本文論述并比較目前移動(dòng)平臺所采用的主要的多核處理技術(shù)，重點(diǎn)介紹多核處理技術(shù)與意法·愛立信未來產(chǎn)品所采用的具有突破性的FD-SOI 硅技術(shù)之間的協(xié)同效應(yīng)
2013-02-03 14:19:00
2423 
半導(dǎo)體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開發(fā)出支援4種技術(shù)制程的22nm FD-SOI平臺，以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與意法半導(dǎo)體
2015-10-08 08:29:221285 耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)正從原本的“遲到”（too-late）位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）與汽車市場取代鰭式場效電晶體（FinFET）的理想替代方案了。對于許多人來說，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng)，象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書。
2016-04-18 10:16:033433 
Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時(shí)表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是在
2016-07-28 08:50:141435 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn)，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設(shè)計(jì)成本也低25%左右，并降低了需要重新設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)。
2016-09-14 11:39:022462 
22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲器（eMRAM）技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美國所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲
2017-09-25 17:21:098685 5G時(shí)代將對半導(dǎo)體的移動(dòng)性與對物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應(yīng)性有著越來越高的要求。此時(shí)，FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢日漸凸顯，人們對SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5713150 和FD-SOI，其中RF-SOI作為一種重要的射頻芯片材料技術(shù)，雖然很少被提及，但在很多設(shè)備上都有重要的應(yīng)用。 ? 射頻前端底層技術(shù) ? 射頻前端的重要性不言而喻，是任何通信系統(tǒng)核心中的核心，RF-SOI正是用于各種射頻器件，目前已經(jīng)是各類射頻應(yīng)用里主流的襯底，如射頻開關(guān)、LNA、調(diào)諧器
2024-02-19 00:59:004939 ，特別適用于面臨性能和功耗雙重挑戰(zhàn)的相關(guān)應(yīng)用，比如自動(dòng)駕駛、AIoT、先進(jìn)傳感器和邊緣智能等應(yīng)用。 在2024年第九屆上海FD-SOI論壇上，來自芯原股份、三星電子、意法半導(dǎo)體和IBS等公司的嘉賓著重分享了當(dāng)前FD-SOI發(fā)展的前沿信息，以及這些重點(diǎn)公司的布局。
2024-10-28 06:57:004142 
半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂尖專家、企業(yè)高管及學(xué)術(shù)代表，圍繞
FD-SOI （全耗盡絕緣體上硅）工藝的
技術(shù)優(yōu)勢、發(fā)展趨勢、設(shè)計(jì)
實(shí)現(xiàn)等核心議題展開深入探討，為推動(dòng)
FD-SOI 技術(shù)在邊緣 AI 、智能物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用搭建了高效交流
平臺。 電子發(fā)燒友網(wǎng)今年繼續(xù)在現(xiàn)場為大家?guī)?/div>
2025-09-25 14:11:367748 
第十屆上海 FD-SOI 論壇 ? 2025 年 9 月 15 日 下午的專題二環(huán)節(jié) ， 繼續(xù) 聚焦 FD-SOI 的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)， 來自多家全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)公司的 專家 、 國內(nèi)大學(xué) 學(xué)者和企業(yè)代表
2025-09-25 17:41:258710 
，隨著RF開關(guān)變得越來越復(fù)雜，這兩種工藝變得太貴了。RF SOI不同于完全耗盡的SOI（FD-SOI），適用于數(shù)字應(yīng)用。與FD-SOI類似，RF SOI在襯底中具有很薄的絕緣層，能夠實(shí)現(xiàn)高擊穿電壓和低
2017-07-13 08:50:15
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術(shù)是一種新的工藝技術(shù)，有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術(shù)制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
RF-SOI技術(shù)在5G中的應(yīng)用前景簡析
2021-01-04 07:02:15
，隨著RF開關(guān)變得越來越復(fù)雜，這兩種工藝變得太貴了。RF SOI不同于完全耗盡的SOI（FD-SOI），適用于數(shù)字應(yīng)用。與FD-SOI類似，RF SOI在襯底中具有很薄的絕緣層，能夠實(shí)現(xiàn)高擊穿電壓和低
2017-07-13 09:14:06
工藝節(jié)點(diǎn)中設(shè)計(jì)，但是 FD-SOI 技術(shù)提供最低的功率，同時(shí)可以承受輻射效應(yīng)。與體 CMOS 工藝相比，28 納米 FD-SOI 芯片的功耗將降低 70%。射頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器需要同時(shí)具有高帶寬和低功耗，以
2023-02-07 14:11:25
，已成為包括臺積電在內(nèi)的代工廠攻克MRAM的主要方向。 在此之后，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)，在這期間，與FinFET技術(shù)齊名的FD-SOI，在以Leti、Soitec、意法
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應(yīng)用？
2021-06-26 07:14:03
引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,深亞微米工藝加工技術(shù)允許開發(fā)上百萬門級的單芯片，已能夠?qū)⑾到y(tǒng)級設(shè)計(jì)集成到單個(gè)芯片中即實(shí)現(xiàn)片上系統(tǒng)SoC。IP核的復(fù)用是SoC設(shè)計(jì)的關(guān)鍵，但困難在于缺乏IP核與系統(tǒng)的接口標(biāo)準(zhǔn)
2019-06-11 05:00:07
的S OC設(shè)計(jì)是以超深亞微米IC設(shè)計(jì)技術(shù)為基礎(chǔ)的，具有集成電路ASIC設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。隨著SOC平臺和EDA 技術(shù)發(fā)展以及IP新經(jīng)濟(jì)模式的推動(dòng)，在SOC應(yīng)用設(shè)計(jì)上越來越多的從傳統(tǒng)的硅片設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)到利用
2008-08-26 09:38:34
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
SOI 和體硅集成電路工藝平臺互補(bǔ)問題的探討上海鐳芯電子有限公司鮑榮生摘要本文討論的SOI（Silicon On Insulator）是BESOI(Bonding and Etch back SOI)，由于在SOI 材料上制造的集成電
2009-12-14 11:35:16
10 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42888 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421852 IBM、ARM同一批半導(dǎo)體生產(chǎn)商正在進(jìn)行一項(xiàng)關(guān)于小功率SOI芯片組的研究計(jì)劃，打算將采用體硅制成的CMOS設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56658 意法半導(dǎo)體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室和設(shè)計(jì)公司將可透過CMP的硅中介服務(wù)採用意法半導(dǎo)體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501589 日前，意法半導(dǎo)體（ST）宣布位于法國Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:271206 意法愛立信發(fā)布了首個(gè)單射頻方案實(shí)現(xiàn)載波聚合的極速LTEAdvanced Modem平臺Thor M7450，以及采用了FD-SOI技術(shù)的3GHz NovaThor L8580處理器。
2013-02-26 16:26:511245 意法半導(dǎo)體（ST）宣布意法半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術(shù)榮獲2013年度電子成就獎(jiǎng)（ACE）能源技術(shù)獎(jiǎng)。根據(jù)客戶的節(jié)能與性能權(quán)衡策略，FD-SOI芯片本身可節(jié)約20%至50%的能耗，使終端設(shè)備可更快散熱，并實(shí)現(xiàn)更長的使用壽命。
2013-05-10 09:06:431211 據(jù)報(bào)道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:426591 集微網(wǎng)消息，格羅方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（ST）選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI（22FDX）制程技術(shù)平臺，以支持用于工業(yè)及消費(fèi)性
2018-01-10 20:44:021155 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導(dǎo)體（ST）的大單進(jìn)補(bǔ)，在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031813 在工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)展方面，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示，三星晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個(gè)方向，FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:002144 ST表示，與傳統(tǒng)的塊狀硅技術(shù)相較，FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性，而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容；此外該技術(shù)能有效限制源極與汲極之間的電子流
2018-03-10 01:25:001097 物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù)，除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程，以及預(yù)計(jì)將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點(diǎn)，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002872 格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布推出業(yè)內(nèi)首個(gè)基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。8SW SOI技術(shù)是格芯最先進(jìn)的RF SOI技術(shù)，可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動(dòng)和無線通信應(yīng)用的前端模塊（FEM）帶來顯著的性能、集成和面積優(yōu)勢。
2018-05-03 11:48:001821 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項(xiàng)設(shè)計(jì)訂單，其中有超過十幾項(xiàng)設(shè)計(jì)將會在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競爭對手三星則預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:135272 格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎(chǔ)之上，專為未來的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2018-05-14 15:54:003070 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺已通過AEC-Q100(2級)認(rèn)證，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI
2018-05-25 11:20:001951 許多代工廠都在擴(kuò)大其200mm RF SOI晶圓廠產(chǎn)能，以滿足急劇增長的需求。GlobalFoundries，TowerJazz，臺積電和聯(lián)電正在擴(kuò)大300mm RF SOI晶圓產(chǎn)能，以迎接5G，爭搶第一波RF業(yè)務(wù)。
2018-05-29 06:08:007145 
生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)），三星代工廠（28納米工藝投產(chǎn)中，18納米工藝計(jì)劃投產(chǎn)），以及格芯代工廠（22納米工藝投產(chǎn)中，12納米計(jì)劃投產(chǎn)）。
2018-08-02 11:35:245500 晶圓代工大廠格芯在28日宣布，無限期停止7納米制程的投資與研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程，及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002751 雙方攜手采用Imagination的Ensigma連接方案半導(dǎo)體知識產(chǎn)權(quán)（connectivity IP），在GF的22nm FD-SOI（22FDX?）工藝平臺上，為業(yè)界提供用于低功耗藍(lán)牙
2018-09-26 11:14:505062 關(guān)鍵詞：SOI , 8SW , FEM , 格芯 基于成熟制造工藝的RF SOI技術(shù)達(dá)到新的里程碑，芯片出貨量超過400億 格芯今日在其年度全球技術(shù)大會(GTC)上宣布，針對移動(dòng)應(yīng)用優(yōu)化的8SW
2018-10-04 00:12:01598 能在全球范圍內(nèi)收獲了超過20億美元的收益，并在超過50項(xiàng)客戶設(shè)計(jì)中得到采用。本次兩位中國客戶的成功流片再次印證了22FDX技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性和靈活性。 格芯全球副總裁兼大中華區(qū)總經(jīng)理白農(nóng)先生表示：“22FDX 是業(yè)內(nèi)首個(gè) 22nm FD-SOI 平臺，作為業(yè)界領(lǐng)先的低功耗芯片平臺，它在全
2018-11-05 16:31:02500 Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)，滿足當(dāng)下及未來消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的需求，確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00871 隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計(jì)中越發(fā)受到關(guān)注，Soitec的業(yè)務(wù)也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財(cái)務(wù)報(bào)表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:123407 關(guān)鍵詞：自適應(yīng)體偏置 , FD-SOI , 22FDX IP加快節(jié)能型SoC設(shè)計(jì)，推動(dòng)單芯片集成界限 格芯(GF)和領(lǐng)先的半導(dǎo)體IP提供商Dolphin Integration今日宣布，雙方正在合作
2019-02-24 15:56:01574 當(dāng)MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時(shí)，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0013 為求低功耗、高能效及高性價(jià)比之元件，市場逐漸開發(fā)出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結(jié)構(gòu)；而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心，透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式，進(jìn)而以水平式晶體管架構(gòu)，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:205089 
日前，格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個(gè)長期的300 mm SOI芯片長期供應(yīng)協(xié)議以滿足格芯的客戶對于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術(shù)平臺日益增長的需求。建立在兩家公司現(xiàn)有的密切關(guān)系上，此份協(xié)議即刻生效，以確保未來數(shù)年的高水平大批量生產(chǎn)。
2019-06-11 16:47:333991 事實(shí)勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比，本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說明其優(yōu)勢，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:454242 長期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對FD-SOI未來走勢做出預(yù)測。
2019-08-06 16:25:004363 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:445032 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲器（eMRAM）技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:161136 AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-12 22:57:171218 AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-27 14:54:381080 據(jù)外媒報(bào)道稱，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282970 Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術(shù)，該公司正在與幾個(gè)客戶合作，計(jì)劃在2020年實(shí)現(xiàn)多個(gè)流片。
2020-03-03 15:10:302807 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺，新型存儲器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲器）已投入生產(chǎn)。
2020-03-11 10:54:371159 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”，Soitec
2020-07-06 17:03:362535 
“FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”，Soitec
2020-07-07 16:04:044287 Lattice Nexus是業(yè)界首個(gè)基于28 nm FD-SOI工藝的低功耗FPGA技術(shù)平臺，得益于功耗和MIPI 速度上的優(yōu)勢，基于該平臺的第一款產(chǎn)品CrossLink-NX得到了客戶廣泛認(rèn)可
2020-07-15 19:28:421246 Nexus 平臺的獨(dú)特之處在于采用了 FD-SOI 工藝。這與之前的 CMOS 工藝相比有很大區(qū)別，能夠極大降低功耗。如圖一所示，Certus?-NX 比英特爾和賽靈思的同類產(chǎn)品功耗低 3-4 倍。Certus?-NX 的配置時(shí)間極短，能夠讓系統(tǒng)快速啟動(dòng)。該器件還擁有驗(yàn)證和加密硬件模塊提升安全性。
2020-08-13 16:35:171045 
重點(diǎn) ● 雙方在技術(shù)賦能方面的緊密合作使GLOBALFOUNDRIES 12LP、12LP+ （12nm FinFET） 以及22FDX （22nm FD-SOI） 平臺釋放最佳PPA潛能
2020-10-23 16:17:092863 格芯的8SW RF-SOI的客戶為6 GHz以下5G智能手機(jī)的主流FEM供應(yīng)商。
2020-11-11 10:04:211059 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:446557 射頻 SOI (RF-SOI）是采用 SOI 工藝技術(shù)制作的射頻器件和集成電路。SOI是指在體硅材料中插人一層 SiO2絕緣層的耐底結(jié)構(gòu)。在SOI襯底上制作低電壓、低功耗集成電路是深亞微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的主流選擇之一。RF-SOI 具有如下優(yōu)點(diǎn)。
2022-09-27 09:09:085285 原在本次活動(dòng)中帶來了一場技術(shù)分享，并在展區(qū)展示了公司豐富的IP組合。 會上，芯原股份機(jī)器學(xué)習(xí)軟件高級總監(jiān)毛夏飛以《面向智能顯示設(shè)備的超分辨率技術(shù)》為題發(fā)表演講。他表示，超分辨率 (Super Resolution) 技術(shù)不僅是學(xué)術(shù)界的研究重點(diǎn)，也是產(chǎn)業(yè)界著力推動(dòng)應(yīng)用創(chuàng)新的技術(shù)領(lǐng)域之一，在過去的
2023-09-08 10:23:071294 
（電子發(fā)燒友網(wǎng)原創(chuàng)報(bào)道）2023年10月23日 第八屆上海FD-SOI論壇隆重舉行，論壇由芯原股份和新傲科技主辦，SEMI中國和SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟支持。該活動(dòng)自2013年開始每年舉行一次，上次第七屆論壇
2023-11-01 16:39:043350 
在日前舉行的2023年第八屆上海FD-SOI論壇上，GlobalFoundries Chief Commercial Officer Juan Cordovez向產(chǎn)業(yè)介紹了公司在FD-SOI
2023-11-15 14:53:382726 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46939 
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:365137 
據(jù)悉，FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù)，能夠通過簡化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù)，新工藝大幅度提高了性能指標(biāo)：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:231482 芯原股份宣布，賽昉科技成功將芯原的先進(jìn)顯示處理器IP DC8200應(yīng)用于其基于RISC-V架構(gòu)的量產(chǎn)SoC昉·驚鴻-7110中。JH-7110 SoC以其卓越的性能、低功耗和安全性，為眾多領(lǐng)域如云計(jì)算、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)附加存儲等提供了全面的智能視覺處理方案。
2024-03-27 10:02:091347 炬芯科技宣布（股票代碼：688049.SH）在其高集成度的雙模藍(lán)牙智能手表SoC ATS3085S和ATS3089系列中采用了芯原股份（芯原，股票代碼：688521.SH）低功耗且功能豐富的2.5D圖形處理器（GPU）IP，為智能腕部穿戴設(shè)備提供高性能、高質(zhì)量的矢量圖形處理能力。
2024-05-15 11:14:131717 
近日，芯原股份與低功耗AIoT芯片設(shè)計(jì)廠商炬芯科技股份有限公司（炬芯科技）達(dá)成合作。炬芯科技在其高集成度的雙模藍(lán)牙智能手表SoC ATS3085S和ATS3089系列中，成功采用了芯原提供的低功耗且功能豐富的2.5D圖形處理器（GPU）IP。
2024-05-16 14:58:423423 近日，英國劍橋的半導(dǎo)體知識產(chǎn)權(quán)（IP）領(lǐng)軍企業(yè)Agile Analog宣布了一項(xiàng)重要里程碑，成功在格羅方德（GlobalFoundries，簡稱格芯）的FinFET及FDX FD-SOI先進(jìn)工藝平臺
2024-07-27 14:41:321733 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）2024年10月23日，第九屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店召開，芯原股份創(chuàng)始人、董事長兼總裁戴偉民博士做開幕致辭，并分享了過往和當(dāng)前FD-SOI發(fā)展的一些情況
2024-10-23 10:02:421288 
FD-SOI技術(shù)的市場發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢，尤其是該技術(shù)在AIGC時(shí)代的應(yīng)用前景。通過具體分析和比較FD-SOI、Bulk CMOS和F
2024-10-23 10:22:161108 
。意法半導(dǎo)體表示，相較于其現(xiàn)在使用的40nm eNVM技術(shù)，采用ePCM的18nm FD-SOI工藝大幅提升了性能參數(shù)：其在
2024-10-23 11:53:05990 
下一代帶有ePCM的汽車微控制器，由三星采用聯(lián)合開發(fā)的18nm FD-SOI工藝結(jié)合意法半導(dǎo)體的ePCM技術(shù)制造。 ST專門
2025-01-21 10:27:131124 
近日，由Design & Reuse主辦的IP-SoC Silicon Valley 2025 Day在美國硅谷成功舉辦，活動(dòng)專注于為IP/SoC供應(yīng)商提供展示創(chuàng)新IP和SoC產(chǎn)品的平臺
2025-04-28 11:52:40899 , SiPaaS）業(yè)務(wù)模式，該平臺可為自動(dòng)駕駛、智能駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等高性能計(jì)算需求提供強(qiáng)大的技術(shù)支持。 芯原的芯片設(shè)計(jì)流程已獲得ISO 26262汽車功能安全管理體系認(rèn)證，可從芯片和IP的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)、軟件開發(fā)等方面，為全球客戶滿足功能安全要求的車載芯片提供一站式定制服務(wù)。結(jié)合公
2025-04-30 15:46:02603 近日，在2025年格芯 (GlobalFoundries) 北美技術(shù)峰會上，芯原獲頒“年度設(shè)計(jì)服務(wù)合作伙伴”獎(jiǎng)。這一榮譽(yù)充分肯定了芯原在芯片定制服務(wù)方面的卓越實(shí)力，以及與格芯的緊密合作，特別是在FD-SOI技術(shù)領(lǐng)域的合作成果。芯原北美與印度銷售高級副總裁Mahadev Kolluru代表公司領(lǐng)取獎(jiǎng)項(xiàng)。
2025-09-09 15:40:26687 近日，Design & Reuse在上海和首爾分別舉辦了兩場IP-SoC Day研討會，燦芯半導(dǎo)體（燦芯股份，688691）作為領(lǐng)先的一站式定制芯片及IP供應(yīng)商，受邀參加兩次活動(dòng)并在上海場研討會上發(fā)表演講。
2025-09-17 13:47:30629 芯原股份今日發(fā)布其無線IP平臺，旨在幫助客戶快速開發(fā)高能效、高集成度的芯片，廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)和消費(fèi)電子領(lǐng)域。該平臺基于格羅方德（GF）22FDX?（22納米FD-SOI）工藝，支持短程、中程及遠(yuǎn)程
2025-09-25 10:52:23421 為期兩天的第十屆上海FD-SOI論壇上周圓滿落幕。作為半導(dǎo)體行業(yè)年度技術(shù)盛會，本次論壇匯聚了全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂尖專家、企業(yè)高管及學(xué)術(shù)代表，圍繞 FD-SOI工藝的技術(shù)優(yōu)勢、發(fā)展趨勢、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)等核心
2025-10-10 14:46:25584 2025年9月25日，第十屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店圓滿舉辦。本次論壇由芯原股份 (簡稱“芯原”)、新傲科技和新傲芯翼主辦，SEMI中國和SOI國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟協(xié)辦。超過300位來自襯底
2025-10-13 16:45:401030 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論