Texas Instruments DRV8410雙路半橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器管理一個(gè)或兩個(gè)直流有刷電機(jī)、一個(gè)步進(jìn)電機(jī)、螺線管或其他電感負(fù)載。借助三電荷泵，DRV8410可在低至1.65V電壓下工作，以適應(yīng)1.8V電源軌和低電池電量條件。電荷泵集成了所有電容器，并提供100%占空比運(yùn)行。同時(shí)，輸入和輸出可以并聯(lián)，以一半的RDS(ON) 驅(qū)動(dòng)大電流有刷DC電機(jī)。該器件通過(guò)將內(nèi)部基準(zhǔn)電壓與xISEN引腳上的電壓進(jìn)行比較來(lái)實(shí)現(xiàn)電流調(diào)節(jié)，該電壓與通過(guò)外部檢測(cè)電阻的電機(jī)電流成比例。限制電流可顯著降低電機(jī)啟動(dòng)和失速條件下的大電流。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments DRV8410雙路半橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

低功耗休眠模式通過(guò)關(guān)斷大部分內(nèi)部電路來(lái)實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗。內(nèi)部保護(hù)特性包括欠壓、過(guò)流和過(guò)熱。DRV8410屬于具有引腳對(duì)引腳、可擴(kuò)展RDS(ON) 選項(xiàng)的器件系列，可以通過(guò)最少的設(shè)計(jì)變更來(lái)支持各種負(fù)載。

特性

• 雙路半橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，可以驅(qū)動(dòng) -
  • 一個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī)
  • 一個(gè)或兩個(gè)有刷直流電機(jī)
  • 螺線管和其他電感負(fù)載
• 低導(dǎo)通電阻：HS + LS =800mΩ（典型值，25°C）
• 寬電源電壓范圍：1.65V至11V
• 引腳對(duì)引腳兼容 -
  • DRV8833：360mΩ/橋
  • DRV8833C：1735mΩ/橋
  • DRV8847：1000MΩ/橋
  • DRV8411：400mΩ/橋
  • DRV8411A：400mΩ/橋
• 2.5A峰值高輸出電流能力
• PWM控制接口
• 支持1.8V、3.3V和5V邏輯輸入
• 集成電流調(diào)節(jié)
• 低功耗睡眠模式：≤30nA（VVM = 5V、TJ = +25°C時(shí)）
• 小型封裝尺寸和占位面積
  • 帶PowerPAD?的16引腳HTSSOP，5.0mm x 4.4mm
  • 帶PowerPAD?的16引腳WQFN，3.0mm × 3.0mm
• 集成保護(hù)特性
  • VM欠壓閉鎖 (UVLO)
  • 自動(dòng)重試過(guò)流保護(hù) (OCP)
  • 熱關(guān)斷 (TSD)
  • 故障指示引腳(nFAULT)

簡(jiǎn)化示意圖

功能框圖

德州儀器DRV8410雙路半橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

一、核心特性與產(chǎn)品定位

1. ?雙H橋集成設(shè)計(jì)?
   • 支持1.65-11V寬電壓輸入，可驅(qū)動(dòng)單臺(tái)雙極性步進(jìn)電機(jī)或兩臺(tái)有刷直流電機(jī)
   • 低導(dǎo)通電阻：HS+LS=800mΩ（典型值@25℃），峰值輸出電流2.5A
   • 與DRV8833/DRV8847等器件引腳兼容，便于系統(tǒng)升級(jí)
2. ?智能功率管理?
   • 集成電荷泵支持100%占空比工作
   • 超低功耗睡眠模式（≤30nA @VVM=5V）
   • 3.3V/5V邏輯電平兼容輸入
3. ?多重保護(hù)機(jī)制?
   • 電源欠壓鎖定（UVLO：1.6V上升閾值）
   • 自動(dòng)重試過(guò)流保護(hù)（OCP響應(yīng)時(shí)間4.2μs）
   • 熱關(guān)斷保護(hù)（TSD閾值170℃典型值）

二、關(guān)鍵電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)

1. 電流調(diào)節(jié)系統(tǒng)

• ?外部檢測(cè)電阻配置?
  VTRIP=200mV典型值，計(jì)算公式：
  RSENSE = 0.2V / ITRIP
  例如需限制電流為1A時(shí)，選擇200mΩ電阻
• ?工作時(shí)序控制?
  • 消隱時(shí)間（tBLANK）：1.8μs
  • 關(guān)斷時(shí)間（tOFF）：20μs
  • 抗干擾時(shí)間（tDEG）：1μs

2. 功率回路設(shè)計(jì)

• ?布局規(guī)范?
  • VM電源走線寬度≥1mm
  • 每個(gè)H橋需配置10μF+0.1μF去耦電容
  • 熱焊盤必須連接至PCB地平面（θJA=48.3°C/W @HTSSOP封裝）

三、典型應(yīng)用方案

1. 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)

?配置參數(shù)示例?

• 電機(jī)參數(shù)：34Ω繞組電阻/33mH電感
• 電流設(shè)置：RSENSE=400mΩ（對(duì)應(yīng)ITRIP=500mA）
• 控制模式：
  • 全步進(jìn)：兩相90°相位差方波
  • 半步進(jìn)：可選用快衰減（Coast模式）或慢衰減（Brake模式）

2. 有刷電機(jī)并聯(lián)驅(qū)動(dòng)

?高電流配置方案?

• 將A/B橋并聯(lián)使用：
  • AIN1與BIN1短接，AIN2與BIN2短接
  • AOUT1與BOUT1并聯(lián)，AOUT2與BOUT2并聯(lián)
• 注意：并聯(lián)模式下需禁用電流調(diào)節(jié)功能

四、熱管理設(shè)計(jì)

?散熱優(yōu)化建議?

• 4層板設(shè)計(jì)時(shí)GND層面積≥8cm2
• 滿負(fù)載運(yùn)行需增加散熱片（如θJA>35°C/W）

五、選型對(duì)比指南