DRV8426E/P 器件是雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動器,適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件可用于驅(qū)動兩個直流電機(jī)或一個雙極步進(jìn)電機(jī)。
驅(qū)動器的輸出級由配置為兩個全H橋的N溝道功率MOSFET、電荷泵穩(wěn)壓器、電流檢測和調(diào)節(jié)以及保護(hù)電路組成。集成電流檢測采用內(nèi)部電流鏡架構(gòu),無需大型功率分流電阻,節(jié)省電路板面積并降低系統(tǒng)成本。提供低功耗睡眠模式,通過關(guān)閉大部分內(nèi)部電路來實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗。為電源欠壓鎖定 (UVLO)、電荷泵欠壓 (CPUV)、輸出過流 (OCP) 和器件過熱 (OTSD) 提供內(nèi)部保護(hù)功能。
*附件:drv8426e.pdf
DRV8426E/P 能夠驅(qū)動滿量程高達(dá) 1.5A 的步進(jìn)電機(jī)或峰值高達(dá) 2.5A 的有刷電機(jī)(取決于 PCB 設(shè)計)。
特性
雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動器
- 一個雙極步進(jìn)電機(jī)
- 雙雙向有刷直流電機(jī)
- 四個單向有刷直流電機(jī)
集成電流檢測功能
- 無需檢測電阻
- ±5% 滿量程電流精度
4.5V 至 33V 工作電源電壓范圍
多種控制接口選項
- 相位/使能 (PH/EN)
- PWM(輸入/輸入)
智能調(diào)諧、快速和混合衰減選項
低R
DS(開):900 mΩ HS + LS,24 V,25°C每橋高電流容量
- 2.5A 峰值(有刷)、1.5A 滿量程(步進(jìn))
引腳對引腳兼容 -
- DRV8424E/P:33V,330 mΩ HS + LS
- DRV8436E/P:48V,900 mΩ HS + LS
- DRV8434E/P:48V,330 mΩ HS + LS
可配置的關(guān)斷時間PWM斬波
- 7、16、24 或 32 μs
支持 1.8V、3.3V、5.0V 邏輯輸入
低電流睡眠模式 (2 μA)
擴(kuò)頻時鐘,實(shí)現(xiàn)低 EMI
有刷直流應(yīng)用中的浪涌電流限制
小封裝和占地面積
保護(hù)功能
- VM 欠壓鎖定 (UVLO)
- 電荷泵欠壓 (CPUV)
- 過流保護(hù) (OCP)
- 熱關(guān)斷 (OTSD)
- 故障條件輸出 (nFAULT)
參數(shù)
方框圖
?1. 核心特性?
- ?雙H橋架構(gòu)?:支持驅(qū)動1個雙極步進(jìn)電機(jī)、2個雙向有刷直流電機(jī)或4個單向有刷直流電機(jī)。
- ?集成電流檢測?:無需外部檢測電阻,電流精度±5%,節(jié)省PCB空間和成本。
- ?寬電壓范圍?:4.5V至33V工作電壓,支持2.5A峰值電流(有刷電機(jī))或1.5A全量程電流(步進(jìn)電機(jī))。
- ?智能調(diào)節(jié)技術(shù)?:
- ?Smart tune動態(tài)衰減?:自動優(yōu)化衰減模式(慢/混合/快衰減),降低電機(jī)噪聲。
- ?Smart tune紋波控制?:通過可變關(guān)斷時間實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)電流調(diào)節(jié)。
- ?低導(dǎo)通電阻?:900mΩ(高邊+低邊,24V/25°C)。
- ?多種控制接口?:支持PH/EN(DRV8426E)或PWM(DRV8426P)控制模式。
- ?保護(hù)功能?:欠壓鎖定(UVLO)、電荷泵欠壓(CPUV)、過流保護(hù)(OCP)、熱關(guān)斷(OTSD)及故障輸出(nFAULT)。
?2. 關(guān)鍵功能?
- ?電流調(diào)節(jié)?:
- PWM斬波控制,關(guān)斷時間可調(diào)(7/16/24/32μs)。
- 通過VREF引腳設(shè)置參考電流,公式:IFS(A) = VREF(V)/2.2(V/A)。
- ?衰減模式?:
- 支持智能動態(tài)衰減、紋波控制、固定慢衰減和混合衰減。
- ?封裝選項?:
- HTSSOP-28(PWP):9.7mm×4.4mm,帶PowerPAD散熱。
- VQFN-24(RGE):4mm×4mm,超小尺寸。
?3. 應(yīng)用場景?
- ?工業(yè)設(shè)備?:打印機(jī)、掃描儀、ATM機(jī)、工業(yè)機(jī)器人。
- ?消費(fèi)電子?:家用自動化、玩具機(jī)器人。
- ?醫(yī)療設(shè)備?:精密儀器驅(qū)動。
?4. 設(shè)計要點(diǎn)?
- ?電源設(shè)計?:
- ?熱管理?:
- HTSSOP封裝RθJA=33°C/W,VQFN封裝RθJA=43°C/W。
- 示例:24V供電下,1.12W總功耗時結(jié)溫約62°C(HTSSOP,TA=25°C)。
?5. 版本更新?
- ? 2022年5月(Rev B) ?:
- 新增典型特性曲線章節(jié)。
- 更新HTSSOP和VQFN布局示例。
- ? 2020年11月(Rev A) ?:
- 將設(shè)備狀態(tài)更改為“生產(chǎn)數(shù)據(jù)”。
?6. 典型應(yīng)用電路?
- ?有刷電機(jī)驅(qū)動?:通過PH/EN或PWM接口控制H橋極性及占空比。
- ?步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動?:配置微步進(jìn)級別(全步至1/256步)及衰減模式。
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