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?DRV8962 四通道半橋驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-10-13 10:35 ? 次閱讀
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該DRV8962是一款寬電壓、高功率、四通道半橋驅(qū)動(dòng)器,適用于各種工業(yè)應(yīng)用。該器件支持高達(dá) 65V 的電源電壓,具有 50 mΩ 導(dǎo)通電阻的集成 MOSFET,采用 DDW 封裝時(shí),每個(gè)輸出均允許高達(dá) 5A 的電流;DDV 封裝時(shí),每個(gè)輸出的電流高達(dá) 10A。

該設(shè)備可用于驅(qū)動(dòng)多達(dá)四個(gè)電磁閥或閥門、一個(gè)步進(jìn)電機(jī)、兩個(gè)有刷直流電機(jī)、一個(gè) BLDC 或 PMSM 電機(jī)以及多達(dá)兩個(gè)熱電冷卻器(帕爾貼元件)。該器件的輸出級(jí)由配置為四個(gè)獨(dú)立半橋的N溝道功率MOSFET、電荷泵穩(wěn)壓器、電流檢測和調(diào)節(jié)電路、電流檢測輸出和保護(hù)電路組成。
*附件:drv8962.pdf

高側(cè)MOSFET上的集成電流檢測允許器件在負(fù)載從輸出端連接到地時(shí)調(diào)節(jié)電流。調(diào)節(jié)電流限制可以通過可調(diào)外部基準(zhǔn)電壓源(VREF)進(jìn)行設(shè)置。此外,該器件還提供四個(gè)比例電流輸出引腳,每個(gè)半橋高側(cè)FET一個(gè)??蛇x的外部檢測電阻器也可以從PGND引腳連接到系統(tǒng)接地。

提供低功耗睡眠模式以實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流。為電源欠壓鎖定 (UVLO)、電荷泵欠壓 (CPUV)、輸出過流 (OCP) 和器件過熱 (OTSD) 提供內(nèi)部保護(hù)功能。

特性

  • 四通道半橋驅(qū)動(dòng)器
    • 獨(dú)立控制每個(gè)半橋
  • 4.5 V 至 65 V 工作電源電壓范圍
  • 低R DS(ON):每個(gè)FET50 mΩ(24 V,25 °C)
  • 大電流容量:
    • DDW 封裝:每個(gè)輸出高達(dá) 5A
    • DDV 封裝:每個(gè)輸出高達(dá) 10A
  • 可驅(qū)動(dòng)各種類型的負(fù)載 -
    • 最多四個(gè)電磁閥或閥門
    • 一個(gè)步進(jìn)電機(jī)
    • 兩個(gè)有刷直流電機(jī)
    • 一個(gè)或兩個(gè)熱電冷卻器 (TEC)
    • 一臺(tái)三相無刷直流電機(jī)
    • 一臺(tái)三相永磁同步電機(jī) (PMSM)
  • 集成電流檢測和調(diào)節(jié)
    • 高側(cè) MOSFET 上的電流檢測
    • 每個(gè)半橋的檢測輸出 (IPROPI
    • ± 最大電流下 3.5% 的檢測精度
    • 可選外部檢測電阻
  • 引腳對(duì)引腳兼容:
    • DRV8952:55 V,四通道半橋驅(qū)動(dòng)器
  • 獨(dú)立邏輯電源電壓 (VCC)
  • 編程輸出上升/下降時(shí)間
  • 可編程故障恢復(fù)方法
  • 支持 1.8V、3.3V、5.0V 邏輯輸入
  • 低電流睡眠模式 (3 μA)
  • 保護(hù)功能
    • VM 欠壓鎖定 (UVLO)
    • 電荷泵欠壓 (CPUV)
    • 過流保護(hù) (OCP)
    • 熱關(guān)斷 (OTSD)
    • 故障條件輸出 (nFAULT)

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

?1. 產(chǎn)品概述?

  • ?型號(hào)?:DRV8962,65V四通道半橋驅(qū)動(dòng)器,集成電流檢測輸出(IPROPI)。
  • ?版本?:SLVSFV6B(2022年8月發(fā)布,2023年10月修訂)。
  • ?核心特性?:
    • ?四通道獨(dú)立控制?:支持驅(qū)動(dòng)4個(gè)獨(dú)立負(fù)載(如電磁閥、直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)等)。
    • ?寬電壓范圍?:4.5V至65V工作電壓,低導(dǎo)通電阻(典型值50mΩ@24V)。
    • ?高電流能力?:DDW封裝每通道5A(峰值),DDV封裝每通道10A(需散熱器)。
    • ?集成電流檢測?:IPROPI引腳輸出比例電流(精度±3.5%),支持外部電阻可選。
    • ?保護(hù)功能?:欠壓鎖定(UVLO)、過流保護(hù)(OCP)、熱關(guān)斷(OTSD)等。

?2. 關(guān)鍵參數(shù)?

  • ?導(dǎo)通電阻?:高/低邊MOSFET典型值50mΩ(24V, 25°C)。
  • ?電流能力?:
    • DDW封裝:5A持續(xù)電流(每通道),DDV封裝:10A持續(xù)電流(帶散熱器)。
  • ?開關(guān)頻率?:支持最高200kHz PWM輸入。
  • ?睡眠模式?:靜態(tài)電流低至3μA(nSLEEP=0時(shí))。

?3. 功能亮點(diǎn)?

  • ?電流檢測與調(diào)節(jié)?:
    • IPROPI引腳輸出比例電流(212μA/A),結(jié)合外部電阻實(shí)現(xiàn)電流反饋。
    • VREF引腳可設(shè)置電流調(diào)節(jié)閾值(KV=0.66V/A)。
  • ?靈活控制?:
    • 支持獨(dú)立PWM控制每通道,可配置為快衰減或慢衰減模式。
    • MODE引腳可調(diào)節(jié)輸出上升/下降時(shí)間(70ns或140ns)。
  • ?保護(hù)機(jī)制?:
    • 故障自動(dòng)恢復(fù)(自動(dòng)重試或需nSLEEP復(fù)位)。
    • nFAULT引腳輸出故障狀態(tài)(開漏輸出)。

?4. 典型應(yīng)用?

  • ?場景?:
    • 工廠自動(dòng)化(PLC、機(jī)械臂)、醫(yī)療設(shè)備(成像儀)、舞臺(tái)燈光控制。
    • 驅(qū)動(dòng)負(fù)載:4個(gè)電磁閥、1個(gè)步進(jìn)電機(jī)、2個(gè)直流電機(jī)、1個(gè)三相無刷電機(jī)(BLDC)或TEC模塊。
  • ?電路設(shè)計(jì)?:
    • 需外接1μF(VCP)、0.1μF(CPH-CPL)電容,建議布局低ESR陶瓷電容靠近VM引腳。

?5. 封裝與熱管理?

  • ?封裝?:
    • DDW:44引腳HTSSOP(14mm×8.1mm),底部散熱焊盤。
    • DDV:44引腳HTSSOP(頂部散熱焊盤,支持散熱器)。
  • ?熱阻?:RθJA=22.2°C/W(DDW,四層PCB),需優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)。

?6. 對(duì)比DRV8952?

  • ?差異點(diǎn)?:
    • DRV8962支持更高電壓(65V vs 55V)和電流(10A vs 5A)。
    • 集成電流檢測(IPROPI),DRV8952需外置檢測電阻。

?7. 修訂歷史?

  • 2023年10月修訂版(Rev B)新增DDV封裝選項(xiàng),更新LDO壓降和VREF漏電流規(guī)格。

?8. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

  • ?熱計(jì)算?:總功耗需考慮導(dǎo)通損耗(P=I2RDS(ON))和開關(guān)損耗(PSW≈0.5×VM×I×tRF×fPWM)。
  • ?布局建議?:VM引腳需就近放置0.01μF陶瓷電容+大容量電解電容,散熱焊盤多過孔接地。

?9. 典型性能曲線?

  • 提供導(dǎo)通電阻隨溫度變化曲線、睡眠模式電流與VM關(guān)系圖等(見手冊第6.6節(jié))。

?10. 應(yīng)用示例?

  • ?驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)?:需連接IPROPI引腳并設(shè)置VREF電壓,LC濾波器減少紋波電流。
  • ?驅(qū)動(dòng)TEC模塊?:支持雙向電流控制,PWM頻率建議≤100kHz以降低損耗。
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