓷電容
  • 位置:盡量靠近VOUT和GND引腳
  • 作用:濾波和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)

3. PCB布局指南

?關(guān)鍵原則?:

  1. 輸入/輸出電容就近放置
  2. 使用寬走線降低寄生電感
  3. GND引腳充分鋪銅
  4. 熱敏感應(yīng)用添加散熱過孔

?布局示例?:

  • 整體解決方案尺寸:<10mm2
  • 功率回路面積最小化
  • 采用單點(diǎn)接地設(shè)計

四、應(yīng)用場景推薦

  1. ?便攜設(shè)備電源管理?
  2. ?電源時序控制?
    • 多電壓域上電時序管理
    • 級聯(lián)設(shè)計實現(xiàn)自動時序
  3. ?低功耗設(shè)計?
    • 待機(jī)模塊電源切斷
    • 電池供電設(shè)備漏電流優(yōu)化
  4. ?接口保護(hù)?

五、性能對比

參數(shù)TPS22963CTPS22964C
導(dǎo)通電阻(3.3V)14mΩ14mΩ
快速輸出放電273Ω
上升時間(3.3V)715μs715μs
封裝WCSP-6WCSP-6

六、設(shè)計注意事項

  1. 高溫環(huán)境需降額使用,結(jié)溫不超過125°C
  2. 大電流應(yīng)用需確保PCB銅厚足夠
  3. 時序控制應(yīng)用中注意使能信號延遲
  4. 輸出電容值不宜超過輸入電容值
  5. 1.8V以下供電時導(dǎo)通電阻會增大
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