電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）2024年10月23日，第九屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店召開，芯原股份創(chuàng)始人、董事長兼總裁戴偉民博士做開幕致辭，并分享了過往和當前FD-SOI發(fā)展的一些情況，以及芯原在FD-SOI提供的解決方案。
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全耗盡型絕緣體上硅（FD-SOI）是一種平面工藝技術(shù)，從結(jié)構(gòu)上看， FD-SOI晶體管的靜電特性優(yōu)于傳統(tǒng)體硅技術(shù)。埋氧層可以降低源極和漏極之間的寄生電容，還能有效地抑制電子從源極流向漏極，從而大幅降低導(dǎo)致性能下降的漏電流。戴偉民博士在分享中也簡單提到了FD-SOI的一些特色，比如在襯底上加一個超薄體（Ultra Thin Body SOI）場效應(yīng)管，采用全介質(zhì)隔離等。
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同時，戴偉民博士也回顧了過去很多年FD-SOI發(fā)展的重要的歷史節(jié)點，如下圖所示，其中主要包括：
·2012年意法半導(dǎo)體推出28nm工藝平臺；
·2013年Soitec突破了FD-SOI高質(zhì)量襯底的技術(shù)瓶頸；
·2014年芯原和三星宣布聯(lián)合開發(fā)FD-SOI技術(shù)；
·2016年上海NSIG宣布收購Soitec 14.5%股權(quán)。
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戴偉民博士指出，“過去很多年，我們一直在暢想FD-SOI工藝的發(fā)展和前景。不過，現(xiàn)在FD-SOI已經(jīng)成為當前的主流工藝之一，芯原也參與其中。”
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目前，芯原在FD-SOI方面擁有豐富的解決方案。芯原22nm FD-SOI IP包括模數(shù)混合IP、RF IP和接口IP等。其中，模數(shù)混合IP包含59種不同方案，包括基礎(chǔ)IP、DAC IP和接口等，目前已經(jīng)向40家客戶授權(quán)260多次FD-SOI IP核，為全球主要客戶提供約30個芯片設(shè)計項目，25個項目正在生產(chǎn)中。比如，瑞薩RA 32位Cortex-M系列中的首款22nm MCU就采用了芯原的FD-SOI IP。
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同時，戴偉民博士也分享了目前FD-SOI發(fā)展的一些前沿進展。此前，歐盟已經(jīng)決定投資12nm FD-SOI，2022年7月12日，法國總統(tǒng)馬克龍、歐盟專員、GlobalFoundries首席執(zhí)行官托馬斯·考爾菲爾德和意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官讓-馬克·奇瑞共同宣布，意法半導(dǎo)體和GlobalFoundries將在法國建造一座新的12英寸晶圓廠，用于12納米FD-SOI，以推進FD-SOI生態(tài)系統(tǒng)。
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此前，意法半導(dǎo)體與三星聯(lián)合推出18nm FD-SOI技術(shù)。2024年3月19日，意法半導(dǎo)體和三星聯(lián)合宣布采用18nm FD-SOI技術(shù)用于ePCM。
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CEA-Leti宣布推出10nm和7nm FD-SOI中試生產(chǎn)線。2024年6月11日，CEA-Leti（法國）宣布推出FAMES中試生產(chǎn)線，該生產(chǎn)線將開發(fā)包括10nm和7nm FD-SOI在內(nèi)的五套新技術(shù)。