Texas Instruments DRV8962 65V 4通道半橋驅(qū)動器是一款適用于各種工業(yè)應(yīng)用的寬電壓、高功率、四通道半橋驅(qū)動器。該器件支持高達(dá)65V的電源電壓，具有50ΩmΩ導(dǎo)通電阻的集成式MOSFET允許DDW封裝的每路輸出產(chǎn)生高達(dá)5A的電流，允許PWP封裝的每路輸出產(chǎn)生高達(dá)4A的電流。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments DRV8962 65V 4通道半橋驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊.pdf

Texas Instruments DRV8962可用于驅(qū)動最多四個螺線管或閥門、一個步進(jìn)電機(jī)、兩個有刷直流電機(jī)、一個 BLDC或PMSM電機(jī)以及最多兩個熱電冷卻器（珀耳帖元件）。器件的輸出級包括配置為四個獨(dú)立半橋的N溝道功率MOSFET、電荷泵穩(wěn)壓器、電流檢測和調(diào)節(jié)電路、電流檢測輸出以及保護(hù)電路。

高側(cè)MOSFET上的集成電流檢測功能可讓器件在負(fù)載從輸出端接地時調(diào)節(jié)電流。可調(diào)外部電壓基準(zhǔn) (V ~~REF~~ ) 可設(shè)置電流調(diào)節(jié)限制。此外，該器件還提供四個比例電流輸出引腳，每個引腳對應(yīng)一個半橋高側(cè)FET?？蛇x的外部檢測電阻可從PGND引腳連接到系統(tǒng)接地。

提供一種低功耗睡眠模式，可實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流。提供的內(nèi)部保護(hù)特性包括：電源欠壓鎖定 (UVLO)、電荷泵欠壓 (CPUV) 保護(hù)、輸出過流 (OCP) 保護(hù)和器件過熱 (OTSD) 保護(hù)。

特性

四通道半橋驅(qū)動器
- 每個半橋獨(dú)立控制
工作電源電壓范圍：4.5V至65V
每個FET的低R~DS (ON) ~為50mΩ (24V，25°C)
高載流能力
- DDW封裝每個輸出高達(dá)5A
- DDV封裝每個輸出最高可達(dá)10A
可驅(qū)動各種類型的負(fù)載
- 最多四個螺線管或閥門
- 一臺步進(jìn)電機(jī)
- 兩個有刷直流電機(jī)
- 一個或兩個熱電冷卻器 (TEC)
- 一臺三相無刷直流電機(jī)
- 一臺三相永磁同步電動機(jī) (PMSM)
集成式電流檢測和調(diào)節(jié)
- 高側(cè)MOSFET的電流檢測
- 每個半橋的檢測輸出 (IPROPI)
- 3.5%最大電流時的感應(yīng)精度
- 可選的外部檢測電阻器
引腳對引腳兼容
獨(dú)立邏輯電源電壓 (V CC )
可編程輸出上升/下降時間
可編程故障恢復(fù)方法
支持1.8V、3.3V、5.0V邏輯輸入
低電流休眠模式 (3μA)
保護(hù)特性
- VM欠壓閉鎖 (UVLO)
- 電荷泵欠壓 (CPUV)
- 過流保護(hù) (OCP)
- 熱關(guān)斷 (OTSD)
- 故障狀態(tài)輸出 (nFAULT)

簡化示意圖

DRV8962 65V四通道半橋驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品核心特性

DRV8962是德州儀器(TI)推出的高性能四通道半橋驅(qū)動器，具有以下突出特性：

?功率特性?：

寬電壓工作范圍：4.5V至65V
低導(dǎo)通電阻：
- DDW封裝：每FET 50mΩ（24V，25°C時）
- DDV封裝：每FET 50mΩ（24V，25°C時）
大電流驅(qū)動能力：
- DDW封裝：每通道最高5A
- DDV封裝：每通道最高10A（配合散熱器）

?集成功能?：

內(nèi)置高邊MOSFET電流檢測與調(diào)節(jié)
四個比例電流輸出(IPROPI)引腳，±3.5%精度
可編程輸出上升/下降時間（70ns或140ns）
支持1.8V/3.3V/5V邏輯輸入

?保護(hù)機(jī)制?：

VM欠壓鎖定(UVLO)
電荷泵欠壓保護(hù)(CPUV)
過流保護(hù)(OCP)
熱關(guān)斷(OTSD)
故障指示輸出(nFAULT)

二、關(guān)鍵參數(shù)解析

1. 電氣特性

參數(shù)	條件	最小值	典型值	最大值	單位
工作電壓范圍	正常DC操作	4.5	-	65	V
高邊FET導(dǎo)通電阻	TJ=25°C, IO=-5A	-	53	62	mΩ
低邊FET導(dǎo)通電阻	TJ=25°C, IO=5A	-	53	62	mΩ
電流鏡像增益(AIPROPI)	-	-	212	-	μA/A
靜態(tài)電流	工作模式	-	4	7	mA
睡眠模式電流	nSLEEP=0	-	3	8	μA

2. 熱特性

參數(shù)	DDW封裝	DDV封裝	單位
結(jié)至環(huán)境熱阻(RθJA)	22.2	44.2	°C/W
結(jié)至外殼熱阻(RθJC)	0.7	0.7	°C/W
結(jié)至板熱阻(RθJB)	5.3	18.9	°C/W
最大結(jié)溫	-	150	°C

三、典型應(yīng)用設(shè)計

1. 驅(qū)動方案選擇

DRV8962支持多種負(fù)載驅(qū)動配置：

?四路獨(dú)立負(fù)載?：可同時驅(qū)動4個螺線管或閥門
?步進(jìn)電機(jī)?：支持全步/半步驅(qū)動模式
?有刷電機(jī)?：最多驅(qū)動2個直流電機(jī)
?無刷電機(jī)?：支持3相BLDC/PMSM驅(qū)動
? 熱電制冷器(TEC) ?：支持雙向電流控制

推薦電路設(shè)計：

為每個IPROPI引腳連接外部電阻(RIPROPI)到地
根據(jù)目標(biāo)電流ITRIP計算電阻值：
RIPROPI = VREF/(ITRIP × 212μA/A)
VREF電壓建議不超過3.3V

3. 保護(hù)電路配置

?過流保護(hù)?：通過OCPM引腳選擇鎖存或自動重試模式
?熱管理?：DDV封裝需配置散熱器(建議<4°C/W)
?故障恢復(fù)?：通過nSLEEP復(fù)位脈沖清除鎖定故障

四、PCB設(shè)計要點(diǎn)

1. 關(guān)鍵布局建議

?電源去耦?：
- VM引腳：0.01μF陶瓷電容+大容量電解電容
- VCP引腳：1μF/16V陶瓷電容
- CPH-CPL：0.1μF/VM額定陶瓷電容
?熱設(shè)計?：
- DDW封裝：底部散熱焊盤需大面積銅箔+多過孔
- DDV封裝：頂部需安裝散熱器(接觸面使用導(dǎo)熱界面材料)

2. 地平面處理

分離功率地(PGNDx)和信號地(GND)
采用星型接地或單點(diǎn)接地策略
避免功率回路與敏感信號交叉

五、應(yīng)用場景實(shí)例

1. 工業(yè)自動化

?閥門控制?：四路獨(dú)立驅(qū)動，IPROPI提供實(shí)時電流反饋
?機(jī)械臂關(guān)節(jié)?：驅(qū)動有刷/無刷電機(jī)，支持PWM速度控制

2. 醫(yī)療設(shè)備

?精密定位?：步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動，結(jié)合微步進(jìn)控制算法
?溫度控制?：TEC驅(qū)動，雙向電流調(diào)節(jié)精度±3.5%

3. 消費(fèi)電子

?智能家居?：電動窗簾電機(jī)驅(qū)動
?安防系統(tǒng)?：門鎖電磁閥控制

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