蒙特卡洛模擬估算的Remitter不確定性與Remitter及Rbulk的關(guān)系通過(guò)蒙特卡洛模擬評(píng)估測(cè)量誤差對(duì)提取發(fā)射極電阻（Remitter）的影響。假設(shè)暗電導(dǎo)、光生電流密度（JL）和PL強(qiáng)度比（MMPL）的變異系數(shù)均為1%，對(duì)每組Remitter與體電阻（Rbulk）組合進(jìn)行5000次模擬，計(jì)算其相對(duì)誤差（均方根誤差/真實(shí)值）。結(jié)果顯示：誤差傳遞規(guī)律：當(dāng)Remitter≈Rbulk時(shí)，原始誤差被放大；當(dāng)兩者差異顯著時(shí)，誤差被抑制。工業(yè)參數(shù)影響：當(dāng)前典型參數(shù)（體電阻率0.5–2 Ω·cm、發(fā)射極電阻100–130 Ω/□）下誤差輕微放大，但隨輕摻雜趨勢(shì)（Remitter進(jìn)一步升高），不確定性將降低。

不同表面復(fù)合速率（SRVrear）下模擬橫向PL剖面

考慮光子散射模糊效應(yīng)前后的PL分布對(duì)比抗干擾能力：高表面復(fù)合速度（>5000 cm/s）下，體壽命、表面粗糙度對(duì) PL 分布的影響可忽略，且光散射引起的 “涂抹效應(yīng)” 對(duì) MMPL 的影響小于 1%。本研究開(kāi)發(fā)了一種用于測(cè)定擴(kuò)散硅片發(fā)射極片電阻（Remitter）的方法。該方法結(jié)合了渦流電導(dǎo)測(cè)量與非均勻光照光致發(fā)光（PL）成像，其核心優(yōu)勢(shì)在于能夠?qū)w電阻率（Rbulk）可變的樣品進(jìn)行定量分析，并同步分離Remitter與Rbulk。通過(guò)與四探針（4pp）法對(duì)比驗(yàn)證，該方法在寬范圍Remitter（100–314 Ω/□）與Rbulk（16–111 Ω/□）內(nèi)表現(xiàn)出良好一致性（最大偏差15%）。

Xfilm埃利在線四探針?lè)阶鑳x

/Xfilm

Xfilm埃利在線四探針?lè)阶鑳x是專(zhuān)為光伏工藝監(jiān)控設(shè)計(jì)的在線四探針?lè)阶鑳x，可以對(duì)最大 230mm ×230mm的樣品進(jìn)行快速、自動(dòng)的掃描，獲得樣品不同位置的方阻/電阻率分布信息。

• 最大樣品滿(mǎn)足230mm×230mm
• 測(cè)量范圍：1mΩ~100MΩ
• 測(cè)量點(diǎn)數(shù)支持5點(diǎn)、9點(diǎn)測(cè)量，同時(shí)測(cè)試5點(diǎn)滿(mǎn)足≤5秒，同時(shí)測(cè)試9點(diǎn)滿(mǎn)足≤10秒
• 測(cè)量精度：保證同種型號(hào)測(cè)量的精準(zhǔn)度不同測(cè)試儀器間測(cè)試誤差在±1%

本文中渦流-PL法通過(guò)結(jié)合Xfilm埃利在線四探針?lè)阶鑳x驗(yàn)證突破傳統(tǒng)方法的接觸限制和體電阻干擾難題，為光伏制造過(guò)程提供了可靠的在線檢測(cè)方案。

原文參考：《A contactless method of emitter sheet resistance measurement for silicon wafers》

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