AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET，專為高功率應用能效優(yōu)化而生

日前，集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導體及芯片解決方案供應商 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達克代碼:AOSL）推出其新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品，旨在為蓬勃發(fā)展的工業(yè)電源應用市場提供更高能效解決方案。與AOS上一代產(chǎn)品相比，該系列產(chǎn)品在高負載條件下能夠保持較低導通損耗的同時，其開關(guān)品質(zhì)因數(shù)（FOM）顯著提升高達30%。新品在強化性能的同時，確保了卓越的可靠性。Gen3 MOSFET不僅通過AEC-Q101車規(guī)認證，更具備更長的使用壽命和高濕高壓反偏（HV-H3TRB）耐受能力。
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隨著電動汽車 (EV)、人工智能數(shù)據(jù)中心和可再生能源系統(tǒng)對電力需求的激增，電源轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)的能效損耗將大幅加重供電與散熱系統(tǒng)負擔。在電動汽車應用領(lǐng)域，AOS第三代αSiC MOSFET可助力工程師打造更高功率密度與能效的系統(tǒng)架構(gòu)，有效降低電池能耗并延長續(xù)航里程。對于采用800V或±400V高壓直流架構(gòu)的下一代AI數(shù)據(jù)中心，該產(chǎn)品系列通過降低損耗與提升功率密度，能夠滿足持續(xù)增長的電力需求。AOS第三代1200V器件將成為支撐這些高系統(tǒng)電壓新拓撲架構(gòu)的關(guān)鍵元件，為行業(yè)提供不可或缺的高效解決方案。
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AOS全新第三代1200V MOSFET現(xiàn)產(chǎn)品采用TO27-4L封裝，提供15毫歐（AOM015V120X3Q）至40毫歐（AOM040V120X3Q）導通電阻（Rds(on)）選項。公司還計劃陸續(xù)推出采用表面貼片封裝、頂部散熱封裝及模塊封裝的同系列產(chǎn)品。針對大功率電動汽車牽引逆變器模塊應用，AOS已完成第三代1200V/11毫歐大尺寸晶圓的認證工作，現(xiàn)開放晶圓銷售。
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"電動汽車與AI技術(shù)正在重塑產(chǎn)業(yè)格局，但這對電力系統(tǒng)提出了更高要求——必須在能源需求激增時仍保持高效運行，"AOS寬禁帶半導體產(chǎn)品副總裁David Sheridan表示，"我們很高興新一代αSiC MOSFET在滿足客戶性能需求的同時，還能為環(huán)境保護作出積極貢獻。"
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AOS(468) AOS(468)

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第三代半導體全村的希望

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第三代半導體將駛?cè)氤砷L快車道

最近，“我國將把發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)寫入‘十四五’規(guī)劃”引爆全網(wǎng)。什么是第三代半導體？發(fā)展第三代半導體的意義在哪兒？它憑什么一夜爆火

2020-12-14 11:02:44

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第三代半導體將迎來應用大爆發(fā)？

日前，阿里巴巴達摩院預測了2021年科技趨勢，其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導體將迎來應用大爆發(fā)。第三代半導體與前兩代有什么不同？為何這兩年會成為爆發(fā)的節(jié)點？第三代半導體之后

2021-01-07 14:19:48

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高德地圖正式發(fā)布第三代車載導航第三代車載導航首搭于小鵬汽車

1月22日，高德地圖正式發(fā)布第三代車載導航，小鵬汽車成為首款搭載第三代車載導航的企業(yè)。 第三代車載導航能力從“導人”升級為“人車共導”，利用AI視覺技術(shù)和高精地圖，實現(xiàn)車道導航，讓道路規(guī)劃以及引導

2021-01-22 18:05:14

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高德地圖發(fā)布第三代車載導航

1月22日，數(shù)字地圖、導航和位置服務提供商高德地圖在北京發(fā)布了第三代車載導航。

2021-01-24 09:50:57

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國星光電正式推出一系列第三代半導體新產(chǎn)品

第三代半導體Central issue 2020年10月，國星光電成功舉辦了首屆國星之光論壇，論壇上國星光電宣布將緊抓國產(chǎn)化機遇，迅速拓展第三代半導體新賽道。近期，國星光電正式推出一系列第三代半導體

2021-04-22 11:47:10

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第三代半導體行業(yè)深度報告

來源：天風證券，如需下載，進入“華秋商城”公眾號發(fā)送“2021第三代半導體”即可下載。責任編輯：haq

2021-11-03 10:33:40

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第三代半導體器件的測試應用

第三代半導體器件毫不夸張的講為電源行業(yè)帶來了革新，基于其高速，小體積，低功耗的特點，越來越廣泛應用在消費電子及電力電子行業(yè)。下圖顯示了不同技術(shù)的功率器件的性能區(qū)別。可以看到，傳統(tǒng)的Si基IGBT或者

2021-12-29 17:11:06

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第三代半導體材料SIC MOSFET產(chǎn)品手冊

SIC MOSFET是新興起的第三代半導體材料，是一種寬禁帶半導體（禁帶寬度＞2eV，而SI禁帶寬度僅為1.12eV），因其具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點，適用于高溫、高頻、大功率等應用場合。

2022-02-25 15:49:28

ST第三代碳化硅推動電動汽車發(fā)展 OMNIVISION推最高分辨率圖像傳感器

　　意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出第三代STPOWER碳化硅（SiC） MOSFET晶體管，推進在電動汽車動力系統(tǒng)功率設(shè)備的前沿應用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標的場景應用。

2022-03-14 10:25:52

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高通推出支持Wi-Fi 7第三代專業(yè)聯(lián)網(wǎng)平臺產(chǎn)品組合

高通技術(shù)公司宣布推出支持Wi-Fi 7網(wǎng)絡(luò)的第三代高通專業(yè)聯(lián)網(wǎng)平臺產(chǎn)品組合。

2022-05-05 11:15:05

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第三代高通專業(yè)聯(lián)網(wǎng)平臺產(chǎn)品解決方案首發(fā)

　　據(jù)消息了解，高通昨晚正式發(fā)布了全球首個商用Wi-Fi 7的第三代高通專業(yè)聯(lián)網(wǎng)平臺產(chǎn)品解決方案，此平臺目前是全球性能最高的商用無線技術(shù)平臺。

2022-05-05 11:50:21

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高通推出支持Wi-Fi7的第三代Networking Pro系列產(chǎn)品

本周，高通推出支持 Wi-Fi 7 的第三代 Networking Pro 系列，成為頭條新聞。在本文中，我們將了解 Wi-Fi 7、它的改進以及高通最新版本的詳細信息。

2022-05-07 15:47:18

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第三代半導體中的明星元器件產(chǎn)品

近年來，「第三代半導體」這個名詞頻頻進入我們的視野。尤其近年來「第三代半導體」在電動車、充電樁、高功率適配器等應用中的爆發(fā)式增長，使得其越來越貼近我們的生活。

2022-09-22 09:48:50

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第三代半導體的特點與選型要素

第三代化合物半導體材料中，碳化硅（SiC）與方案商和中小設(shè)備終端制造商關(guān)系最大，它主要作為高功率半導體材料應用于電源，汽車以及工業(yè)電力電子，在大功率轉(zhuǎn)換應用中具有巨大的優(yōu)勢。

2022-11-01 09:29:13

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第三代驍龍8cx計算平臺，為移動PC而生

移動互聯(lián)時代，筆記本電腦需要兼顧輕薄便攜、高效運作、持久續(xù)航以及始終在線的連接能力，便于讓職場人隨時隨地投入工作。實現(xiàn)這一切的基礎(chǔ)，便是移動PC中的核心計算平臺。下面將為大家詳細介紹專為移動PC而生的第三代驍龍8cx計算平臺。

2023-01-03 10:47:22

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第三代半導體材料有哪些

第三代半導體材料有哪些 第三代半導體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。從半導體材料的三項重要參數(shù)看，第三代半導體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項指標上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)

2023-02-07 14:06:16

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第三代雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET介紹

在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導通電阻也備受關(guān)注。

2023-02-08 13:43:21

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東芝推出第三代碳化硅MOSFET來提高工業(yè)設(shè)備效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具有低導通電阻和大幅降低的開關(guān)損耗。10種產(chǎn)品分別為5種

2023-02-20 15:46:15

如何化解第三代半導體的應用痛點

又以碳化硅和氮化鎵材料技術(shù)的發(fā)展最為成熟。與第一代、第二代半導體材料相比，第三代半導體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場強、更高的熱導率，電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌，在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴苛環(huán)境下，依然能夠保證性能穩(wěn)定。

2023-05-18 10:57:36

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第三代半導體“藍海”市場，對我們是挑戰(zhàn)還是機遇？

伴隨著物聯(lián)網(wǎng)、新能源和人工智能的發(fā)展，對半導體器件的需求日益增長，對相關(guān)器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛，于是第三代半導體市場應運而生。近年國內(nèi)的第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展如火如荼，同時對高壓、高電流

2022-01-10 16:34:43

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第三代功率器件材料，氧化鎵

第三代半導體功率器件的理想材料，可以在溶劑中生長。

2022-01-13 17:39:23

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第三代半導體應用市場面臨三大痛點，威邁斯IPO上市加速突圍

第三方零部件供應商如及時做出相應布局，將能率先搶占發(fā)展高地。具體來看，不同于普通的硅基半導體功率器件MOSFET，不同品牌之間的第三代半導體功率器件MOSFET的

2023-06-15 14:22:38

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高通發(fā)布第三代驍龍8移動平臺，為下一代旗艦智能手機帶來生成式AI

期待的體驗。 ?? 搭載第三代驍龍8的Android旗艦終端預計將于未來幾周內(nèi)面市。今日，在驍龍峰會期間，高通技術(shù)公司宣布推出全新旗艦移動平臺—— 第三代驍龍 8 ，它是一款集終端側(cè)智能、強悍性能和能效于一體的強大產(chǎn)品。作為Android旗艦智能

2023-10-25 10:30:02

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是德科技第三代半導體動靜態(tài)測試方案亮相IFWS

2023年11月29日，第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)和“第三代半導體標準與檢測研討會”成功召開，是德科技參加第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)，并重磅展出第三代半導體動靜態(tài)測試方案

2023-12-13 16:15:03

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為什么說第三代驍龍8s恰逢其時？

日前，高通舉辦新品發(fā)布會，推出了驍龍8旗艦移動平臺誕生以來的第一款新生代旗艦平臺：第三代驍龍8s，這是高通對驍龍旗艦移動平臺的一次層級擴展，同時意味著廣大消費者未來在旗艦手機市場也將會有更多豐富

2024-03-21 21:04:19

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高通推出迄今為止最強大的驍龍7系移動平臺—第三代驍龍?7+移動平臺

高通技術(shù)公司今日宣布推出第三代驍龍?7+移動平臺，將終端側(cè)生成式AI引入驍龍7系。

2024-03-22 10:38:38

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高通推出第三代驍龍7+移動平臺

在科技日新月異的今天，高通技術(shù)公司再度引領(lǐng)行業(yè)風向標，正式推出備受矚目的第三代驍龍7+移動平臺。此次更新不僅將終端側(cè)生成式AI技術(shù)首次引入驍龍7系列，更在AI模型支持方面實現(xiàn)了跨越式進步。

2024-03-25 10:23:35

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Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET

Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標志著其在高功率半導體領(lǐng)域的又一重要突破。

2024-05-23 11:34:58

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納微正式發(fā)布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列

氮化鎵和GeneSiC碳化硅功率半導體行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）正式發(fā)布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列，為實現(xiàn)最快的開關(guān)速度、最高的效率和功率密度的增進進行優(yōu)化，將應用于AI數(shù)據(jù)中心電源、車載充電器（OBCs）、電動汽車超級充電樁以

2024-06-11 15:46:17

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納微半導體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs

納微半導體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導體的行業(yè)領(lǐng)軍者，近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速（G3F）碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列，包括650V和1200V兩大規(guī)格。

2024-06-11 16:24:44

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瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性測試認證

認證；同時，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn)，后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級碳化硅(SiC)晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。

2024-06-24 09:13:20

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Vishay威世新型第三代1200 V SiC 肖特基二極管，提升開關(guān)電源設(shè)計能效和可靠性

新型碳化硅 (SiC) 肖特基二極管器件采用?MPS?結(jié)構(gòu)設(shè)計，額定電流?5 A ~ 40 A 低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低 Vishay?推出?16?款新型第三代?1200 V?碳化硅

2024-07-05 09:36:12

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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極管，提升開關(guān)電源設(shè)計能效和可靠性

Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN

2024-07-24 09:26:20

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第三代半導體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展

當前，第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導體技術(shù)推進的重要動力之一，新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實現(xiàn)更長的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。

2024-12-16 14:19:55

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第三代半導體器件封裝：挑戰(zhàn)與機遇并存

一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導體器件在電力電子系統(tǒng)、電動汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來，第三代寬禁帶功率半導體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸

2025-02-15 11:15:30

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SemiQ第三代SiC MOSFET：車充與工業(yè)應用新突破

SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實現(xiàn)突破性升級，芯片面積縮小20%，開關(guān)損耗更低，能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產(chǎn)品專為電動汽車充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)

2025-03-03 11:43:43

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