新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對開關(guān)頻率在15kHz以上的硬開關(guān)和諧振拓?fù)涠O(shè)計，可滿足其對更高能效以及更低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的要求。

1200V TRENCHSTOP?IGBT6發(fā)布了2個產(chǎn)品系列：優(yōu)化導(dǎo)通損耗-S6系列和優(yōu)化開關(guān)損耗-H6系列。1200V TRENCHSTOP? IGBT6 S6系列集電極-發(fā)射極飽和電壓VCE(sat)1.85V，導(dǎo)通損耗低，并且擁有與H3系列相同的低開關(guān)損耗。1200V TRENCHSTOP? IGBT6 H6系列則進(jìn)一步優(yōu)化開關(guān)損耗，相比于上一代H3系列，總開關(guān)損耗降低約15%。

超軟快恢復(fù)反并聯(lián)二極管經(jīng)專門優(yōu)化，可實現(xiàn)快速恢復(fù)，同時保持極軟恢復(fù)特性，保證了卓越的EMI性能。

正溫度系數(shù)有助于輕松可靠地實現(xiàn)器件并聯(lián)。優(yōu)異的Rg可控性可根據(jù)應(yīng)用要求調(diào)節(jié)IGBT開關(guān)速度。

IGBT6可實現(xiàn)更低VCE(sat)和更低開關(guān)損耗1)

關(guān)鍵特性

S6系列VCE(sat)1.85V，導(dǎo)通損耗低

可在開關(guān)頻率15–40kHz范圍內(nèi)提供開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗的最佳折衷

優(yōu)良的Rg可控性

低電磁干擾

堅固耐用的滿電流反并聯(lián)二極管

主要優(yōu)勢

即插即用可替換上一代H3 IGBT

從H3更換為TO-247-3封裝S6，可將系統(tǒng)能效提高0.15%2)

從H3更換為TO-247PLUS 4引腳封裝S6，可將系統(tǒng)能效提高0.2%2)

2) 基于3相T型三電平逆變器實測值

TRENCHSTOP? IGBT6經(jīng)專門設(shè)計，可輕松直接替換上一代的H3 IGBT?；赥型三電平逆變器的內(nèi)部測試表明，將H3 IGBT更換為新的TO-247-3封裝IGBT6 S6后，系統(tǒng)能效可提升0.15%。將TO-247-3封裝H3 IGBT更換為TO-247PLUS 4引腳封裝IGBT6 S6后，系統(tǒng)能效提升0.20%。

新的1200 V TRENCHSTOP? IGBT6還包括業(yè)內(nèi)獨一無二的、采用TO-247PLUS 3引腳封裝和更低開關(guān)損耗的TO-247PLUS 4引腳封裝、最大電流75A的單管IGBT。

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